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TechnischeInformation/TechnicalInformation

F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module

preparedby:CMapprovedby:AKDA

dateofpublication:2014-12-04revision:3.0 ULapproved(E83335)

EasyPACKModulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTCEasyPACKmodulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC

VCES = 1200VIC nom = 100A / ICRM = 200A

TypischeAnwendungen TypicalApplications• •3-Level-Applikationen 3-Level-Applications• •Motorantriebe MotorDrives• •SolarAnwendungen SolarApplications• •USV-Systeme UPSSystems

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures• •HighSpeedIGBTH3 HighSpeedIGBTH3• •NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses• •Tvjop=150°C Tvjop=150°C

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures• •PressFITVerbindungstechnik PressFITContactTechnology• •RoHSkonform RoHScompliant

ModuleLabelCodeBarcodeCode128

DMX-Code

ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5ModuleMaterialNumber 6-11ProductionOrderNumber 12-19Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23

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dateofpublication:2014-12-04revision:3.0

IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V

ImplementierterKollektor-StromImplementedcollectorcurrent ICN 200 A

Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 100 A

PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 400 A

Gesamt-VerlustleistungTotalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 600 W

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage

IC = 100 A, VGE = 15 VIC = 100 A, VGE = 15 VIC = 100 A, VGE = 15 V

VCE sat

1,551,701,75

1,75 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,05 5,80 6,45 V

GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 1,60 µC

InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 3,8 Ω

EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 11,5 nF

RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,70 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload

IC = 100 A, VCE = 400 VVGE = ±15 VRGon = 1,1 Ω

td on0,140,1550,16

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload


tr0,0250,030,03

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload

IC = 100 A, VCE = 400 VVGE = ±15 VRGoff = 1,1 Ω

td off0,320,400,42

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload


tf0,030,0550,06

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse

IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nHVGE = ±15 V, di/dt = 3700 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 1,1 Ω

Eon

1,202,002,25

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse

IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nHVGE = ±15 V, du/dt = 2700 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 1,1 Ω

Eoff

3,505,305,90

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

KurzschlußverhaltenSCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 800 A

Tvj = 150°C

tP ≤ 10 µs,

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,20 0,25 K/W

3





Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörperThermalresistance,casetoheatsink

proIGBT/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,20 K/W

TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

Diode,D2/D3/Diode,D2/D3HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V

ImplementierterDurchlassstromImplementedforwardcurrent IFN 125 A

DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 100 A

PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 250 A

GrenzlastintegralI²t-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1450

1400 A²sA²s


DurchlassspannungForwardvoltage

IF = 100 A, VGE = 0 VIF = 100 A, VGE = 0 VIF = 100 A, VGE = 0 V

VF

1,551,501,45

1,70 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent

IF = 100 A, - diF/dt = 3700 A/µs (Tvj=150°C)VR = 400 VVGE = -15 V

IRM

90,0100100

AAA

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SperrverzögerungsladungRecoveredcharge


Qr

3,255,906,40

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy


Erec

0,951,551,65

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,55 0,65 K/W


proDiode/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,60 K/W


4





IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V

Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 100 A

PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 200 A

Gesamt-VerlustleistungTotalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 250 W

Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V


Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage

IC = 100 A, VGE = 15 VIC = 100 A, VGE = 15 VIC = 100 A, VGE = 15 V

VCE sat

1,451,601,70

1,90 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,95 5,80 6,45 V

GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 1,00 µC

InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 2,0 Ω

EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,20 nF

RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,19 nF

Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA

Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload


td on0,0550,060,065

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload


tr0,0250,030,03

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload


td off0,250,270,28

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload


tf0,0350,050,06

µsµsµs

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse

IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nHVGE = ±15 V, di/dt = 3800 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 3,3 Ω

Eon

1,852,803,30

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse

IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nHVGE = ±15 V, du/dt = 4600 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 3,3 Ω

Eoff

3,104,104,60

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

KurzschlußverhaltenSCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 360 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC

700500

AA

Tvj = 25°CTvj = 150°C

tP ≤ 8 µs, tP ≤ 6 µs,

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,50 0,60 K/W


proIGBT/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,50 K/W


5





Diode,D1/D4/Diode,D1/D4HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V

DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 75 A

PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 150 A

GrenzlastintegralI²t-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1050

985 A²sA²s


DurchlassspannungForwardvoltage

IF = 75 A, VGE = 0 VIF = 75 A, VGE = 0 VIF = 75 A, VGE = 0 V

VF

1,651,651,65

2,15 VVV

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent


IRM

120140150

AAA

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SperrverzögerungsladungRecoveredcharge


Qr

8,5017,019,0

µCµCµC

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy


Erec

2,855,706,30

mJmJmJ

Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,55 0,60 K/W


proDiode/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,50 K/W


Modul/ModuleIsolations-PrüfspannungIsolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV

InnereIsolationInternalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3

KriechstreckeCreepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5

6,3 mm

LuftstreckeClearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0

5,0 mm

VergleichszahlderKriechwegbildungComperativetrackingindex CTI > 200

min. typ. max.

ModulstreuinduktivitätStrayinductancemodule LsCE 14 nH

LagertemperaturStoragetemperature Tstg -40 125 °C

Anpresskraft für mech. Bef. pro Federmountig force per clamp F 40 - 80 N

GewichtWeight G 36 g

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.

6





NTC-Widerstand/NTC-ThermistorCharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

NennwiderstandRatedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ

AbweichungvonR100DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %

VerlustleistungPowerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW

B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K



AngabengemäßgültigerApplicationNote.Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

7





AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch)outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,00

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch)outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch)transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical)IC=f(VGE)VCE=20V

VGE [V]

IC [A

]

5 6 7 8 9 10 11 120

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=1.1Ω,RGoff=1.1Ω,VCE=400V

IC [A]

E [m

J]

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 2000

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C

8





SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=100A,VCE=400V

RG [Ω]

E [m

J]

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 100

1

2

3

4

5

6

7


TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4ZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,001

0,01

0,1

1ZthJH : IGBT

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,0120,0005

20,0440,005

30,0320,05

40,3120,2

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=1.1Ω,Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0 200 400 600 800 1000 1200 14000

50

100

150

200

250IC, ModulIC, Chip

DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch)forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,00

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

9





SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)switchinglossesDiode,D2/D3(typical)Erec=f(IF)RGon=1.1Ω,VCE=400V

IF [A]

E [m

J]

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 2000,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0

2,2

2,4

2,6Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C

SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)switchinglossesDiode,D2/D3(typical)Erec=f(RG)IF=100A,VCE=400V

RG [Ω]

E [m

J]

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 100,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3transientthermalimpedanceDiode,D2/D3ZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1

10ZthJH : Diode

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,0350,0005

20,1490,005

30,3110,05

40,6550,2

AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch)outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)IC=f(VCE)VGE=15V

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,00

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

10





AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch)outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V

ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)IC=f(VGE)VCE=20V

VGE [V]

IC [A

]

5 6 7 8 9 10 11 120

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=3.3Ω,RGoff=3.3Ω,VCE=400V

IC [A]

E [m

J]

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 2000

1

2

3

4

5

6

7

8

9


SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=100A,VCE=400V

RG [Ω]

E [m

J]

0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 300

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22


11





TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3ZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1

10ZthJH : IGBT

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,030,0005

20,110,005

30,080,05

40,780,2

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=3.3Ω,Tvj=150°C

VCE [V]

IC [A

]

0 100 200 300 400 500 600 700 8000

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

220IC, ModulIC, Chip

DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch)forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical)IF=f(VF)

VF [V]

IF [A

]

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,40

15

30

45

60

75

90

105

120

135

150Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C

SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)switchinglossesDiode,D1/D4(typical)Erec=f(IF)RGon=3.3Ω,VCE=400V

IF [A]

E [m

J]

0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 1500

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C

12





SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)switchinglossesDiode,D1/D4(typical)Erec=f(RG)IF=75A,VCE=400V

RG [Ω]

E [m

J]

0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 300

1

2

3

4

5

6

7

8Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C

TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4transientthermalimpedanceDiode,D1/D4ZthJH=f(t)

t [s]

Zth

JH [K

/W]

0,001 0,01 0,1 1 100,01

0,1

1

10ZthJH : Diode

i:ri[K/W]:τi[s]:

10,0420,0005

20,0930,005

30,3870,05

40,5280,2

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)

TC [°C]

R[Ω

]

0 20 40 60 80 100 120 140 160100

1000

10000

100000Rtyp

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Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

Infineon

14





NutzungsbedingungenDieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungderEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.

IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.EinesolcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.GarantienjeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-undMontagehinweisendesModulssindzubeachten.

SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeinespezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.

AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenindiesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.

SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltendenAnwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenundgegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.

Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.

InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.

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