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Athena を使用して生成した 40nm 自己整合 n-MOSFET
MC Device により、緩和 / 歪みシリコン・デバイスの振る舞いを、非平衡状態およびバリスティック効果を取り入れて２次元でシミュレートできます。MC Device はデバイス・シミュレーション・フレームワーク Atlas 内で、インタラクティブ・ツールと完全統合されます。
•• すべてのバンド構造を使用
•• 電子とホールに対する MC 輸送モデルに対応
•• キャリアの散乱のモデリング ( 音響フォノン散乱、光学フォノン散乱、キャリア・キャリア散乱、不純物散乱、およびインパクト・イオン化散乱 )
•• 空間依存によるストレスでの電荷輸送の取り扱い
•• シュレディンガー方程式をベースにした量子的補正モデル
•• Athena および Atlas からデバイス構造をインポート可能
•• 任意の方向、さまざまなフィールド、およびストレスのレベルに即した、緩和 / 歪みシリコンの電荷輸送のモデリングを行うためのバルク・シミュレーション・モード
•• 統計的強化方法を採用して、キャリア分布関数のテールおよびホット・キャリアの効果を解析
Vd=Vg=1V および Vs=Vsub=0V 時の平均ポテンシャルおよび平均電界ベクトル
MC Deviceモンテカルロ法を用いた 2 次元デバイス・シミュレータ
特長
Rev.110113_04
平均電子密度と平均速度方向ベクトル 平均電子エネルギー
過 渡 解 析 に よ り 3 つ の収束推定値が得られました ( ドレイン電流が定常状態 で、Vg=Vd=1V および Vs=Vsub=0V)。この解 析は、この構造の中央、左側、右側からの３つの電流密度の積分をベースにしています。
ソース・ウェル(x=-0.4 um)、チャネル(x=+0.0 um)、ドレイン端 (x=+0.02 um)、およびドレイン・ウェル(x=+0.04 um) の平均分散関数です。グラフの曲線は、電子がチャネルを横に移動するのに対応した電子の発熱を示しています。ドリフト・マクスウェル (Drifted Maxwellian) から分散関数がどれだけ外れているかを見ると、このデバイスの MC モデリングの有用性がわかります。
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