k e h bЫ f h g h k ? e ? g b e m i j h < h > g b d h b … · 2018-09-14 · ajp fİzİka...

Published from 1995

Ministry of Press and Information

of Azerbaijan Republic,

Registration number 402, 16.04.1997

ISSN 1028-8546

vol. XXIV, Number 03, 2018

Series: Az

Azerbaijan Journal of Physics Fizika G.M.Abdullayev Institute of Physics

Azerbaijan National Academy of Sciences

Department of Physical, Mathematical and Technical Sciences

HONORARY EDITORS

Arif PASHAYEV

EDITORS-IN-CHIEF

Nazim MAMEDOV Chingiz QAJAR

SENIOR EDITOR

Talat MEHDIYEV

INTERNATIONAL REVIEW BOARD

Ivan Scherbakov, Russia Majid Ebrahim-Zadeh, Spain Talat Mehdiyev, Azerbaijan

Kerim Allahverdiyev, Azerbaijan Firudin Hashimzadeh, Azerbaijan Vali Huseynov, Azerbaijan

Mehmet Öndr Yetiş, Turkey Anatoly Boreysho, Russia Ayaz Baramov, Azerbaijan

Gennadii Jablonskii, Buelorussia Mikhail Khalin, Russia Tofiq Mammadov, Azerbaijan

Rafael Imamov, Russia Hasan Bidadi, Tebriz, Iran Salima Mehdiyeva, Azerbaijan

Vladimir Man’ko, Russia Natiq Atakishiyev, Mexico Shakir Nagiyev, Azerbaijan

Eldar Salayev, Azerbaijan Tayar Djafarov, Azerbaijan Rauf Guseynov, Azerbaijan

Dieter Hochheimer, USA Arif Hashimov, Azerbaijan Almuk Abbasov, Azerbaijan

Victor L’vov, Israel Javad Abdinov, Azerbaijan Yusif Asadov, Azerbaijan

Vyacheslav Tuzlukov, South Korea Bagadur Tagiyev, Azerbaijan

TECHNICAL EDITORIAL BOARD

Senior secretary Elmira Akhundоva, Nazli Guseynova, Sakina Aliyeva,

Nigar Akhundova, Elshana Aleskerova, Rena Nayimbayeva

PUBLISHING OFFICE

131 H.Javid ave, AZ-1143, Baku

ANAS, G.M.Abdullayev Institute of Physics

Tel.: (99412) 539-51-63, 539-32-23

Fax: (99412) 537-22-92

E-mail: [email protected]

Internet: www.physics.gov.az

It is authorized for printing:

Published at SƏRQ-QƏRB 17 Ashug Alessger str., Baku

Typographer Aziz Gulaliyev

Sent for printing on: __.__. 201_

Printing approved on: __.__. 201_

Physical binding:_________

Number of copies:______200

Order:_________

mailto:[email protected]

http://www.physics.gov.az/

AJP FİZİKA 2018 vol. XXIV 3, section: Az

3 131 H.Javid ave, AZ-1143, Baku

ANAS, G.M.Abdullayev Insttute of Physics


Э Ы Ы AIII

BVI

. . 1, . . 2

1 Г ы ,

, Z 1145, . , . . Х , 23 2 Г ы Э ч

, Z 1001, . , . я , 6

[email protected]

. ,

.

лючевые слов : , , ,

PACS: 621.315.592

.

,

,

. -

,

[1].

В , AIII

BVI

.

, ,

-

,

- -

[2, 3].

В

AIII

BVI

,

.

В ≈77÷450 К

(σ), (RX)

(μ)

. , 300 К 77 К

RX , σ μ - .

σ( ) μ ( ) . К ,

( (200230) К, σ

-

( 77 К)

. В , 77 К -

μ ( )

)~(kT

)

.

,

(200÷230)К ,

-

. В ,

,

- μ( ) ,

-

, . . ~ 2

3-

T .

,

, ,

77К (

σ ) ~0.05÷0.15 В ~0.10÷0.20 В, .

___________________________________


. . , . .

4

[1] М.К. Ш , . . Ш Д

// , 1976, .10, 2, . 209-232

[2] .Ш. , . . х , Г .Г., . . М И

//

, 1981, . 15, 7, . 1255-1258

[3] .Ш. , .Г. Кя ы - Э p-GaSe. // ,

1975, .9, 11, .2135-2138





- Ч

- Pb1-xMnxTe

. . 1, . . 2

1 . . . , , 2 ч , ,

tunzalaaliyeva@ mail.ru

PbTe Pb1-xMnxTe . % 95In +4Ag+1Au Ag

, . .

лючевые слов : , , , , . PACS: 73.20.-r.85.40.Sz,85.30.Hi

-

, . -

,

.

,

-

, ,

. .

А3 5

. ,

PbTe , .

Pb1-xMnxTe

3-5 . Э PbTe Pb1-xMnxTe.

PbTe

Pb1-xMnxTe . % 95In +4Ag+1Au

77-300К. К PbTe Pb1-xMnxTe (0,0025 0,04)

. Э

- - .

, ,

693К 120 .

К rk

[1], . А

[2], А

.

383 К .

Pb1-xMnxTe rk 77 300 К . ,

100 . ,

( 40 ) ( ~25) .

. (, · ) Pb1-xMnxTe (rk,

· 2) ~77К ~300К ~77К ~300К

(I) r (I) (I) r (I) (II) r (II) (II) r (II)

0 2,6 x10-3 7,5 x10-4 9,0x10-3 4,1 x10-3 9,3 x10-5 5,4610-4 9,3x10-4 3,410-3

0.0025 5,0x10-5 1,6 x10-3 3,8x10-4 6,9 x10-3 1,1 x10-4 1,4510-3 4,5x10-4 5,510-3

0.005 0,16 8,1 x10-3 1,5 x10-2 8,9 x10-3 6,3 x10-4 2,0410-3 2,0x10-3 6,910-3

0.04 76,9 5,84 3,2 x10-1 5,6 x10-2 0,65 2,1 1,43 2,310-3

,

,

. 690 К

,

. . , . .

6

.

Mn 77К rk 7,5·10-4

· 2 PbTe 5,84 · 2

Pb1-xMnxTe

=0,04, 300 К 4,1·10-3 · 2

5,6·10-2 · 2. rk

. 383 К 500

rk . 77К 300К = 0,04 rk

3,4·10-3 8,38·10-3 · 2

.

. rk PbTe

Pb1-xMnxTe ~383 К. , rk .

[3]: (

rk ), (rk

), (rk ).

.

( ) ( )

. К 1,2,3 =0;0,0025 0,005 .

-

,

, -

[3]. Э , .

А , ,

, Pb1-xMnxTe-

.

In +Ag+Au PbTe Pb1-xMnxTe.

. % 95In

+4Ag+1Au ~ 430 / 473К, =0; 0,0025;0,005 0,04 - 15,18,22 300

. , А = (1+ cos)

~ 847, 838, 829, 804 / 2

. А 5,5-10,5 / 2

~ 10-15%.

К (D0 D) In,

Аg Аu b . PbSe D0(In) = 910

-5; D0(Ag) =

7,410-4

, D0 (Au) = 5,610-2 2/ ; D (In)=1,35; D

(Ag)=0,35; D(Аu) = 0,75 . ,

b , , Ag

b . , ,

Ag, b -

1,51020

-3

.

, , r .

Pb1-xMnxTe

In Ag

, b . Э , ,

: - , o In

(1,5) Ag (1,7) , b (1,8) Аu (2,1); -

, ΔG0 Ag + In +

. , [4]

2Ag + = Ag2Te

42 / . b -

Ag2Te rk.

Ч

, Pb1-

xMnxTe - ( . % 95In +4Ag+1Au)

, .

-

Ag

In, Ag, Au ,

.

- Ч - Pb1-xMnxTe

7

_______________________________

[1] . . , . . , . . ,

. . , Transactions of National

Academy of Science of Azerbaijan, series of

physics-mathematical and technical sciences,

Physics and Astronomy, 2011, XXX1, 2, .126-130

[2] . . , . . , . . , .Ш. ,

, 1992, 52, .46-47

[3] . . , . . , , 2007, .41, .11, .1281-1308

[4] . . . . .:

, 1968, 483





SnTe и Sn1-xMnxTe

. . , . . , . . , . .

Ф . . . , ,

[email protected]

, SnTe Sn1-xMnxTe 77-300` 1021 -3 .

. В , Mn, .

лючевые слов : , , , , .

PACS: 73.60.Bd; 72.80.Jc; 73.40.Gk

-

. Э

,

~1021 -3 [1,2].

SnTe ,

. В

SnTe Sn1-xMnxTe ( = 0,0025; 0,005; 0,01; 0,02; 0,04)

,

α χ 77-300 .

473, 573, 773

120 .

Sn1-xMnxTe, α SnTe,

473, 573 773 , W =1/χ

Sn1-xMnxTe, 773 , .1-2 , , .

В , . , ( ) ,

473, 573 773 .

SnTe =0,0025 , ; .

SnTe ~190-200 . А

α( ) =0,0025 0,005 773

= 0,04. В

α .

Р .1.

( ) Wp (b)

Sn1-xMnxTe: = 0 (1);0,0025

(2);0,005 (3);0,01 (4);0,02 (5);0,04 (6).

Р .2.

SnTe, (1) 473(2), 573(3), 773 (4).

. . , . . , . . , . .

9

Э (, / ), - . . . (α, В/ ), (χ), (χ ), (χ ) (В /( )) W , /В ) Sn1-xMnxTe

. ,

χ =χ - χ = χ- LT

, , , - . χ, χ , - ,

, - -

, L- . [1]

SnTe ~100 , 0,03 В,

~0,4 m0,

~ 3500 2/(В ), - ~3 m0 ~

50 2/(В ).

.

,

, ( ), .

( ) . .1, ~180 ,

,

.

, . Э ,

, , ,

. SnTe ,

2 1020 8 1020

-3

[1]. ,

2 1020

-3

. В , , 773

, , ,

, . В SnTe

Mn, , α.

. " "

α [1]

. - ,

, Pb1-xMnxTe [4], Sn1-xMnxTe

,

. Э α .

В Sn1-xMnxTe

,

. , ,

, .

Э , , SnTe,

Sn1-xMnxTe. , ,

.

SnTe

Sn1-xMnxTe , Mn,

, .

Wp=W0+ D/c2

D - , W0- . ,

. . , . . , . . , . .

10

W0. , W0

W . Э W0

. В , Mn =0,005 W0

, 0,005 W0 . А Mn

0,005, ,

W0, 0,005 Mn,

W0.

, , , Mn α,

SnTe, Sn1-xMnxTe

. , ,

, .

____________________________

[1] . . К , . . , . . .

, 1967.1. 869-879

[2] M.R. Lorenz, D.M. Jepsen., J. Phys. Chem. Solids.

1965. 26. 1177-1179

[3] . . , . . , . . ,

. . . . . 2017.53. 351-353 [4] . . , . . , . . ,

. . . , 2013.47. 289-292





А А Ы А Ы FeS–PbS–M2S3 (M = Ga, In)

M.M. А А 1*, .H. А А А2, .A. А А А1,

O. M. А 1, K. . 3

, .А. 4

1И , , [email protected]

2И Ф , , . [email protected]

3- - я , 4И . . К ,

, я

[email protected]

.

MGa2S4, M2Ga2S5 FeS–PbS–M2S3 (M = Ga, In).

FeGa2S4 NiGa2S4 300 К. , , . Fe1.5Pb5.5In10S22 . ,

, Fe1.5Pb5.5In10S22 Et = 0.19 .

лючевые слов : , , FeS–PbS–M2S3 (M = Ga, In),

, . PACS: 75.30.Kz, 75.40.-s, 75.40.Cx

Э FeS–PbS [1,2], PbS–

Ga2S3 [3], FeS–Ga2S3 [4], PbS–In2S3 [5], FeS–In2S3 [6]

. FeS–PbS–Ga2S3

. , FeS–PbS–Ga2S3

MGa2S4, M2Ga2S5 (M – Fe, Pb).

, ,

NiGa2S4, FeGa2S4 Fe2Ga2S5, S–Ga2S3 ( – Fe, Ni).

FeS–PbS– In2S3(Ga2S3)

.

: 0

298Hf –

298 К; 0

298S –

298 К; 0

298Gf – 298 К.

0

298Gf 0

298Hf (0

Тf ) .

Э [7]

0

,

0

,

0

,

0

1, 1298 mT

ex

fBTfATfxBAxТf xxK (1)

0

,ATf –

, 0

,BTf – , –

, 0

,mT

ex

f – ,

, mx ( ).

(1) ,

.

0

298 f

. (1)

2,0

IIII,298

exp,0

IIII,298

calex

f

ex

f

xf

.

0

298Gf 0

298Hf [8]


https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%98%D0%BD%D1%81%D1%82%D0%B8%D1%82%D1%83%D1%82_%D1%80%D0%B0%D0%B4%D0%B8%D0%BE%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8_%D0%B8_%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8_%D0%B8%D0%BC%D0%B5%D0%BD%D0%B8_%D0%92._%D0%90._%D0%9A%D0%BE%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%B2%D0%B0_%D0%A0%D0%90%D0%9D


M.M. А А , .H. А А А, .A. А А А, O. M. А , K. . , .А.

12

138 102 125 100 / , .

,

.

Э FeS–PbS, FeS–In2S3 (Ga2S3), PbS–In2S3(Ga2S3)

FeS–

PbS–In2S3(Ga2S3) 298 К ( . 1,2).

.

Т ( 0

298Hf , / ), ( 0

298Gf , / )

( 0

298S , /( К)) ( ( )) FeS–PbS–

In2S3(Ga2S3), .

0

298Hf 0

298Gf 0

298S

FeGa2S4 ( )

Fe2Ga2S5 ( )

PbGa2S4 ( )

Pb2Ga2S5 ( )

FeIn2S4 ( )

PbIn2S4 ( )

Pb6In10S21 ( )

Fe1.5Pb5.5In10S22 ( )

696 ± 17

797 ± 17

696 ± 17

796± 17

582 ± 34

582 ± 34

602 ± 34

833 ± 34

731 ± 3

832 ± 3

729 ± 3

828 ± 3

538 ± 34

536 ± 34

556 ± 34

757 ± 34

-643.5 ± 0.3

-583.2 ± 0.3

-643.5 ± 1.3

-703.8 ± 1.3

224 ± 3

255 ± 3

273 ± 2

334 ± 2

Fe1.5Pb5.5In10S22, tE =

0.19 . ,

NiGa2S4 FeGa2S4

.

PEPE gg 0 . NiGa2S4

-0.014 / , FeGa2S4 dPdEg / = -

0.011 / .

. ( EİF-BGM-3-BRFTF-2+/2017-

15/05/1), ( 18 -

029) ( 5 EİF-BGM-4-RFTF-1/2017).

. 1. К

FeS–PbS–In2S3 298 К. 1 – In2S3–FeIn 2S4–PbIn2S4;

2 – FeIn2S4–PbIn2S4–FeS;

3 – PbIn2S4–Fe1.5Pb5.5In10S22–FeS;

4– Fe1.5Pb5.5In10S22 – PbIn2S4– Pb6In10S21; 5 –

Fe1.5Pb5.5In10S22–Pb6In10S21–PbS; 6 – Fe1.5Pb5.5In10S22–PbS– FeS.

. 2. К

FeS–PbS–Ga2S3 298 К.

1 – Ga2S3–FeGa2S4–PbGa2S4;

2 – FeGa2S4–PbGa2S4– Fe2Ga2S5;

3 – PbGa2S4– Fe2Ga2S5–FeS;

4 – FeS – PbGa2S4– Pb2Ga2S5;

5 – FeS –Pb2Ga2S5–PbS.

А А Ы А Ы FeS–PbS–M2S3 (M = Ga, In)

13

______________________________

[1] K. Koike, H. Watanabe, S. Tanaka

Thermodynamic Studies of the Molten FeS–PbS

and Cu2S–PbS Systems // J. Society of Materials

Engineering for Resources of Japan. 1992. V. 5.

2. P. 21–28

[2] M.A. Williamson, J.G. Edwards Thermodynamics

and vaporization chemistry in the PbS–GaS system

// Thermochimica Acta. 1986. V. 107. P. 83–100

[3] P.A. Chilouet, A. Mazurier, M. Guittard Systeme

Ga2S3–PbS. Diagram de phase, etude

cristallographique // Mat. Res. Bull. 1979. V. 14.

9. P. 1119–1124

[4] M-P. Pardo, L. Dogguy-Smiri, J. Flahaut Systeme

Ga2S3–FeS diagramme de phase etude

cristallographique // Mat. Res. Bull. 1981. V. 16.

P. 1375–1384

[5] M.I. Arriourtua, J. Rius, X. Sblans, J.M. Amigo

The crystal structure of lead (II) indium (III)

chalcogenide: PbIn2S4, a synthetic phase closely

related to the lillianite group // Acta Geologica

Hispanica. 1983. V. 18. 1. P. 67-70

[6] M. Womes, J. Olivier-Fourcade, J-C. Jumas, F.

Aubertin, U. Gonser Characterization of the

Single-Phase Region with Spinel Structure in the

Ternary System In2S3-FeS-FeS2 // J. Solid State

Chem. 1992. V. 97. 2. P. 249–256

[7] M.M. Asadov, N.A. Akhmedova Fusion Diagrams

in the BiBO3–YbBO3 and Bi4B2O9–YbBO3

Systems // Int. J. Thermophys. 2014. V. 35. 9-

10. P. 1749–1756. DOI 10.1007/s10765-014-1673-

6

[8] . . . . URL: http://www.chem.msu.su/cgi-

bin/tkv.pl?show=welcome.html





Ч

Щ Х

. . , . .

И Ф ь a

, . , AZ 1143, . 131,

[email protected]

,

. Ч ,

.

лючевые слова: , , – , – – , – , –

– , – , – – .

PACS: 61.20. – p; 77.22. – d; 77.22. Gm;

, 30 1

[1].

. ,

. , ,

,

[2]. , . ε∞

– , n

2, . Э

, 7 3 .

Х

ε' ε"

– ( 6 5Cl – 6 6), – –

( 6 5Cl – – 6 14), – ( 6 5Br – 6 6), – – ( 6 5Br– – 6 14), – ( 6 5J – 6 6),

– – ( 6 5J – – C6H14) λ = 3,26 (20° ) λ = 12,80 (20°÷ –100° ),

. ,

ε0 1 20° . Д

λ=12,80 , [3],

λ = 3,26 [4]. 3%. ε0,

, ,

1%, [5,6].

. . 1 ε0, ε', ε", ε∞,

ε∞ n

2

τ. 20° . Ч 2

. -

( . 1 6 5

J – 6 6) , , , ,

.

, .

,

. ,

- ε' ε" , - ,

. . 1, ε∞

n2

. [2],

,

, .


Ч Щ Х

15

. , ε∞ — n

2

, . ,

𝜀𝑇′ ,

(ε"= 0), n2

ε∞. , ε' ε∞

, , 𝜀∞′ — n

2

[7].

, ,

.

- ,

, , . ,

- 3,5 , ,

, .

, , -

. ε'

ε" ( . 2) ε' ε" ,

𝜀𝑇′ ,

. . Э

, « » , , .

, τ T

, : τ –

τ0 (U/ R ), U – . R –

.

2 ε0 λ = 12,80 λ = 3,26 ε∞ ε∞ - n2 1011·τ,

ε′ ε′′ ε′ ε′′ –

0,000

0,179

0,368

0,567

0,778

1,000

2,28

3,07

3,84

4,60

5,20

5,70

2,28

3,06

3,81

4,54

5,12

5,60

–

0,10

0,22

0,35

0,45

0,54

2,28

2,90

3,45

3,97

4,34

4,63

–

0,31

0,64

0,98

1,25

1,47

2,28

3,34

2,40

2,46

2,52

2,58

0,03

0,08

0,12

0,17

0,23

0,26

0,87

0,95

1,05

1,14

1,19

1,25

– -

0,000

0,243

0,461

0,658

0,837

1,80

2,63

3,40

4,15

4,92

1,89

2,62

3,38

4,12

4,86

–

0,06

0,14

0,24

0,38

1,89

2,57

3,20

3,76

4,24

–

0,21

0,46

0,77

1,11

1,89

2,03

2,16

2,31

2,44

0,00

0,05

0,10

0,16

0,21

0,60

0,68

0,77

0,88

1,07

–

0,000

0,175

0,361

0,560

0,772

1,000

2,28

3,00

3,70

4,36

4,94

5,44

2,28

2,98

3,65

4,27

4,80

5,25

–

0,12

0,25

0,40

0,57

0,73

2,28

2,78

3,19

3,52

3,75

3,96

–

0,31

0,63

0,94

1,21

1,43

2,28

3,34

2,41

2,47

2,54

2,60

0,03

0,06

0,10

0,12

0,13

0,17

1,00

1,21

1,38

1,54

1,70

1,81

– –

0,000

0,238

0,455

0,652

0,834

1,89

2,60

3,33

4,05

4,75

1,89

2,59

3,30

4,00

4,64

–

0,07

0,18

0,31

0,48

1,89

2,48

3,02

3,42

3,74

–

0,24

0,52

0,81

1,21

1,89

2,03

2,17

2,32

2,46

0,00

0,04

0,06

0,11

0,14

0,75

0,90

1,08

1,24

1,54

–

0,000

0,167

0,347

0,545

0,762

1,000

2,28

2,77

3,31

3,78

4,23

4,64

2,28

2,75

3,25

3,67

4,05

4,38

–

0,09

0,21

0,35

0,50

0,67

2,28

2,60

2,87

3,04

3,19

3,30

–

0,21

0,43

0,60

0,74

0,86

2,28

2,34

2,45

2,55

2,64

2,76

0,03

0,05

0,09

0,10

0,12

0,13

1,12

1,45

1,82

2,13

2,43

2,71

– –

0,000

0,227

0,439

0,637

0,824

1,89

2,40

2,95

3,49

4,04

1,89

2,39

2,92

3,41

3,90

–

0,06

0,15

0,28

0,43

1,89

2,29

2,67

2,98

3,13

–

0,16

0,35

0,54

0,71

1,89

2,05

2,23

2,40

2,58

0,00

0,04

0,08

0,09

0,12

0,90

1,17

1,39

1,85

2,24

. . , . .

16

. 1. - – ( 6 5J — 6 6) 20° .

. 2. ε' ε" – – ( 6 5 l – – 6 14) λ = 12,80 ; 6 5 l : 1 – 1,0; 2 – 0,794; 3 –0,562; 4 – 0,3

1.

– , – – , – , – – ,

– , – –

12,80 3,26 .

2. Д .

3.

.

____________________________

[1] S.T. Azizov, O.A.Aliev, R.G.Abaszade,

International Journal of Latest Research in

Science and Technology, Volume 5, Issue 4: Page

No58-62, July - August 2016

[2] . . , . . , Fizika, vol. XXIII, 4, section: En, p. 13 – 16., 2017

[3] . . И , .Э. 3 ь , . , .- . . ., 6.

1960

[4] J.Ph. Poley, LOnde, Electr., 35, 435, 1955

[5] Ajay Chaudhari, A.G. Shankarwar, B.R. Arbad,

S.C. Mehrotra. Journal of Solution Chemistry,

vol.33, 3, March 2004, p. 313 – 322

[6] P.B. Undre, S.N. Helambe, S.B. Jagdale, P.W.

Khirade and S.C. Mehrotra, Pramana-J. Phys., 68,

851 (2007)

[7] . Ф , , ., 1960





Bi0,5Sb1,5Te3

.Ш. 1, . . 1,2, . . 1,

. . 1, . . 1

1И . . . , 2 ы Э ,

[email protected]

Bi0,5Sb1,5Te3. ,

, - . , 90-300

e

1 % , , , ( ). ,

( ), , .

лючевые слова: , , , , , , , .

PACS: 65.60.+a, 65.90.+i

-

,

,

, ,

,

.

, , ,

, ,

-

.

. , ,

, ,

.

,

; ;

;

( , , ).

-

p-Bi0,5Sb1,5Te3.

" -Ч", - " -0000", -

" -0000". ~ 10-2

. ,

, 900 6 ,

.

,

12,8; 14,3; 19; 40 .

50

-2 .

4 / 2, 8

/ 2 660 4 / . , - .

- , ,

.

( ) :

= + .

. ,

.

.Ш. , . . , . . , . . , . .

18

[1, 2],

, .

, . .

[3].

, , .

- , , ,

,

. - , -

,

. , ,

.

. 1

Bi0,5Sb1,5Te3

.

. 1.

Bi0,5Sb1,5Te3

. 1 ,

80-300

T-1

( Э )

,

. , , 40 12,8

300 2,10 1,27 /( K), . . 1,7 .

.

,)( Te

kATL

e

- , –

, L- , k –

, – . =f() [4, 5] c

-

.

, 80-

300 e 1 % ,

, , ( ).

, , ,

. , ( ),

,

.2.

Bi0,5Sb1,5Te3 .

. 2 W =1/ ,

= - e.

, W

W = const T,

. . , -

80-300 , ,

1,01,52,02,53,03,550 100 150 200 250 300 350

40 nm19 nm14,3 nm12,8 nm T, K, W/(m∙K)

0,300,350,400,450,500,550,600,650,700,750,8050 100 150 200 250 300 35040 nm19 nm14,3 nm12,8 nmW, m∙K/W

T, K

…

19

. ,

W T =0,

,

.

, -

, .

______________________

[1] . . , . . И , . .

. ., , 1980, . 256

[2] . Ч , ., , 1980, . 310

[3] . . , И. . , . . , . . , . . - , , 2010, . 53,

. 1712

[4] . . х , . . ., . .

-

. ., , 1972, 200 .

[5] И. ., .И. Э

. ., , 1977, 151 .





AZƏRBAYCANDA YARIMMKEÇİRİCİLƏR FİZİKASI ELMİ

İSTİQAMƏTİNDƏ TƏDQİQATLARIN BAŞLANMASI

CİLOVDARLI (ABBASOV) ABBAS ƏLİ OĞLU

Azərbaycan MEA-nın Fizika Institutu

AZ 1143, Bakı, H. Cavid pr.,131. [email protected]

Azərbaycanda Yarımkeçirici maddələrin tədqiqinə 1954-cu ildə akademik H.M.Abdulayevin rəhbərliyi altında selen və selen

əsaslı düzləndiricilərin tədqiqi ilə başlanmışdır. İlk addımda selen p-n keçidlərinin fiziki xassələrinə radiaktiv, Rentgen və görünən işıq şüalarının təsiri tədqiq edilmişdir. Müəyyən edilmişdir ki, şüalanmalar selen p-n keçidinin elektrik keçiriciliyinə kəskin təsir göstərir.

Açar sözlər: elektrik, Rentqen, yarımkeçirici, selen, görünən işıq, Elektrofizika, anod potensialı..

Azərbaycanda fizika elmi üzrə təcrqbə tədqiqatlarına 1919-cu ildə AXC dövründə BDU-nun yaranması ilə başlanmışdır [1]. Tədqiqatlar əsasən neft və neft məhsullarının fiziki xassələrinin təyin edikməsinə, neft və müxtəlif yeraltı sərvətlərin kəşfiyyatı və istehsalı kimi sənaye əhəmiyyətli məsələlərin həllinə həsr olunurdu.

Bərk cisimlər fizikası ilə bağlı ilk elmi tədqiqat təcrübəsi 1924-cü ildə eyni zamanda Bakı Dövlət Universitetinin və Azərbaycan Politexnik İnstitutunun fizika kafedralarında yaradılmış “Elektrofizija” laboratoriyasında prof. S.N. Usatıyın rəhbərliyi ilə onun

Simferapoldan gəlmiş tələbələri tərəfindən yerinə yetirilmişdir. Universitetdə poladın maqnit xassəsinin onun səth təbəqəsindən asılılığı [2], Politexnik İnstitutda isə anodu alüminium olan dövrədə elektroliz hadisəsi tədqiq edilmiş [3] və maraqlı nəticələr alınmışdır.

1932-ci ildə SSRİ EA-nın Zaqafqaziya Filialının Azərbaycan Şöbəsi və onun tərkibində Fizika Sektoru yaradılmış və Sektorun qarşısına Respublikada aparılan fizika tədqiqatlarını əlaqələndirmək və inkişaf etdirmək vəzifəsi qoyulmuşdur. Sektorda plan üzrə işləməyə üstünlük verilmiş və beşillik elmi yaradıcılıq planı tərtib edilmişdir. Elmi yaradıcılıq planında neft və neft məhsullarının tədqiqinə aid mövzulara geniş yer verilmiş, yalnız “Cismin mexaniki deformasiyasının onun elektrik

və maqnit xassələrinə təsiri” mövzusu ilə elmi

əhəmiyyətli tədqiqatlara imkan vermişdir. Bu mövzu altında Sektorun alimləri Respublika ərazisinin dağ-

mədən suxurlarının istilikkeçirməsi, sıxlığı,və digər fiziki parametrlərini tədqid etmişlər [4]. Azərbaycan alimlərinin yarımkeçirici maddələrlə tanışlığı 1936-ci ildə Fizika Sektoru əməkdaşlarının Leninqrad Fizika-Texnika

İnstitutunda akademik A.F. İoffe ilə görüşündən sonra baş vermişdir. Sektorün əməkdaşı X.İ. Əmirxanovla görüş zamanı akademik ona dağ suxurları ilə deyil, yarımkeçirici maddələrlə məşğul olmağı tövsiyyə etmişdir. Hətta o, bir neçə mövzu da təklif etmiş, proqnozlarını söyləmiş və bu işdə hər cür köməklik göstərəcəyini də vəd etmişdir.

1937-ci ildə X.İ. Əmirxanov Azərbaycan Politexnik

İnstitutunun və Leninqrad Fizika-Texnika İnstitutun

laboratoriyalarənda akademik A.F. İoffenin rəhbərliyi

altında yarımkençirici maddələrin tədqiqinə başlayır. Qısa müddətdə o, müxtəlif temperaturlu iki lövhə arasında yerləşdirilmiş elektron yarımkeçiricinin

elektrikkeçiriciliyini tədqiq edərkən burada asimmetriya

oiduğunu müşahidə etmişdir [5]. H.İ.Əmirxanov aldığı nəticələrin əsasında, “Elektron yarımkeçiricilərdə yeni

səth-kontakt və həcm hadisələri” mövzusunda doktorluq dissertasiyası yazmış və onu 1940-cı ildə Moskva Dövlət

Universitetinin Fizika fakultəsinin Elmi Şurasında müvəffəqiyyətlə müdafiə edib fizika-riyaziyyat elmləri

doktoru adı almışdır. 1945-ci ildə Azərbaycan SSR EA və onun tərkibində

Fizika Sektoru əsasında Fizika İnstitutu yaradılmış [6] və

H.İ.Əmirxanov onun direktoru təyin edilmişdir. Bu hadisə

fizika elmi, xüsusilə də yarımkeçiricilər fizikası istiqamətində tədqiqatların inkişafına və maraqlı elmi nəticələr alınmasına böyük ümid yaratmışdır. İnstitutun

elmi yaradıcılıq planında “YarımkeçirIcilərin və

dielektriklərin istilikkeçirməsinin temperaturdan

asılılığının tədqiq edilməsi“ və “Yarımkeçiricilərdə istilik

düzləndirməsinin tədqiqi” kimi iki problemin həlli

nəzərdə tutulmuş, H.İ.Əmirxanovun rəhbərliyi, kiçik elmi işçi Z.Mustafayevin və dosent M.Q.Haşımzadənin

icraçılığı ilə yerinə yetirilməsi nəzərdə tutulmuşdur.

Lakin, İnstitutda uzun müddət bu problemlərin həlli ilə

bağlı demək olar ki, heç bir elmi tədqiqt işi icra

edilməmişdir. Bu dövrdə H.İ.Əmirxanov Politexnik İnstitutun laboratoriyasında M.H.Ramazanzadə ilə

birlikdə problemə aid olmayan başqa bir mövzu üzərə [7]

tədqiqatda iştirak etmişdir. Gənc aspirant

H.M.Abdullayev isə sərbəst mövzu üzərində işləyir,

yarımkeçirici ilə metal kontaktında anod potensialı sıçrayışını və onun temperaturdan asılılığını [8] tədqiq

edirdi. Bu zaman İnstitutda digər problem mövzuları üzrə

tədqiqatlar da qənaətləndirici olmamışdır. Fyzika İnstitutunda yaranmış bu vəziyyət

Azərbaycan SSR EA-nın rəhbərliyinin diqqətindən

yayınmamış, onun bağlanması, yenidən Riyaziyyat

Sektoru ilə Neft fizikası şöbələrini özündə birləşdirən

Fizika-Riyaziyyat İnstitutu kimi fəaliyyət göstərməsi

haqqında qərar çıxarmışdır. Qərar yerinə yetirilərkən

İnstitutun quruluşunda ciddi dəyişiklik edilməmiş,

rəhbərlik və icra edilməkdə olan elmi yaradıcılıq planı əvvəlki kimi saxlanılmışdır.

1949-cu ilin axırlarında Azərbaycan SSR EA-nın həqiqi üzvü, akademik H.İ.Əmirxanov Bakıda tuduğu bütün vəzifələrindən, o cümlədən Fizika-Riyaziyyat

İnstitutunun direktoru vəzifəsindən istefa verib

Maxaçkala şəhərinə getmiş, prof. Z.İ.Xəlilov İnstitutun direktoru vəzifəsinə təyin edilmişdir.1950-ci ilin yanvar

ayında prof. Z.İ.Xəlilov fizika-riyaziyyat elmləri namizədi

H.M.Abdulayevin elmi işlər üzrə İnstitut direktorunun müavini təyin edilməsi barədə əmr vermişdir [9]. Bundan

sonra İnstitutda Neft Fizikası şöbəsi ilə bağlı məsələlərin


AZƏRBAYCANDA YARIMMKEÇİRİCİLƏR FİİKASI ELMİ İSTİQAMƏTİNDƏ TƏDQİQATLARIN BAŞLANMASI

21

həllində və müəyyən işlərin yenidən qurulmasında H.M.Abdulayevin təkliflərinə üstünlük verilirdi.

Beləliklə 3 laboratoriya və 10 nəfər əməkdaşdan ibarət olan Neft Fizikası şöbəsinin quruluşu 5 laboratoriya və 3 tədqiqatçı qrupdan ibarət təsdiq olundu

[10]. Laboratoriyaların və qrupların elmi istiqamətləri və

qarşıdakı 1950-1955-ci illəri əhatə edən 5-illikdə həll

ediləcək elmi problemlər və onların elmi rəhbərləri

müəyyən edildi. Bərpa edilmiş Metal və Yarımkeçiricilər

Fizikası laboratoriyasının əməkdaşları və onun rəhbəri

H.M. Abdullayevin qarşısında “Neft sənayesində istifadə

üçün yararlı olan yeni ərintilərin və yarımkeçirici maddələrin alınması, tədqiqi və onların texnikada tətbiq

edilməsi,” probleminin həlli qoyulmuşdur. Buradan

görünür ki, problemdə müxtəlif ərintilərin və yarımkeçirici maddələrin alınması, tədqiqi və onların tətbiqi kimi elmi və

təbiqi əhəmiyyətli məsələlərin həllinə geniş yer verilmişdir. Lakin, Problemin rəhbəri H.M.Abdullayevin doktorantura

təhsili almaq üçün Leninqrad şəhərində uzunmüddətli ezam

edilməsi başlanğıcında yüksək elmi nəticələr alınmasına imkan verməmişdir.

Azərbaycanda Yarımkeçirici maddələrin tədqiqinə akademik H.M.Abdulayevin rəhbərliyi altında selen əsaslı yarımkeçirici cihazların tədqiqi ilə başlanmışdır. 1954-cü ildə onun rəhbərliyi ilə selen p-n keçidlərinin fiziki xassələri və onlara radiaktiv, Rentgen və görünən işıq şüalarının təsiri tədqiq edilmişdir [11].

Müəyyən olmuşdur ki, bu şüalar selenin və selen

düzləndiricisinin elektrik və istilik keçiriciliyinin və termoelektrik hərəkət qüvvəsinin kəskin şəkidə artmasına səbəb olur. Yarımkeçiricinin radioaktiv şüaların təsirindən həyəcanlanması onun eleftrik keçiriciliyinin artmasına səbəb olmuşdur. Nüvə enerjisinin birbaşa elektrik enerjisinə çevrilməsinin göstəricisi olan bu nəticə daimi olaraq atom

enerjisindən elektrik enerjisi istehsal etmək üçün Atom elektrik batareyasının yeni bir nəslinin yaradılmasını mümkün etmişdir [12]. CdS-Se və CdSe-Se p-n keçidlərinə Co60 izotopunun qamma şüalarının təsiri öyrənilmiş və bu sistemin Atom elektrik batareyaları hazırlamaq üçün əlverişli olduğu göstərilmişdir [13]. Selen p-n keçidlərinin rentgen şüalarına və görünən işıq şüalarına həssaslığı ixtirası əsasında daşınabilən Rentgen dozimetrlərinin və müxtəlif məqsədlər üçün fotoelementlərinin yaradılmasını mümkün etmişdir. Azərbaycanın filiz mədənlərindən seçilmiş dağ suxuru qalenitin xassələrini tədqiq etmək üçün əvvəlcə onların rentgenquruluş və spektral təhlilləri aparılmış, tərkibindəki aşqarlar müəyyən edimişdir [14]. Tədqiqatlar göstərmişdir ki, hər bir aşqarın növündən və konsentrasiyasından asılı olaraq mineralın fiziki xassələri kəskin şəkildə fərqlənir. Suxurların parçalanmasından alınmış təbii PbS və MoS2 kristallarına Rentgen və γ

şüalarının təsiri öyrənilmiş və onların yaxşı fotomuqavimət materialı olduğu aşkar edilmişdir.

Sonrakı mərhələdə “Hallogenlərin selenin elektrik keçiriciliyinə təsiri” mövzusu tədqiq edilmişdir. Bu zaman brom aşqarının selenin elektrikkeçirməsinə və istilikkeçirməsinə [15] təsiri öyrənilmişdir. Analoji tədqiqatlar yod [16] və xlor [17] aşqarları ilə də aparılmışdır. Bu zaman halogen atomlarının selen yarımkeçiricisinin istilikkeçirməsinə, elektrik keçirməsinə, EHQ-nə, ionlaşma işinə, yükdaşıyıcıların konsentrasiyasına, yürüklüyünə və digər elektrik

xassələrinə kəskin təsir etdiyi müəyyən edilmişdir. 1959-cu ildə Azərbaycan EA-nın Rəyasət

Heyyətinin qərarı ilə Fizika-Riyaziyyat İnstitutunun əsasında iki yeni müstəqil institut: Fizika İnstitutu və

Riyaziyyat və Mexanika İnstitutu yaradıldı. Fizika İnstiyuyunun direktoru vəzifəcinə professor H.M.

Abdullayev təyin olundu. Bundan sonra Fizika

İnstitutunda yeni laboratoriyalar yaradıldı, təddqiqatçıların və tədqiqat mövzularının sayı artdı. 1960-

cı ildə Fizika İnstitutunda H.M. Abdullayevin rəhbərliyi

altında fəaliyyət göstərən və əsasən selen və tellur əsaslı yarımkeçiriciləri tədqiq edən 5 laboratoriyadan ibarət

şöbə yarandı. Şöbədə ancaq H.M.Abdullayevin

Yarımkeçiricilər fizikası elmi istiqamətində irəli sürdüyüı mövzular üzrə tədqiqatlar aparılırdı. Şöbə əslində

H.M.Abdullayevin rəhbərliyi altında çalışan Yarımkeçiricilər fizikası elmi məktəbi idi.

1961-1965-ci illərdə Fizika İnstitutunda 5 problemi

əhatə edən 23 mövzudan 17 mövzu Yarımkeçiricilər

fizikası probleminə aid olmuşdur. Bu istiqamətdə

aparılmış tədqiqatlardan bir sıra elmi və tətbiqi

əhəmiyyətli nəticələr alınmış, kəşflər və ixtiralar

edilmişdir Keçən əsrin 80-cı illərində Akademik

H.M.Abdullayevin Yarımkeçiricilər fizikası elmi məktəbi

o qədər genişlənmiş və şöhrətlənmişdir ki, artıq onun daxilində yeni-yeni elmi istiqamətlərin və elmi

məktəblərin yarandığı hiss olunurdu. 90-cı illərdə

H.M.Abdullayev elmi məktəbində yetışmiş onlarla alimin özlərinin elmi istiqamətləri və elmi məktəbləri yaranmış, yenilikləri və kəşfləri ilə dünya şöhrəti qazanmışlar. Belə

elmi məktəblərdən Akademik M.İ.Əliyevin Yarımkeçiricilərdə Köçürmə Hadisələri elmi məktəbini,

Azərbaycan SSR EA-nın müxbir üzvü Y.M.Seyidovun Bərk Cisimlər Nəzəriyyəsi elmi məktəbini və s.

göstətmək olar.

Azərbaycan EA-nın Fizika İnstitutunun, xüsusən də

Yarımkeçiricilər fizikası elmi məktəbinin yaradıcılığı SSRİ-nin sənaye sahələrində, o cümlədən kosmik və hərbi

sənaye sahəsində çalışan alimlərin və mütəxəssislərin

ciddi marağına səbəb olmuş və onlar uzun müddət bu

nailiyyətlərdən istifadə etmişlər. Sonradan Fizika

İnstitutunda, alınmış nəticələrdən daha səmərəli şəkildə

istifadə etmək üçün Bakıda Sovet İttifaqının hərbi

sənayesinin və kosmik texnikasının çox ciddi sirlərinin

toplandığı Fotoelektronika İnstitutu və “Kaspi” eim mərkəzi yaradılmışdı. Adı çəkilən elmi mərkəzlər

yaradılarkən Fizika İnstitutunun kadr potensialından və

texniki vasitələrini geniş istifadə edilmişdir. Yarımkeçiricilər fizikası istiqamətində

tədqiqatlardan alınan kəşflərin və ixtiraların əsasında cihazların layihələndirilməsi, istehsalı və tətbiqini həyata

keçirmək üçün Bakıda “Selen” və “Reqistr” elm isrehsalat birliyi “Azon”, “İskra” və Gəncədə “Billur” zavodlari, yaradılmışdır. Araşdırmalar göstərmişdir ki, bu müəssisələrin yaradılması Azərbaycan EA-nın həqiqi

üzvü akademik H.M.Abdullayevin təqdimatı və ulu öndər

H.Ə. Əliyenin davamlı şəkildə dəstəkləməsi sayəsində

mümkün olmuşdur. Hazırda bu müəssisələr əsasında yaradılmış zavodlarda müharibə vəziyyətində olan

ölkəmizin müdafiəsinə təminat verən qurğular hazırlanır.

__________________________________________

CİLOVDARLI (ABBASOV) ABBAS ƏLİ OĞLU

22

[1] A.Ə. Cilovdarlı AMEA-nın akad. H.M.Abdullayev

adına Fizika İnstitutu (1945-1993-cü illər) / I hissə, Bakı: 3 saylı Bakı mətbəəsi, 2017, 300 s.

[2] . . , . . // И А , . . ., 1926, 4, .121-134

[3] . . , . . .

// И А , . . ., 1926,

4, .177-187

[4] Х. . х , И -

// А А , 1936, 19, .21-25

[5] Х. . х А -

//

, 1940, 1, .49-54

[6] Fizika Sektorunun Fizika İnstitutuna çevrilməsi barədə SSRİ EA-nın Azərbaycan filialının Rəyasət Heyyətinin qərarı, Azərbaycanda elmi irsin toplanması və cictemləşdirilməsi mərkəzi (1946),

Fond14, siyahi1, iş 4, vərəq1-3

[7] Х. . х , . . И -

-

// И . А А . , 1947,3, .27-33

[8] . . И

// А А . , 1947, .3, 9, .383-389

[9] Fizika-Riyaziyyat institutunun elmi işlər üzrə direktorun müavini vəzifəsinə H.M. Abdullayevin təsdiqinin müzakirəsi. Azərbaycanda elmi irsin

toplanması və cictemləşdirilməsi mərkəzi (1950),

Fond14, siyahi1, iş 9, vərəq1-3

[10] Fizika-Riyaziyyat institutunda Neft fizikası şöbəsinin tərkibinin təsdiqinin müzakirəsi, Azərbaycanda elmi irsin toplanması və cictemləşdirilməsi mərkəzi (1950), Fond 7,

siyahi1, iş 32, vərəq 20

[11] . . , . . , .A.

-n // И . А А . , 1954, 11, .61-67

[12] . . , . . -

// А А . 7, (1956), 435-439

[13] . . , . . , И

CdS-Se CdSe-

Se // И . А А . , . , 1959, 4, .23-34 [14] E.İ. Manaflı, M.Ə. Talibi. Azərbaycan SSR əra- zisi

yataqlarından götürülmüş qalenitin bəzi xassələrinə

dair, Azərb. SSR EA-nın Xəbərləri, FRTE seriyası, 1960, 6, s. 69-75

[15] . . , . . х . //

И . А А . , 1957, 2, .3-13

[16] . . , . . // А , 1957, 4/116, .598-600

[17] . . , . . // А , 1957,

5/114, .995-996





Е - Е А ВЕ ВА А А ЕВ HgCdTe

. . В Ф А А

e-mail [email protected]

, ( ) ( Э Э ) HgCdTe. А ,

, HgCdTe , - ,

, Э , CdZnTe.

лючевые слов : - , , HgCdTe

PACS: 07.57, 85.60.Dw, 85.30

( ),

.

HgCdTe [1-3]

- .

-

( Э) ( Э, Э .). Э , ,

. ,

Э,

-

HgxCd1-

xTe (x=0.2-0.30) CdZnTe ,

(Hg0.946Cd0.054)0.194Te0.806.

, 3-5 8-14 ,

( .1) : Cd Э 0,16÷0.15, (Eg~0,06 V),

1 . Э

Cd Hg

CdZnTe-

HgCdTe .

:

( )

. 2

CdZnTe- Э HgCdTe,

z

Eg(z). ,

. ,

,

c , .

.1. (x)

Hg

Te. 1- .

.2. CdZnTe- HgCdTe


. . В

24

:

- .

CdZnTe HgCdTe .

,

.

: -

. ,

,

; - -

HgCdTe InSb " "

,

. Э .

,

. - . . .

Cd0,96Zn0,04Te (5.8 10-6K-1) Hg CdTe (5.6-5.85 10-6K-1)

. ,

, , . Э

,

; -

CdZnTe.

;

. Э , ,

. . “ "

.

CdZnTe

-

( ) Э . ,

,

. , ,

.

CdZnTe-

Cd Hg1- Te

,

. ,

, CdZnTe (1) Э Cd Hg1- Te

- (2).

(2)

(3), . ,

(4), (5),

(6) 7.

.3. ч ы

.4. -

Е - Е А ВЕ ВА А А ЕВ HgCdTe

25

(8).

(9).

.

_____________________________________________

[1] . . - .

. .: . « », 2011, 203 .

[2] Chu Downs, T.E. Vandervelde // Progress in

Infrared Photodetectors since 2000 // Sensors

(Basel), 2013, v.13, No 4, p.p.5054–5098

[3] Ш. . Э , Э.К. , А.А.А .

// А

No. 20000216, Bakı, 2000

[4] A.A. Aliyev, A.K. Mamedov, I.A. Nasibov, Sh.O.

Eminov, E.K. Huseynov, V.M. Salmanov Multi-

channel infrared imager// SPIE Proc, 2000, v.4340,

p.128-132

[5] Ш. . Э , А.А. А , . . . - HCdTe c

,

CdZnTe // AMEA Xəbərləri , 2017, . XXXVI 2, .56-73





Х ЫХ

ЫХ

. . , Х. . , . . , . . , . . , . . , .Х. , . . ,

. . Ин Ф Н Н н ,

AZ 1143, . . , 131, , н

[email protected]

В

CdS/CdTe .

лючевые слов : , , - ,

PACS: 33.20.Fb, 61.05.cp, 61.20, 81.05.Hd

, ,

.

( - Э) CdS CdTe. К

, Э , .

Э .

Э , Э

, . А ,

Э ( К) [1, 2]

(А А), ,

InSnO (ITO)

А А, ( Э)

(Ni К) , ( CdS-CdTe

Ni) 400-500º .

, .

( . 1) (1),

ITO (2). ,

CdS (3) 100-150 , А А, CdTe (4) 2-

5 , , ,

ZnO (5), (6 7).

К, NiO

( (8) К), А А, (9),

(10), (11), (12) (13,14)

.

. 1.

И : Al/ITO/ /ITO/Al

, Al2O3

Al/ITO/ /ITO/Al 4%-

0-1°C ,

(Э ) dS ( , 0.2 CdCl2,

0.02 S8, 0.1 NH4Cl =1000C) Ni ,

, А А ; p-CdTe

2-5 dS; А А

CdS 5% NaOH; = 4500 20 .; ZnO

; К- (10), (11) (6,7).

Д

ITO, , А А

CdS ITO, А А [3].


Х ЫХ …

27

. 2. dS, А А

В CdS,

А А CdTe "close-spa e sublimation''. . 2

dS, А А.

. 3. Д ( ) (b)

-ITO, (Ar-O2)

,

-ITO,

. .3 ( ) (b) , (Ar-O2)

.

(80÷85%) .

(222) (400)

. И ITO

CdS, А . Д dS-ITO-

. 4

(b) ITO- .

CdS, ITO dO

( JCPDS No.5-0640, 5-0674 24-652)

.

.4 Д dS-ITO-

.5 CdS

.5 . ~300 -1

, (1LO) ,

( ) CdS, 605 -1,

CdS (2LO) ( ) CdS.

, . C

( “Tokyo Instruments”). В

Nd: YAG(λ=532 ) 10 В .

. . , Х. . , . . , . . , . . , …

28

0.5 -1. .6

CdS 760 , CdS,

CdS, Al2O3

CdTe/CdS/ITO/c ,

c ,

. ,

760 ,

, .

( ) [4].

2,4 В ,

- , ,

532 .

,

,

CdS/CdTe

NiO,

, ITO.

ITO, , А А, CdS,

. 6. CdS.

ITO, А А.

CdS/CdTe

(А А), CdS,

CdTe "close-spa ed sublimation''.

И

.

c

.

_______________________________________

[1] Liu Piao Heterojunctions and Schottky Diodes

on Semiconductor Nanowires for Solar Cell

Applications (2010) /University of Kentucky

Doctoral Dissert. pp.170

[2] F. Dar, K. Moonooswamy, M. Es-Souni,

Morphology and property control of NiO

nanostructures for supercapacitor

applications//Nanoscale Research Letters, (2013)

8(1):363

[3] Sh.O. Eminov, E.K. Huseynov, Kh.D. Jalilova et

al. The features of electrochemically deposited

dS thin films // Azerbaijan Journal of Physics,

(2014) v.XX, no.4, pp.43-47

[4] E. Anke Abken, D.P. Halliday, Ken Durose

Photoluminescence of polycrystalline

photovoltaic CdS thin film layers grown by

close-spaced sublimation and chemical bath

deposition // Journ. of Appl.Phys. (2009) 105,

064515





- Ч γ- Ч

. . , . . , . . ,

AZ 1143, , . 9,

[email protected]

- К γ- GaS γ=30-200 .

ε1 (ν) =n2-k2 ε2 (ν)=2no , Im ε-1(ν)=ε2/(ε12 +ε2

2), n (ν) k (ν) γ- GaS.

γ- . , 30≤ γ≤100 - , γ≥100 - - .

лючевые слов : , - К , , -

PACS: 78.30.Fs, 78.67.Pt, 63.22.+m

(GaS)

.

-

, [1-

4]. К [5-7], ,

γ-

- ,

[5,6]. Э

. - К γ-

GaS γ-

.

GaS . - К

FTIR Varian 3600 ν= 400-100 -1

.

=150. R()

γ- GaS.

К -К . γ-

60Co d

γ/ dt=15,66 / . , γ=30-200 .

К-

(1) γ=100(2) 200 (3) GaS

.1.К , GaS

ν =315,3 -1 νLO=365,6

-1 ,

. , - К

( .1, ). -

GaS 100 200 ( ) . γ-

, .

GaS,

.1. К- (1) γ-

100(2) 200(3) GaS, .

GaS


. . , . . , . .

30

-

, [8].

( ), . . , -

.

ε1 (ν ) =n

2-k

2 ε2 (ν)=2nk

, Im ε-

1(ν)=ε2/(ε12 +ε2

2) , n (ν) k (ν) (1) γ-

100 (2) 200 (3) GaS. ε2 (ν) Im ε-1(ν)

.

εο - GaS, 10,

4; 9,7 9,2 .

ε1 (ν)

300 -1,

ε1(ν)<-1. GaS

100 ≤ γ ≤ 200

~ 6-10

-1 .

γ-

GaS. ,

. (γ),

(ν1./2)

. , - ,

( ) , К-

- GaS ( .1, ). ,

~ 1,2-1,5 .

.

, 30≤ γ≤100

, γ≥100 - .

________________________________

[1] . . , .Х. , . . , . . . К

GaS GaSe // . . .-

. . . 1976. 4. .19-25

[2] . . , . . .

, : Э , 1993, 230 .

[3] N.M. Gasanly, A. Aydinli, H. Ozkan, C.Kocabas.

Temperature Dependence of the First-order Raman

Scattering in GaS Layered Crystals // Solid State

Commun. 2000. v.116. p.147-151

[4] . . , . . Э -

A3

B6 // . 1983.

.140. . 2. c.233-236

[5] N.I. Huseynov, N.N. Gadzhieva, F.G. Asadov.

Influence -irradiation and annealing on FT-IR –spectra of absorption of layered crystals GaS //

Journal of Radiation Research. 2015. v.2. p.11-15

[6] R.S. Madatov, T.B. Tagiyev, A.I. Najafov, I.F.

Gabulov, Sh. P. Shekili. // Semicond. Phys.

Quantum Electronics Optoelectronics. 2000. v.9.

2. .8-11

[7] . . , . . , . . . -

. , Э , 2010,

352c.

[8] . . , . . , Х. . . К-

// , 1991. .54. 1. .163





, , TlTe

. . , . . , . . , Ш. . , . . , . .

И Ф ц ь , , , AZ-1143, . . , 131

[email protected]

TlTe 2–300 . 𝑝( ) 160–180 , .

≈ 172K. ∆ ∆ , .

Δ = 0.01 , .

. Д . , .

лючевые слов : ; Д ; ; . PACS: 65.80.+n, 36.40.Ei, 61.72.Ji, 64.70.Dv, 64.70.Pf

, . ,

, [1]. В A

IIIB

VI

( ),

, .

TlTe 2-

300 , [2].

2% 2–10 , 0.3%

300 .

TlTe .1. , TlTe

AIII

BVI

[3]. 150K 𝑝( ) 𝑝 =6 = 50 Cmol ∙K, , - ,

, .

. 1. 𝑝( ) TlTe: – , 1– Д , 2– ∆ 𝑝( ).

Д , 4,5 , 𝑝 ~𝛼 3, .

В 𝑝 2 ,

.


. . , . . , . . , Ш. . , . . , . .

32

, TlTe 𝑝 2

. Э .

TlTe ,

. В

: 𝑝 =∆С𝑝 + . ∆ 𝑝

, – ( ) .

. 1 1 Д = 3𝑛 𝐹 / , 𝑛 – ( TlTe 𝑛 = 2),

– FD T/θD –

Д 4,5 FD T/θD = 3 T/θD 3 𝑥4 𝑥 𝑥 − 1 2 ,θD /T0

Д ≈ 107K.

.

> 100K Д ,

TlTe. Д

, ,

6 .

. 2. θD ( ) TlTe.

. 3. ∆ ( ) TlTe.

, , …

33

. 2 TlTe.

В ( ) 𝑝 TlTe

: ∆ 𝑝 = С𝑝 −( ) ( . 1).

Э , ∆ 𝑝 , ∆ = ∆ 𝑝106.58

∆ ≈0.60 J ∙ mol−1 ∙ K−1 = 294.11K

( . 3). Э ∆ ′ = ln 2 ≈ 5.76 J ∙ mol−1 ∙ K−1 – [6,7]. .1, 𝑝( )

, 160-180 K.

≈ 171.8 K.

171,8-180K .

Э 𝑝( ) ( .1) 150-180K

𝑝0 ∆ 𝑝

( .1), ∆ 𝑝 = 𝑝 − 𝑝0,

TlTe.

50% ∆ 𝑝𝑝0 ≈ 0.5 .

∆ ∆ , ,

∆ 𝑝( ) ∆ 𝑝 ( ) 150-180K. ∆ ∆

. ∆ = 0.01

,

. В :

,

, TlTe . II .

В , ,

[6]: Φ = Φ0 + 2 + 4 + 6 , 1 = 𝑎 − 𝑘 . II > 0.

𝑘 , . . = 𝑘 6 .

: ∆ 𝑝 = 𝑎22 2 − 3 . , 8 ,

∆ 𝑝 −2

: ∆ 𝑝 −2 = 4 2𝑎4 + 12𝑎3 − . (2)

.4 ∆ 𝑝 −2 T

TlTe, 171,3-171,84 K, . . ,

. (2)

(1), .

∆ , Jmol ∆ , Jmol ∙ K ∆

𝑎2 , Jmol ∙ K2

𝑎3 , J2mol3 ∙ K3 15.9 0.09 0.01 0.238 0.109

. 4. ∆ 𝑝/ −2 TlTe.

. . , . . , . . , Ш. . , . . , . .

34

__________________________________

[1] Д . . . .

Ш . . « ». ., 1980, 487 . [2] A.M. Abdullayev, E.M. Kəriməva, S.Q. Cəfərova,

X.S.Vəlibəyov. TlInS2 kristalında istilik tutumu və

faza keçidi. J. Fizika, 2012, cild XVIII, 2, Section: Az, səh. 25–29

[3] K.K. Mamedov, A.Yu. Yangirov, A.G. Guseinov

and A.M. Abdullayev. Heat capacity and phase

transitions in highly anisotropic AIII

BVI

-type

semiconductors and their analogs at low

temperatures. Phys.stat.sol.(a) 106,1988, p.315-

331

[4] Ч. ь. В . ., , 1978, 791 .

[5] . ш , . . ( ). ., 2013, 2, 486 .

[6] . . , . . ш ц. , . V. , . 1. .,

, 1976, 583 . [7] . . , . . ю .

. M., , 1983, 240 .

[8] . . , И. . Ф

, . . 1979. . 21. 2. .

327 - 336





ZnSe MONOKRİSTALININ, YÜKSƏK HİDROSTATİK TƏZYİQ ALTINDA,

MÜQAVİMƏTİNİN ANİZOTROPİYASI

Ş.H. QASIMOV, İ. QASIMOĞLU, H.M. ƏSGƏROV

Azərbaycan MEA-nın H.M. Abdullayev adına Fizika İnstitutu

Bakı şəh. AZ-1143, H. Cavid, 131

gasimoğ[email protected]

Təqdim olunan işdə yüksək hidrostatik təzyiq altında (0,9 GPa) və otaq temperaturunda ZnSe monokristalının müxtəlif

istiqamətlərdə (010)-ρ , (001)-ρ xüsusi müqavimətinin barik dəyişməsi öyrənilmişdir

Açar sözlər: Müqavimət, barik təzyiq,monokristal, paralel, perpendikuliyar istiqamətlər.

Pacs: 61.80.Ed

ZnSe monokristalı AIIB

VI yarımkeçirici birləşmələr

qrupuna daxildir . Qaz daşıyıcıları üsulu ilə alınmışdır, fəza simmetrya qrupu (43m)-dir.Geniş qadağan olmuş zonası var və kifayət qədər öyrənilmişdir[1-

3].Yarımkeçiricilər elektronikasının cihaz hazırlanması sektorunda ZnSe, geniş tətbiqə malikdir[4]. Məlumdur ki,

ZnSe –dən optik cihazlar, prizmalar, güzgülər hazırlanır. Xüsusi optik sistemlərdə və CO2 lazerlərində spektrin

görünən və infraqırmızı oblastlarında (0.55-22mkm)

işləyən cihazların hazırlanmasında istifadə olunur. Sinq

xalkoqen qrupuna mənsub kristallarda, otaq

temperaturunda, yüksək təzyiq altında, faza keçidləri

müşahidə olunur. AIIB

VI tipli birləşmələrdə yüksək

təzyiqli faza keçidləri, həcmin [5] və elektrik

müqavimətinin[6,7] dəyişməsi ilə baş verir. 14GPa-dan böyük təzyiqlərdə, Sinq xakkoqen

birləşmələri Cscl tipli quruluşa keçir[8]. Nümunənin otaq

temperaturudakı xüsusi müqaviməti p=107 Om.sm-dir,

sarı rənglidir, işığa həssasdır.Elektrik hərəkət qüvvəsinin

işarəsinə görə keçiriciliyin n-tip olduğu müəyyən

olunmuşdur. Hazırkı işdə yüksək hidrostatik təzyiq altında

(0.9GPa) və otaq temperaturunda, ZnSe monokristalının müxtəlif istiqamətlərdə (010) –ρ, (001)-ρ xüsusi müqavimətinin barik dəyişməsi öyrənilmişdir. Nümunələr

paralapiped şəkilindədir, qalınlığı 1mm, sahəsi 2x4 mm2-

dir. Kantakların omik olması üçün, gümüş pastadan istifadə olunmuşdur. Ölçmələr berillum bronza

materiallarından hazırlanmış yüksək təzyiq kamerasında aparılmışdır [9]. Təzyiqin ötürülməsi üçün transformator yağının və neftin (1:4) nisbətində olan qarışığından istifadə olunmuşdur. Təzyiq 1%-ə qədər dəqiqliklə

manqan monometrinin köməyi ilə ölçülmüşdür.

Şəkil-1-də ZnSe monokristalının otaq temperaturunda xüsusi müqavimətinin ρ və ρ barik

asılılıqları göstərilmişdir. Göründüyü kimi ρ atmasfer

təzyiqindən 0.6 GPa-a qədər (I oblast) bucaq mailliyi

tgφ1=9.5x10-5

olmaqla xətti xarakter daşıyır. 0.6 GPa-dan

yuxarı 0.85GPa-a qədər (II oblast) bucaq mailliyi tgφ2=

1.5x10-4

–dür.ρ istiqamətində I oblastda bucaq mailliyi

tgφ1= 9.7x10-5

, II oblastda isə tgφ2=2.1x10-1

–dir.

Otaq temperaturunda ZnSe monokristalında hidrostatik təzyiqin atmasfer təzyiqindən 0.85GPa-a qədər

dəyişməsi elektirik müqavimətini ρ~8.6 dəfə, ρ ~12.5

dəfə artırmışdır.Hidrostatik təzyiqin 0.85 GPa-dan

atmasfer təzyiqinə qədər azalması başqa əyri üzrə baş vermişdir, yəni güclü histerizes alınmışdır. Yarımkeçiricilərdə aktivasiya enerjisinin dəyişməsində

ükdaşıyıcıların konsentrasiyasının dəyişməsi əsas rol

oynayır.

Şəkil-1. ZnSe monokristalının xüsusi müqavimətinin ρ(1) və

ρ(2) barik asılılığı. T=300K

Kristalda atomlar yaxınlaşanda qadağan olunmuş zonanın eni artıb və ya azala bilər. Ona görə də müxtəlif

yarımkeçiricilərdə deformasiya zamanı ola bilər ki,

elektirik keçiriciliyi artsin və ya azalsın[10]. Buradan görünür ki, ZnSe monokristalında hidrostatik təzyiqin artması ilə qadağan olunmuş zonanın eni artır və müqavimət də artır. Xüsusi müqavimətin barik

dəyişməsi qadağan olunmuş zonanın eninin Eg dəyişməsi

ilə əlaqədardır. Bu yaxınlaşmada Eg barik asılılığının qiyməti I və II hissələrdə aşağıdakı kəmiyyətlərə

uyğundur.

ρ üçün:

dE1/dP=1.1x10-10

eV/Pa , dE2/dP=1.7x10-10

eV/Pa.

ρ üçün:

dE1/dP=1.1x10-10

eV/Pa , dE2/dP=2.4x10-10

eV/Pa.

Qadağan olunmuş zona eninin barik əmsalının qiyməti

mailto:gasimoğ[email protected]

Ş.H. QASIMOV, İ. QASIMOĞLU, H.M. ƏSGƏROV

36

I hissədə düz zona əmsalının xarakterinə yaxındır. II hissədə isə qadağan olunmuş çəp zona eninin dəyişməsi

ilə əlaqədardır. Deməli ZnSe monokristalının xüsusi müqavimətinin barik

dəyişməsi 0.55GPa-a qədər təzyiqdə qadağan olunmuş zonanın eninin düz zona dəyişməsinə, 0.55GPa-dan

böyük təzyiqlərdə isə, çəp zona dəyişməsinə uyğun gəlir.

Şəkil 2-də ZnSe monokristalının xüsusi müqavimətinin otaq temperaturunda anizatropiya

dərəcəsinin ρ/ρ barik asılılığı göstərilmişdir. Müqavimətin anizatropiya dərəcəsinin barik asılılığının öyrənilməsi göstərir ki, ρ/ρ =2-dir və 0.55GPa-a qədər

(I oblast) təzyiqdən asılı deyil.0.55GPa-dan 0.85 GPa-a

qədər (II oblast) müqavimətin anizatropya dərəcəsi xətti

azalır. Əgər bu xətti uzatsaq 1.15 GPa-da, ZnSe –nin

elektirik müqavimətinin izotrop olduğunu görürük.

Şəkil-2. ZnSe monokristalının müqavimətinin anizotropiya

dərəcəsinin barik asılılığı T=300K

_________________________

[1] . . , . . Э

ы а а , Ш а,1984

[2] А. . , .К.Ш . Ф а АII

BVI

( . а а,1986) [3] .И. , А. . , . . К я .

а ( а ). , а а. Д а, 1987

[4] .К. , .А. К , . . .

а. а (. ., а а,1992)

[5] C.F. Cline, D.R.Stephens. J. Appl. Phus. 1965, 36,

N9, 2869

[6] G.A. Samara,H.G. Drickamer. J. Phus. Chem. Sol.,

1962, 23. N5, 457

[7] S.Minomika,G.A.Samara,H.G.Drikckamer.J.Appl.

Phus.33, N11, 3196

[8] H.G. Drikamer, Sciese, 1963,142, N3, 598

[9] . . И , А. . , А.Ф. , .А. Э, 1966, .6., 161

[10] а . 1,

а- а 1957





Bi2Te3

. . А , . . АХ А А , . . А А х ,

[email protected]

, Bi2Te3 .

. (0001) Bi2Te3

, .

лючевые слова: , , , , . PACS: 61.72.Bb, 61.72.Lk

Bi2Te3

Sb2Te3 .

. ( )

[1-2].

[3-7].

,

, ,

. [8-

9].

[10].

Bi2Te3.

, , — ,

, . ,

,

, , ,

, .

. , , –I –II

.

,

II, . Bi2Te3

. Bi2Te3

(0001). (II) ,

, (0001) Bi2Te3 (1100).

, II, , III,

.

( ).

( ).

, ,

.

,

, .

, I III .

. , .

.

(0001) Bi2Te3

[8-9].

- ,

- .

.

,

. .

.

[10], - .


. . А , . . АХ А А , . . А А

38

, ,

, . ,

, .

,

.

,

.

(0001) Bi2Te3 ,

. -

, ,

.

, , ,

,

. , .

,

.

. , , .

_______________________

[1] . . . // .

. 2006, . 47, 6, . 202-113

[2] . Ц , . , . х // . . 1998, .1, 2, . 5-20.

[3] .И. . // .: . .

- , 1981, 323 .

[4] . . . //

. . 1999, . 169, 9, . 979-

1010.

[5] P. Hahner Theory of solitary plastic

waves. 1. Luders bands in polycrystals // Appl.

Phys. A. 1994, V. 58, p. 41-48

[6] P. Hahner Theory of solitary plastic waves. 2.

Luders bands in single glide-oriented crystals //

Appl. Phys. A. 1994, V. 58, p. 49-58.

[7] . . // . 2004, . 45, 4,

. 131-136

[8] . . , .Ш. х , .Ш. х , . . , . . .

, // . Fizika.

XII, 4, 2006, . 33-40

[9] . . , .Ш. х , . . , . . , .Ш. х .

Te(1)

-Te(1)

BiV

2TeVI

3. // « ».

2015, . 287-288

[10] ю . . // .

1962, 584 c.





Э Э Fe3O4

. . , . . , . . И . ,

Z 1143, . , . . , 131

Hicran90@ rambler.ru

Э+ Fe304. , Fe3O4 ,

. ,

,

( Э) .

лючевые слова: , , . PACS: 82.35.Np

В

, , , ,

, , ,

, [1-4].

,

, ,

[5].

, ,

, .

,

, ,

.

, .

, , . .

.

,

. ,

Fe3O4 ,

. ,

( ), ( , , . .),

, ( ,

). В

Э+Fe3O4 Fe3O4.

. В

Э 343 К Fe3O4. 4-10 .

343К , Fe3O4, Э,

.

15 10

.

() (tg δ)

Э+ Fe3O4

100-106

Hz 30-140º 7-20.

В [6] ,

[6]:

kTV

dК

0

2

max

03

11

3

2

(1)

- , -

. ,

, . .1

Э+Fe3O4 . В ,

. . , . . , . .

40

, .

, , .

.1. Э+Fe3O4 : a) ,

b)

:

kTV

d

tg

tg m

0

2

max

01

2

3

11

. (2)

В ,

,

. А ,

( ) , ,

. ,

,

. , tg

, ,

.

. 2 : 1. Э+5 ml Fe3O4, 2.

Э+10ml Fe3O4, 3. Э+ 15ml Fe3O4

, Э+ Fe3O4

Э Э ...

41

.

, ,

, (

, ).

_____________________________________

[1] . . Ramazanov, R. . Ali-Zade, P.B.

Agakishiyeva Vol. 5, No 3, July-September 2010,

p. 727-733

[2] M.A. Ramazanov, P.B. Agakishiyeva, M.A.

Nuriyev, Sh. Sh. Amirov v.4, 9, 2010, p. 1387 –

1390

[3] R.A. Alizade, M.A.Ramazanov, R.Z.Sadykhov j.

Functional materials 16, 2(2009, p. 183-189

[4] . . , . . , И. . я

" " 2000 .671

[5] И. . К , . Ю. Ю . , . 2000,

43, 5, .3. [6] . . - ,

2010, .84, 9, .1722-1727


42 131 H.Javid ave, AZ-1143, Baku ANAS, G.M.Abdullayev Insttute of Physics E-mail: [email protected]

А А А В p-n А Ч Ч В А

.А. А ВА, А. . А ВА

Ф ц ь , Az-1143, , . 131,

[email protected]

- , « » [1] ,

. , ,

« ». , , .

,

, , .

.

. ,

. ,

,

– c . ,

, ,

. , ,

. . ,

– , ( )

[3].

? , . , – –

. –

,

[3]. : 1. ,

, . Э

.

. 2.

.

« ».

. .

3. ,

, , .

– .

4. , .

.

,

, , « ».

« »

1.

2.

3.

4.

,

5.


А А А В p-n А Ч Ч В . А

43

[3] ,

N. :

(A) + (B) ≥ 1; N(A) + N(B) ≤ 1 (1)

–

.

, (A) + (B) = 1. 1 –

, . ,

. –

μ. Э

[0, 1].

μ I ,

, 0 1. 0 1 I

. , ,

, 1 0, . , ,

. μ

[0, 1]. , , , .

, ,

[2].

. , 0 [0,1] μ

, , 1 – ,

, . . . ,

, ,

, μ [0,1]. ,

,

.

,

, .

, . [2],

,

30%. , «

- ,

, ,

».

. .

, ,

, ,

0, .

Э . , – . ,

( ).

,

F(ω) = const.

, .

[2] , ,

.

,

.

,

. ,

, . , , , - ,

, - , -

, - ( 1/f, f - ).

, - , ,

, , [2].

- , - ,

. , -

,

. .

, p-n . -

p-n , ,

. p-n

.

.А. А ВА, А. . А ВА

44

, p-n

[2]:

P𝑛 |x=0=P𝑛 ( − 1) (2),

– p-n , P𝑛 |x=0 – n

=0; u – , e – , – .

p-n :

∆𝑃 𝑥 = P𝑛 |x=0

− 𝑥𝑝 (3)

,

: 2𝑝𝑥2 = 𝑝−𝑝𝑛𝑝2 (4)

pn – n, lp – n .

р ,

:

2р 𝑥2 = р −р𝑛𝑝2 (5)

α-

: 2[𝑝1 ,𝑝2 ]𝑥 2 = [𝑝1 ,𝑝2 ]𝑝2 (6)

:

[𝑝1 , 𝑝2 ] = 𝑝𝑛 1 , 2 − 𝑥𝐿𝑝 , [ 1 , 2 ] − 𝑥𝐿𝑝 , (7)

1 , 2 , [ 1 , 2 ] – , .

, →∞ n ,

, [ 1 , 2 ] .

, : [ 1 , 2 ] = [ - βb − 𝑛 , βb − 𝑛 ], (8)

βb – .

=Zn n- -n

: 1 , 2 = [(P𝑛( − 1) − 𝑏 − 𝑛 𝑍𝑛𝑝 ) 𝑍𝑛𝑝 , (P𝑛 ( − 1) − 𝑏 − 𝑛 𝑍𝑛𝑝 ) 𝑍𝑛𝑝 ], (9) : 𝑃1 , 𝑃2 =[(P𝑛(1 + (( − 1) 𝑥−𝑍𝑛𝑝 − 𝑏 − 𝑛 𝑥−2𝑍𝑛𝑝 − 𝑏 − 𝑛 𝑥𝑝 ) , P𝑛 1 + − 1 𝑥−𝑍𝑛𝑝 + 𝑏 − 𝑛 𝑥−2𝑍𝑛𝑝 +

𝑏 − 𝑛 𝑥𝑝 (10)

: ∆ 𝑃 =𝑃 − 𝑃 (11)

(10) (11)

: [ ∆𝑃𝑛1 , ∆𝑃𝑛2 ]𝑥=0 =[P𝑛( − 1) − 2 𝑏 − 𝑛 , P𝑛 ( − 1) + 2 𝑏 − 𝑛 𝑍𝑛𝑝 ] (12)

n- p-n :

∆ 𝑃 𝑥 = [∆𝑃𝑛1 , ∆𝑃𝑛2 ]𝑥=0 − 𝑥𝑝 − ( − 𝑥𝑝 − 𝑥𝑝 )[− 𝑏 − 𝑛 , 𝑏 − 𝑛 ] (13) ∆ 𝑃 𝑥 = ∆𝑃 (𝑥) (14)

, Ge Pn=5,7*109c -3.

,

U.

А А А В p-n А Ч Ч В . А

45

,

Э , 1 2,

, U=0,2V U=0,4V, .

, . .

. , , , . . p-n

,

, -

.

__________________________

[1] Fuzzy logic in Chemistry. Edited by Denis H.

Rouvray, Academic Press, 1997. [2] . . Э

, .

« », 2, 1958, . 516 – 568

[3] . .

, .: , 1976. 165 .





р-CdхHg1-хTe N+

. . , . . , . . , Ш. .

И Ф Н Н , AZ 1143, . . , 131, ,

[email protected]

К- CdxHg1-xTe . ,

. , τef , , , 103

. .

лючевые слов : К- , CdxHg1-xTe, - ,

PACS: 07.57, 85.60. Dw, 85.30

К- (Ф )

(35

) (814 ) К- .

Ф CdхHg1-хTe (К Т), - .

Ф К Т - [1].

, Ф

- ,

(Э ) [2, 3,4].

К Т -

x = 0.230.3, . ,

-

n+

- << Ln,

b < Ln ( .1), Ln –

. n+-

. Т b < Ln, -

-n

n- , τ f = R0C0 ( R0,

C0 -n ),

τ

[5]. Т p-n

, Э . Т

. Cd xHg1-x Te,

ZnS 10-20

. SiO2

, n+

- , .

.

. 1.

. 2. Us (1,3)

-CdxHg1-

xTe (х = 0.28) 0 = 8·1015 3 τn = 1,2 (1) (2, 3)

Фb,: 1016 (2) 1014 (3) 2 1 Т = 80 К

Us, в

т.

.

3

2

Е, В/см

1

р-CdхHg1-хTe N+

47

Э -CdxHg1-xTe (х = 0.28) 0 = 8·1015 3

τn = 1,2 Т=80 К,

Us λ=0,9 .

τef τef =2·10-5

Ф = 1015 / 2· .

.2 Us

Фb, = 10

16 (2) 1014 (3) 2 1

Т = 80 К. К

Us Ub.>1 - Э . n

+-

Э =100 / .

, , Us

103 (Фb=10

14

2 1) . Т , Ф ,

τef , Ub. .

___________________________

[1] Antoni Rogalski // Infrared Physics & Technology.

2002. v.43. P.187-210

[2] Ф К- . . . . . .: .

1985. 328 . [3] Risal Singh and Vardna Mittal // Defence Science

Journal. 2003. V.53. No 31. P.281-324

[4] A.И. , . . ю ч . Э

Cd Hg 1- Te . ФТ . .28,

.7, . 1219-1222(1994)

[5] Emil Huseynov and Namiq Ismayilov. Super high

sensitive low-dimention IR-detector.Phys.Status

Solidi C, N7, 1156-1159(2013





- Ы

Cd хHg1-xTe

. .

И Н Н , Az-1143, , . 131,

[email protected]

- К-

CdxHg1-xTe. , , E,

Na, 102 . К- 3-5μm

.

лючевые слова: К- , , Cd xHg1-x Te, -

PACS: 07.57, 85.60. Dw, 85.30

, 77 200 К.

, .

К-

. ,

-

, - . -

, [1.2]

[3] . ,

10 [4].

-

CdxHg1-xTe. ,

E,

Na.

, , [4], ;

τr = τ ·exp(φr·q/kT), (1)

τ ‒ , q-

, k- , T- . φr,

N ( ),

:

φr= Т/q·ln(p+/p

-) (2)

p+ p

- -

.

,

φr.

(1) (2) , τr = τ (p+/p

-).

, tdr τ .

tdr d vdr. p

--

ni .

p+- τ -

[3]:

)1(/)1(2 222ZZZil (3)

Z- po/ni , τi1-

1 , γ-

7 1. τi1 γ [3].

К (3) τ Z

2, , p

+- ,

tdr τ .

p

– p

+- ,

, 3·1016

-3

5·1017 -3, . φr≈60 .

[4] τr

+- -

– Cdx Hg1-xTe (0.24≤x≤0.29)

Т=77-150 К. τr=10-40

.

, , -


- Ы Cd хHg1-xTe

49

, ,

102 ,

. ,

,

, .

Р . Т - Cd xHg1-xTe (x=0.27, = 3· 1016 -3),

:1- 1, 2- 7, 3- , 4- , , 5- .

,

φr.

[5].

Э τ .

К- 3-5

.

,

[3]:

𝑫𝝀∗ = 𝝀𝜼 𝒁 + 𝒁 𝝉𝒏 / /( ) (11)

𝜼 - , - , h-

. К ,

τ Z.

___________________________________________

[1] T. Ashley, C.T. Elliot and A.T.Harker. Non-

equilibrium mods of operation for infrared

detectors. Infrared Phys.Vol.26, No.5, pp.303-

315,1986

[2] T. Ashley, C.T. Elliot. Non-equilibrium devices

for infrared detection. Electron. Lett., 1985,85,

pp.451-452

[3] M. Kalafi, H. Tajalli, M.S. Akhondi, F. Kaziev.

Realization of uncooled photoconductor based

on Cd xHg1-xTe operating in 2-6 μm spectral

range. Infr. Phys. &Technol.41(2000) 293-297

[4] N.J. Ismayilov , A.A. Rajabli , M.A. Musayev and

I.I. Abbasov. Recombination and long-term

relaxation of photoconductivity in +– – –

structures of Cd Hg1- Te (0.24 ≤ x ≤ 0.29). Low Temperature Physics/Fizika Nizkikh

Temperatur, 2018, v. 44, No. 8, pp. 1058–1061

[5] Н. . И , Н. . Т , . . . -

CdxHg1–xTe -

. . .Ф .

(2017),123-127

1

5 2

4

3

τ,s

10-6

10-7

3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

103/T, K-1





. . 1, . . 2, . . 3, . . 1,

. . 1, . . 1

1. . . . , AZ-1143, . . 131, , .

2. ,141980, , я 3. ш ,

AZ 1014, . , , . [email protected]

(MAPD) (10к ц ÷ 1М ц). , n-Si

(U =0÷ 3 ) , p –

. ,

n+-p . n-Si MAPD U U = U

( ).

лючевые слов : , p-n , p-n

PACS: 66.30. Jt; 71.55

, . Э ,

« » (APDg). (10

5÷107),

Si

(MAPD)

. MAPD

,

[1-4].

К MAPD n+

- ( ) [1,4]. MAPD : ,

𝑛 𝑥+ - , p-n

, ,

- p-n ( -

). Ф

, , ,

. . [2-4].

, MAPD

.

( n-Si)

( n-Si) .

,

.

-300, , [5]. Ч

10 1 .

MAPD-3N, U =90.2

=30%. К [5], p-n

, n+

-p

≈ 1 2 1 , p- .

p-n , , ,

( ) p-n :

NA = 2𝑑𝑈 б𝑆2 𝜀𝜀0𝑑 1С2

51

S- p-n , - , 0 -

(0=8.85·10-12 Ф/ ), q-

, U - , D-

.

MAPD-3N , U = (0÷ 3)

(U ) f=10 к ц,

(

f=1 ц ( .1 )

(0-3 )

MAPD. n

+-

p-

.

,

. ,

: , .

W: U = (0÷ 3) 0,8 2,9 (f=10 ), f=1

W=1,4÷3,5 . U =

(0÷ 20) W=5 . -2

(U ) ,

: NA1=(2.1÷2.7)1020 -3 U (0÷3) , NA2=1.03·1021 -3

(U =3÷10) NA3=(1.86

÷ 2.4) ·1021 -3 (U =10÷20) .

К [1,7], PD , n –Si .

-

n –Si.

n –Si ( .2), p-n

+px

, , ,

.

К . 2, U

,

n+

- p

. U =0.3 ,

:

expc

qUC const

kT

q - , - , k -

, βc

(βc ≈ 3÷3,5).

(550±5)

50 500 . C¯

. (U )

U <U , ,

( ).

.1 MAPD- 3N

.

.2.

(MAPD 3N) ( n- Si)

(50, 100 300 ).

, MAPD

[8], ,

-n , , -

. . , . . , . . , . . , . . , . .

52

n , . ,

U , n+

-p , Si,

. U

n+-p

, .

, ,

.

.

[9] ,

,

, , .

G, ,

70

U =1 (f = 300 ). G

, 𝑡𝑔φ = ω𝐺 , ω = 2πf –

( .3). К , U < U > 0, . .

, U >U < 0

. U = 0,55 , = 0 MAPD .

~2·10-3

A/c2.

L,

C¯,

(100 500 )

.4.

𝑃𝑛и ж 0

10 106÷.10

15 -3. 𝑃𝑛и ж ≈𝑛𝑛 ≈ 7 ∙ 1014 −3 𝑛𝑛 -

n- Si . . 4 , L ,

L U =0.6 ~50 . Э

( ) ~15 , 10

100, [10]. ,

, MAPD n

+-p - ,

, « » .

.3 f = 500

.4

1-100 , 2-500

Ч

, (0-

3 ) ( n –Si) .

𝑛 𝑥+ - p-

,

. ,

.

, n –Si U =U

,

53

n –Si

n+-p

. , ,

50 U = 0.65 (f=100 ),

(15 ),

.

______________________________________

[1] . . .

. 2316848, 01.06.2006

[2] N.V. Anfimov, I. Chirikov-Zorin, A.A. Dovlatov et.

al. Beam test of Shashlyk EM calorimeter

prototypes readout by novel MAPD with super

high linearity, Nucl. Instr. Meth. A, 2010,617, pp

78–80

[3] Z.Y. Sadygov, F. Zerrouk, A.A. Dovlatov et.al.

Performance of new mikro-pixel avalanche

photodiode sfrom Zecotek Photonics, Nucl. Instr.

Meth. A, 2009, 610, pp381-383

[4] . . .

, AJP Fizika, 2009, XV, 2, c.180-

182

[5] Э. . , . . , . . , Л. . , Э. . .

AMEA Xəbərləri, Fizika-

texnika elmləri seriyası, fizika və astronomiya

2013,c. XXXII, 2, s.526-533

[6] Z. Y. Sadygov et.al. On features of potential

distribution in avalance photodiodes with deeply

buried pixels, AJP Fizika 2013, XIX, 2,

Sect.En, pp 17-19

[7] . . . .

Ф, 2010, .36, .11, .83-89

[8] E.A. Jafarova., Z.Y. Sadygov et. al. Barrier

capacitance of micropixel avalanche photodiodes

in different frequency, Proc.10th

International

Conference on Technical and Physical Problems

Of Electrical Engineering, 2014 Baku, Azerbaijan,

247-251

[9] Э. . .“ Ge, Si

”

. - . , 2007, , Ф ,

[10] . . , . .Ш . (

) p+-n

, , Ф , 2006, .40, .7, .824-828

AJP FİZİKA 2018 Vol. XXIV 3, section: Az




Ы Ы E Ч ( 3)3 OH

Ч. . K , . . Ы , . . , . . И Ф ц ь ,

, Z-1143, . ,131,

[email protected]

( 3)3 OH 15.9-31.72 .

- , . 24 .

.

лючевые слова: , , .

PACS: 82.80.Ch, 95.85.Bh, 98.58.±w

( 3)3 OH.

( 3)3 OH

15.90 - 31.72 ц.

.

( 3)3 OH

( с χ = 0.975). ,

“ ”

, μb μ . Э

3 ( ).

Ч

,

,

1.

15900-31720 .

- , [1]:

:~,~,~

X Y Z - ; J, JK, K

,J,K – , HJ, HJK, HKJ, HK, hJ, hJK, hK -

; JX, JY, JZ - J

X,Y,Z:

J J J J J JXY X Y

2 2 2 21 , .

,

, J,

. .

24 .

.

ЮЧ

-

955

15900-31720 [2]. 24 µb µc–

. 2

, ,

422422222246

422462222224

22422

212

212

21

2

2

~~~~~~~~

ZXYXYZKZXYXYZJKXYjZK

zKJzJKJZXYXYZKXYJzК

zJKJXY

JJJJhJJJJJhJJhJH

JJHJJHJHJJJJJJJ

JJJJJYXJYXZJYXH


Ы Ы E Ч ( 3)3 OH

55

.

1. ,

,

( 3)3 OH

4753.9471

4750.0598

4446.0886

μ 0

μb 1.195

μc 1.185

μ 1.683

χ 0.97475

Ia 106.3392

Ib 106.4262

Ic 113.7024

, ,

J.

:

; ; -

; ; . , .

- EİF-BGM-3-

BRFTF-2+/2017-15/03/1

2.

– ( 3)3OH,

К

A (M ) 4754.792 (47) 1.

0

B (M ) 4750.423(57) 0.

7

1.

0

C (M ) 4446.832(40) 0.

8

0.

2

1.

0

J (k ) 71.672 (2520) 0.

9

0.

7

0.

8

1.

0

JK

(k ) -22.768 (1578) -

0.1

0.

1

0.

1

0.

0

1.

0

K (k ) 17.971 (2078) -

0.0

-

0.1

0.

0

-

0.0

-

0.7

1.

0

J (k ) -1.404 (175) -

0.1

0.

0

0.

2

0.0

0.

6

0.

1

1.

0

K (k ) 7.507 (628) -

0.0

-

0.1

0.

0

-

0.0

-

0.7

0.

9

0.

1

1

.0

__________________________________

[1] J.K.G. Watson. Vibrational Spectra and

Structure, vol.5 (1977)1-89

[2] Ç. . Qacar., S.A. Musayev, S.B. Kazımova, A.A.

Abdullayev, M.E.Əliyev (CH3)3COH molekulunun

mikrodalğalı santimetrik təcrübi udulma spektrinin kataloqu. Priprint 001. Bakı: Elm nəşriyyatı. 2004, 14 s.





-

Tl(InS2)1-x(FeSe2)x

. . 1, . . 1, . . 1, . . 2,

. . 2, . . 1

1И ц ь , , AZ 1143 , . . , 131

2 ц ь я я ц [email protected]

Tl(InS2)1-x(FeSe2) . И

. g (T) 124, 148, 180 198К σ( ).

лючевые слова: Tl(InS2)1-x(FeSe2) , , , , .

PACS: 82.35

TlSe AIIIB

IIIX2

- TlSe,

MoS2, TlGaSe2 [1-3].

TlInS2 TlGaSe2

MoS2. TlInS2

( .) [4] TlGaSe2 In4S10,

« », Tl. И -

In Ga ,

. К , TlGaSe2 .

Ga, , , [5], -

[6].

TlInS2

Tl(InS2)1-x(FeSe2) -

. ,

TlGaSe2.

.1 , b .

: =10,926, b=10,923, =15,09Å, β=100°, z=16, . >( S

4) [7].

Fe Se

Camebax ; 10-3

.

Tl(InS2)1-x(FeSe2) 220К

. Э TlInS2

[8],

. [9]

Tl(InS2)1−x(FeSe2)x

. , x

, -

. , Tl(InS2)1−x(FeSe2)x TlInS2

,

σ = f(T) ε = f(T). , x

,

. [10] =0

.

=0,005 =f(T) =115К ,

, , . 1

.

σ ( ) ( .2),

( .3),

σ ∕σ .

FeSe2

( .4). g

.


- Tl(InS2)1-x(FeSe2)x

57

.1. ( ) b( )

Tl(InS2)0,985(FeSe2)0,015

.2.

Tl(InS2)1-x(FeSe2)x =0,005

.3.

Tl(InS2)0,995(FeSe2)0,005 50 (1), 150 (2), 175 (3), 200 (4), 250К

(5)

.4.

g

Tl(InS2)1-x(FeSe2)x ( =0,005)

g ,

. g( ) 124, 148, 180

198К σ ( ) ( .2).

__________________

[1] . . , . . , . .

-

2 ∕∕ К , 1969, .14, 3, .443-446

[2] K.J. Range., G. Engert, W. Muller, A. Wiess High

Pressuse Sinthesis and Crystal Structures of TlInS2

–III ∕∕ J. Solid State Chem., 1975, V.14, 3,

P.181-185

[3] D. Muller, H. Hahn Zur structur des TlGaSe2 ∕∕ Z.

An-org. Allg. Chem. 1978, V.438, 1, P. 258-272

[4] W. Hengel, H.D. Hachheimer, C. Carlone High

pressuse Raman Study of the ternary calcogenides

TlGaS2, TlGaSe2, TlInS2 and TlInSe2 ∕∕ Phys. Rev., 1982, B.26, 6, P. 3211-3221

[5] . . , . . , . .

. . , . . , . . , . . , . . , . .

58

TlMIII

X2 (MIII

In,Ga; X=S,Se) // .

, 1980, .36, 8, .34-38

[6] T.J. Jsaacs Determination of the ctystal Simmetry

of the polymorphs of Thallium, Indium Disylphide

TlInS2 // Z. Crystallogr., 1975, V.147, 1-2, P.

104-108

[7] Э. . К -

. // , , 2012. Kitab. 708s

[8] V.A. Aliev, E.F. Bagirzade, N.Z. Gasanov, G.D.

Guseinov Electric Conductivity of TlInS2 and

TlGaSe2 Crystals in the Region of phase

Transitions // Phys. Status Solidi A, 1987, V.102,

P. K109-K112

[9] .У. , . . , . . , Э. . , . . ц

Tl(InS2)1−x(FeSe2)x // , 2012, .54,

3, . 567-570

[10] .У. , . . , . . , . . , . . , Э. .

К

Tl(InS2)1- (FeSe2)x //И . . .- . . 2013. 4. . 38-42


59 131 H.Javid ave, AZ-1143, Baku ANAS, G.M.Abdullayev Insttute of Physics E-mail: [email protected]

Ы InSb C

. . *, . . **, . . Ы**

, . . **,

. ***

* ц ц ,

AZ-1045, , , 25

**И ,

AZ -1143, , . . , 131

***ADNSU, AZ-1007, , . ,20

[email protected]

InSb-MnSb .

-InSb.

лючевые слова: , , . PACS: 85.50.-n, 85.85.+j, 81.70.Bt.

,

e .

, ,

. 3 5-

3 . И -

,

.

- , ,

,

,

, [1,2].

,

.

. , : ,

, , , .

, , ,

,

. . .

InSb-MnSb -

InSb 111 5,6.1017÷ 1,6.1019 -3

250-350 2 10-3 . .

Э

InSb-MnSb 6.5 . % MnSb. Э

1 . ,

InSb-MnSb

50÷100

, 1 , 8,1 104 2 [1,3].

, ,

, -4. , ,

, ,

[4,5].

( ), (I)

( ): Ix || P, Ix P , I||x||P 7 0,8 0,2 3.

. ,

. Ч -931 153 ,


. . , . . , . . Ы, . . , .

60

, , 80-390 .

,

. И ,

, [6].

,

. Х 250-350 ±2.10-3 . .

Р .1.

InSb-MnSb .

Р .2

: - InSb 1.6x1019÷6x1019 -3

InSb-MnSb

.1

InSb-MnSb . ,

, . .

, GaSb-FeGa1.3, GaSb-CoGa

[5,7] , - , InSb.

-InSb .

И , - InSb ,

GaSb, , - , =0.

[7],

. ,

6x1018 -

3 , . .2

S(T)

- InSb 1.6x1019÷6x1019 -3 InSb-MnSb

250÷350 . И , - InSb

. , . , ,

,

.

, ,

, (mt

*ml*40),

. Э

. ,

. ,

-InSb

InSb-MnSb

-InSb. И

, , . И

50 100.105 . . Ч

. И

1%.

1.10+5

. И 10

. InSb-MnSb

Ы InSb C

61

~35 -60+115 ,

, -.

, -InSb

6.1018 , ,

.

_________________________________

[1] .И. , И.Х. , . . ,

. . Х , Р. . Р , Р. . , Э

InSb-MnSb GaSb-FeGa1.3. Transactions of Azerbaijan National Akademy of Sciences,physics and astronomy, 2014, 34, 5, 30-37

[2] M.I. Aliyev, I.Kh. Mammadov, A.A. Khalilova,

R.N. Rahimov, D.H. Arasly, Structural features and electrical conductivity of the GaSb-FeGa1.3 and GaSb-CoGa1.3 eutectic composites. Moldavian Journal of the Physical Sciences, 2012, Vol. 11, N3 157-162

[3] I. Kh. Mammadov, D. H. Arasly, A. A. Khalilova

and R. N. Rahimov Anisotropic Electrical Properties of a Eutectic InSb + MnSb Composite, Inorganic Materials, 2016, Vol. 52, No. 4, pp. 423–428

[4] .И. , И.Х. , . . Х ,

. . , Р. . Р .

GaSb-FeGa1.3. Milli Aviasiya Akademiyası, Elmi

əçmuələr, 2004, 2,115-127 [5] M.I. Aliyev, A. A. Khalilova, D.H. Arasly,

R.N Rahimov, M. Tanoglu, L. Ozyuzer Strain gauges of GaSb-FeGa1.3 eutectic composites. Appl.Phys.:A, 2004, 79, No 8, 2075-2079

[6] .И. , . . Х , . . , Р. . Р , . Т , . .

GaSb, o .Transactions of Azerbaijan National

Akademy of Sciences,physics and astronomy, 2003,23, 5, 93-96

[7] И.Х. , . . Х , Р. . Р ,

. . , .И.

GaSb-CoGa1.3. Milli Aviasiya Akademiyası, Elmi əçmuələr,2012,14,1, 6-11

http://dx.doi.org/10.1007/s00339-004-2870-0





MÜDRİK ALİM, AKADEMİK H.M. ABDULLAYEV

Ə.T. BAĞIROVA AMEA akademik H.M.Abdullayev adına Fizika İnstitutu

tahira.bagirova26@gmail.

Bu gün dünyada bütün elm, təhsil, sənaye və

ümumiyyətlə müasir həyat yeni texnologiyalar əsasında qurulur. Müasir cəmiyyətin inkişafını yarımkeçiricilər

əsasında qurulmuş mikroelektronikasız təsəvvür etmək

mümkün deyil. Azərbaycanda , mikroelektronikanın əsasında yeni

texnologiyaların təməlini görkəmli alim, akademik Həsən

Abdullayev qoymuşdur və onun yaradıcısı olaraq yüzlərlə

tələbələr hazırlamış və onlar ilə birlikdə inkişaf etdirmişdir.[1]

Görkəmli Azərbaycan alimi fizika elmləri doktoru,

Azərbaycan EA həqiqi üzvü , Rusiya Federasiyası EA müxbir üzvü, Azərbaycan EA-nın prezidenti olmuş, professor H.M.Abdullayev 1918-ci ildə Naxçıvan Muxtar Respublikasının Culfa rayonunda anadan olmuşdur.

1941-ci ildə Azərbaycan Pedaqoji institutunun

fizika-riyaziyyat fakültəsini bitirən H.M.Abdullayev

bütün sonrakı ömrünü Azərbaycanda elmin, təhsilin

inkişafına sərf etmişdir. 1948-ci ildə H.M.Abdullayev EA Fizika–Riyaziyyat

İnstitutunda aspiranturanı bitirərək, “Elektron

yarımkeçiricilərdə anod polyarizasiyanın temperatur

asılılığının tədqiqi” mövzusunda namizədlik

dissertasiyasını uğurla müdafiə etmişdir. Azərbaycan Dövlət mükafatı laureatı, əməkdar elm

xadimi 1970-1983-cü ilərdə Azərbaycan EA prezidenti,

1954-cu ildən ömrünün sonunadək akademik

H.M.Abdullayev AEA Fizika institutunun direktoru

olmuşdur.Azərbaycan fiizka elminin dünya səviyyəsinə

yüksəlməsində akademik H.Abdullayevin böyük əməyi

olmuşdur. Azərbaycanda yüksək texnologiyalar, elektronika və

iqtisadiyyatda bu gün də tətbiq olunan işlər və nailiyyətlər

akademik Həsən Abdullayevin yarımkeçiricilər

fizikasında yarıməsirlik fəaliyyəti, apardığı tədqiqatlar

nəticəsində əldə edilmişdir. Dünya elmində ilk olaraq “selen yarımkeçiriciləri”

istiqamətini və onun əsasında öz elmi məktəbini və bu

sahədə Azərbaycanda yarımkeçiricilər üzrə ilk elmi –tədqiqat məktəbi olaraq Elmlər Akademiyasının Fizika institutunu yaratmışdır. Keçmiş SSRİ-də, ilklərdən olaraq,

1954-cü ildə Bakı Dövlət Universitetində H. Abdullayev

yarımkeçiricilər fizikası üzrə kafedra təşkil etmişdir. Akademik Həsən Abdullayev öz tükənməz enerjisi,

məqsədyönlü fəaliyyəti ilə gənclərə örnək idi.O,

ixtisasınadan asılı olmayaraq gənc alimlərin fəaliyyəti ilə

yaxından maraqlanır, onlara əlindən gələn qayğı, maddi və mənəvi yardım göstərilməsini özünə borc hesab edərdi.

O, çox haqlı olaraq Azərbaycan elminin ən perspektivli

sahələr üzrə inkişaf etdirilməsinin tərəfdarı idi. Akademik Həsən Abdullayev digər ölkələrin elmi-

tədqiqat institutlarının qabaqcıl təcrübəsindən istifadə

edilməsində fəallıq göstərirdi. Bir sözlə, akademiya

sistemində əsaslı islahatlar aparılmasının tərəfdarı idi.

Yüksək mənəvi keyfiyyətlərə malik fenomenal bir

şəxsiyyət olmaqla yanaşı, doğma Azərbaycanımızı səmimi qəlbdən sevirdi. Akademiyanın Rəyasət Heyətinin

yığıncaqlarında çıxış edən alimlərdən, xüsusilə rus dilində

təhsil alanlardan öz fikirlərini Azərbaycan dilində izah

etmələrini tələb edərdi. Bu fakt onun xalqına necə dərin

hisslərlə bağlı olduğunu bir daha sübut edir. Onun yaratdığı nəhəng elmi irs xalqımızın mili sərvəti olduğuna görə qorunmalı və gələcək nəsillərə çatdırılmalıdır. [2]

Akademik Həsən Abdullayevin elmi – təşkilatçılıq məktəbidir, elmin ən səmərəli şəkildə idarə edilməsi

işində topladığı zəngin təcrübə məktəbidir. Ötən əsrin 70-

80-ci illərində ulu öndər Heydər Əliyevin rəhbərliyi

altında ümummilli strateji vəzifələrin, o cümlədən, elmi

quruculuq işlərinin həyata keçirilməsində Milli Elmlər

Akademiyasının prezidenti kimi ən fəal şəxslərdən biri

olmuşdur. O, Akademiya institutlarında fundamental

tədqiqatların genişləndirilməsi, alınan elmi nəticələrin

nəzəri cəhətdən yüksək səviyyədə işlənməsi ilə yanaşı respublikanın ayrı-ayrı təbii sərvətlərinin daha dərindən

öyrənilməsi və elmin iqtisadi səmərəsinin artırılmasına yönəldilən kompleks tədqiqatlara da üstünlük verirdi.

H.M.Abdullayevin beynəlxalq elmi əlaqələr

sahəsində gördüyü işlərdən də söhbət açmamaq mümkün deyil. Çünki beynəlxalq əlaqələr hər bir böyük alimin fəaliyyətində mühüm yer tutur. Digər tərəfdən isə elmin

özünün mahiyyəti, onun beynəlxalq xarakteri alimlərin

vaxtaşırı bir-biriləri ilə ünsiyyətdə olmalarını zəruri edir.

Onların qarşılıqlı elmi səfərləri, beynəlxalq seminarlar,

konfranslar, simpoziumlar – bunların hamısı elmin inkişafı üçün çox vacibdir. Akademik H.M.Abdullayev

alimlərimizin Ümumittifaq və Beynəlxalq konfransların, konqreslərin, simpoziumların işində fəal kömək edirdi. O,

SSRİ-nin Moskva, Leninqraf, Kiyev, Novosibirsk,

Xarkov, Kazan və digər şəhərlərində yerləşən qabaqcıl elm mərkəzləri ilə əlaqələr yaratmaqla Respublikada

fizika elminin pillə-pillə inkişafına nail olmuşdur. Aspiranturaya qəbul olunmuş onlarla gənclərin

təhsillərinin, yuxarıda qeyd olunan şəhərlərdə yerləşən

tanınmış elmi mərkəzlərdə, davam etdirilməsində H.M.

Abdullayevin göstərdiyi köməkliklər yüksək səviyyədə

gənc fiziklər nəslinin yetişməsində onun əvəzsiz

xidmətləri olmuşdur. [3]

H.M. Abdullayevin fizika seminarlarında vaxtaşırı olaraq fizikanın fəlsəfi problemlərinə toxunması, müxtəlif

qeyri-standart mənbələrdə özünə yer tapmış fiziki mahiyyətləri müzakirə edərək məqsədyönlü şəkildə

istifadə edilirdi. Bu baxımdan fizika seminarlarında xalqımızın klassik şairi Nizami Gəncəvi irsinin geniş miqyasda tədqiqatı aparılmış və alınmış nəticələr əsasında kitab nəşr edilmişdir. Kitabçada dahi şair Nizami geniş Gəncəvinin əsərlərində olan dəqiq elmlər sahəsindəki

MÜDRİK ALİM, AKADEMİK H.M. ABDULLAYEV

63

elmi fikirlərini oxuculara açıq səkildə çatdırmaq məqsədi

qoyulmuşdur. [4]

Burada şair filosofun materiya – kainatın yaranmasında ilkin amil hesab etdiyi hərəkətin növləri,

çevrilmələri və bu çevrilmələri yaradan qüvvələrin

xüsusiyyətləri haqqında baxışları, kainatda mövcud olan saxlanma qanunlarının rolu, məkanın qeyri-evklid

xarakterə malik olması, işığın təbiəti, tərkibi və

xüsusiyyətləri barədəki fundamental elmi fikirləri şərh

edilir.

H.M. Abdullayev gənc mütəxəssislərə xüsusi diqqət

yetirir, onların respublika üçün əhəmiyyətli ixtisaslar üzrə

SSRİ-nin tanınmış elmi mərkəzlərinə, o cümlədən,

Ukraynanın kibernetika institutuna, SSRİ Elmlər

Akademiyasının Hesablama mərkəzinə məqsədli

aspiranturaya göndərilməsini təmin edirdi.

H.M. Abdullayev Fizika institutuna rəhbərlik etdiyi

dövrdə institutun əməkdaşları SSRİ, Azərbaycan,

Ukrayna Respublikalarının Dövlət, SSRİ EA-nın adlı mükafatlarına layiq görülmüşdür.

Akademik H.M. Abdullayevin, Azərbaycan xalqının çoxəsrlik tarixində, hörmətli ulu öndərimiz Heydər

Əliyevin rəhbərliyi sayəsində, nəşr olunmuş on cildlik Azərbaycan Ensiklopediyasının yaradılmasında nəinki

Azərbaycan EA prezidenti kimi (çünki Azərbaycan

Ensiklopediyasının hazırlanmasına elmi rəhbərlik

hökümətin qərarı ilə Elmlər Akademiyasına tapşırılmışdı), həmçinin ASE Baş Redaksiyası heyyətinin üzvü kimi bilavasitə H.Abdullayevin xidməti olmuşdur.

Dünyanın inkişaf etmiş ölkələri sırasında olmaq kimi ali məqsədə çatmaq yolunda ildən –ilə inkişaf edən,

biliklərə əsaslanan cəmiyyət qurmaq yolunda uğurla addımlayan respublikamızda dövlət səviyyəsində elmə,

onun əsas yükünü və məsuliyyətini çiyinlərində daşıyan elm fədailərinə göstərilən yüksək diqqət və qayğı akademik Həsən Abdullayev kimi fədakar alimlərin irsinə

və elmi məqalələrinə verilən ən böyük qiymətdir.

Ümummilli lider Heydər Əliyev: “Hər bir alim

qiymətlidir. Hər bir alimin yaratdığı elmi əsərlər

özünəməxsus qiymət alır. Ancaq nəzəriyyəni təcrübə ilə

birləşdirən, nəzəri bilikləri tətbiq edə bilən və onlardan

əməli nəticə götürə bilən, cəmiyyətə, ölkəyə, xalqa

konkret fayda gətirən insanlar alimlərin sırasında xüsusi yer tutur”.

___________________

[1] Böyük fizik –Nurlu insan “Elm” nəş-ti, B.1999-

164 S Zərifə Abdullayeva

[2] Röfət Quliyev – Akademik Həsən Abdullayev

(Azərbaycanda yarımkeçiricilər fizikası məktəbinin banisi.Böyük elmin sükanı arxasında.Xatirələrdə yaşayan ömür) –Bakı,Azərbaycan Nəşriyyatı, 2008,376s

[3] Böyük fizik – Nurlu insan “Elm” nəşriyyatı, Bakı: 1999-164s

[4] L.M. Vəliyev./Nizami Gəncəvinin elm dünyası –Bakı, Azərnəşr, 1991 s83

[5] Zərifə Abdullayeva “Böyük fiizk –nurlu insan”

Elm və təhsil 2017, 182 s.

[6] Böyük fizik –nurlu insan- “Elm” nəşriyyatı, Bakı : 1999, 164s.

[7] Rüfət Quliyev – Akademik Həsən Abdullayev

(Azərbaycanda yarımkeçiricilər fizikası məktəbinin banisi. Böyük elmin sükanı arxasında xatirələrdə yaşayan ömür) Bakı, “Azərnəşr” nəşriyyatı, 2008, 376 s.

[8] Abbas Cilovdarlı, Azərbaycan Milli Elmlər

Akademiyası akademik H.M. Abdullayev adına Fizika İnstitutu (1945-1993-cü illər), I hissə-Bakı, 2017, 301s

.





InAs1-xSbx

.A. A1, . . 2

, . 2, . . 1,

. . A A1, . . 1, . . 1

,

.T. MA1, . . 3

1И ,

Az-1143 , 2Stony Brook University,

Stony Brook, New York 11794, USA 3И ё Р ,

142432, Ч , Р я

[email protected]

,

InAs1-xSbx (x= 0.43 0.38) 5-300К 8 . , Δ ~120meV.

, Ш - .

, .

лючевые слов : , , , , , , Ш -

PACS: 72.20. i ; 73.43.Qt ; 73.50._h

1.

III-V,

3 12 ,

, .

InAs1-xSbx,

( ),

. Sb InAs1-xSbx ~0.4 ~0.1 eV [1].

[2]

, - -

. , InAs1−xSbx

(x= 0.43 0.38) -

GaInSb AlGaInSb.

InAs1-xSbx (x = 0.43 0.38).

2.

5-300К

20,5

Lock in Amplifier SR 905. . 1 А.

1

InAs0,57Sb0,43 5-300К А .

300-100К, :

kT

E

e 20

(1)

. Е -

.

(1) meVЕ 120~ ,

InAs1−xSbx [3].

<100K .1 ,

.

3.

8

=5К. ,


...

65

.

Р 1.

InAs0,57Sb0,43 5-300К

А .

.

1 А. ,

n- .

2 .

InAs0,62Sb0,38 n ~ 6·1016

-3.

InAs0,57Sb0,43 n ~

5·1016

-3. К

Sb InAs1- Sbx .

2 InAs0,57Sb0,43.

К :

=7 13 , . . 12/ . Э

– . К ,

, Ш - .

К , Р

n . ,

[4]:

FcS

e

HP

21

(2)

FS -

Fk )(

, .

InSb :

Р 2.

InAs0,57Sb0,43 =5К.

-

( .2) 3.

Р 3.

InAs0,57Sb0,43, - .

2/3

2 )/1(

2

3

1

HPc

en

(3)

(3) n ~ 1017

-3

.

, Ш -

, .

US National Science Foundation (Grant No

DMR1160843) А (

EİF/MQM/Elm-T hsil-1-2016-1(26)-71/16/1).

.A. A , . . , . , . . , . . A A, . . , …

66

___________________________

[1] Z.M. Fang, K.Y. Ma, D.H. Jaw, R.M. Cohen and

G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 1990, 67, 7034

[2] G.L. Belenky, D. Donetsky, G. Kipshidze, D.Wang,

L. Shterengas, W.L. Sarney, S.P. Svensson. Appl.

Phys. Lett., 2011, 99, 141116

[3] R.R. Guseynov, V.A. Tanriverdiyev, G. Kipshidze,

Y.N. Aliyeva, Kh.V. Aliguliyeva, N.A. Abdullayev,

N.T. Mamedov. Semiconductors, 2017, 51, 524

[4] И. . , . . . Э , 1955,

29, 730





Ы Ni0.25-XCuXFe0.75Cr2S4 (0≤Х≤0.2)

. , . , . , . , .

Ф Н Н ,

. . 131, AZ 1143

[email protected]

Ц (Cu)

Ni0.25-xCuxFe0.75Cr2S4 (0≤ ≤0,2). Ni0.25-xCuxFe0.75Cr2S4 (0≤ ≤0,2) ,

T .

лючевые слова: , ,

PACS: 75.50.Gg, 75.50.Tt

В [1,2]

Me=Fe; Co; Ni Cu MeCr2S4, .

Me MeCr2S4

.

[3]

FeCr2S4

.

Н FeCr2S4 Ni0.25-xCuxFe0.75Cr2S4 (0≤ ≤0,2)

. В

.

Ni0.25-xCuxFe0.75Cr2S4 (0≤ ≤0,2)

, . К ,

, 10-

4 . . . , .

900° 3 .

,

8 . , .

В [1], ,

Ni0.25-xCuxFe0.75Cr2S4 (0≤ ≤0,2)

- . ,

Ni0.25-xCuxFe0.75Cr2S4 (0≤ ≤0,2)

. Н . Н .1

Ni0.25-xCuxFe0.75Cr2S4 (0≤ ≤0.2) 4,2 К. К 1,

1,5 Э (11,9310

4 A/ ),

.1.

Ni0.25-xCuxFe0.75Cr2S4 (0≤ ≤0,2) 4,2К.

.2. Ni0.25-xCux Fe0.75Cr2S4 (0≤ ≤0,2).

, , - ,

, .

, ,

.

Ni0.25-xCuxFe0.75Cr2S4 (0≤ ≤0.2) x = 0; 0,05; 0,1; 0,15 0,2 2. Н

53,3; 75,6 85,9 104

A/ .


. , . , . , . , .

68

Э n 4,2K : 𝑛 = 𝜎 ∙ M NA ∙ MB = 𝜎 ∙ M 5585

. M – , σs –

.3. К

К T n Ni0.25-xCuxFe0.75Cr2S4

(0≤ ≤0,2).

, ,

Fe, Ni Cu, Cr,

. Н , =0,2

n =2,3μ

n =2,65μ .

: 𝑁𝑖0.25−𝑥 2+ 𝐶𝑢𝑥2+𝐹𝑒0.752+ 𝐶 23+ 𝑆42−.

Н . 3 К Cu. К

, x - , К T (

x = 0,2 T =255 K).

[4], К , FeCr2S4

175-205 K. А [4] , Fe

FeCr2S4 3d – К

.

, К ,

MeCr2S4 Me=Fe, Ni, Cu.

_________________________________

[1] E. Steinbeiss, H. Dintner, Annalen der Physik 7

Folge, Band 27, Heft.1, S.119-121 (1971)

[2] . . , . . Н , Ф .31, 1,

.314 (1989)

[3] P. Gibart, J. Dormann, Y. Pellerin, Magnetic

properties of FeCr2S4 and CoCr2S4, Phys. stat.

sol., v.36, issue 1, p.187-194 (1969)

[4] L. Freitinger, H. Göbel and H. Pink, Mat. Res.

Bull., v.11, p.1375 -1380 (1976)




E-mail: jophphysicsgmail.com

AZƏRBAYCAN ƏRAZİSİNDƏKİ NEFTLƏRİN BURAXMA SPEKTRLƏRİNİN ARAŞDIRILMASI

A.Ə. SADİQOVA1, Ş.Ə. ƏHMƏDOVA1, F.R. BABAYEV

2,

Q.S. MARTINOVA2, T.R. MEHDİYEV1

Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının: 1H.M. Abdullayev adına Fizika İnsitutu AZ-1143, Azərbaycan, Bakı, H. Cavid pr.131

2Geologiya və Geofizika İnstitutu, AZ-1073, Azərbaycan, Bakı, H. Cavid pr.119

Keywords: neft, neftin sıxlığı, neftin İQ-spektrləri

GİRİŞ

Neftin – həyat yaradan mümkün üzvi molekulların saxlanmasının maddi forması olması kimi mühum bir postulatın artıq formalşmasının vaxtıdır. Göründüyü kimi, neft Hətta demək olar ki, neft bütün virusların, aminturşularının, DNK, RNK və s.-nin mənbəyidir.

Hazırda bütün dünya elmi mərkəzləri yeni problemin

həlli- neftdən fulleron və almazın əldə edilməsi üzərində

çalışırlar. Buna görə, biz onu yandırmaqla nəinki canlı orqanizmlərin əsas mutasiyalarının yaranması (ekoloji yolla) imkanının qarşısını alırıq. Tarix göstərir ki, insan

sivilizasiyasının yaranması və intensiv inkişafı bol neft ehtiyyatları olan ərazilərdə baş vermişdi. Nefti satmaq,

məhv etmək, ani təlabat üçün yandırmaqla, insan cəmiyyəti bununla da özünün gələcəyini məhv edir,

təbiətə yalnız sonu olmayan yol, keçid mutasiyasını saxlayır. Bu yol DNK, RNK və b. strukturların mürəkkəbləşməsini və nəticə etibarı ilə,insan haqda

məlumatların işlənilməsi və saxlanılması mexanizmlərinin

məhdudlaşdırır. Bu işdə Azərbaycanın fərqli mənbələrdən

əldə olunan neftinin bəzi spektroskopik tədqiqləri

göstərilmişdir.

NEFTİN SPEKTROSKOPİYASI VƏ ALINMIŞ NƏTİCƏLƏRİN MÜZAKİRƏSİ

Azərbaycan ərazisində olan neftlərdən West Azəri,

East Azəri, Central, DWG Crude, Chirag1,West Chrag və

Şahdəniz növlərini araşdırmaqla, onların polyarizasiya və

temperatur asılılğına Bruker firmasının Vertex 70V cihazı ilə baxılıb. Həmin neftləri 35

0C-dən 80

0C-ə qədər 1

0

fərqi ilə qızdıraraq parafinin əmələ gəlməsini müşahidə

etmişik. Müəyyən olunmuşdur ki, spektrin 6000-10 sm-1

tezlik intervalında parafinin aktiv olduğu aralıq 1500-400

sm-1

-dir.

Analiz 850 0C temperaturunda Perkin Elmer Series II

CHNS/O Analyser 2400 qurğusunda aparılmışdır. Nümunə 1.5-2q kütləsində götürülür. Karbon və

hidrogenin element analizi nəticədə karbon dioksid və

suyun qalması ilə neft məhsulunun orqanik kütləsinin

oksigen mühitində tamamilə yandırılmasına əsaslanır.

C,% H,% N,% S,%

West Chiraq Oil 78,66 11,37 3,08 0,82

Central Oil 78,11 11,95 3,21 0,77

DWG Crude Oil 85,66 12,23 2,95 0,74

West Azeri Oil 87,93 12,72 3,09 0,81

Chirag Oil 90,39 13,04 2,74 0,84

East Azeri Oil 72,41 10,48 2,51 0,63

Neft digər yanacaq maddələrdən 78-79.5% - 86.7 %-

a aralığında dəyişən karbonun yüksək miqdarı ilə

fərqlənir. Təbii qazlarda karbonun miqdarı 42%-78%

aralığında dəyişir. Hidrogenin neftdə miqdarı 11.0-14.5 %

təşkil edir. Beləliklə, karbon və hidrogenin neftdə ümumi miqdarı `88-98 % təşkil edir. Nitrogenin neftdə miqdarı nadir hallarda 1-2.7 % -ı keçir. Neft yataqlarının dərinliyinin artması ilə bu miqdar azalır. Azot birləşmələri neftin yüksək qaynar fraksiyalarında, xüsusən də ağır qalıqlarında, məskunlaşır. Adətən

nitrogen tərkibli birləşmələr iki qrupa bölünür: nitrogen qələvilər və neytral nitrogen birləşmələr. Təqdim

olunmuş nümunələrdə nitrogenin miqdarı 2.5%-dən

3.2%-a qədər təşkil edir. Kükürdün neftdə miqdarı 0.1-

7.0 % ola bilər. Bu rəqəm 14 %-a qədər cata bilər.

A200 A230 A255 Cab,% Can, % Cef, % Cmaddə/Cməhlul ümumi aromatik

tərtkib, %

West Azeri Oil 4.068 3.145 1.427 5.795851 3.823333 4.028729 0.11 13.64791

Central Oil 3.8053 2.9747 1.2801 5.770603 3.808645 3.765306 0.1052 13.34455

DWG Crude Oil 3.7747 3.7245 2.2362 5.988805 4.977228 7.281874 0.097037 18.24791

West Chiraq Oil 3.1306 3.0155 1.644 4.764921 3.870141 5.033575 0.102692 13.66864

A.Ə. SADİQOVA, Ş.Ə. ƏHMƏDOVA, F.R. BABAYEV, Q.S. MARTINOVA T.R. MEHDİYEV

70

ŞAHDƏNİZ QAZOKONDENSATININ KARBOHİDROGEN TƏRKİBİ

nümunə P% (parafin) N% (naften) А% (aren)

2 59.32 23.73 16.95

3 68.18 9.09 22.73

5 69.57 8.7 21.74

6 61.22 8.16 30.61

Nümunələr İQ-spektroskopiya metodu ilə Frontier İQ-Furye spektrometrində (Perkin Elmer firması), 4000—600

sm-1 diapazonunda tədqiq olunmuşdur (şəkillərə bax).

AZƏRBAYCAN ƏRAZISİNDƏKİ NEFTLƏRİN BURAXMA SPEKTRLƏRİNİN ARAŞDIRILMASI

71

Nümunələrin İQ spektirləri parafinlər (721, 1377,

1459, 2852, 2921 sm-1), naftenlərə (962, 1031 sm

-1) və aromatik karbohidratlara (813, 873, 1603 sm

-1) xarakterik

olan xətlərdən ibarətdir ki, bunların da arasında aşağıdakı rəqs tezliklər qrupu müəyyən olunmuşdur :

720 sm-1 — СН2 qrupunun С-Н əlaqə rəqqasın

deformasiya rəqsləri ; 744 sm

-1 — 720 sm-1 xəttinə uyğun gələn СН2

qrupunun С-Н əlaqə riyazı deformasiya rəqsləri; 770, 810, 870 sm

-1 — benzol halqasında əvəz edilmiş C-H əlaqəsinin valent rəqsləri;

960 və 1030 sm-1 — beş və altıüzvlü tsiklların

tərkibinə daxil olan СН2 qrupunun C-H

əlaqələrinin deformasiya rəqsləri;

1455 və 1376 sm-1 metil və metilen qruplarının

uyğun simmetrik və asimmetrik deformasiya

rəqsləri; 1600 sm

-1 — aromatik halqada С=С əlaqəsinin

valent rəqsləri; 2857 sm

-1 — СН3 qrupunun С-Н əlaqəsinin valent rəqsləri

2924, 2954 sm-1 — СН

2 qurupunun С-Н əlaqəsinin

valent rəqsləri

Neftin sıxlığı onun tərkibində olan davamlı su-neft

emulsiyasını yaradan asfaltosmolist maddəsinin miqdarından kifayət qədər asılıdır. Tədqiq olunan Şahdəniz qazokondensat nümunələrinin sızxlığı cədvəldə verilmişdir:

, sm-1

Rəqsin novü fraksiya D(2)* D(3)* D(5)* D(6)*

3337 0,015

2954 СН2 qrupunun С-Н əlaqəsinin

valent rəqsləri

parafin

0,132 0,128

2953 0,133 0,132

2921 0,302 0,292 0,292 0,284

2852 0,197 0,189 0,189 0,183

1611 aromatik halqada С=С

əlaqəsinin valent rəqsləri aromat

0,015

1607 0,010

1459 metil və metilen qruplarının uyğun simmetrik və

asimmetrik deformasiya

rəqsləri

parafin

0,099 0,093 0,093

1458 0,091

1377 0,053 0,048 0,048 0,048

1033

beş və altıüzvlü tsiklların tərkibinə daxil olan СН2

qrupunun C-H əlaqələrinin

deformasiya rəqsləri

naften

0,002

1032 0,002

1031 0,007 0,002

969

964 0,002

963 0,002

949 0,007

808

benzol halqasında əvəz

edilmiş C-H əlaqəsinin valent

rəqsləri

aromat

0,009

806 0,019 0,009

767 0,015 0,015

766 0,019 0,015

722 СН2 qrupunun С-Н əlaqəsinin

rəqqasın deformasiya rəqsləri

parafin

0,030 0,032 0,030

721 0,035

*mötərizədə nümunənin nömrəsi göstərilir.

A.Ə. SADİQOVA, Ş.Ə. ƏHMƏDOVA, F.R. BABAYEV, Q.S. MARTINOVA T.R. MEHDİYEV

72

Neft və ondan alınan məhsulların yüksəktezlikli İQ-

spektrlərində 2956, 2921, 2852 sm-1

maksimumlu triplet

əmələ gətirən enli udulma zolaqları müşahidə olunur.

Tripletin interpretasiyası şəkildə təsvir olunmuşdur. Ədəbiyyta uyğun olaraq, 2930 sm

1 udulma zolağının

intensivliyinin qiymətləndirilməsi, neft karbohidratlarının konsentrasiyasının yekun qiymətini təyin etməyə və təbii

mühitdə bu maddələrinin miqdarını tapmağa imkan verir. 3100-2850 sm

-1 diapazonda rəqs tezliyini, 1650-1400 sm

-1

və 1000-900 sm-1 udulma zolağı ilə birgə tədqiq olunmağı

daha məqsədəuyğundur. Bu oblastlardakı piklər molekulda karbohidrat əlaqələrinin mövcudluğunu təsdiq edir. Bununla belə, hər üç oblastın birgə öyrənilməsi molekulda С=С əlaqələrinin yerləşməsi və vəziyyətini müəyyənləşdirməyə imkan verir. Qeyd edək ki, əgər hər hansı spektral oblastda funksional qrupla müəyyən olunan xarakterik udulma zolağı mövcuddursa, onu dəqiq təsdiq etmək üçün, digər spektral oblastalarda da əlavə məlumat əldə olunmalıdır. Burada, və həmçinin digər spektral

oblastlarda bu qayda vacibdir: əgər müəyyən spektral

diapazonda heç bir udulma zolağı yoxdursa, molekulda bu qruplar yoxdur.

3337 sm-1

zolağının interpretasiyası müxtəlif faktorlarla bağlı ola bilər. Bu zaman 3700-3200 sm

-1

zolağının eninin və intensivliyinin zəif olması nəzərə alınmalıdır. Aydındır ki, bu zolaq hidrogenlə rabitəli hidroksil qrupunun udulma zolağı ola bilər. Adətən, bu xətlər daha enli və aşağı tezliklərə doğru sürüşmüş olurlar. İlkin aminlər bu oblastda iki ensiz xətt verirlər. Hidrogen rabitəsinin yaranması zamanı rəqs tezliyi azalır, xəttin eni isə kiçilir. İkincili aminlər yalniz bir xətt verir. Hidrogenrabitəsinin yarananda rəqs tezliyi azalır, xətt isə enlənir və s.

Qeyd edək ki, C60(OH)n – polihidroksil fulleranın infraqırmızı spektri praktiki olaraq fullerenolla identikdir (Journal of Materials Chemistry A), neftin infraqırmizi spektrinə oxşardır. Bununla belə, tezliklərin müqayisəsi növbəti interpretasiyanı verir: 3382см-1

– maksimumlu

enli udulma zolağı O-H qrupunun valent rəqslərinə;

1605см-1 zolağı C=C valent rəqslərinə, 1386sm-1 zolağı

isə C-OH rəqslərinə uyğundur. Digər, 2928, 1119 və 609sm

-1 zolaqları isə neft spektrlərində də müşahidə

olunur.

«Chevron Texaco Richmond» kompaniyasının

tədqiqatçıları xam neftdə mikroskopik almaz aşkar etmişlər. Aşkar edilmiş almazın ölçüləri çox kiçik olsa da,

onlardan molekulyar blok və mexanizmlərin yaradılmasında üçün istifadə oluna bilər.

Bu iş Qrant 21LR-AMEA Azərbaycan

Respublikası Dövlət Neft Şirkətinin ―Elm Fondu‖nun maliyyə dəstəyi ilə həyata keçrilmişdir.





Я Bi2Se3<Se>

. . , . Ы Ы, . . , . . , K.Ш. Х

Ф . . ,

[email protected]

Bi2Se3 .

2

VB3

VI

: . 5

26

3 Bi2Se3

. -

,

e(Se)− i− e(Se)− i− e (Se).

, - - .

Bi2Se3 : a = 4.147 Å, c = 28.681

Å. ,

.

B [1] Bi2Se3,

. , Bi2Se3

, .

[2,3] , 52

63 (Cu, Ag, Ni) (0001) ,

, . .

.

i2S 3 ( 0.15 i2S 3) ,

,

. ,

( ) Se (0001) i2S 3.

5

263

(

). :

Bi-Se

.

[4]. Ц [5]

Bi2Se3, (111) Si,

( ) 30-2000

-1 293 К.

.

Э

Bi2Se3.

Bi2Se3.

[5]. ,

ь ,

, , ,

.

.

.

: -

; -

. ,

Bi2Se3<Se> λ (300-900) (150-50)

nm.

Bi2Se3

. ,

D53d (R3m).

(0001). Э -

- FM.


. . , . Ы Ы, . . , . . , K.Ш. Х

74

. : 1 - Bi2Se3 150 nm; 2 - Bi2Se3 100 nm; Bi2Se3 50 nm

- ( ) Philips Panalytical.

(0001). -

(0001) 2VB3

VI 3D , -

2D , ,

(0001) .

Э . Bi2Se3<Se>

(1)-

(1) ,

5-20 nm λ (750

900nm).

Ы : , 150 nm 50

nm

.

Ф -

EİF/MQM/Elm-Tehsil-1-2016-1(26)-71/16/1

_________________________

[1] . . ю , . . К ю , . . К , . . Ш .

A5

2B6

3,

, , 2015, 85, . 11, .

86-90

[2] C.Ш. К х // . . 2008. . 44, 1, C. 17−25

[3] Ф.К. , .Ш. К х // .

.2009. . 45. 9. C.1049−1054

[4] . , Ф ( . . . ) “Э ” , 1967, . 496

[5] . . , . . , . . К ,

Bi2Se3, Э Ф, 102, . 4, . 74-256, (2015)





Щ

. . , . . , . .

И . . ,

[email protected]

( Э).

, 420

0 . ,

, , .

. , , [1-3].

.

( 0,5 3-5 ).

( )

. Ч ,

,

, .

.

, , , ,

,

, - ,

.

, -

( ) «n» - Bi2 Te2,88 Se0,12

« » - Sb1,5 Bi0,5 Te3 .

1:1 :

1- « » - Sb1,5 Bi0,5 Te3 + Ni,

2 –« » - Sb1,5 Bi0,5 Te3 + Cr,

3- «n» - Bi2 Te2,88 Se0,12 + Ni,

4 - «n» - Bi2 Te2,88 Se0,12 + Cr,

-75 10 / .

. 1, .

. 1.

«n» - Bi2 Te2,88 Se0,12 « » - Sb1,5 Bi0,5 Te3

.

,

620 646 , . Э ,

, .


. . , . . , . .

76

,

Э

Э

1 «n» - Bi2 Te2,88 Se0,12 + Ni 620 853

2 «n» - Bi2 Te2,88 Se0,12 + Cr, - 855

3 « » - Sb1,5 Bi0,5 Te3 + Ni 646 825,870

4 « » - Sb1,5 Bi0,5 Te3 + Cr - 870

(3). ,

, , ,

Ni-P, , ,

. ,

.

, ,

, ,

[4].

. - «n» - Bi2 Te2,88 Se0,12

« » - Sb1,5 Bi0,5 Te3, 2 / .

. «

»,

, ( / ):

- 250, - 2,5. 502

0 35-40

/ 2.

1-1,5 5-

7 / . Cr3

3+ (2-4

/ ), .

Cr33+

,

2:1 3:2. – -

, : NiCl2*6H2 O - 30 / ,

NH4Cl - 30 / 45 / H

10-10,5 .

Pb-Sb.

_____________________________________

[1] . . , . . , . . -

« ».

« », II, , 1969 .

[2] .Ш. х , . . , . . , . «

»,

1720447, 03.11.1988 .,

15.11.1991 . [3] . . я - « ».

, . « » , 1984 ., 199 .

[4] . . я , . . , . . , . . , И. . , Ф , 2016, 58,

.7, . 1390-1397





Ь Ь

Sb2Te3 и Bi2Te3

. . , . . , . . , . . , . . , . .

И Ф . . ,

[email protected]

, . ,

,

, V

2VI

3.

V

2VI

3 , [1-5]

- .

[6]

, CdI2,

Bi3+

. , CdI2- BiI3

Cd2+

Bi3+

.

CdI2- BiI3 CdI2,

( ,

PbI2, SnI2 .). Э , , , CdI2 - BiI3

, -

- CdI2- BiI3. [6]

Э ;

.

V2

VI3 ,

Te

(1)-Te

(1)

(0001) [4].

А , Bi2Te3 ,

. Ц

V

2VI

3 .

. Bi2Te3

, .

Bi2Te3 Sb2Te3 (0001)

(0001).

и ф ь и V2

VI3

. Э ,

- A M-BRUKER Nano N8

Neos N - FM. V

2VI

3 .

Bi2Te3 Sb2Te3, 100-200 , (0001).

Bi2Te3 Sb2Te3 (0001)

.

2VB3

VI (0001).

, .1

, .

и , с ь и , Bi2Te3

( .2) . 2

VB3

VI

(0001)

.

, .2 a).

,

.

-

. -

[3]

. 2b ,

3 -

: , (1-1) ,

- ( )

.


. . , . . , . . , . . , . . , . .

78

. 1. (0001) Sb2Te3.

a) b)

.2. Ф Bi2Te3 . 2 .

. 3. Sb2Te3 – –

) (2 3) - b). : 1, 2, 3 - .

Ь Ь Sb2Te3 и Bi2Te3

79

. 4. (0001) Bi2Te3.

(0001) Sb2Te3 (2) (3)

. (0001)

.

. Э

. 50-60 ( . . 4)

.

. :

V2

VI3 50-100

; V

2VI

3 .

Sb2Te3 Bi2Te3

(0001).

Ф А -

EİF/MQM/Elm-Tehsil-1-2016-1(26)-71/16/1

_______________________________________

[1] Ю. . , . . ш , . . , .Ю. , . . Ф

, 2017, 59, .1, . 23-29

[2] 1962 c. 584

[3] . . . . Ф , 1999, 41, . 2, . 252-258

[4] . . ц , . . , И. .

Bi2Te3

[5] Ю. . , . . , . . ц , . . , . . , , XII . . ,

- 2010, .332-337

[6] И. . , И. . ц , И. . , . . , Ф

CdI2, BiI3,

Ф, 2013, 39, .10, . 29-35





Ё TlIn1-xSnxS2,

. .

ы , , ,

Z-1143 , . . , 23

[email protected]

TlInS2, -

Sn, . , 30 , - , - -

Vt = Vo[1 – exp(-ktm)]. TlIn1- SnxS2 ,

, , - . - .

лючевые слов : ; ; ; . PACS: 61.66.Fn

- A

IIIB

IIIC2

VI - . , -

, - .

- ; –

, - . - , -

[1-4].

Э ,

,

[5]. -,

Sn - TlInS2.

- TlInS2, -

[6]. , , -

[7-9]. , - -

TlIn1-

xSnxS2 ( =0.02÷0.09). -

- :

232

)1(

1

4

h

Qq ,

q – - ; Q – ;

h – - ; x h,

x – , -

, - - .

q

H ,

- / 3.

TlInS2, -

. - ,

. - - -

- .

-

TlIn1-xSnxS2 (x=0.02÷0.09), -.

- -5 TlIn1- SnxS2

( =0.02÷0.09) Э -102.

~30 3 10-5 -

~3000 -1 TlInS2 Sn

NaCl KCl, - 235÷330


Ё TlIn1-xSnxS2,

81

. - 5÷20 . -

-

. - Spekord – 250

- Shimat-

zuAA – 6300. , -

, .

TlIn1- SnxS2 Э -102

- , -

. - -

2/3d=l,

d – , l – . -

. -

. - TlIn1- SnxS2, -

, . .,

383 ÷ 455, 358 ÷ 428 370 ÷ 438 , ,

. - ,

, -

. - ,

, KCl.

- , . .

- .

TlIn1- SnxS2, - (I), (II)

(III) , - ,

,

.

- TlIn1- SnxS2 - -

, , . -

TlIn1- SnxS2, - KCl, 480, 453, 470 . -

, -

, . . - . Э ,

,

383, 413, 436 455 . - .

- ,

. . [5], Ihkl

PL

dVII hklhkl

ohkl

4

22

Io – -, λ – , –

, -

, Ω – , V – -

. dhkl Δ , –

, Lλ – , -

, .

, -

, . . Ihkl ~ V.

-

( .1). - ,

. . - , -

. Э -

. - , -

.2. - ,

, -

, , , : =0.813; b=0.776;

=2.473 , 21/m. - , -

ln(lnV0/V0–Vt) lnt, - -

( .3), - . -

. -

- Vt = Vo[1 –

exp(-ktm)]. Vt– t, Vo –

, k=1/3πω 3-

, ω – ; –

. .

82

, m – - , -

- .

.1. ,

TlIn1- SnxS2– I 436 .

. 2. TlIn1- SnxS2 – I: 1) .= 383 ; 2) = 413 ; 3) .=

436 ; 4) .= 455 .

.3. to

o

VV

Vlnln

lnt -

TlIn1- SnxS2 – I.

TlIn1- SnxS2

m≈4 , - ,

, - . -

. -

(k) (1/ )

= +3 , 42.7; 45.5; 47.8 /

, TlIn1-

SnxS2 . Э - , -

1/τ lnt, τ – , . .

, 15.4; 16.8; 18.1

/ , ,

TlIn1- SnxS2 , =( - )/3 9.1; 9.6 9.9 /

.

, - TlIn1- SnxS2. -

TlIn1- SnxS2, . . .

Ё TlIn1-xSnxS2,

83

-

TlIn1-

SnxS2 .

- 340 . Э -

, - , 10-15%. -, -

. , -

, -

- (

=0.02÷0.09) 5÷6%. -

=0.05÷0.07, . . - . -

TlInS2 Sn - -

-

, , - ,

. .

.

___________________________________________

[1] V. Kovanda, Non-isothermal crystallization kinetics

of non-crystalline Ge10Se90−xTlx ternary glass alloys /

V. Kovanda, Mir. Vicek, H. Jain // J. Non-Cryst. Sol-

ids, 2003, Vol. 326, P. 88–92

[2] T.S. Kavetskyy, Void-species nanostructure of chal-

cogenide glasses studied with FSDP-related XRD /

T.S. Kavetskyy, O.I. Shpotyuk, V.T. Boyko // J. Phys.

and Chem. of solids. -2007, Vol. 68, 5–6. P. 712

[3] . , / . ; . . , . . , . ,

1977, .2. 57 . [4] . . ч , . /

. . , . . , . . . –

: , 2012, 363 . [5] . . // .

. . .- . : 01.04.18. , 1999,

274 . [6] D.I. Ismailov, Electron diffraction Investigation of

Structural Diversity of Amorphous Films of Poly-

varphic TlInS2 / D.I. Ismailov, M.F. Aliyeva, E.Sh.

Alekperov, F.I. Aliyev//Semiconductors, 2003, Vol.

37, 7, P.744-747

[7] W. Henkel, High-Pressure Raman Study of the Ter-

nary Chalcogenides TlGaS2, TlGaSe2, TlInS2 and

TlInSe2 / W. Henkel, H.D. Hochheimer, C. Carlone

et. al. // Phys. Rev. B, 1982, Vol. 26, 6, P.3211–

3221

[8] . . , - TlInS2 / . . ,

. . , . . // . -. – 2005. .41, 2, .138–142

[9] Э.Ш. , TlGa1-xGex e2 / Э.Ш.

, . . Ш // . -, -

, 2013. .39, 7, C. 92–95





GdxSn1-xSe2 KRİSTALLARINDA ELEKTRİK MÜQAVİMƏTİNİN TEMPERATUR ASILILIĞININ ANOMAL DƏYİŞMƏSİ

M.S. MURQUZOVA

AMEA Fizika İnstitutu,

Azərbaycan, Bakı, AZ 1143, H. Cavid pr.131

İşdə Gdx Sn1-x Se2 sistem bərk məhlullarının elektrik müqavimətinin təcrübədən alınmış qiymətlərinin analizi verilmişdir. Müəyyən olunmuşdur ki, müqavimətin temperatur asıllığında T<95 K də anomal dəyişmələr baş verir. Bu anomal artım maqnit xassəli Gd metal aşqarının yaratdıqları, polyarizə olunmuş olunmuş mərkəzlərdən enerji daşıyıcılarının əlavə səpilməsi hesabına baş verir.

Açar sözlər: Elektrik müqaviməti, maqnit müqaviməti, temperatur asıllığı, polyarizasiya , səpilmə mərkəzləri

PACS: 72.15

GİRİŞ

A ıv

B vı

qrup birləşmələri və onlar əsasında alınmış bir çox bərk məhlullar müxtəlif termoelektrik

çevricilərin hazırlanmasında mikroelektronikada geniş istifadə olunur [1-3]. SnSe birləşməsi də bu qəbildəndir.

SnSe birləşməsi termoelektrik material hesab olunmasına baxmayaraq , ayrılıqda, bilavasitə istifadə olunmur(

Termik qadağan olunmuş zonanın eni 𝜀𝑔 ≈ 0.92eV) və

optik xassə ilə termoelektrik xassə arasında aralıq bir mövqe tutur. Lakin SnSe əsasında alınmış çoxlu sayda bərk məhlullar müxtəlif növ çevrilmələrin

hazırlanmasında geniş istifadə olunmuşdur. Son zamanlar nadir torpaq metallarının ( NTM)

iştirakı ilə alınmış bərk məhlul və mürəkkəb

birləşmələrin tədqiqinə maraq xeyli artmışdır [5.6].

Buna səbəb NTM- atomlarının özünə məxsus spesifik

xassələr göstərməsidir [6]. NTM – nın iştirakı ilə olan

yarımkeçirici materiallardan : yaddaş elementlərinin

hazırlanması, yarımmaqnit xassəli yarımkeçiricilərin

alınmasında və s. digər mikroelektronikada istifadə

olunan, xüsusi təbəqələrin hazırlanmasında geniş istifadə

olunur. [7]. Aşqar kimi istifadə etdiyimiz gadolinium

(Gd) metalı maqnit xassəlidir və həmdə üçü valentlidir[4]. Bu metalın iştirakı ilə alınan yarımkeçiricilərin müxtəlif çeviricilərin (yaddaş elementlərin, maqnit xassəli termogeneratorların)

hazırlanması üçün, yeni xassəli materialın alınması gözlənir.

İşdə Gd metalının iştirakı ilə, SnSe əsasında olan bərk məhlulların elektrik müqavimətlərinin təcrübədən

alınmış nəticələrin analizi verilmişdir.

TƏCRÜBİ HİSSƏ

Gdx Sn1-x Se2 sistem bərk məhlularının sintezi və

onların fiziki-kimyəvi analizi haqqında geniş məlumat

[4,5] ədəbiyyatlarında verilmişdir. Nümunələrin sintezi

zamanaı T= 8750C temperaturunda parçalanma baş verdiyindən, sintezdən sonra maddələr yenidən toz halına salınmış və presləmə üsulu ilə həndəsi formasiya

[(3x6).20 mm] salınmışdır. Presləmə iki mərhələdə aparılmışdır: Birinci

mərhələdə : P=7.5 2 təzyiq altında 5 dəqiqə

saxlanılmışdır. Bundan sonra isti presləmə; (T=3900C)

üsulu ilə p=5.4 2 təzyiq altında 5 dəqiqə saxlanılmışdır. Nümunələrdə homogenlik yaratmaq üçün onlar yenidən

ampulalara qoyulmuş, vakuum yaradılmış və üfiqi vəziyyətdə qızdırıcı içərisinə yerləşdirilmişdir. T=6200

C

temperaturunda t= 120 saat saxlanıldıqdan sonra qızdırıcı içərisindən çıxarılmışdır.

Nümunələrin fiziki- kimyəvi analizi və ilk

növbədə rentgen faza analizi (RFA) , differensial

termik analizi DTA edilmiş və nümunələrin verilmiş stexiometrik tərkiblərə uyğun olduğu müəyyən

edilmişdir. Nümunələrin müqavimətləri T= 77-420 K

temperaur intervalında ölçülmüşdür. Təcrübələrdən

alınan qiymətlər əsasında qrafikləri qurulmuş və analiz

edilmişdir.

TƏCRÜBƏDƏN ALINMIŞ NƏTİCƏLƏRİN ANALİZİ

Təcrübələr zamanı Gdx Sn1-x Se2 sistem

ərintilərindən x=0.000; 0.005; 0.010; 0.100 və 0.150 at %

Gd olan nümunələri alınmış və onların bəzilərinin

kinetik parametlərinin temperatur asıllılıqları [3] ədəbiyyatında verilmişdir. Təcrübədən alınan nəticələr

şəkildə verilmişdir.

Şəkil 1. Gdx Sn1-x Se2 kristallarında xüsusi müqavimətin

temperatur asıllığı: 3-99 mol% SnSe+1.0 mol % GdSe

5-98.5 mol% SnSe+1.5 mol GdSe

GdxSn1-xSe2 KRİSTALLARINDA ELEKTRİK MÜQAVİMƏTİNİN TEMPERATUR ASILILIĞININ ANOMAL DƏYİŞMƏSİ

85

Müəyyən olunmuşdur ki, x=0.100 at % Gd ( N3) və

x= 0.150 at Gd olan ( N5) nümunələrdə müqavimətin

temperatur [ 𝜌(𝑇) ] asıllığında ∆𝑇 = 85 − 98 𝐾 - də

anomal dəyişmələr müşahidə olunur. Başqa sözlə 𝜌 − qiyməti göstərilən ∆T intervalında artır və T-

nin sonrakı qiymətlərində, yenidən yarımkeçirici kristallara məxsus qanunauyğunluqla dəyişir ( şəkildə 3

və 5 N-li əyrilər) . T >100 K temperaturunda 𝜌(𝑇)]- nin

dəyişməsi çox zəif və eksponensial azalır. Məlumdur ki,

Gd metalı aşağı temperaturlarda ( 𝜃𝐷 ≈ 220 𝑘) maqnit

xasəlidir və maqnit momenti 9.5 𝜇 0 tərtibindədir. Çox

ehtimal ki, müqavimətin ∆= 85 − 98𝐾 temperatur

intevalında anomal dəyişməsi ( artması) polyarizə

olunmuş maqnit mərkəzilərinin intensivləşməsi

hesabına yükdaşıyıcıların bu mərkəzlərdən əlavə

səpilməsi (Kondo effekti) baş verir. Bu effekt elektrik keçiriciliyinin azalmasına, başqa sözlə elektrik

müqavimətinin 𝜌(𝑇) asılılığının artmasına səbəb olur.

Temperaturunun sonrakı artımında bu maqnit mərkəzlərinin qismən pozulması hesabına nümunələrin

müqavimətləri yarımkeçiricilərə xas olan

qanunauyğunluqla dəyişir.

___________________________________

[1] П . . .П. « а а

. На а» 1973, 303 . [2] . . , М. . М а, . . а , Ш. .

а « - а я» а

(SnSe)1-x – (GdSe)x . İntenational journal of

appied and Fundamental research . 2017. N7. 54-

56 c.

[3] M.S. Murquzova , M.J. Murquzov, S.S. İsmayılov

“Qadalinium elementlərinin iştirakı ilə SnSe

əsasında SnSe məhluların qalvanomaqnit xassələri.

AMEA . Fizika jurnalı. 2003. Cild IX N1. 57-

61s.

[4] M.S. Murquzova , M.J. Murquzov, S.S. İsmayılov C.J. Huseynov və b. (SnSe)1-X - ( GdSe)X bərk

məhlullarının fiziki – kimyəvi və qalvanomaqnit

xassələri” AMEA – nın xəbərləri 2008. N5. 179-

182 s.

[5] . . , .П. я «С а я

а а » Н-2010 180 8, 821-837 .

[6] .П. ш « - ая ая

а а а а а». Ба 1991, 181 .

[7] M.J, Murquzov , Ş.S. İsmayılov, R.F. Məmmədova

(SnSe)1-X -(LnSe)X (Ln-La,Gd) sistem

ərintilərinin bəzi kinetik xassələri. 2000 ci il.

ADPU-nun konfrans materialları





,

Bi2 e3

. . 1, . . 2*, . . 2, . . 2,

. . 2, . . 2, . . 2, . . 2 1 У , ,

2И , ,

[email protected]

ё (LDPE) Bi2Te3 ~50 nm, e .

, ,

1-6 . Bi2 3,

, Bi2 3 5%, 10%,

30%, 40%, 50%, 60% 70%. , Bi2 3 .

лючевые слов : , , , , , ,

PACS: 42.65.Dr ; 78.20._e; 81.07.Wx

1.

К , Bi2Te3 ё

. Д

,

ё ё .

ё [1] ,

( ё , , . .) .

ё

(LDPE -

Low Density Polyethylene) Bi2Te3

5%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 60% 70% [2].

Bi2Te3 50 .

– LDPE

Bi2Te3.

2.

.

Bruker

D2-PHASER.

1. Д

LDPE - Bi2Te3 (5%, 10%, 30%, 40%,

50%, 60% 70%).

1

LDPE - Bi2Te3 (5%, 10%, 30%, 40%, 50%, 60% 70%).

, Bi2Te3 (5%, 10%) 2θ 21,6° 24,0°,

, –


, …

87

LDPE. Bi2Te3

, Bi2Te3,

, 21,6

24 .

Nanofinder 30 (Tokyo

Instr.), = 532 . , ,

4 . .

ё CCD-

(−70C), . 20

10 .

0,5 -1.

Bi2Te3 (5%, 10%, 30%, 40%, 50%, 60%

70%) 2. ,

Bi2Te3 ё Bi2Te3 К - [3]:

62 -1 (A1g1), 102,5 -1 (Eg

2) 134 -1 (A1g

2). Bi2Te3

.

2. o

Bi2Te3 (5%, 10%, 30%, 40%,

50%, 60% 70%).

3. Ы Ы

Д

,

, . Э

ё

.

M-2000 DI (J.A. Woollam Co, Inc.). Δ Ψ

1-6 50 60° -75°.

,

Δ, Ψ rp

rs

p s

[4]:

s

p

r

ritg = )exp()(

(1)

,

,

.

,

, -

. ,

" –

" [4]. (Effective

Medium Approximation, EMA)

[5]:

=

=+

−n

j efj

efjj

10

2

(2)

j - j - , j - j- , ef -

.

, :

𝜀 = 𝜀𝑟 + 𝑖𝜀𝑖 (3)

Д n k, , ,

(4) (5).

𝑛 = √𝜀𝑟+√𝜀𝑟+𝜀𝑖 (4)

𝑘 = 𝜀𝑖√ 𝜀𝑟+√𝜀𝑟+𝜀𝑖 (5)

-

Bi2Te3 :

. . , . . , . . , . . , . . , . . , …

88

𝜌Bi Te 𝜀Bi Te −𝜀𝜀Bi Te + 𝜀 + 𝜌𝑃𝐸 𝜀𝑃𝐸−𝜀𝜀𝑃𝐸+ 𝜀 = (6)

𝜌Bi Te 𝜌𝑃𝐸 Bi2Te3 PE , 𝜀Bi Te - Bi2Te3, 𝜀𝑃𝐸-

PE, 𝜀 - .

(6), ,

, 3. 3

,

Bi2Te3.

,

( .3) , . .

Д , " " (void) : 𝜌Bi Te 𝜀Bi Te −𝜀𝜀Bi Te + 𝜀 + 𝜌𝑃𝐸 𝜀𝑃𝐸−𝜀𝜀𝑃𝐸+ 𝜀 + − 𝜌Bi Te −−𝜌𝑃𝐸 𝜀𝑉𝑜𝑖 −𝜀𝜀𝑉𝑜𝑖 + 𝜀 = (7)

𝜀𝑉𝑜𝑖 - .

3. , , 1-5 eV.

,

(MSE, Mean Standard Error) . MSE

. ,

Bi2Te3 5%, 10%, 30%, 40% 50%

" - ". , 60% 70%

, MSE

. ,

Bi2Te3 60% 70%,

, - . MSE ё

1

.

, …

89

1. MSE Bi2Te3.

5%

Bi2Te3

10%

Bi2Te3

20%

Bi2Te3

30%

Bi2Te3

40%

Bi2Te3

50%

Bi2Te3

60%

Bi2Te3

70%

Bi2Te3

MSE 5.7 6.7 7.1 5.3 6.6 7.8 5.1 6.9

4.

Bi2Te3

MSE

. Э ( ) ( ) Ψ Δ Bi2Te3 30% 4. 4

ё ( ) .

30%. -

, ё .

,

ё

2 ( 5%, 10%, 30%, 40%,

50%) 3 ( 60%

70%).

2. К ё .

5%

Bi2Te3

10%

Bi2Te3

20%

Bi2Te3

30%

Bi2Te3

40%

Bi2Te3

50%

Bi2Te3

200 200 200 200 200 200

Bi2Te3, % 5 8.7 10.6 10.1 11.7 11.6

, % 1 16.1 26.5 27.8 31.1 10.3

1 63 53 49 48 46 56

Bi2Te3, % 2.8 4.8 5.5 5.3 6 7.9

3. К ё ё

60% Bi2Te3 70% Bi2Te3

200 200

Bi2Te3, % 23.4 49.5

, % 1 16.1

1

138 108

Bi2Te3, % 39.3 26.8

, % 58.1 58.7

2

25 50

Bi2Te3, % 16.7 23.8

, % 2.8 2.5

3 31 62

Bi2Te3, % 8.4 8

2 3 ,

. Э ,

. . , . . , . . , . . , . . , . . , …

90

,

. [6]

D

ё . , ,

.

5. Д D 30%

Bi2Te3.

6.

4 (310 nm) .

К 5, ( )

( . . , ).

200-250 ,

( . . ),

5. [6] 200-250

, .

, 50 , ,

4-5 .

,

, . 6

P=(1-D) ( 90 ). К

, a 6, P . ,

,

, 4 310

. ,

250 . Э

,

,

. , 5% .

( ) -

,

,

60 ( n=1.5).

( 5), 5, 20 30% Bi2 3

(<5%) (60 ).

Д

, 70-72 ,

( 6).

4.

,

- LDPE

Bi2Te3.

Bi2Te3

. -

.

(Effective Medium

Approximation, EMA) ,

.

, ё

.

, …

91

( EİF-BGM-3-

BRFTF-2+/2017-15/02/1 EİF/MQM/Elm-T hsil-1-

2016-1(26)-71/16/1).

_________________________________________________

[1] L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 47,

12727 (1993)

[2] . . , .Ш. К , К. .

, . . . -

. N.3, 21 (2013)

[3] W. Richter, H. Kohler, C.R. Becker. Phys. Stat.

Sol. (b), 84, 619 (1977)

[4] H. Fujiwara. Spectroscopic Ellipsometry:

Principles and Applications, West Sussex, John

Wiley & Sons Ltd (2007)

[5] D. Stroud. Superlattices and Microstructures, 23,

567 (1998)

[6] N. Mamedov, Y. Shim, H. Toyota, K. Wakita, N.

Yamamoto, and S. Iida. Phys. Stat. Sol. (a), 203,

2873 (2006)





SmxSn1-xSe2 SİSTEM KRİSTALLARININ ELEKTRİK KEÇİRİCİLİYİNƏ

γ-ŞÜALARININ TƏSİRİ

V.Ə. ABDURAHMANOVA1, N.M. ABDULLAYEV

1, Ş.S. İSMAYILOV2

1AMEA Fizika İnstitutu 2AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutu

SmxSn1-xSe2 sistem ərintilərindən p= 4,1∙1017 və n=7,8∙1017 sm-3 konsentrasiyalı nümunələri seçilmiş və onların elektrik keçiriciliyinə termik emalın və γ-şualarının təsiri öyrənilmişdir. Müəyyən olunmuşdur ki, termiki emal (Te=673K və t=72 saat) hər

iki nümunənin elektrik keçiriciliyini qismən artırır; γ- şualarının təsiri nəticəsində nümunələrdə nöqtəvi, akseptor tipli radiasiya

defektləri yaranır. Bu defektlərin bir qismi n - tip nümunədə yükdaşıyıcıların konsentrasiyası ilə kompensasiya olduğundan elektrik keçiriciliyini ~18%azaldır, p-tip nümunədə isə, əksinə ~22 % artırır

Açar sözü: Elektrik keçiriciliyi, bərk məhlul, γ - şuaları, müqavimət, elektron seli, konsentrasiya

PACS: 72.15

GİRİŞ

Lantanoid elementlərinin iştrakı ilə p- SnSe

birləşmə əsasında olan mürəkkəb birləşmə və onların bərk

məhlullarının tədqiqinə maraq xeyli artmışdır [1-3].

Tədqiqat işləri içərisində alınmış maddələrin fiziki

xassələrinin dəyişməsinə xarici təsirlərin ( γ- şualarının , neytron , elektron selinin təsirləri) öyrənilməsi xüsusi yer tutur [4-6]. [7] ədəbiyyatında terbium (Tb) metalının iştarkı ilə olan (SnSe)1-x - [TbSe(Tb2Se3)]x sistem bərk

məhlullarının elektrofiziki xassələrinin dəyişməsinə γ-

şualarının və yüksək enerjili elektron selinin təsiri

öyrənilmişdir. Müyyən olunmuşdur ki, hər iki halda

şualanmadan sonra tərkiblərin müqavimətləri artır. Bu artım tətbiq olunan şualanma dozasından mütənasib

asılıdır. Anoloji tədqiqat işləri (SnSe)1-x -[LnSe(Ln2Se3)]x

Ln=Ce, Pr, Eu, Du,Sm, Nd lantanoid metallarının iştirakı ilə olan bərk məhlullarda da aparılmışdır. Tərkiblərin

keçiricilik tipindən (p- və yaxud n- tip) asılı olmayaraq hər iki halda ρ(T) asılılığı artır [3]. [3-9] işin müəllifləri

müəyyən etmişlər ki, elektron və yaxud zəif neytron seli

ilə şualandırılmış nümunələrdə ρ(T) artımı ρ0 başlanğıc müqavimətdən (konsentrasiyadan) kəskin asılıdır. Şualandırılımış kristal şualanmadan əvvəlki ρ0

müqavimətini bərpa etmək üçün T≥700K temperaturunda

termik emal etmək lazımdır.[3]-cü işin müəllifləri

(SnSe)1-x-(SmSe)x sistem bərk məhlullarına yüksək sürətli

elektron seli ilə şualandırmışlar və müəyyən etmişlər ki,

şualanma nəticəsində yaranan ilkin radiasiya

defektlərinin konsertasiyası artır və bu artım tərkiblərdə

olan Samarium (Sm) metalının miqdarından və şualanma dozasından asılı olaraq dəyişir. Müəlliflər bu asılılığı Sm-

metalının dəyişkən Sm2+

və Sm3+ valentli olması ilə ilə

əlaqələndirilər. Analoji proses (SnSe)1-x -[EuSe(Eu2Se3)]x

sistem bərk məhlullarında da müşahidə olunmuşdur. [8,9] işin müəllifləri müəyyən etmişlər ki, elektron

və zəif intensivli neytron seli ilə şualandırılmış kristalları daha yüksək temperaturlu termik emal etikdə (T>500

0C)

La, Ce, Sm, Tb, Eu metallarının iştirakı ilə alınan tərkiblərdə ρ(T) asılılğı çox mürəkkəb foramada dəyişir . Bu tərkiblərdə ilkin ρ0 müqavimətinin bərpası üçün daha

yüksək temperaturuda (T≥700K) termik emal etmək lazım gəlir. Göründüyü kimi lantanoid metallarının iştirakı ilə

olan (SnSe)1-x-[LnSe(Ln2Se3)]x sistəm bərk məhlularında radiasiyanın təsirini təyin etrmək üçün elektron və

neytron selindən daha çox istifadə olunmuşdur. Alınan nəticələr keyfiyyətcə oxşar olmasına baxmayaraq kəmiyyəmtcə bir-birindən fərqlidirlər. Buradan

göründüyü kimi (SnSe)1-x -[SnSe(Sn2Se3)]x sistem bərk

məhlularının fiziki xassələrinin dəyişməsinə radiasiyanın təsiri nisbətən az öyrənilmişdir. Bunun başlıca səbəbi bir

tərəfdən samarium (Sm) metalının dəyişkən, (Sm2+

və

Sm3+

) valentli olması, digər tərəfdən p- SnSe birləməsinin

ikiqat defektli quruluşa malik olmasıdır [3]. Bu baxımdan p- SnSe-SmSe sistemi kristallarının alınması, fiziki -

kimyəvi xassələrinin və o cümlədən, göstərilən xassələrin

dəyişməsinə radiasiyanın təsirinin öyrənilməsi maraq

kəsb edir. İşdə SmxSn1-xSe2 sistem bərk məhlullarının elektrik keçiriciliyinin dəyişməsinə termik emalın və γ-

şüalarının təsirinin öyrənilməsindən alınan nəticələrin

analizi verilmişdir.

TƏCRÜBİ HİSSƏ

Tədqiq etdiyimiz SmxSn1-xSe2 sistem bərk

məhlullarının sintezinin aparılması üsulları haqqında [3]

ədəbiyyatlarında geniş məlumat verilmişdir. Bu sistemdən

alınmış kristalların fiziki - kimyəvi analizi və bəzi kinetik

parametrləri [3] müəllifləri tərəfindən öyrənilmişdir. Müəyyən olunmuşdur ki, samarium (Sm) metalı

SmxSn1-xSe2 sistem ərintilərində 0,4 at% -i qədər bərk

məhlul yaradır. Digər tərəfdən bərk məhlul oblastında, tərkiblərdə Sm metalının miqdarından asılı olaraq (~0,4 at% Sm) keçiricilik tipi p-dən n-ə dəyişir. Maddələrin

elektrik keçiriciliyinə γ - şüalarının təsirini öyrənmək

məqsədi ilə hər iki: p və n oblastlarından yükdaşıyıcıların konsentrasiyaları p=4,1∙1017

və n=7,8∙1017sm

-3 olan

nümunələri presləmə üsulu ilə alınmışdır. Nümunələrdə

homogenlik yaratmaq məqsədi ilə yenidən ampulalara

qoyulmuş, vakuum yaradılmış və üfüqi vəziyyətdə

temperaturu T=3200C olan qızdırıcının içərisində t=7 saat

saxlanılmışdır. Alınmış nümunələrin stexiometrik

tərkiblərə uyğun olması rentgenofaza analizi ilə

yoxlanılmışdır. İlkin parametrləri ölçüldükdən sonra

maddələrin hər biri p1, p2, p3 və n1, n2, n3 olmaqla üç hissəyə bölünmüşdür. Bunlardan birinci p1 və n1 termik

emalla (Ttl =6730C və t=72 saat) digər ikisi p2 və n2 eyni

şəraitdəvə dozada MRX γ - 25 izotoplu 60

Co

mənbəyindən və Dy=20kQr (E=0,31MeV) tərtibində γ -

şüalanma udulmasına, digər p3 və n3 nümunələri isə

SmxSn1-xSe2 SİSTEM KRİSTALLARININ ELEKTRİK KEÇİRİCİLİYİNƏ γ-ŞÜALARININ TƏSİRİ

93

Dy=35kQr (E=0,54MeV) tərtibində udulmaya məruz

qalmışdır. Hər üç halda nümunələr havası 0,1 Па tərtibində sovrulmuş kvars ampulalarda yerləşdirilmişdir. Şüalanma prosesi azot temperaturunda aparılmışdır. Bu zaman nümunələrin kvars ampula ilə təmasda olması nəticəsində yaranan itkilər (maddə ilə kvars şüşə arasında yarana bilən diffuziya və s.) nəzərə alınmamışdır.

Nümunələrin elektrik keçiriciliyi və digər kinetik

parametrlər şüalanmadan sonra bir gün ərzində

ölçülmüşdür.

\TƏCRÜBƏDƏN ALINAN NƏTİCƏLƏRİN ANALİZİ

Nümunələrin ilkin müqavimətləri (elektrik

keçiriciliyi termik emaldan əvvəl və sonrakı qiymətləri

cədvəldə verilmişdir). Cədvəldə, həmçinin ikinci nümunələrin (p2 və n2) şualanmadan sonrakı qiymətləri

göstərilmişdir.

Cədvəl 1.

Tərkiblər T,(K) σ0 ilkin om-1

sm-1 σ1 termik emaldan sonra

(T=673 K)

σ Şualanmadan sonra

(D=0,31 Mev)

p=4,1·1017sm

-3 77

300

2,905

10,220

3,428

12,061

3,225

12,264

n=7,8·1017sm

-3 77

300

0,164

0,4826

0,131

0,393

0,141

0,415

Cədvəldən göründüyü kimi, termik emal olunmuş nümunələrin elektrik keçiriciliyi qismən yaxşılaşır. Bu artım hər iki tip nümunələrdə müşahidə olunur. Çox ehtimal ki, termiki emal olunmuş tərkiblərdə vakant

(Boşluq) mərkəzlərinin bir qismi ion və neytral atomların nizamlı düzülüşü hesabına azalır, bu da σ-nin qismən

artmasına səbəb olur. Aşağı dozalı şualanmaya məruz

qalmış (E=0,31 Mev) 2-ci qrup nümunələrdə isə

keçiricilik tiripindən asılı olaraq σ-nin dəyişməsi də

müxtəlifdir: p-tip nümunədə şualanmadan sonra σ-nın qiymətində qismən artım, n-tip nümunədə isə əksinə

azalama müşahidə olunur. Nisbətən daha yüksək

şüalanmaya (E=0,54 Mev) məruz qalmış 3-cü qrup nümunələrə (P3 və n3) γ-şualarının təsiri nisbətən

yüksəksdir və verilmiş temperaturlarda σ=f(γ) asılılığı şəkildə verilmişdir.

Qrafiklərdən göründüyü kimi (şəkildə qırıq xətlərlə

ilkin elektrik keçiriciliyin σ(T) asılılığı verilmişdir) radiasiya şualanmasına məruz qalmış p-tip nümunənin

σ(T) asılılığı 22% (T=77K) artır, n-tip nümunədə isə

əksinə 14% azalır. Buradan göründüyü kimi radiasiya

şualanmasına məruz qalmış SmxSn1-xSe2 kristallarını γ-

kvantları ilə şualandırdıqda yaranan akseptor tipli radiasiya defektlərinin təbiəti eynidir. Bu nöqtəvi akseptor

tipli radiasiya defektləri n-tip nümunələrdə

yükdaşıyıcıların konsentrasiyası ilə kompensasiya

tdiyindən elektrik keçiriciliyi azalır, p-tip nümunələrdə

isə əksinə, σ-nın qiyməti artır.

Şəkil.1. SmxSn1-xSe2 kristallarında elektrik keçiriciliyin temperatur asılılığı: 1- 2p (ilkin hal); 2-ı

p2 (D=35 kQ-də γ-kvantları ilə

şüalandırılmış hal); 3- 2n (ilkin hal); 4-ı

n2 ( D=35 kQ-də γ-kvantları ilə şüalandırılmış hal) .

(p3)

(n3)

V.Ə. ABDURAHMANOVA, N.M. ABDULLAYEV, Ş.S. İSMAYILOV

94

________________________________

[1] П . .П. « а а ».

И . а а 1973, 303 . [2] А.П. « - ая

а а а а а» Ба , 1991, 181 .

[3] V.Ə. Abdurahmanova, B.A. Tahirov, Ş.S. İsmayılov. “Serium və samarium elementləri ilə

aşkarlanmış p-SnSe birləşməsinin termoelektrik

xassələri”. BDU Fizikanın Müasir Problemləri

VIII konfrans materialları. 24-25 dekabr, 2014,s.

119-122

[4] B.A. Tahirov, M.İ. Murquzov, X.Ə. Abdurahmanova, Ş.S. İsmayılov “SmSnSe2

birləşməsinin elektrik keçiriciliyi mexanizmi” Fizika XVIII say 12. Bakı-2012, s. 41-43.

[5] А. . , .П. я « я а я

а а » . . , 180, 8, 2010, . 821-837

[6] C.İ. Hüseynov “Ln-Sn-S(Se) (Ln=Pr, Gd, Er, Dy)

sistemərinti və birləşmələrində elektron, fonon

prosesləri” Avtoreferat. Bakı, 2010. [7] Т. . ь , . . П. 1975, .9, .

1158-1161

[8] J.L. Menicols. et.al/J. Appl. Phys. 1967, vol.,

vol.8, 2, p. 656-659

[9] А.А. , . . , а . . а а. 1975,

258 .





(Ni-Zn)

. . , . . , . .

И Ф Н Н , . . 131, AZ-1143, ,

[email protected]

Ni1- Zn Fe2O4 (x = 0, 0.25, 0.4, 0.5, 0.6, 0.75) , d- Fe+2 Fe+3

, .

„ “ ~0,11eV Fe2+ Fe3+

. , Э , . Ni1-xZnxFe2O4 .

лючевые слов : ; ; ; ; s-d -

PACS: 41.20Gz;42.72Ai

Ni1-xZnxFe2O4 ( =0, 0.25, 0.4,

0.5, 0.6, 0.75, 1.0), [1], ,

[2] Ni1- Zn Fe2O4.

, , (Fe

2+

Fe3+), s-d-

[3], s-d-

, s-d- -

,

.

,

, ,

. , Ni1- Zn Fe2O4 -К - [4,5] , ,

.

Ni1-xZnxFe2O4 [2]

, ,

=0.6, ,

Fe3+,

. =0.3÷0.7, Э

, .

Ni1-xZnxFe2O4

[6]

x = 0.60, 0.68, 0.75. ,

,

К , ,

,

0,15meV. Ni1-xZnxFe2O4 [7].

Ni 1-x ZnxFe2O4 .

Ni1-xZnxFe2O4, = 0.0;0.25;0.4;0.5;0.6;0.75;1.0

NiO, ZnO Fe2O3

300 12 [8].

850 ° .

40 . К -

,

. , ,

, . X-ray

Ni1-xZnxFe2O4 , ,

[9], : -

ZnFe2O4, NiO Fe2O3;

. . , . . , . .

96

Ni2+

ZnFe2O4

Ni; .

Ni1-xZnxFe2O4 ( .1)

, 0.6,

0.6 1 ( .1). Fe3+

[1] Ni 1-x ZnxFe2O4 . 𝐹 3 .

. 1 : 1. NiFe2O4,

2. Ni0.75Zn0.25Fe2O4, 3. Ni0.5Zn0.5Fe2O4,

4.Ni0.25Zn0.75Fe2O4

-

Ni1-xZnxFe2O4

- Ni1-xZnxFe2O4

- 3D Confocal Laser

Microspectroscopy System Nanofinder 30

(TokyoInstruments, Japan) 50cm-

1 2000cm-1 1cm

-1.

YAGNd (=532 ),

0,1mW 10mW.

, 𝐹𝐷3

12 - (A1g+Eg+3F2g). К A1g

Fe, Ni Zn ( Fe, Ni Zn

, ,

, ,

Fe2+

Zn2+

Ni2+

𝐹 2+𝐹 23+ 4

).

,

Ni1-xZnxFe2O4 «XX» «X0X0»,

x - , [100] , 0 -

[110] . К [10],

(A1g + Eg) «XX» (A1g + Eg +

3F2g) - «X0X0». 2

Ni1-xZnxFe2O4. a – x=0; b –

x=0.25; c – x=0.4; d – x=0.5; e – x=0.6; f – x=0.6 ( ,

); g – x=0.75; h – 3: ZnFe2O4, 4: NiFe2O4; 1

– ; 2 - .

. Э

. , ,

, [1].

. ,

, ,

( . .2). ,

NiFe2O4 z (xy) z [13], .

. К ,

.

= 0,6 ( . 2 ),

( . 2 3b).

,

Ni1-xZnxFe2O4. К .3 ,

8 . .3, : 1

- 2 - «d» ( . .

2), . .3

« » (1) (2 - 1- )

(600 × 1000) -1

Ni1-xZnxFe2O4.

(Ni-Zn)

97

.2 - Ni1-xZnxFe2O4 . a – x=0; b –

x=0.25; c – x=0.4; d – x=0.5; e – x=0.6; f – x=0.6 ( ); g –

x=0.75; h – 3: ZnFe2O4, 4: NiFe2O4; 1 – ; 2 – . .

.3 (a) 872 cm-1

Ni0,4Zn0,6Fe2O4; (b) ( ) “d” ( ); (c) “x” (1) (2-

1 xy) (600 1000) cm-1

b a c

. . , . . , . .

98

К .1,

Ni 1-x

ZnxFe2O4. Ni 0.4 Zn 0.6 Fe2O4

890 -1 1 8 ( .3 ).

𝑇 = 𝐹0 𝜋2𝐾 , F0 -

; d - , 0,25 ; K -

, ,

[11]. Э ,

. ,

Zn . Zn + 2

, Ni + 2 Fe + 3

.

, , .

,

Zn .

. ,

Fe Ni B- ,

. , Ni1-

xZnxFe2O4. Э . Э , , 872 -1

( = 0,6), ~ 710

3

Ni0,4Zn0,6Fe2O4 ( . 2 3b). , -

( .1) [6], ,

-

. -

= 0,60, 0,68, 0,75 -

-

z- . -

. ,

. ,

, Э , [2],

Ni1-

xZnxFe2O4 [2]. , .

, Zn Ni1-xZnxFe2O4 , -

𝑍 𝑥2+𝐹 1−𝑥3+ 𝑖1−𝑥2+ 𝐹 1+𝑥3+ 4, Zn -

Fe - - . ,

, , -

.

Ni1-xZnxFe2O4 Fe3O4, (001)

, ,

. B

110. (001) , ±90 , .

Fe3O4 Fe3+ Fe2+

d5 d6,

, , 5d-

. Fe2+

5d- .

Fe3+ (B)

(A) 3d- Fe

2p- 125°.

. Э Fe2+

Fe3+.

Fe2+

Fe3+,

, ,

,

. ,

(Ni2+ Fe3+) , (Fe2+ Fe3+) [14],

(RIXS) Fe3O4 [14],

Ni1-xZnxFe2O4, ,

, [001],

„ “ ~0,11eV,

(Ni-Zn)

99

Fe2+

Fe3+

. , Fe3O4 0,145 eV,

-

Fe2+

O6 B-

, t2g- h D4h,

- dd-

. , -

t2g dxy dyz = dzx ,

Fe-O xy . , ,

Fe2+ Fe3-

.

, d- Fe+2

, Fe+2

Fe

+3 , . К

[14], , ,

,

Ni1-xZnxFe2O4.

600 -1

1000 -1 ( . 3 ) ,

( 0,75)

, 𝐹 3 .

Э [14],

. ,

z,

,

[15].

Ч 872 -1

.2

.

A1g,

, , Fe A .

[15],

, .

[16], , , (Ni0,6Fe

2+0,4)Fe

3+2O4

(T ~119 К), .

, , ,

, [15], , ,

17 .

Ni0.4Zn0.6Fe2O4

( .4).

4. К (1) (2) Ni0,4Zn0,6Fe2O4

. . , . . , . .

100

Ni1-xZnxFe2O4 .

. ,

d- Fe+2

Fe+3 ,

.

, [001],

„ “ ~0,11eV,

Fe2+ Fe3+

.

-

Fe2+O6 B- ,

t2g- h D4h. ,

, ,

Ni1-xZnxFe2O4 , .

- . 0.109m V,

,

[6], Э Ni1-xZnxFe2O4

[2] ,

,

Fe3+,

.

- EIF-BGM-3-

BRFTF- 2+/ 2017-15/04/1

___________________

[1] S. Aliyeva, S. Babayev, T. Mehdiyev, JRS 2018; 49

(2), 271

[2] Sh.N. Aliyeva, Y.N. Aliyeva, A.I. Nadjafov, I.S.

Hasanov, E.K. Huseynov, T.R. Mehdiyev, PSS (c)

2015; 212, 615

[3] K.L. Belov, Phys.-Usp. 1993; 163, 53.

[4] K. Leung, B.J. Evans, A.H. Morrish, Phys. Rev. B

1973; 8, 29

[5] W.F. Pong, Y.K. Chang, M.H. Su, H.J. Lin, G.H.

Ho, P.K. Tseng, T.M. Uen, G. Meigs, C.T. Chen, J.

Phys. B 1995; 208&209, 781.

[6] U.N. Mikhaylov, V.A. Kazantsev, Phys. Solid State

2010; 52, 894

[7] V.G. Kostishyn, B.K. Ostafiychuk, V.V. Moklyak,

A.V. Nuriev, J. Mater. Electron. Eng. 2013; 4, 22.

[8] O. Fruchart, P.O. Jubert, M. Eleoui, F. Cheynis,

B. Borca, P. David, V. Santonacci, A. Lionard, M.

Hasegawa, C. Meyer, J. Phys.: Condens. Matter

2007; 19, 053001-1

[9] N.N. Scholtz, K.A. Piskarev, Ferrimagnetic

materials for radio-frequencies, Publishing House

Energy, Moscow, 2013

[10] V.G. Ivanov, M.V. Abrashev, M.N. Iliev, M.M.

Gospodinov, J. Meen, M.I. Aroyo, Phys. Rev. B

2010; 82, 024104

[11] J.F. Ready, Effects of high-power laser radiation,

New York–London:Academic Press, 1971. 468p.

[12] Michael Hoppe Magnetic, structural, and

electronic properties of NiFe2O4 ultrathin films

Schlüsseltechnologien / Key Technologies Band/ Volume 118 ISBN 978-3-95806-122-4

[13] P.R. Graves, C. Johnston, J. J. Campani, Mat.

Res. Bull. 1988; 23, 1651

[14] H.Y. Huang, Z.Y. Chen, R.-P. Wang, F. M. F. de

Groot, W. B. Wu, J. Okamoto, A. Chainani, J.-S.

Zhou, H.-T. Jeng, G.Y. Guo, Je-Geun Park, L.H.

Tjeng, C.T. Chen, D.J. Huang, Nature

Communications 2017; 8, 15929

[15] L.V. Gasparov, D.B. Tanner, D.B. Romero, H.

Berger, G. Margaritondo, L. Forro, Phys. Rev.

B12 2000; 62, 7939

[16] . . , И. . , Н. . IV

. . « , , ,

», 19-22 2013 ., К , , .77





YARIMKEÇİRİCİLƏRDƏ KRİTİK NÖQTƏLƏRİN MÜXTƏLİF HALLARI ÜÇÜN KOMPLEKS DİELEKTRİK FUNKSİYASININ SPEKTRAL ASILILIQLARININ

MÜQAYİSƏSİ

M.H. HÜSEYNƏLİYEV

AMEA Naxçıvan Bölməsi Təbii Ehtiyatlar İnstitutu

[email protected]

Açar sözlər: yarımkeçirici, kritik nöqtə, ”Graphical analisys“, fittinq, kompleks dielektrik funksiyası, həqiqi hissə, xəyali hissə,

parametr, RMSE, orta kvadratik xəta.

PACS: 77.22.Ch, 77.84.Dy, 77.90.+k

Məqalədə yarimkeçiricilərdə kritik nöqtələrin

müxtəlif hallari üçün kompleks dielektrik funksiyasinin enerjidən asililiq əyrilərinin müqayisəli təhlili verilmişdir. Təhlil ”Graphical analisys“ proqramı vasitəsilə kritik

nöqtələri xarakterizə edən m -parametrinin dörd qiyməti

üçün yerinə yetirilmişdir. Ellipsometrik ölçmələrdən nəticə olaraq kompleks

dielektrik funksiyasının 1 həqiqi və 2 xəyali hissələrinin

enerjidən asılılıq qrafikləri alınır. Bu funksiya həm də

700-dən çox nöqtənin asılılığı şəklində rəqəmsal olaraq

koordinatlarla verilmiş olur və ona görə də bu asılılığı asanlıqla hər hansı bir proqramda qurmaq və analizini

aparmaq mümkündür. Bir çox müəlliflər fittinq prosesini

yerinə yetirərkən cox mürəkkəb hesablamalardan,

Savitski-Golay alqoritmlərindən, SA alqoritmlərindən [1-

3], və s. istifadə etmişlər.

Halbuki ”Graphical analisys“ proqramı bu məqsəd

üçün çox əlverişli bir proqramdır [4,5], çünki bu

proqramla qurulmuş əyrinin və yaxud onun müəyyən

oblastının fittinqini aparmaq (yəni həmin əyri ilə

maksimum üst-üstə düşə bilən nəzəri asılılıqları müəyyən

etmək) mümkündür. Konkret olaraq spektroskopik ellipsometriya məsələlərinin həlli zamanı eksperimental kompleks dielektrik funksiyası )( -nın ikinci tərtib

törəmələrinin həqiqi və xəyali hissələri üçün alınmış

asılılıqların fittinqi belə məsələlərin həllində istifadə

olunan nəzəri funksiyaların vasitəsilə aparılır. Nəticədə bu

funksiyalara daxil olan sabitlər təyin olunur. Bu

sabitlərdən biri də E- kritik nöqtəsidir ki, bu da

yarımkeçiricilər nəzəriyyəsi üçün çox mühüm kəmiyyətdir.

Bildiyimiz kimi kompleks dielektrik funksiyası üçün nəzəri analitik ifadənin ikinci tərtib törəməsi

halı üçün aşağıdakı şəkildədir [6,7]:

2

1

2

1

2/21

2

2

sinarg)2(sincosarg)2(cos)(E

miE

mAd

d m (1)

harada ki, AmmA )1(1 və 22)( E , burada A-amplituda, E-kritik nöqtə, - genişlənmə, -isə

eksiton faza bucağıdır.

İfadəyə daxil olan m kəmiyyəti üç müxtəlif qiymət ala bilər: 2

1m kritik nöqtənin üçölçülü (3D),

2

1m

birölçülü (1D) halına aiddir; 1m isə eksiton tip kritik nöqtədir [8]. 0m ikiölçülü (2D) hal üçün (1) ifadəsi

aşağıdakı kimi olur:

2

1

2

12

2

sinarg2sincosarg2cosE

iEA

d

d (2)

Yuxarıda qeyd olunduğu kimi 2

1

2 /)( dd və 2

2

2 /)( dd əyriləri fittinqə cəlb olunarkən ən yaxşı fitting halı A, E, və -parametrlərindən əlavə həm də m sabitinin ala biləcəyi dörd qiymətdən birinin seçilməsi

ilə müəyyən olunur. Fittinq apararkən bu sabitlərdən hər hansı birinin seçilməsi həmin sabitin digər üç sabitlə

müqayisədə eksperimental asılılıqla daha çox üst-üstə düşməsi, yəni fittinq xətasının daha kiçik olması ilə müəyyən

olunur ki, bu xəta ”Graphical analisys“ proqramında RMSE (root mean-square error -orta kvadratik xəta) göstəricisi ilə

qiymətləndirilir.

0m

mailto:[email protected]%20%20%[email protected]

M.H. HÜSEYNƏLİYEV

102

Şəkil 1. m -in müxtəlif qiymətləri üçün kompleks dielektrik funksiyasının ikinci tərtib törəməsinin həqiqi hissəsinin enerjidən

asılılıq əyriləri

Şəkil 2. m -in müxtəlif qiymətləri üçün kompleks dielektrik funksiyasının ikinci tərtib törəməsinin xəyali hissəsinin enerjidən

asılılıq əyriləri

YARIMKEÇİRİCİLƏRDƏ KRİTİK NÖQTƏLƏRİN MÜXTƏLİF HALLARI ÜÇÜN KOMPLEKS DİELEKTRİK …

103

m -in müxtəlif qiymətləri üçün aparılan fittinqlərin

bir-birlərindən nə qədər xəta ilə fərqlənmələrinə aydınlıq gətirmək üçün xüsusi olaraq 0m qiyməti üçün təxminən 100%-li fittinqi mümkün olan eksperimental

2

1

2 /)( dd və 2

2

2 /)( dd əyriləri qurulmuş və həmin asılılıqların m -in digər qiymətləri ilə fittinqi aparılaraq alınan RMSE xətaları müəyyən edilmişdir (şəkil 1,2).

Fittinq əyrilərindən göründüyü kimi m -in müxtəlif qiymətlərində A, E, və -parametrlərindən yalnız demək olar ki, E-parametri dəyişməz qalır, yəni m -in

müxtəlif qiymətlərində aparılan fittinq kritik nöqtələrin qiymətinin tapılmasına təsir etmir. Bu nəticəni fittinq

prosesinin ən uğurlu xüsusiyyəti hesab etmək olar.

Orta kvadratik xətalar isə 0m qiyməti ilə

müqayisədə bir-birlərindən çox da fərqlənmirlər. Ən

böyük xəta üçölçülü 5,0m (3D)

paramertrinə aid olan

fittinq ilə 1m (eksiton tip kritik nöqtə) paramertrinə

aid olan fittinq halları arasında olur. Burada bir məsələni də xüsusi olaraq qeyd etmək

lazımdır ki, -nın aldığı qiymətlər arasında müəyyən bir

qanunauyğunluq vardır.

Belə ki, 2

1m , 1m ,

2

1m və 0m

qiymətləri üçün aparılan fittinq nəticəsində -nın aldığı qiymətlər bir-birlərini /4 bucağı qədər qabaqlayırlar. Doğrudan da, şəkil 1 və 2-dən göründüyü kimi, fittinqlər

-nın uyğun olaraq /4, /2, 3/4 və qiymətlərində

alınmışdır.

_____________________

[1] M. León, R.Serna, S. Levcenko, A.Nateprov,

A.Nicorici, J. M. Merino and E. Arushanov,

Modeling the optical constants of Cu2In4Se7 and

CuGa3Se5 crystals. // J. Appl. Phys., 2007, vol.

101, p. 013524

[2] M. Corana, C. Marchesi, Martini, and S. Ridella,

Minimizing multimodal functions of continuous

variables with the “Simulated annealing” algorithm. // ACM Transactions on Mathematical

Software, 1987, vol. 13, No. 3, p. 262-280

[3] М. Кард а, М яци ая ия. М ва: Ми , 1972, 416 .

[4] M.H. Hüseynəliyev, O.R. Əhmədov, N.M.

Abdullayeva, X.N. Xəlilova, N.A. Qasimov

Spektroskopik ellipsometriya ölçmələrinin

tədqiqində ”Graphical analysis“ proqramının

tətbiqinin üstünlükləri // Azərbaycan Milli Elmlər

Akademiyasinin Xəbərləri, 2015, 5 s.100-103

[5] M.H. Hüseynəliyev Qurğuşun sulfid monokristallarinin dielektrik xassələri və kritik

nöqtələrinin təyini // AMEA Naxçıvan Bölməsi,

“Xəbərlər”, 2016, 4. s.240-246

[6] J.G. Albornoz, R. Serna, M. Leon Optical

properties and electronic structure of

polycrystalline Ag1-xCuxInSe2 alloys // J. Appl.

Phys. 97, (2005), p.103515 (1-7)

[7] S.G. Choi, H.Y. Zhao, C.Persson Dielectric

function spectra and critical point energies of

Cu2ZnSnSe4 from 0,5 to 9,0 eV // J. Appl. Phys.

111, (2012), p.033506 (1-6)

[8] P. Lautenschlager, M. Garriga, S. Logothetidis,

and M. Cardona Interband critical points of GaAs

and their temperature dependence // Phys. Rev. B,

35, (1987), p.9174

AJP FİZİKA 2018 vol. XIV 3, section: Az




. . 1, . . 2

1 Ш я ч я я . . Т ,

, [email protected]

2 И Ф , ,

, -

, , (∼700 GPa – -

) ( 1 Pa – ) , ,

. , - , ( 8-40 , ~10000 К) ( ) (

), ( , , ), ( « »

) ( ) , , , .

, - , . . ,

, , - - .

люче ые сло : , , - - .

-

(89% H2 10% He). ,

. , ,

, , -

, . .

, , ,

, .

,

( .1 ) - .

, ,

.

,

, :

, .

-

. (P>1.5 , T∼6000 K),

, . ,

, 1935

. Х.Х [1], ,

250000 . ,

[2]; [3,4]

, ,

, :

. , -

,

, . ,

, . ,

, -

, « », . . .

" "

, [5].

, , , .

105

a)

)

с)

)

Р . 1.

,

, . .

.

. , ,

, .

, - , . ,

1,67,

1,78. , . ,

,

,

.

, ,

К

. , К-

, “Juno”

, ( .1 , [6]).

К , H2 (4-0)

, ,

- [7].

, : -

;

( - ),

( , ),

( .1 , [8]); (5500 +

2500 , , )

« » . К ,

. « », -

; , ,

« » ,

, ( .1 , [9]); , ,

https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D0%B3%D0%B0%D0%B7

. . , . .

106

,

, -

« ». ,

, , ,

.

, - 2 - 2

(~1400 / ), .

( )

- 2

, , , .

, -/ - , ,

, .

, , ,

,

, -

2 - 2, , , , ,

- / - . ., , ,

- / - ,

. , « » ,

( !), « К- »

. К ,

.

__________________________________

[1] E. Wigner, H B. Huntington (1935), J. Chem.

Phys. 3, 764

[2] N.W. Ashcroft, (1968), Physical Review

Letters. 21 (26): 1748–1749

[3] E. Babaev, N.W. Ashcroft, (2007), Nature

Physics. 3 (8): 530–533

[4] E. Babaev, A. Sudb , N.W. Ashcroft, (2004),

Nature. 431 (7009): 666–668

[5] S. McWilliams, D.A. Dalton, M.F. Mahmood, A.F.

Goncharov (2016), Phys.Rev.Lett. 116, 255501

[6] https://phys.org/news/2017-05-juno-mission-

jupiter-science-results.html

[7] A.A. Atai, E.R. Yuzbashov. (2018), Astronomy &

Astrophysics (Caucasus) 4, 27-38.

[8] http://astronomy.nju.edu.cn/~lixd/GA/AT4/AT411

/HTML/AT41102.htm

[9] Dali Kong, Keke Zhang & Gerald Schubert,

(2016), Scientific Reports v.6, 23497

https://en.wikipedia.org/wiki/Physical_Review_Letters

https://en.wikipedia.org/wiki/Physical_Review_Letters

https://en.wikipedia.org/wiki/Nature_Physics

https://en.wikipedia.org/wiki/Nature_Physics

https://en.wikipedia.org/wiki/Nature_(journal)

https://phys.org/news/2017-05-juno-mission-jupiter-science-results.html

https://phys.org/news/2017-05-juno-mission-jupiter-science-results.html

http://astronomy.nju.edu.cn/~lixd/GA/AT4/AT411/HTML/AT41102.htm

http://astronomy.nju.edu.cn/~lixd/GA/AT4/AT411/HTML/AT41102.htm

https://www.nature.com/articles/srep23497#auth-1







А А И И И И А ИА p+-n InSb, В А

. . И В

И Ф [email protected]

InSb (3151021 cmn

( Э) (Э ) InSb (317101 cmp ) p+-n

( p- ~1 m, n- 160 m), К- InSb (D*). К-

InSb D*≈ 4x1011 1/2 -1 =5.5 m.

лючевые слова: , , К

PACS: 73.40.Kp, 78.20.-e, 78.66.Fd, 81.40.Tv

3-5 К

.

[1,2].

InSb

p

+-n ,

( Э).Э -

,

.

p-

n p+-p Э InSb n-

[3].

InSb ,

p+-n ( p- n- )

К- InSb (D*

) [4].

∗ = 𝜂𝜆2ℎ ( 𝐴𝑘 )1/2 (1)

η – , - , - , R -

p-n . A- .

[1] n-

𝐼 = 𝐴 𝐿 𝑝 𝜏 [ sh 𝐿 + 𝜏𝐿 /𝜏 ch 𝐿 ℎ𝐿 +𝐿 /𝜏 ℎ𝐿 ] + 𝐿𝑝𝜏𝑝 𝑝 ℎ 𝐿 =𝐼′ + 𝐼′′ (2)

p-n

= 4,8 ∙ 1015( 0 )3/2 3/2 1/2(𝜂),

𝑝 = 4,8 ∙ 1015 ( ℎ 0 )32 32 12 − 𝑖 − 𝜉

, n p- 77K ,

,

< 2.7 ∙ 1015см−3 и 𝑝 ≈ 1 ∙ 1017см−3.

S ; d p-n- ; −

, n- ; 𝑝 𝑝 -

p - n

, ; e- , 𝜏 - ; 𝐿𝑝 𝐿 - n - p- ,

𝜉 = −𝑘 , = 0.013 0 ℎ = 0.55 0-

InSb, 0-

, - , 𝑖-

kT, а 1/2(𝜂) - - . , < 104 / .

𝐿 𝜏𝑝 = 2.44∙10−42∙10−10 = 1.22 ∙ 106, 𝐿 𝜏𝑝 ≪ 1

(2)


. . И В

108

𝐼 = 𝐴 𝐿𝜏 𝑝 ℎ 𝐿ℎ 𝐿 = 𝐴 𝐿𝜏 𝑝 th(𝐿 )

.1.

(1) 𝜂

𝜂 = (1 − )ℎ 𝐿 + 𝐿 /𝜏 ℎ 𝐿 ∝ 1ℎ 𝐿

= (36 %).-,

InSb . d

, . .1

𝜂 (𝐿 ) 𝐼 (𝐿 )

/𝐿 . , 𝜂 95.7% 𝐼 /𝐿 0.3.

0.73 мкм.

, ≈ 1мкм

. 𝐼 n -

( . . ) b ,

. , ℎ 𝐿𝑝

, . = 2𝐿𝑝 , ℎ 𝐿𝑝 = 1.037, .

2𝐿𝑝 .

= 1 − 2 × 1015см−3

160 мкм. 300-

400 m, .

p+-

InSb c n ( Te) p- ( Ge) .

1-10 ,

17101p - 319101 cm CL

- In-Sb . , CL<1x10

17 -3

InSb (Te Cd).

. 2. К ( ) ( ) p+-n

InSb

. 3. p-n

CL≈1x1017

- 4x1018 -3 Ks -

~0.30, ≈5x1018

-1x1019 -3

Ks~0.25.

А А И И И И А ИА p+-n InSb, В А

109

, .

К p-n InSb

.2a.,

5

~3 - .2. . p-n

10 20

. n-

“ - ”

SiO2 -

( VD).

.

SiO2. p-InSb

Pt (7000Å)/ Cr

(3000Å) / Au (30000Å), n-InSb Cr (3000Å)/Au (30000Å),

. .3

.

D*≈ 4x10

11 1/2 -1 ( =5.5 m).

________________________________________

[1] A. Rogalski Infrared Detectors, 2nd

edition. Boca

Raton:CRC Press, 2011, 898p.

[2] К. . ь, . . , .

320×256 // , 2013, 1, 6, c 733-738

[3] Gh. Sareminia, M. Hajian, H. Simchi, Sh. Eminov

Characterisation of photodiodes, made from a

p-type epitaxial layer grown on n-type InSb <111>

by LPE method// Infrared Physics & Technology,

2010, 53, 5, p. 315-319

[4] Ш. . Э , Э.К. , . . , Э. . Э

p-n– InSb,

Э // Fizika, 2008, . XIV, 3, . 101-106





Ce2SnSe4 BİRLƏŞMƏSİNİN ELEKTRİK VƏ İSTİLİKKEÇİRİCİLİYİ

V.Ə. ABDURAHMANOVA1, N.M. ABDULLAYEV

1,

H.M. ƏSKƏROV1, Ş.S. İSMAYILOV2

1. AMEA, H.B. Abdullayev adına Fizika İnstitutu 2. AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutu

Açar sözü: Elektrik keçiriciliyi, qəfəs istilikkeçiriciliyi, elektron istilikkeçiriciliyi, monokristal, Birləşmə

PACS: 72.15

Məqalədə Ce2SnSe4 birləşməsinin T=77-850K temperatur intervalında elektrik və istilikkeçiriciliyin təcrübədən alınmış qiymətlərinin ilkin analizi verilmişdir. Müəyyən olunmuşdur ki, T=417-430 K temperatur intervalında elektrik keçiriciliyi anomal dəyişir. Bu anomal dəyişmə faza keçidinin olması ilə izah olunur. Yükdaşıyıcıların müxtəlif temperatur intervallarında aktivləşmə

enerjisi hesablanmışdır. Termik qadağan olunmuş zonanın eni: Eg≈0,88eV tərtibindədir, kristal rombik quruluşda kristallaşır. Qəfəs

və elektron istilikkeçiriciliyi ölçülmüşdür. Müəyyən olunmuşdur ki, elektron isitilikkeçiricilyi kiçikdir və T=300K –də ümumi istilikkeçiriciliyin 0,14%-ni təşkil edir. Kiçiricilik mexanizmində, qadağan olunmuş zona daxilində akseptor tipli enerji səviyyələri

mövcuddur və temperaturun artması ilə bu səviyyələr arası yaranan sıçrayışlı keçidlər hesabına elektrik keçiriciliyi artır.

GİRİŞ

Nadir torpaq metallarının (NTM) iştirakı ilə p-SnSe

birləşməsi əsasında olan çoxsaylı tədqiqat işləri göstərir

ki, bu silsilədən olan mürəkkəb birləşmə və onların bərk

məhlullarının özünə məxsus spesifik qanunauyğunluqları var [1-3]. Ümumi halda, bir tərəfdən A

IVB

VI qup

birləşmələri və o cümlədən p-SnSe defektli quruluşa malikdir [3], digər tərəfdən NTM atomalrının elektron quruluşunda daxili 4f-elektron örtüyündə olan, mütəhərrik

elektronların olması onların fiziki xassələrinin

dəyişməsinə özünə məxsus təsir edir [1]. Bu səbəbdən

NTM-nın iştirakı ilə olan mürəkkəb birləşmələrdə,

komponentlərin təbiəti və nisbətindən asılı olaraq yeni fiziki xassələrə (termoelektrik, dielektrik, lüminəfor,

yarımkeçirici və s.) malik tərkiblərin alınması mümkün edir [1]. NTM-nın iştirakı ilə p-SnSe birləşməsi əsasında olan bir sıra mürəkkəb birləşmə və onların bəzi bərk

məhlulları [4,5] müəllifləri tərəfindən öyrənilmişdir. Müəyyən olunmuşdur ki, NTM-nın iştirakı ilə (Nd, Sm,

Dy, Er, Yb) tərkiblərin isitilikkeçiriciliyi çox kiçikdir [6,7]. Uyğun olaraq, yükdaşıyıcıların konsentrasiyası, hal yüklüyü az olduğundan AIV

BVI

–qrup birləşmələrinin

elektrik keçiriciliyində nisbətən çox kişikdir. Məsəslən, p-

SnSe elektrik keçiriciliyi σ=(14-60) om-1

Sm-1

olduğu halda Ce2SnSe4 birləşməsində b rəqəm ən azı 4 dəfə

kiçikdir. Digər tərəfdən müəyyən olunmuşdur ki, NTM-

nın iştirakı ilə olan tərkiblərdə vakant mərkəzlərinin bir

hissəsi (konsentyrasiyası) nəzərə çarpaçaq dərəcədə

azalır. Bu isə istilikkeçirmə əmsalının qismən artmasına səbəb olur. Başqa sözlə A

IVB

VI qrup xalkagenidlərində

NTM atomları tərkiblərdə bir növ vakant mərkəzlərinin

təmizlənməsi prosesini həyata keçirir. Təqdim olunan

məqalə NTM-dan olan serium (Ce) metalının iştirakı ilə

olan Ce2SnSe4 üçlü birləşməsinin elektrik və

istilikkeçiriciliyinin tədqiqinə həsr olunub. Burada

məqsəd Ce2SnSe4 birləşməsinin defektli təbiətini

araşdırmaq, elektrik və istilikkeçirmə əmsalının dəyişməsinə defektli quruluşun təsirini müəyyən

etməkdir. Bu məqsədlə Ce2SnSe4 birləşməsi sintez

edilmi., T=77-850K temperatur intervalında elektrik və

istilikkeçiriciliyi təcrübədə ölçülərək analiz edilmişdir.

TƏCRÜBİ HİSSƏ

Ce2SnSe4 birləşməsi SnSe-Ce2Se3 kəsiyində 1:1-ə

nisbətində alınır [2,5]. Bu birləşmənin fiziki-kimyəvi

xassələri həmin müəlliflər tərəfindən öyrənilmişdir. Fiziki elektrofiziki xassələri isə tam öyrənilməmişdir. Ce2SnSe4

birləşməsi kristallaşdığı zaman T=8250C temperaturda

parçalanma baş verdiyindən, sintezdən sonra yenidən toz

halına gətirilmiş və presləmə üsulu ilə onun kristalı alınmışdır. Presləmə iki mərhələdə aparılmışdır. Birinci mərhələdə (soyuq presləmə) p=7,5

2 təzyiq altında 5

dəqiqə saxlanılmışdır. İkinci mərhələdə isti presləmə

üsulundan istifadə olunmuşdur. T=3900C temperaturunda

və p=5,4 2 təzyiq altında saxlanıldıqdan sonra

çıxarılmışdır. Maddə, həndəsi ölçüləri (4x6)·20 mm olan formada alınmışdır. Nümunədə homogenlik yaratmaq

üçün yenidən ampulaya yerləşdirilmiş və vakuum

yaradılaraq, qızdırıcı içərisində T=6200C temperaturda

t=72 saat saxlanıldıqdan sonra çıxarılmışdır. Nümunənin

fiziki-kimyəvi analizi edilmişdir: rentgenfaza analizi, DTA, sıxlığı təyin edilmişdir. Alınan nəticələr Ce2SnSe4

monokristalının tam stexiometrik tərkibə uyğun olduğunu göstərmişdir. Alınan nəticələr cədvəldə verilmişdir.

Cədvəl 1

Tərkib Quuluş Qəfəs sabitləri A0

P r/sm3 Tər0 C a b c

Ce2SnSe4 rombik 11,80 14,05 4,12 6,30 870

TƏCRÜBƏ NƏTİCƏLƏRİNİN ANALİZİ

Təcrübələr T=77-850K temperatur intervalında apa-

rılmışdır. Ce2SnSe4 birləşməsinin elektrik keçiriciliyi –σ; istilikkeçiriciliyi –x və otaq temperaturunda termo e.h.q-

S'; Holl əmsalı-Rx ölçülmüş və yükdaşıyıcılatrın konsen-

trasiyası – (p), holl yürüklüyü – (μ) təyin olunmuşdur. T=300K temperaturundakı qiymətlər 2-ci cədvəldə

verilmişdir

Ce2SnSe4 BİRLƏŞMƏSİNİN ELEKTRİK VƏ İSTİLİKKEÇİRİCİLİYİ

111

Cədvəl 2

Tərkib R sm3/kl σ (om-1

Sm-1) P (Sm

3) μ (sm2

/k.s) S (mkv/K) χ (Vt/SmK) Ce2SnSe4 13,83 3,31 4,5·1017

46 670 21,6

Şəkil 1a. CeSnSe4 kristalının elektrik keçiriciliyin temperatur

asılılığı

Şəkil 1b. CeSnSe4 kristalının istilikkeçiriciliyi və istilik

müqavimətinin temperatur asılılığı

Cədvəldən göründüyü kimi yükdaşıyıcıların konsentrasiyası p-SnSe birləşməsində olduğu kimi ~4,5·1017

Sm-3

tərtibindədir. Elektrik qeyd etdiyimiz kimi

keçiriciliyi isə 4 dəfə azalmışdır (σSnSe≈14,0 om-1sm

-1).

Təcrübədən alınmış qiymətlər əsasında elektrik keçiriciliyinin loqarifmik miqyasda 𝜎 = 103𝑇 və

istilikkeçirmə əmsalının (χ) temperatur asılılıqları qurulumuş və şəkil 1-də göstərilmişdir. 1a qrafikində

elektrik keçiriciliyinin temperatur asılılığı verilmişdir. Qrafikdən göründüyü kimi σ(T) asılılığı çox mürəkkəb

formada dəyişir və müxtəlif temperatur intervallarında yükdaşıyıcıların aktivləşmə enerjisi müxtəlifdir.T=300-

420K temperatur intervalında 1-ci akseptor səviyyəsinin

aktivləşmə enerjisi ∆E, ≈0,29 eV tərkiblərində olmuşdur və T-nin sonrakı artımında daha dərində yerləşmiş 2-ci

akseptor zolağının həyəcanlanması hesabına σ-nın qiyməti sürətlə artır. (∆E2≈0,8 eV) və məxsusi küçiricilik oblastına yaxınlaşır (T>625K). Σ(T) asılılığının analizi göstərir ki, Ce2SnSe4 birləşməsinin termik qadağan olunmuş zonasının qiyməti Eg≈0,88 eV tərtibindədir və

elektrik keçiriciliyi mexanizmi bir növ zonalar arası sıçrayışlı keçidlər hesabına baş verir.

1b şəkilində Ce2SnSe4 birləşməsinin istilikkeçirmə

əmsalının temperatur asılılığı (χq(T)) verilmişdir. Qeyd edək ki, qəfəs istilikkeçiriciliyi (χq) Xideman-Frans

qanunundan istifadə etməklə təyin olunmuşdur. Tədqiqat

apardığımız temperatur intervalında nümunənin

istilikkeçiriciliyi əsasən qəfəs və elektron

istilikkeçiriciliyindən ibarət olduğunu qəbul edərək

ümumi χüm=χq+χel qiymətləndirilmişdir. Burada χel=L0σT olduğundan və Lorens ədədinin L0=2,45 ∙ 10−8 𝑉 ∙𝑂𝐾2

qiymətindən istifadə etməklə müxtəlif temperaturlar üçün elektron istilikkeçiricilinin (χel) qiyməti təyin olunmuşdur. Müəyyən olunmuşdur ki, T=300K-də χel ümumi istilikkeçiriciliyin 0,14%-ni təşkil edir və temperaturun

artması ilə T≥620K-də χel≈0,41% artır. Müxəlif

temperaturlar üçün χq=χüm-χel hesablanmış və qrafikdə

χq=(T) asılılığı verilmişdir. Qarafikdən göründüyü kimi χq(T) T-nin artması ilə

tədqiqat apardığımız temperatur intervalında mütənasib

azalır (1a. 1-ci əyri) 1𝜒𝑞 ≈ 𝜗 istilik müqavimətinin

temperatur asılılığı 2-ci əyridə verilmişdir. Qrafikdən

göründüyü kimi, tədqiq etdiyimiz Cc2SnSe4 kristalında fononların əsasən nöqtəvi defektlərdən səpilməsi üstünlük təşkil edir. T≥700 K-də bipolyar diffuziyanın intensivləşməsi hesabına istilik müqavimətinin X xətti

asılılığı qismən pozulur və ümumi isitilikkeçiriciliyin qiyməti artır.

_____________________________

[1] o . . « а а а »

И . «На а» Л. 1973, 303 c.

[2] А. . ш « - ая а а а

а а» Ба . 1991, 181 . [3] А. . , . . я «

а я а а » Н.

180. 8. 2010. 821-837. V.Ə. Abdurahmanova,

B.A. Tahirov, Ş.S. İsmayılov “Serium və samarium

elementləri ilə aşqarlanmış p-SnSe birləşməsinin

termoelektrik xassələri” Fizikanın müasir Problemləri VIII. Respublika konfrans materialları, 24-25 dekabr, Bakı-2014, s. 119-122

[4] А. . ш , М. . М , . . а

а SnSe- e2Se3, а Н а . 1986. .22. 7. c. 1906-1908

[5] .Т. А а, М. . , .А. а . «Д

а » . 1998 32, 7, . 806-810





. . 1, . .

1, . .

2, . .

2,

. . 3, . .

1

1 я , , я

2- - ,

,

3 , ,

[email protected]

. Ce-Ti-O, PbS PbF2 , :

. .

лючевые слов : , ,

PACs: 28.20.-v

1.

.

,

, , [1].

,

.

,

. ,

,

: И -

. ,

.

, .

[2-7].

2.

: e-

Ti-O, PbS, PbF2

- .

[8]

И -2

( , ). 5.28 13.04

, , Q

0.007 Å-1 0.25 Å-1. Q

2.5 90 ,

, .

,

.

,

,

.

SASfit.

3.


…

113

Ce-Ti-O . ,

,

Ce-Ti-O

[2, 3].

. , ,

,

CeO2/TiO2 [4].

PbS [5, 6]. ,

3.0 3.9 .

. ,

PbS.

PbF2 - -

- , [6].

~5-

7 , ~30 .

.

, ,

- . ,

, PbF2.

4.

.

, ,

. ,

, .

__________________________

[1] C. . , .И. , . M: 1988.

[2] . . , . . , . . , . . , . . , . .

, . . , . . Ш , . . , . . , . .

«И ,

, »

, 2011, 53, . 12, 2308-2311 (2011)

[3] S.A. Samoylenko, S. E. Kichanov, D. P. Kozlenko,

A. V. Belushkin, V. M .Haramus, E. A. Trusova, G.

P. Shevchenko, V. S. Gurin, L. A. Bulavin, S. K.

Rakhmanov, B. N. Savenko «The studies of nanoparticles formedin silicate glasses doped by

cerium and titanium oxides by means of small

angle neutron scattering» Journal of Physics: Conference Series, 351, 012017 (2012)

[4] . . , .Х. И , . . , . . , . . , . . , . .

Ш , . . , . . , . . “И

”

« . , » 2, . 5–10

(2014).

[5] S.O. Samoilenko, S.E. Kichanov, D.P. Kozlenko,

O.I. Ivankov, V.S. Gurin, G.E. Rachkovskaya, G.B.

Zakharevych, L.A. Bulavin, A. Kh. Islamov, B.N.

Savenko «Study of silicate glasses with PbS nanoparticles using small-angle neutron

scattering», Journal of Surface Investigation. X-

ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 10, 1,

187-190 (2016)

[6] V.S. Gurin, G.E.Rachkovskaya, G.B. Zakharevich,

S.E. Kichanov “SANS AND WXRD STUDY OF PbSe-DOPED SILICATE GLASSES: Reviews

and Short Notes to Nanomeeting-2017”, chapter in book “Physics, Chemistry and Application of Nanostructures”, 532pp, pp.136-140

[7] S. E. Kichanov, D. P. Kozlenko, Yu. E. Gorshkova,

G. E. Rachkovskaya, G.B. Zakharevich, B. N.

Savenko “Structural studies of nanoparticles doped

with rare-earth ions in oxyfluoride lead-silicate

glasses”, Journal of Nanoparticle Research, 20, 54

(2018)

[8] A.I. Kuklin, A.K. Islamov, Gordeliy VI (2005)

Scientific reviews: two-detector system for small-

angle neutron scattering instrument. Neutron

News, 16(3):16





А А А А А А , А А Х

А Х

. .

Ф , AZ1143, . , . . ,33

[email protected], [email protected]

У , ,

( , ), ( .), hk0.

Rhk0(h,k=const.). Rhk0 Rhkl, . Rhk0(h,k=const.) , 1/L hk ( ), Rhk l /L (h,k=const., l- ) –

. Э . (3R) CdİnGaS4, *

.

ч вы в : , , . PACS: 61.05.-a, 61.14.-x, 61.66.Fn.

20-

, -

- . , [1].

,

. Э ,

, ,

.

,

. ,

, , .

, [1].

, , . .

. ( ),

, Э ( Э) ,

, , Э , . .

.

hk / L (h,k=const.), hk(h,k=const., l-

) ( ),

. ,

, Rhkl /L (h,k=const., l- ).

Dhk l /L (h,k=const., l- ) . .

, [2]. , hk Rhkl(h,k=const., l- ) –

, L - . Э

.

А , А Х А

Х А А А

(0001) hk0 .

( ) * ,

, .

hk(h,k=const., l- ) Rhk0/L (h,k=const.). Rhk0/L

, .

Rhk l /L

(h,k=const., l- ). , ( и .1) [2]: Dhk l /L = (Rhk l

2 - Rhk0

2)

1/2/L

mailto:[email protected],[email protected]

А А А А А А …

115

. 1. .

Э .

* [3].

L . ,

, a = (4/3)

1/2Lh/Rh00 (1),

( )

:

Dhk l = (R2hkl – R

2hk0)

1/2, (2)

D = * L = (Dhkl – Dhk(l-1)), (3)

d001 = = 1/ *= L/D. (4)

, hk(h,k=const., l- )

l hk

, . К ?

( ),

hk ,

.

, ( ) hk

Rhk0 Rhkl, hk.

А , А Х А

Х А А А

1. ы и и и и в щ и . [4,5]

- , . .

, , , (

) hk0 ( , )

, ( ) 80 . ,

, ,

.

2. ы и и в щ и .

, . ,

, hk(h,k=const., l- )

, Э . hk0

Э hk0.

( и .2). Э .

hk ,

Rhk0(h,k=const.), 1/L

. Rhkl, 1/L

,

.

А ( ) А Х

А А

. 3 CdİnGaS4.

( ) hk (h,k =const., k 0, l- )

, Э .

. и . 3a. ( ) .

, ,

, ,

. * ( и .

3c). hk0 . .5a

hk0 , . R 201

R l21 , : = 3,868Å, =37,021Å

. . R3m, , R 201 = 3 R100.

. .

116

.2. Э . , R .R 1/L .

.3. ) Э * CdİnGaS4, b) 31 l , ( , ), ). , Э ( Э).

Э . Э , . . *

.

А

,

( , ), ,

hk0. .3 ( ) ( , 31 l ),

, ( , )

( ) ( , 31 l

.3b). , ,

. . Rhk0(h,k=const.), hk0

(h,k=const.). Rhk0(h,k=const.) , 1/L

hk , Rhk l

/L (h,k=const., l- ) – . Rhk0 Rhkl,

. , , [1]

.

_____________________________

А А А А А А …

117

[1] G. Fin h, H. Wilman. The diffraction of

electrons by molybdenite. Trans. Faraday Soc.

32(1936)1539-1556

[2] . . Кя .

. К , 59 (2014) 549-555

[3] . . я . Э . – .:

, 1964, - 312 .

[4] . . я , . . х , . .Кя , . . Ф . Э

. К , 35, 3 (1990) 602-609

[5] . . Кя .

. . , .LV, 1–2. (1999)110-116





AgGaS2-PbGa2S4 SİSTEMİNİN TƏDQİQİ

S.K. CAHANGIROVA, Ş.H. MƏMMƏDOV, Ö.M. ƏLİYEV Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universiteti,

Bakı şəhəri, Azərbaycan

AMEA-nın M.Nağıyev adına Kataliz və Qeyri-üzvi Kimya İnistitutu,

Bakı şəhəri, Azərbaycan Respublikası [email protected]

Kompleks fiziki-kimyəvi analizin metodları ilə (DTA,RFA,MCA,mikrobərkliyin və sıxlığın ölcülməsi ilə) AgGaS2-PbGa2S4

kəsiyi geniş qatılıq intervalında tədqiq olunmuşdur.Müəyyən olunmuşdur ki, AgGaS2-PbGa2S4 kəsiyi Ag2S-Ga2S-PbS kvaziüçlü sisteminin kvazibinar kəsiyi olub, evtektik tiplidir. Evtektik nöqtənin koordinantları aşağıdakı kimidir: tərkib – 45 mol% AgGaS2,

ərimə temperaturu 1100K. Sistemin likvidusu AgGaS2 və PbGa2S4 birləşmələri əsasında alınan α və β bərk məhlulların ilkin kristallaşma əyrilərindən ibarətdir. Həm α, həm də β-bərk məhlullar geniş qadağan olunmuş zonaya malik ρ-tipli yarımkeçiricilər olub, yüksək lüminisensiya və fotohəssaslıqla xarakterizə olunurlar. Açar sözləri: AgGaS2, Bərk məhlullar, PbGa2S4,T-x diaqramı, Lüminisensiya

PACs: 61.66.Fn, 05.70Fh, 81.70.Pg, 61.05.

Müasir günəş energetikasının ən aktual problemlərindən biri asan alınan, ekoloji təmiz, ən əsası işə günəş şüasını elektrik və digər enerji növlərinə cevirmək üçün effektiv fotohəssas materialların alınmasından ibarətdir. Bu nöqteyi nəzərdən xalkopirit quruluşlu AgGaS2, PbİnS2, CuİnS2 və s. birləşmələr əsasında yeni mürəkkəb quruluşlu fotohəssas materialların axtarışı çox önəm kəsb edir.

Təqdim olunan işin məqsədi Ag2S-Ga2S3-PbS

kvaziüçlü sisteminin AgGaS2-PbGa2S4 kəsiyi üzrə öyrənilməsi və alınan dəyişən tərkibli fazaların tədqiqindən ibarətdir.

Ərintilərin sintezi yüksək təmizliyə malik Ag,Ga,Pb və kükürddən alınmış binar komponentlərdən (Ag2S,

Ga2S3, PbS) istifadə etməklə havası qovulmuş kvars ampulada 800-1000

0C temperaturda aparılmışdır. 2 saat

müdəttində ərintilər ərimə temperaturundan yuxarıda saxlanıldıqdan sonra tədricən 8000

C-ə qədər soyudulmuş və bu rejimdə 10 gün müddətində homogenləşdirildikdən sonra fiziki-kimyəvi analiz metodları ilə tədqiq olunmuşdur. Termiki analiz NTR-71 markalı aşağı tezlikli termonizamlayıcı cihazında (xromel-alyümel termocütündən, etalon olaraq Al2O3 – dən istifadə olunmuşdur, qızma sürəti 100

/dəq olmuşdur.), rentgenfaz

analizi D2 Phaser difraktometrində (CuKα şüalanma, Ni-filtri), mikroquruluş analizi MİM-7 mikroskopunda

aparılmış, ərintilərin mikrobərkliyi isə PMT-3 cihazında təyin olunmuşdur.

Yuxarıda göstərilən fiziki-kimyəvi analiz metodlarının nəticələrinə əsasən qurulmuş AgGaS2-

PbGa2S4 sisteminin faza diaqramı şəkildə göstərilmişdir. AgGaS2 birləşməsi Qoryunovaya [1] görə 1253K-də,

[2] işinin müəllifinə görə isə 1268K-də konqruent əriyir. Bizim tədqiqatların nəticələri [2] işinə uyğun olub, 1266 K təşkil edir. AgGaS2 xalkopirit tipində (fəza qrupu I42d)

kristallaşır, elementar qəfəsin parametrləri a=0,574, c=1,026 nm[1] və ya a=0,5754, c= 1,0299nm [2], piknometrik sıxlığı p=4,60q/sm3

olub, qadağan olunmuş zonasının eni ΔE=2,75 eV olan p-tipli yarımkeçiricidir.

PbGa2S4 birləşməsi 1163K-də konqruent əriyir və ortorombik sinqoniyada kristallaşır.

Qurulmuş T-x diaqramından göründüyü kimi, AgGaS2-PbGa2S4 kəsiyi Ag2S-Ga2S-PbS kvaziüçlü sisteminin kvazibinar kəsiyi olub, evtektik tiplidir. Evtektik nöqtənin koordinantları aşağıdakı kimidir: tərkib – 45 mol% AgGaS2, ərimə temperaturu 1100K. Sistemin

likvidusu AgGaS2 və PbGa2S4 birləşmələri əsasında alınan α və β bərk məhlulların ilkin kristallaşma əyrilərindən ibarətdir.

AgGaS2-PbGa2S4 sisteminin hal diaqrammı

AgGaS2-PbGa2S4 sistemi komponentlər əsasında məhdud olma sahələrinin əmələ gəlməsi ilə xarakterizə olunur. Mikroquruluş analizinin nəticələrinə görə AgGaS2

əsasında 8 mol%, PbGa2S4 əsasında isə 18 mol % dəyişən tərkibli faza əmələ gəlir: α- bərk məhlullar rentgen quruluş analizinin nəticələrinə görə tetraqonal sinqoniyada kristallaşır: a=0,5754÷0,6042, c=1,026÷1,034 nm, d=4,60÷4,75 q/sm3

.

PbGa2S4 əsasında əmələ gələn β- bərk məhlullar ortorombik sinqoniyada kristallaşır: a=2,044÷2,072, b=


AgGaS2-PbGa2S4 SİSTEMİNİN TƏDQİQİ

119

2,064÷2,090, c=1,209÷1,224 nm, f.d.Fdd2, z=32,

p=4,94÷4,80 q/sm3.

Göründüyü kimi, bərk məhlulda Ag+ ionlarının

qatılığı artdıqca β- bərk məhlulların elementar qəfəsinin parametrləri həllolma intervalında xətti olaraq dəyişir. Bu β- bərk məhlulların əvəzolunma tipli olduğunu göstərir.

Buna əsas isə Ag+və Pb2+ -nın ion radiuslarının

rAg+=1,13Å, rPb

2+= 1,12Å yaxınlığıdır. Ilkin tədqiqatların nəticələrinə görə həm α, həm də

β-bərk məhlullar geniş qadağan olunmuş zonaya malik ρ-

tipli yarımkeçiricilər olub, yüksək lüminisensiya və fotohəssaslıqla xarakterizə olunurlar.

__________________________

[1] Н.А. Г рю ва С ы ы . М. С , 1968,

265 .

[2] I.D. Olekseyuk, O.V. Parasyuk, V.O. Halka et all.

Phase equilibria in the quasi-ternary system

Ag2S-CdS- Ga2S3//J.Alloys and Compunds. 2001,

vol.325, =1, p.167-179





FeS-FePbGa4S8-FeGa2S4 ALT SİSTEMİNİN TƏDQİQİ

Ü.A. HƏSƏNOVA, Ş.H. MƏMMƏDOV, Ö.M. ƏLİYEV

AMEA-nın M.Nağıyev adına Kataliz və Qeyri-üzvi Kimya inistitutu,

Bakı şəhəri, Azərbaycan

[email protected]

Fiziki-kimyəvi analizin kompleks metodları ilə( DTA,RFA,MCA,mikrobərkliyin və sıxlığın ölcülməsi ilə) FeS-FeGa2S4-

FePbGa4S8 alt sistemi tədqiq olünmüş və alınan dəyişən tərkibli fazaların xassələrinin öyrənilmişdir. Alt sistemi FeGa2S4-FePbGa4S8,

Fe2Ga2S5-FePbGa4S8 və FeS-FePbGa4S8 kəsikləri üzrə öyrənilmiş, onların faza diaqramları və FeS-FePbGa4S8-FeGa2S4 sisteminin

likvidus səthinin proyeksiyası qurulmuşdur.

Açar sözləri: Faza diaqramı,evtektika, Fe2Ga2S5-FePbGa4S8, FeS-FePbGa4S8, Likvidus

PACs: 61.66.Fn, 05.70Fh, 81.70.Pg, 61.05.

Məlumdur ki, dəmirin FeGa2S4 və FeGa2S5 tərkibli

üçlü sulfid birləşmələri heyzenberq antiferromaqnenikləri

kimi tədqiqatçıları maraqlandırır.[1-4]. Bu birləşmələrdə

antiferromaqnitizmin səbəbi onların kristal qurluşlarının xüsusiyyətləri ilə izah olunur. Hər iki birləşmənin

quruluşu növbələşən tetraedr və oktaedrlərin laylarından ibarət olub, qalium ionları tetraedrlərdə, dəmir ionları isə

oktaedrlərdə yerləşir. FeGaS4 birləşməsi ZnAl2S4 quruluş tipində rombik

sinqoniyada (a=1,289, b=0,751, c=0,609nm )

kristallaşır[5], 1145 0Ϲ-də konqruent əriyir. FeS-Ga2S3

sistemində əmələ gələn Fe2Ga2S5 birləşməsi isə 770 0Ϲ

peritektik reaksiya ilə əmələ gəlir. FePbGa4S8 birləşməsi

FeGa2S4-PbGa2S4 sisteminin tədqiqi zamanı əmələ gəldiyi

və 1240K-də əridiyi müəyyən edilmişdir. FeS-Ga2S3-PbS

kvaziüçlü sisteminin trianqulyasiyası aparılmış və onun

altı alt sistemə bölündüyü müəyyən edilmişdir. Tədqiqat işinin məqsədi FeS-FeGa2S4-FePbGa4S8 alt

sisteminin tədqiqi və alınan dəyişən tərkibli fazaların xassələrinin öyrənilməsindən ibarətdir. Alt sistemi

FeGa2S4-FePbGa4S8, Fe2Ga2S5-FePbGa4S8 və FeS-

FePbGa4S8 kəsikləri üzrə öyrənilmiş, onların faza diaqramları və FeS-FePbGa4S8-FeGa2S4 sisteminin

likvidus səthinin proyeksiyası qurulmuşdur. FeGa2S4-FePbGa4S8 kəsiyi kvazibinar olub, evtektik

tiplidir.Evtektik nöqtənin koordinatları 50mol%FeGa2S4

və T=1075K. FeGa2S4 əsasında 400K-də həllolma

5mol.% təşkil edir. Bu bərk məhlullar rombik sinqoniyada

kiristallaşır və ikinci kompinentin miqdarı artdıqca qanunauyğun olaraq artır: a=1,289÷1,294, b=0,751÷0,782, c=0,609÷0,618 nm.Fe2Ga2S5 birləşməsi

770-də parçalanmaqla əridiyindən Fe2Ga2S5-PbFeGa4S8

kəsiyi qismən kvazibinardır. Belə ki, göstərilən maye,

fazanın tərkibi ərintilərin kristallaşması prosesində yerini

dəyişirlər (şək1).

Kəsiyin bütün ərintiləri üçlü peritektika temperaturunda kristallaşırlar. Belə ki,

m+FeS↔Fe2Ga2S5+FePbGa4S8 dördfazalı peritektik reaksiyası nəticəsində başlanğıç FeS və maye tamamilə

sərf olunur. Ona görə də 6500C-dəki solidus xəttindən

aşağıda biz yalanız iki faza-Fe2Ga2S5 və FePbGa4S8

müşahidə edirik. Kəsiyin likvidusu kompinentlərin (FeS

və FePbGa4S8) ilkin kristallaşmasına müvafiq olan iki budaqdan AA1 və CA1 ibarətdir. C1A1 düz xətti və A1P

əyrisi ikili FeS+FePbGa4S8 evtetikasının ayrılmasına,

A1P-əyrisi isə 0-40mol.% PbFeGa4S8 intervalında ərintilərdə müşahidə olunan üçlü peritektik reaksiyaya

müvafiq gəlir.

Şəkil.1. Fe2Ga2S5-PbFeGa4S8 sisteminin faza diaqramı

Şəkil.2. FeS-FePbGa4S8-FeGa2S4 alt sisteminin likvidus səthinin

proyeksiyası

FeS-FePbGa4S8 kəsiyi kvazibinar olub,evtetik

tiplidir.Evtetik nöqtənin koordinatları: 50mol.%FeS və

T=9000C FePbGa4S8 əsasında 5mol%-ə qədər bərk

məhlul əmələ gəlir. α-FeS↔β-FeS↔δ-FeS faza keçidi 550K və 350K-də müşahidə olunur. β-FeS↔δ-FeS faza

keçidi yalnız 0-60mol.%. FePbGa4S8 intervalında baş


FeS-FePbGa4S8-FeGa2S4 ALT SİSTEMİNİN TƏDQİQİ

121

verir. FeS əsasında praktiki olaraq həllolma sahəsi

müəyyən edilməmişdir. Yuxarıda göstərilən kəsiklərin öyrənilməsi,

həmçinin FeS-Ga2S3 və PbS-Ga2S3 sistemləri haqqında ədəbiyyat məlumatlarının analizi nəticəsində FeS-Ga2S3-

PbS kvaziüçlü sistemi FeS-FePbGa4S8-FeGa2S4 alt

sisteminin likvidus səthinin proyeksiyası qurulmuşdur (şək2).

Alt sistemin likvidus səthi 4 fazanın ilkin kristallaşma sahələrindən ibarət olub, ən böyük kristallaşma sahəsi dördlü FePbGa4S8 birləşməsini, ən

kiçik kristallaşma sahəsi isə inkonqruent əriyən Fe2Ga2S5

birləşməsinə aiddir.Bütün non və monovariant

tarazlıqların xarakteri və koordinatları müəyyən

edilmişdir.

__________________________

[1] S. Nakatsuji, H. Tonomura, K.Onuma et al. Spin

disorder and order in quasi-2D triangular

Heisenberg antiferromagnects: comparative study

of FeGa2S4.Fe2Ga2S5. and NiGa2S4. http:// Phys.

Rev. Letters. 2007. V99. 1-4.p. 157

[2] K.Z. Rushchanskii, H. Haeuseler, D.M Bercha

J. Phys.Chem. Solids. 2002. v.63, 11, p.2019-

2028

[3] H. Haeuseler Mater. Res.Bull.1986, V.21. 6,

p.709-712

[4] W. Cordes, S. Reil, H. Haeuseler

Z. Naturforschung.1975, V.50, 5, p.725-728

[5] M.P. Padro Mater.Res. Bull.1981. V.16. P.1375





Щ

As-Ge-Se

. . , . . , . . , . . , . . , . .

И , Z-1143, , . . , 131

[email protected]

,

, As-Ge-Se , .

,

.

лючевые слов : , , . PACS: 81.05.Gc

( ) ,

, ,

.

, ,

.

( ), ,

.

, ,

, .

,

As-Ge-Se

.

, As-

Ge-Se, .

[1,2].

:

1 As-Ge–

Se (As8Ge6Se86, As16.67Ge8.33Se75, As10Ge20Se70,

As25Ge12.5Se62.5, As18.2Ge18.2Se63.6, As17Ge28Se55). As8Ge6Se86

, 198 ÷ 285 -1

218, 220, 230,236,

252 -1 265 ÷ 285 -1,

178 ÷198 -1 . As

Ge , - , , ,

, , ,

( hemical bond approaches model CBA) [3-5].

50 100 150 200 250 300 350 400 450 500

0

1000

2000

3000

4000

5000

6000

7000

8000

9000

inte

nsiv

ity

Raman shift (sm)

1 As8Ge

6Se

86

2 As16.67

Ge8.33

Se75

3 As20

Ge10

Se70

4 As25

Ge12.5

Se62.5

5 As18.2

Ge18.2

Se63.6

6 As17

Ge28

Se55

1

2

3

4

5

6

.1

As-Ge–Se.

CBA

, ( )

, ,

. Э ,

( (Z) , As-Ge–Se )

, .

,

(Ge[Se1/2]4) (AsSe3/2),

. 0,625 (As0,4Se0,6) 0,375

Щ …

123

(Ge0,333Se0,666). ,

, . .

, .

,

198 ÷ 285 -1 ,

(Se8) (252 -1) – Se-Se-Se -…(236

-1 ) [6-8].

.

,

(198 ÷ 285 -1)

, ,

170 ÷ 218 -1, ~ 195 -1

Ge[Se1/2]4 [9-10]. ~ 218 -1

Se

[11-12]. ~ 230 -1

AsSe3/2. - Ge – Se (

( 2)) , Ge[Se1/2]4 (~ 195 -1)

. .

Ge-Se , (

) Ge-As As-As,

170÷ 185 -1.

Щ . 2

.

(α ≥ 104

-1)

[13-14]

𝛼ℎ𝜈 = ℎ𝜈 − 𝐸𝑔 2 (1)

, – , .

1,7 1,8 1,9 2,0

0

50

100

150

200

250

300As

8Ge

6Se

86

As16.67

Ge8.33

Se75

As20

Ge10

Se70

As25

Ge12.5

Se62.5

As18.2

Ge18.2

Se63.6

As17

Ge28

Se55

h, eV

.2

As-Ge–Se

,

. Э ,

.

(Z) ( )

Z = 4XGe + 3XAs + 2 XSe (2)

XGe , XAs XSe .

.3

2,2 2,3 2,4 2,5 2,6 2,7 2,8

1,60

1,65

1,70

1,75

1,80

1,85

1,90

1,95

2,00

Eg

(e

V)

1

2

Z

Eg

Eg1

2

1

.3

𝐸𝑔 Z

.3 𝐸𝑔 Z. 𝐸𝑔 , , [15]

( ):

𝐸𝑔 = x 𝐸𝑔 + y 𝐸𝑔 + z 𝐸𝑔 (3)

𝐸𝑔 , 𝐸𝑔 𝐸𝑔 ,

. 𝐸𝑔 𝑆𝑒 = 2,05eV; 𝐸𝑔 = 1,2eV; 𝐸𝑔 𝐺𝑒 = 1eV [16]

K , 𝐸𝑔 .

, ( ,

. . , . . , . . , . . , . . , . .

124

) . [17]

, . , ,

, ( cohesive energy – CE)

( m) .

z

Ge-Se As-Se Se-Se Ge-As As-As CE

kkal/mol

Em

(eV)

As8Ge6Se86 2,2 3,27 0,212 0,218 0,564 41,86 1,89

As16.67Ge8.33Se75 2,33 3,2 0,285 0,430 0,286 41,96 2,01

As20Ge10Se70 2,4 3,29 0,661 0,250 0,125 45,36 2,1

As25Ge12.5Se62.5 2,5 3,44 0,396 0,6 41,9 2,25

As18.2Ge18.2Se63.6 2,55 3,38 0,566 0,428 0,001 42,84 2,35

As17Ge28Se55 2,73 3,41 0,799 0,015 0,18 43,58 2,28

, Z ( ) , m.

Z ( .3,

) ( ), - ,

, CBA -

. [1-2,18] ,

(Z >2 , ) ,

, ,

,

. Э

. Eg -

( ), , .

( .3).

_________________________

[1] A.I. Isayev, S.I. Mekhtieva, R. I.Alekperov, et. all.

Solid State Commun. V.149,iss1-2,p.45-49

[2] S.I.Mekhtiyeva., A.I.Isayev., M.Fabian., R.I.

Alekberov J. Non - Cryst. Sol. v.470, 15, (2017), p.152-159

[3] J. Bicerano and S. R. Ovshinsky, J. Non-Cryst.

Sol., V. 74, N.1, 1985, pp. 75-84

[4] S. R Elliot, “Physics of Amorphous Solids,” Longman Inc., New York, 1984

[5] G. Saffarini, J. Matthiesenm, R. Blachhnik ,

Physica B 305 (2001) 293–297

[6] V.S. Vassilev, Z.G. Ivanova, L. Aljihmani, E.

Cernoskova,Z. Cernosek, Mater. Letters 59, 85

(2005)

[7] C. Zha, R. Wang, A. Smith, A. Prasad, R. A. Jarvis,

B. Luther-Davies J Mater Sci: Mater Electron

(2007) 18:S389–S392

[8] V. Kovanda, Mir Vicek, H. Jain. J. Non-Cryst.

Sol., 326&327, 88 (2003)

[9] A. V. Stronski, M. Vlceka, M. V. Sopinskyy,

Chalcogenide Letters Vol. 2, No. 11, 2005, p. 111

[10] P. Tronc, M. Bensoussan, and A. Brenac, Phys.

Rev. B 8, 5947-5956 (1973)

[11] P. Němec, S. Zhang, V. Nazabal, K. Fedus, G. Boudebs, A. Moreac, M. Cathelinaud, and X.H.

Zhang, Optics Express 18, 22944-22957 (2010)

[12] V.Q. Nguen, J.S.Sanghera, J.A. Freitas, I.D.

Aggrawal, I.K. Lloyd, J. Non-Cryst. Sol., 248, 103

(1999)

[13] J. Tauc, in: J. Tauc (Ed.), Amorphous and Liquid

Semiconductors,

[14] Plenum Press, New York, 1974, p. 171

[15] J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu, Phys. Status

Solidi 15 (1966) 627

[16] K. Shimakawa, J. Non-Cryst. Sol., 1981, 43, 229

[17] . , Э. « Э » ., , 1982

[18] L. Pauling, The Nature of the Chemical Bond,

Cornell University Press, Ithaca, NY, 1960

[19] .И. , .Ш. « », , Э , 2000.- 232 .





HİPOTETİK HEKSAQONAL KRİSTALLİK QURULUŞLU InTe KRİSTALININ TƏZYİQ ALTINDA DAYANIQLIĞI.

B.H. MEHDİYEV

Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası, H.M. Abdullayev adına Fizika İnstitutu, AZ 1143, Bakı şəhəri, H.Cavid pr. 131

[email protected]

Heksaqonal kristallik quruluşlu β-InTe kristalın entalpiayasının təzyiqdən asılılığı nəzəri olaraq hesablanmışdır. Həmin

hesablamalar məlum tetraqonal kristallik quruluşlu InTe kristalı üçün də aparılmış və göstərilimişdir ki, sıfır temperatur və təzyiqin (-

4,+4) GPa qiymətləri arasında heksaqonal quruluş daha dayanıqlıdır.

Açar sözlər: Heksaqonal InTe, entalpiya, təməl prinsiplər, sıxlıq funksionalı nəzəriyyəsi

PACS: 71.15.Mb, 71.15.Nc

GİRİŞ

İndiumun halkoginedləri ümumiyətlə bir neçə

kristallik quruluş, o cümlədən tetraqonal, romboedrik,

kubik, ortorombik, monoklinik və heksaqonal quruluş

nümayiş etdirirlər [1,2]. InTe kristalının isə adi şəraitdə

yalnız tetraqonal quruluşa malik olması məlumdur. Lakin

ədəbiyyatda [3] müəlliflər belə bir fərziyyə irəli sürüblər

ki, InTe heksaqonal quruluşda ola bilər. İlkin prinsiplərdən aparılamış hesablamalarla müəlliflər [3]

göstərmişlər ki, InTe kristalının tam enerjisi heksaqonal

fazada tetraqonal fazasındakından cüzi artıqdır və

beləliklə metastabil heksaqonal faza (β-InTe) prinsipcə

mümkündür. Bizim üçün maraqlı olan bir sualı, hansı şəraitdə heksaqonal InTe tetraqonal InTe –dan daha

dayanıqlıdır, cavablamaq ücün bu işdə bir də araşdırma aparmışıq və hər iki kristallik quruluş üçün entalpiyanı hesablamışıq. Aldığımız nəticələr heksaqonal InTe

kristalının sıfır temperaturda təzyiqin müəyyən qiymətləri

arasında daha dayanıqlı olmasını sübüt edir.

KRİSTALLİK STRUKTUR

A. TETRAQONAL InTe

Ədəbiyyatdan məlumdur ki, InTe tetraqonal TlSe

tipli zəncirvari quruluşa malik yarımkeçiricidir və

fotoelektrik xassələrinə görə fotoqəbuledici cihazlarda

istifadə oluna bilər. Tetraqonal InTe kristalında In

atomları iki fərqli mövqelərdə yerləşir. In3+ ionları 4

qonşu Te2- ionları ilə əhatə olunur. In

1+ ionları isə 8 qonşu

Te2-

ionlar ilə əhatə olunur. Tutduqları mövqelər

kristalloqrafik nöqtəyi-nəzərdən tamam fərqli

olduğundan, elektronlar In1+

ionundan In3+

ionuna sərbəst

keçə bilmir [4]. Tetraqonal InTe kristalının fəza qrupu 4/𝑚𝑐𝑚 - 4ℎ18 , No.140 [5,6].

Atomların elementar özəydə tutduğu mövqeləri

(Vitskof mövqeləri):

In1+

4(a) (0, 0, 1/4) (0, 0, 3/4) ;

In3+

4 (b) (0, 1/2, 1/4) (1/2, 0, 1/4);

Te 8 (h) (x, ½+x, 0) (-x, ½ -x, 0) (½ -x, x, 0) (½ +x, -x, 0)

Qəfəs parametrləri və Vitskof mövqelərinin

parametri: a = 8.4522 Å, c= 7.1327 Å, x=0.1824 [4].

B. HEKSAQONAL InTe

Heksaqonal InTe laylı quruluşa malikdir. Hər lay 4

atom müstəvisindən (Te-In-In-Te) ibarətdir. β –InTe

kristalının elementar özəyinə 2 lay daxildir. Kristalın fəza

qrupu P63/mmc – 6ℎ4 , No.194. Bütün atomların elementar özəydə tutduğu mövqeləri (Vitskof mövqeləri):

4(f) ± (1/3, 2/3, z) ± (1/3, 2/3, 1/2 - z). Qəfəs parametrləri

və Vitskof mövqelərinin parametri: a =4.05Å , c = 16.93

Å, z (In)= 0.1710, z (Te)= 0.6016 [3].

HESABLAMA METODU

Hesablamalardan əvvəl qəfəs parametrləri və

elementar özəkdə atomların tarazlıq vəziyyətindəki

mövqeləri Hellmann-Feynman qüvvələrinin

minimallaşdırılması şərtindən müəyyən edilmişdir. Minimallaşdırma psevdopotensial yanaşmada müstəvi

dalğalar bazisində sıxlıq funsionalı nəzəriyyəsinin lokal

sıxlıq yaxınlaşması əsasında ABİNİT proqramlar paketi [7] vasitəsilə aparılmışdır. Normaqoruyan Hartvigsen-

Goedekker-Hutter [8] psevdopotesiallarından istifadə

edilmişdir. Tam enerjinin kifayət qədər dəqiqliklə

hesablanmasını təmin etmək üçün dalğa funksiyası maksimal kinetic enerjisi 40 Ha olan müstəvi dalğalar bazisində sıraya ayrılmışdır. Brillüyen zonasının (BZ) üzərində inteqrallama Monkhorst-Pak sxemi [9] vasitəsilə

tetraqonal InTe üçün (8 8 8) bölümlə, β –InTe üçün isə

(12 12 3 ) bölümlə aparılmışdır. Minimallaşdırma

əməliyyatı qüvvələrin qiymətlərinin 10-8

Ha/ Bohr qədər

azaldana qədər davam etdirilmişdir. Elementar özəyin

(e.ö.) tam enerjisi 10-12

eV dəqiqliklə hesablanmışdır. Minimallaşdırandan sonra alınmış parametrlər tetraqonal

InTe üçün : a = 8.454 Å, c = 7.152 Å , x = 0.1868 , heksaqonal InTe üçün: a = 4.262 Å, c = 17.0828 Å , z

(In)= 0.1721, z (Te) = 0.5947.

NƏTİCƏLƏR VƏ MÜZAKİRƏ

Optimallaşdirilmiş parmetrlər vasitəsilə hesablanmış tam enerjinin elementar özəyin həcmindən asılılıqları β –InTe və tetraqonal InTe üçün şəkil 1 və şəkil 2-də

nöqtələrə göstərilmişdir. Həmin şəkillərdə nöqtələri

birləşdirən bütöv əyrilər Birç – Murnağan tənliyindən

[8,9] alınan əyrilərdir.


B.H. MEHDİYEV

126

Etot (V) = Etot (V0) + (BV/BP(BP − 1)) BP 1 −V0/V+V0VBP−1 (1)

Əyrinin minimumu sıfır təzyiq və temperaturda

tarazlıq halı üçün həcmi və həcm elastiklik modulunun

qiymətlərini təyin edir. Burada V0 tarazlıq halda həcm,

Etot(V0) – tarazlıq enerjisidir. Birç – Murnağan tənliyinə

daxil olan B–həcmi elastiklik modulu və BP-həcmi

elastiklik modulunun təzyiqə görə törəməsi hesablanmış nöqtələrə uyğunlaşdırmaqla tapılır. Qeyd etməliyik ki, β –InTe üçün həcmin dəyişməsi, hidrostatik təzyiqlə deyil

laylar müstəvisində təsir edən gərginlik vasitəsilə

hesablanıb. Entalpiyanı = 𝑡𝑜𝑡 + 𝑃 𝑉 (2)

hesablayanda bunu nəzərə almaq lazım gəlir və

ümumiyyətlə təzyiq 𝑃 = − 𝜕 𝑡𝑜𝑡𝜕𝑉 (3) əks işarə ilə tam enerjinin həcmə görə törəməsidir. Şəkil 3

və 4 – də təzyiqin elementar özəyin həcmindən asılılığı, uyğun olaraq, heksaqonal və teraqonal InTe üçün göstərilmişdir. Nəhayət, 5-ci şəkildə hər iki kristallik faza

üçün hesablanmış entalpiya birlikdə müqayisə üçün verilmişdir. Şəkildən görünür ki, β –InTe kristalın entalpiyası tetrqonal İnTe nisbətən kiçikdir. Deməli, sıfır temperaturunda və (- 4, 4) GPa təzyiq arasında β –InTe

daha dayanıqlıdır.

Şək.1. -InTe üçün tam enerjinin elementar özəyin həcmindən asılılığı.

Şək. 2. Tetraqonal InTe üçün tam enerjinin elementar özəyin

həcmindən asılılığı.

Şək. 3. -InTe üçün təzyiqin elementar özəyin həcmindən

asılılığı

Şək. 4. Tetraqonal InTe təzyiqin elementar özəyin həcmindən

asılılığı

Şək. 5. -InTe və tetraqonal InTe üçün entalpiyaların təzyiqdən

asılılığı.

XÜLASƏ

Göstərilmişdir ki, sıfır temperatur və və (- 4, 4) GPa

təzyiq arasında İnTe heksaqonal fazada tetraqonal fazaya

nisbətən daha dayanıqlıdır.

TƏŞƏKKÜR

Müəlliflər nəzəri hesablamalara texniki dəstək

göstərdikləri üçün AZGRID layihəsinin heyətinə və

xüsusi olaraq Aleksey Bondyakova (Nüvə Araşdırma İnstitutu, Dubna, Rusiya) təşəkkür edir.

HİPOTETİK HEKSAQONAL KRİSTALLİK QURULUŞLU InTe KRİSTALININ TƏZYİQ ALTINDA DAYANIQLIĞI

127

______________________

[1] O.Z. Alekperov, M.O. Godjaev, M.Z. Zarbaliev, R.

Suleimanov, Solid State Commun. 77, 65 (1991)

[2] M. Zapata-Torres, J.L. Pena,Y. P. Mascarenhas, R.

Castro-Rodríguez, M. Melendez-Lira, O.

Calzadilla, Superficies y Vacio 13, 69-71 (2001).

[3] V. Zolyomi, N. D. Drummond, and V. I. Fal'ko,

Phys. Rev. B 89, 205416 (2014).

[4] S. Geller, Jayaraman and G. W., Hull Jr., J Phys.

Chem.Solids 26, 353 (1965)

[5] K. Schubert, E. Dore and M. Klugue Z Metallkd.

46, 216 (1955)

[6] J. A. A.Ketelaar, W. H. t’Hart, M. Moerel and D.

Polder, Z. kristallogr. 101, 367 (1939)

[7] X. Gonze, B. Amadon, P.M. Anglade, J.M. Beuken,

F. Bottin, P. Boulanger, F. Bruneval, D. Caliste, R.

Caracas, M. Cote, T. Deutsch, L. Genovese, Ph.

Ghosez, M. Giantomassi, S. Goedecker, D.R.

Hamann, P. Hermet, F. Jollet, G. Jomard, S.

Leroux, M. Mancini, S. Mazevet, M.J.T. Oliveira,

G. Onida, Y. Pouillon, T. Rangel, G.M. Rignanese,

D. Sangalli, R. Shaltaf, M. Torrent, M.J.

Verstraete, G. Zerah, J.W. Zwanziger, Comp. Phys.

Comm. 180, 2582 (2009)

[8] C. Hartwigsen, S. Goedecker, J. Hutter. Phys. Rev.

B 58, 3641 (1998)

[9] H. Monkhorst, J. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188

(1976)





γ- Ч Х Cd1-xMn(Fe)xTe

. . Х 1, . . 2

, . . 1

,

. . 1, . . 3

1 ,

, 2 . . . ,

, 3 ,

,

[email protected]

Э Cd1-xMnxTe ( =0.1) ,

. g- g=2.007, ΔH=227.3 . ,

. Cd1-xFexTe, =0.03 g=2.0, ΔH = 300-325 ,

ΔH25-30 , g=3.9.

Cd1-xFexTe γ- D≤605.6 Э , Cd1-xMnxTe D=605.6 Э .

лючевые слов : , , Э , γ- .

PACs: 78.80.+y, 78.20.Hp

1.

. ,

, ,

. ,

. γ-

Э ( ) Cd1-xMn(Fe)xTe.

2.

Cd1-

xMn(Fe)xTe ,

Cd1-xMnxTe ( =0.1) Cd1-xFexTe (x=0.03).

Э . Э

“Bruker” EMX/lus ( x, ν=9,9 , λ=3,2

-1).

, Э Cd1-xMnxTe ( =0,1)

( .1, ). g-

g=2.007, ΔH=227.3 .

, Mn2+

(I=5/2)

c (S=½), n=2I+1=6. g- g=2.007,

A≈65.5 ,

ΔH=22.1 . ,

Mn [1].

Cd1-xFexTe Fe 0.0035 <0.03 Э

. Э , , ,

, Fe 2+, .

=0.03 g2.0, ΔH300-325 , ΔH25-30 . g=3.9.

Э d1-xFexTe, x=0.03

Fe3+

( .2, ).

[2].

d1-xFexTe, x=0.03

, 100-1100 g ≈ 3.9, Δ ≈ 200-

300 ( .2,b).

Cd1-xMnxTe, =0.1

γ- D≤605.6

60 ( =1.17 =1.33 ).

Э , D=605.6

γ- Ч Х Cd1-xMn(Fe)xTe

129

: g- g=2.0088, A≈64.4 ,

ΔH≈22.1 , ΔH≈90

( .1,b).

Cd1-xFexTe

( =0.03) D≤605.6 Э .

Э Cd1-xMnxTe,

, , Cd1-

xMnxTe Э ,

[3].

.1. Э Cd1-xMnxTe =0.1: ) D=0, b) D=605.6

.2. Э d1-xFexTe, x=0.03: a) ; b)

___________________________

[1] M.A. Me , . . , . . ,

. . , . . Э Cd1-

xMnxTe. 8th Conference “Radiation Research and Its Practical Aspects”, Baku, 2013, p.43-44

[2] . , . , . , . , . , . , .

d1-xFexTe. Ф 2007, .41, . 5. 544-548

[3] M.A. Me , . . , . . , . . , . . Э

Cd1-

xMn(Fe)xTe. «

», , , 2018, .174-176





Cd1-xMnxSe

- Ч Ч

. . 1, . . 2

, . . 3, . . 2

,

. . 2, . .

1, . .

2, . .

2

1И ы , , 2И . . . , ,

3 ы , ,

[email protected]

CdSe, Cd1-xMnxSe ( =0.03),

, , . И , d=1.3 , Eg=1.72 .

=300К , . Mn CdSe. γ- Dγ≤3350

, .

лючевые слов : , , , , ,

PACs: 72.40.+W, 76.30Kg, 78.20, 79.60.-i

1.

( ) Cd1-xMnxSe,

,

. Э

, . . , Cd1-xMnxSe

[1,2],

,

,

. , γ-

Cd1-xMnxSe .

Cd1-xMnxSe ( =0.03) .

,

. И , , γ-

.

2.

Cd1-xMnxSe

Cd1-

xMnxSe ( =0.03)

10

-4 a =300К =670К

S .

a)

b)

.1. Cd1-xMnxSe

( =0.03), : a)

=573К, b) =673К

( .1).

Bruker XRD D8 Advance [3,4]. ,

=300К


Cd1-xMnxSe - Ч Ч …

131

. ( ≥470К)

( =6,05Å). >670К .

Cd1-xMnxSe ( =0.03)

Se

(Carl Zeiss Sigma VP). К .2. ,

, ,

.

Se, , ,

.

a)

b) . 2. Э

Cd1-xMnxSe (x=0,03)

=673К: )

S , ) S .

3. Ч Cd1-xMnxSe

Cd1-xMnxSe

( =0.03) =300К =673К UV-

Visible SPECORD 210 PLUS ( .3).

C Cd1-xMnxSe

( =0.03) , ,

. ,

=300К Cd1-xMnxSe (x=0.03) , .

a)

b) .3. Cd1-xMnxSe, x=0.03,

=300К a) )

[5,6].

n(λ), α(λ),

Eg d [5,6].

, Cd1-xMnxSe ( =0.03) Eg=1.72 ,

CdSe Eg=1.74 . Э , Mn ,

Mn Cd1-

xMnxSe .

,

[6]. , Cd1-xMnx e .

γ-

Cd1-xMnxSe ( =0.03), =673K

. . , . . , . . , . . , . . , . . , …

132

( .4, .5). Dγ≤350Qr. , γ-

Dγ≤350Qr , .

a)

b)

.4. Cd1-xMnxSe, x=0.03, =673K : ) Dγ=0, )

Dγ =350

И Cd1-xMnxSe, =0.03 -

, d=1.3 ,

Eg=1.72 . Ш -

Cd1-xMnxSe, =0.03

=673K .

Cd1-xMnxSe, x=0.03 =300К ,

, ,

.

a)

b)

. 5. Cd1-xMnxSe, x=0.03, =673K

a) Dγ =0, ) Dγ = 350

4.

γ- Dγ≤3350 ,

.

_____________________________

[1] A.H.Eid, M.B.Seddek, A.M.Salem, T.M. Dahy.

Preparation and Characterization of thermally

evaporated Cd1-xMnxSe thin films. Journal of

Applied Sciences Research, 2008, 4,3, p.319-330

[2] J. Dargad. Cd1-xMnxSe Thin Films Preparation by

Cbd: Aspect on Optical and Electrical Properties.

World Academy of Science, Engineering and

Technology International Journal of Materials and

Metallurgical Engineering. 2016, v.10, 6

[3] S.Singh, A K Shrivastava. Structural and

morphological characterization of CdSe:Mn thin

films. Pramana – J. Phys. 2017, 89, 15, .1-4

[4] И. . , . . . . . .

C

Cd1-xMnxSe.

, 2018, 5, . 98–101

[5] M.A. Me , . . , . . , .И. , . . ы O

c Cd1-xMnxTe / 8th

Conference: Radiation research and its practical

aspects, , 2013, p.45-46

[6] . . , . . , Э. . , И. . К я , .

CdTe,

// , 2014, .56, .10, .1886-1890





И И ИЯ И И И И И И 2

B6

И. . И

Institute of Physics, ANAS,

131, H. Javid ave., Baku, Azerbaijan

( )

,

. К -

, Sd- , , .

, (Mn) [1],

Cd1-xMnxTe [2]. И

, ,

Mn2+

.

,

.

. ,

.

И (

),

, .

.

,

. - / - ,

.

[3,4].

[5]

( ). ,

[6].

. e [7] Cd1-xMnxTe.

А

.

. [8] Cd1-xMnxTe

CdTe MnTe . К

Eg(x)

. К ,

,

Cd1-xMnxTe,

. ,

, , Mn, , .

, ,

-

. Э .

, ,

.

,

,

[9].

( ) А2 6.

, , ,

[10-18].

И. . И

134

. 1. - Cd1-xMnx e ( =0.15) : ) =470 К

( ); ) =670 К ( - ).

. 2. Э - Cd1-xMnx e ( =0.15) =670 К: ) , ) .

И И ИЯ И И И И …

135

А2 6

Cdı-x Mn(Fe)xTe(Se) ( =0,01-0,15)

, 10-4 .

-

,

(Se,Te).

-

(Bruker XRD D8 Advanse), -

(The Carl Zeiss Sigma VP Seanning Elektron) .

-

. , ,

=300 К

.

( ≥470 К)

( .1 ). ,

=300 К .

≥670 К

[111] ( .1 ). Э

, ,

, ,

(Se, ) ( .2 , ).

А

А2 6.

____________________________

[1] А. . К , . . ч . // ЖЭ ,

1977, .73. .608.

[2] J.A. Gaj, R.R. Galazka, M. Navrocki // Sol.State

Commun., 1978, v.25, p.193.

[3] M. Oztenberq // Leet.Notes Phys. 1983, v.177,

p.451.

[4] A.V. Nurmikko, R.L. Ganshor, L.A. Kolodriejski //

IEEE J.Quantum Elektron. 1986, V.QE-22,

p.1785.

[5] A.E. Turner, R.L. Gunshor, S. Datta // Appl.Opt.

1983, v.22, p.3152.

[6] G. Fischer // J.Opt.Commun 1987, v.8, p.18.

[7] M.A Butler, S.J. Martin, R.J. Baughman // Appl.

Phy.s. Lett. 1986, v.49, p.1053.

[8] T. Koyanagi, K.Matsubara, H.Tokaoka, T.Takagi

// J.App.Phys.1987, v.61, p.3020.

[9] А. .А , .А.А , . .И

.: , 1989, 152 . [10] . . Ж , . , . ,

. . . // , 1999, 33, .3.

[11] . .Ж , . , Ш . . // , 2000, 34, .10.

[12] . . Ж , . , . К ч . , 2007, 41, .5

[13] M.A. Mehrabova, H.R. Nuriyev, T.B. Taghiyev //

Science PG International Journal of materials

science and applications, 2014, 3(6-1), p.20-23.

[14] H.R. Nuriyev, M.A. Mehrabova, A.M. Nazarov,

R.M. Sadiqov, Journal of Radiation Researches,

2015, v.2,1, p.26-34

[15] И. . , .А. , А. . ,

. . // AMEA Xəbərlər, 5, 2016,

.34-37.

[16] И. . , А. . , .А. , . . // Ж

, 2016, .52, 9, .1-4

[17] И. . , .А. , А. . , . . , . . // , 2017, v.51,

1, .36-39.

[18] И. . , .А. , . . //

. , 2018, 5, .98-101.





Ч А А А А CdGa2S4 Ч

А ЧА А А А

. . А А А, . . И ,


CdGa2S4

. CdGa2S4 , ac- ( ac)

f = 5 104–3.5 107 . , f = 5 104–3 106 CdGa2S4 , f ≥ 3 106 . f =

5 104–3.5 107 ac- CdGa2S4 ac ~ f 0.8, . (NF)

(∆E) NF = 3.3 1018 –1·c –3, ∆E = 30 , ( ) (R)

= 5.7 10–8 R = 170 Å.

лючевые слов : CdGa2S4, , , ,

PACs: 71.20.Nr, 72.20.Ee, 72.20.Fr, 72.20.Ht

CdGa2S4

, - [1, 2]. Э

, ,

.

, , .

. CdGa2S4 .

CdGa2S4 ,

,

. CdGa2S4

Cd-0000, Ga (5N) S “ ”-15-3 .

( А; -3 CuKα )

CdGa2S4 - . CdGa2S4 (a =

5.555 ± 0.002 Å; c = 10.190 ± 0.005 Å) [2].

CdGa2S4 CdGa2S4

( )

[2].

CdGa2S4

. .

CdGa2S4 0.11 .

CdGa2S4 [3].

5 104–3.5 10

7 .

. 1

(ε) CdGa2S4. К

. 1 ε .

5 104 3.5 10

7 ε

2.5 . . 1

ε″ CdGa2S4.

ε″ 3.5

107 3 , . .

ε″(f) . . 2

CdGa2S4. К . 2 tg(f)

– f = 1.6 10

6 .

tg(f)

, CdGa2S4

[4], (f ≥ 3

106 ).

. 3 (ac- )

CdGa2S4 300 K.

5 104–3.5 10

7 ac-

CdGa2S4


. . А А А, . .

137

ac ~ f 0.8. ac~ f

0.8

, [5].

. 1. ( ) ( )

CdGa2S4.

[5] ac(f)

. NF CdGa2S4 NF = 3.3 10

18

–1c –3. (R) CdGa2S4, 170 Å.

Э R 5.5

CdGa2S4. R

–1 = ph· exp(–2R) (1)

. 2.

CdGa2S4 .

. 3. - - (

) CdGa2S4 T

= 300 K.

CdGa2S4: = 5.7 10

–8 . [5]

FNRE 3π2/3 (2)

CdGa2S4

: ∆ = 30 . А : Nt = NFE (3)

CdGa2S4,

: Nt = 9.9 1016

c–3

.

_________________

[1] И. . , . . , . . // . . 2004. . 40. 2. . 144-148.

[2] . . , . . , . . //

. . 2010. T. 46. 6. C. 663-665.

[3] . . // . Э . 2016. 10. . 74-79.

[4] . . , . . . . .- -К .

2004. 368 . [5] ., . Э

. .: 1974. 472 c.





Ag8Ge1-xMnxTe6 MƏHLULLARIN ALINMASI VƏ FİZİKİ-KİMYƏVİ XASSƏLƏRİ

R.N. RƏHİMOV, A.S. QƏHRƏMANOVA, A.Ə. XƏLİLOVA

Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası, Fizika İnstitutu

[email protected]

UOT:536.6

GİRİŞ

Ag8GeTe6 üçlü birləşməsi polimorf çevrilmələri və elementar özəkdə atomların sayının çoxluğu səbəbindən

bir sıra qeyri-adi xassələrə malikdir. Bu birləşmə aşağı istilik keçiriciliyinə, kiçik enerji zolağına, T≥500K temperaturlarda ion keçiriciliyinə və həmçinin yüksək temperaturlarda perspektivli termoelektrik material kimi

xarakterizə olunur [1]. Bu birləşmə parametrləri Z=4 və a=11.580.02 olan F43m faza qrupuna aiddir [2]. Tellur

atomları MgCu3 tipli kubik fazada həm Mg həm də Cu atomlarının yerini tutaraq paylanır. Belə kipləşmə nəticəsində hər bir elementar özəyə 136 tetraedr düşür və onlardan dördü Ge atomları ilə zəbt olunub.

Ag8GeTe6 birləşməsində yaranan qeyri adi

xüsusiyyətlər gümüş ionların yüksək temperaturlarda miqrasiyası ilə bağlıdır. Kristal quruluşunda yaranan çevrilmələr ya kubik (F43m), ya da psevdokubik (R3) simmetriyalar ilə izah olunur. Otaq temperaturunadək baş verən birinci dəyişiklik 240 ilə 250K arasında, ikincisi isə 210-220K arasında baş verir. Birinci çevrilmə struktur keçidi ilə, ikinci isə ikinci növ keçidlə bağlı baş verir [2]..

Yüksək həllolma və diffuziya etmə qabiliyyətinə malik olan Mn elementini daxil etməklə Ag8GeTe6

birləşməsi əsasında bərk məhlul alaraq faza keçidlərin temperaturunu, onun parametrlərini dəyişmək və ya tənzimləmək mümkündür. Bu məqsədlə işdə Ag8Ge1-

xMnxTe6 bərk məhlullar sintez olunmuş, onların rentgen–faza və diferensial termik analizləri aparılmışdır.

EKSPERİMENTİN APARILMASI

Ag8Ge1-xMnxTe6 bərk məhlulları sintez etmək üçün x=0; 0.01; 0.02; 0.05; 0.1; 0.2 tərkiblərə uyğun Ag, Ge, Te və Mn elementləri kvars ampulaya doldurulmuş və 0.01 Pa təzyiqə qədər havası sovrularaq bağlanmışdır. Ampulalar 4-5 saat titrəyişlə 1200K temperaturlu sobada saxlandıqdan sonra otaq temperaturunadək soyudulmuşdur. Maddələrin homogenləşməsi üçün ampulalar 500К temperaturda 48 saat saxlanaraq tabı alınmışdır. Nümunələrin ovuntusunda rentgen-faza analizi

Broker D2 Phaser cihazında 𝐶𝑢𝐾∝− şüalanması ilə 2Ѳ=5÷80 dərəcə bucaq bölümündə aparılıb. 200÷800K temperatur bölümündə “NETZSCH DSC 204F1” (Diferensial darama kalorimetri) cihazında diferensial termik analiz

aparmaq üçün nümunələr ovuntu halında alüminium yuvacığa doldurulub, nümunənin qızma sürəti 10 K/dəq, arqon qaz

axınının sürəti 20 ml/dəq seçilib, etalon nümunə kimi sapfir götürülüb.

NƏTİCƏLƏRİN MÜZAKİRƏSİ

Ag8Ge1-xMnxTe6 (x=0; 0.05; 0.1; 0.2) bərk məhlulların ovuntusundan alınmış rentgen şüaların difraksiya mənzərəsi 1-ci şəkildə verilib. 2-ci şəkildə reflekslərin sürüşməsi göstərilib. Şəkildən göründüyü kimi Ag8Ge1-xMnxTe6 bərk məhlullardan alınan reflekslər Ag8GeTe6 birləşməsinin reflekslərinə oxşar alınsa da

müstəvilər arası d məsafəsi (1-ci cədvəl) tərkib artdıqca azalır və reflekslər kiçik bucaqlara tərəf sürüşür, başqa sözlə Mn atomlarının daxil olması ilə qəfəs sıxılır.

Ag8Ge0.8Mn0.2Te6 nümunəsində 28.8 dərəcədə yaranan refleksdən başqa bütün reflekslər Ag8GeTe6 birləşmənin reflekslərinə oxşardır. 28.8 dərəcədə yaranan refleksin kicik

miqdarda yaranmış MnTe birləşməsinə uyğun gəldiyini güman etmək olar [3]. Diferensial termik analizin nəticələri 3-

cü şəkildə verilib. Göründüyü kimi x=0.05 tərkib üçün 185K, 225K, 228K, 246K, 339K, 626K temperaturlarda,

x=0.1 tərkibdə 171K, 190K, 223K, 228K, 248K, 627K temperaturlarda , x=0.2 tərkibdə isə 224K, 245K, 276K, 350K, 422K, 628K temperaturlarda endotermik keçidlər və 332K temperaturda ekzotermik keçid baş verir. Hər

bir faza keçidində çevrilmənin entalpiyası müəyyən olunub. Qeyd edək ki, Ag8GeTe6 birləşməsində kalorimetrik tədqiqatlar aparılaraq 156 K, 169 K, 223 K, 245 K temperatur bölümündə iki endotermik və iki ekzotermik keçidlərin baş verdiyi göstərilib [4]. Hər bir

tərkib üçün keçidin temperaturu və keçidə sərf olunan enerjinin qiyməti 2-ci Cədvəldə verilib.

İstilik selinin dəyişmə əyrisindən (şəkil 3) və aşağıda ve-

rilmiş ifadədən istifadə olunaraq ayrı-ayrı fazalarda xüsusi istilik tutumu hesablanıb:

Stp

BasSt

BasSample

Sample

Stp C

DSCDSC

DSCDSC

m

mC

.

,

burada Cp, Cp,St - nümunənin və etalonun T temperaturundakı istilik tutumu; mSt və mSample uyğun olaraq etalonun və nümunənin kütləsi; DSCSt- standart əyridə DSC siqnalın T temperaturdakı qiyməti; DSCBas-baza xətində DSC siqnalın T

temperaturdakı qiymətidir. Hesablamanın nəticələri 4-cü şəkildə verilib.


Ag8Ge1-xMnxTe6 MƏHLULLARIN ALINMASI VƏ FİZİKİ-KİMYƏVİ XASSƏLƏRİ

139

Şək. 1 Ag8Ge1-xMnxTe6 (x=0; 0.05; 0.1; 0.2) üçün rentgen şüaların difraksiya mənzərəsi.

Şək..2 Ag8GeTe6 birləşməsinə nisbətən Ag8Ge0.9Mn0.1Te6 ərintisində reflekslərin sürüşməsi.

Ag8Ge1-xMnxTe6 (x=0, 0.1, 0.2) üçün müstəvilər arası məsafə Cədvəl 1 d, х=0 3.48534 3.33707 2.22531 2.04417 1.95455 1.76336 1.50528 1.32629

d, х=0.1 3.48256 3.33463 2.22433 2.04316 1.95169 1.76182 1.50416 1.32579

d, x=0.2 0.00278 0.00244 0.00098 0.00101 0.00286 0.00154 0.00112 0.0005

Ag8Ge1-xMnxTe6 (x=0, 0.1, 0.2) üçün keçidlərə sərf olunan enerji. Cədvəl 2. Ag8Ge0.95Mn0.05Te6 Ag8Ge0.9Mn0.1Te6

T, K 184.8 224.8 227.9 245.6 339.2 626.2 171.2 189.9 223.4 227.7 247.9 626.8

J/g 0.1538 1.197 2.018 0.759 6.464 0.2045 0.0495 0.0512 1.144 4.7975 4.2719 2.2075

Ag8Ge0.8Mn0.2Te6

T, K 224.2 244.8 275.5 331.6 350.6 421.9 627.5

J/g 0.7905 0.6887 15.86 -2.318 90.8 0.8885 0.908

Şək. 3. Ag8Ge1-xMnxTe6 ərintilərin DSC əyriləri

Şək. 4 Ag8Ge1-xMnxTe6 ərintilərin istilik tutumu

R.N. RƏHİMOV, A.S. QƏHRƏMANOVA, A.Ə. XƏLİLOVA

140

YEKUN.

Ag8Ge1-xMnxTe6 sistemində Mn atomlarının miqdarı artdıqca rentgen spektrində reflekslər kiçik bucaqlara tərəf

sürüşür (müstəvilər arası məsafənin qiymətləri azalır) və

Mn atomları qəfəsin sıxılmasına gətirir. Ag8Ge0.8Mn0.2Te6

bərk məhlulun rentgen spektrində əlavə refleksin və DSC

əyrisində əlavə endotermik və ekzotermik piklərin

yaranması ərintidə əlavə MnTe birləşməsinin yaranması ilə bağlı olduğu güman edilir.

________________________________

[1] Masaki Fujikane, Ken Kurosaki, , Hiroaki Muta,

Shinsuke Yamanaka Thermoelectric properties of

Ag8GeTe6. Journal of Alloys and Compounds

Volume 396, Issues 1–2, 21 June 2005, pp 280–282

[2] S.Geller The crystal structure of y Ag8GeTe6, a

potential mixed electronic-ionic conductor.

Zeitschrift fiir Kristallographie 1979, v149, pp31-

47 @by Akademische Verlagsgesellschaft 1979.

[3] N. Gonzalez Szwacki, E. Przezdziecka, E.

Dynowska, P. BogusÃlawski and J. Kossut. Structural Properties of MnTe, ZnTe, and ZnMnTe

Acta Physica Polonica A, 2004 V.106, no 2,

pp233-238.

[4] H. Kawaji and T. Atake, “Heat capacity measurement and thermodynamic study of

Ag8GeTe6” Sol. State Ionics 1994, 70/71, pp518-

521.

http://www.sciencedirect.com/science/journal/09258388

http://www.sciencedirect.com/science/journal/09258388/396/1





-

. . , . . , . . , . . , . . , . . , . . , . .

ц ь . , . , AZ 1143, . 131,

-

: , . ,

, .

,

.

, : - .

[1-5].

( )

( ) [2,3].

- .

Э ,

, , [6,7].

К . [1-3,7].

( , )

( ).

- - ( ) [6]

: Re,

Re+ .

,

, .

, - ,

« »

,

. ,

,

( ,

, ). -

( ),

( ) ( + ). Э

,

[6].

( Э Э ) .

.1. Э (T )

( ) . (Q)

.

~333К,

.

- ,

. ,

,

.

-

. . , . . , . . , . . , . . , . . ,…

142

.

- . Э

( .1. ),

-

.

-19, (Pb(Ti0,44Zr0,56)O3-

-1), (Pb(Ti0,47Zr0,53)O3- -2),

(Pb(Ti0,53Zr0,47)O3- -4) (Pb(Ti0,6Zr0,4)O3- -4) .

PbTiO3 К .

47%

. Э -1 Q

, Э

.

)

) . 1 Q Э ^a)

Q=f( ); 1- =2 / ; 2- =3 / ; 3- =4 / ; 4- =5 / .; ) Q=f( ); 1- =60 C0; 2- =80 C0; 3-

=0 C0; 4- =100 C0.

1.

, . К

Q.10-

5К / 2

, / ,К

Э +5%. -2 6,4 4 373

Э +5%. -1 7,6 4 363

Э +10%. -3 4,5 3 373

.2 Q . 1- Э ; 2- Э +5% . -

1; 3- Э +10% . -1; 4- Э +20% . -1;

=4 /

, ,

. .2. Q ,

Э Э + -1

.

Э , ,

(U ) dij.

_____________________________

[1] . . , . . .

. .: , 1989, 288 .

[2] . . Э , -,

,

…

143

: . . . – . . , 1985, 477 .

[3] . . Э ,

: . . . – . . , 1987, 224 .

[4] . . , . . , . . ,

. . , . . , . . ,

. . . Э −

-

.

, 2018, 52, . 1, . 68-75.

[5] . . , . . , . , . . , . . , . . .

Э –

.

AMEA -nın məruzələri. 2015, cild VI, 5, s. 98 – 103.

[6] . . , . ц ., . . я

. – , , 1983, 156 . [7] . . . .:

, 1984, 184 .





İFRATKEÇİRİCİ FeSe-DƏ FLUKTUASİYA KEÇİRİCİLİYİ

S.S. RƏHİMOV, Ş.C. QURBANOV, S.M. BAĞIROVA

AMEA Fizika İnstitutu, Bakı, Azərbaycan

e-mail: [email protected]

FeSe-də ifratkeçirici faza keçidi oblastında fluktuasiya keçiriciliyi tədqiq edilmişdir. Təcrübi nəticələrə əsasən Ginzburq-

Landau nəzəriyyəsinə əsasında hesablamalar aparılmış və 2D-3D krossover temperaturu, laylararası qarşılıqlı təsir parametri və

koherentlik uzunluğu qiymətləndirilmişdir.

Açar sözlər: fluktuasiya keçiriciliyi, krossover temperaturu, koherentlik uzunluğu

PACs: 72.15.Jf, 72.20.Pa, 73.50.Lw, 85.80

GİRİŞ

Yuxarıtemperaturlu ifratkeçirici kupratların strukturuna analoji olan dəmir oksipnektidlərdə [1]

ifratkeçiriciliyin kəşf olunması dəmir əsaslı yuxarıtemperaturlu ifratkeçiricilərin öyrənilməsinə olan

marağı daha da artırmışdır. Tədqiqatlar göstərmişdir ki, çox sadə quruluşlu dəmir halkogenid birləşmələrində də

ifratkeçirici hala keçid baş verir [2]. Ümumi halda FeX kimi yazılan ifratkeçirici halkogen birləşmələrindən biri

də FeSe-dir. Burada X- halkogendir. FeX-in kristal

quruluşu digər ifratkeçirici dəmir birləşmələrindən daha

sadə olduğuna görə bu tərkiblərin tədqiqi daha çox maraq kəsb edir. İfratkeçiriciliyin əsas fizikası FeX-in tetraqonal

müstəvilərində baş verir. Digər yuxarıtemperaturlu ifratkeçiricilərdə olduğu kimi, dəmir əsaslı ifratkeçiricilərdə də əsas məsələ həll olunmamış qalır. Bu

məsələ öz növbəsində bu birləşmələrdə ifratkeçiriciliyin mexanizminin öyrənilməsidir. Digər tərəfdən əsas

məsələlərdən biri klassik mexanizm hesabına-fononların köməyi ilə kuper cütləri yaranmasıdır. Dəmir-əsaslı ifratkeçirici qruplar arasında ümumi qanunauyğunluğun olub- olmaması əsas məsələlərdən biridir.

Öz quruluşuna görə dəmir ifratkeçiricilərə bənzəyən

LaONiP, kuper cütlərindəki elektronları fononlar hesabına birləşən adi ifratkeçiricilərdən hesab olunur.Fe

oksipnektidlər,dəmir halkogenidlər özlərini qeyri ənənəvi

olmayan ifratkeçiricilər kimi aparır [3]. Onlarda kuper

cütərindəki elektronlar qeyri fonon mexanizmi hesabına cütləşir.Bu ondan xəbər verir ki,mümkün ifratkeçiricilik mexanizmində əsas rolu dəmir ionları oynayır.Nəzəri

hesablamalar göstərir ki,dəmir seleniddə (FeSe) olduğu kimi, dəmir telluriddə (FeTe) və dəmir sulfiddə (FeS)

həmçinin spin sıxlığı dalğaları yaranmalıdır.Bu tip

antiferromaqnetik tənzimləmə FeTe-də daha kəskin və

demir tellurid, ehtimal ki FeSe-dən daha yüksək Tc-yə

malikdir.Verilmiş işdə Te elementinin FеSе0.82 –nin əlavə

keçiriciliyinə təsirinə aid nəticələr təqdim olunmuşdur.

TƏCRÜBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN ANALİZİ.

Fе(Sе0.8Te0.2)0.82 nümunəsinin sintezi yüksək

temperaturlu ampula metodu ilə aparılmışdır. İlkin material kimi 13-2 (xüsusi təmiz tərkibə malik) markalı karbonil dəmir, xüsusi təmizlənmiş selen və tellurdan

istifadə olunmuşdur. Tədqiq olunan nümunələrin rentgen analizi EVA və

TOPAS proqramları ilə işləyən, Bruker firmasının D8-

XRD ADVANCE difraktrometri ilə aparılmışdır.

Göstərilmişdir ki, bu tərkib PbO tipli tetraqonal strukturda

kristallaşır və qəfəs parametrləri а=3.772A°; с=5.513A°-

dir. Kristallitlərin ölçüləri (Crystallite Size (Scherrer):

642.8A) də qiymətləndirilmişdir. FeTe-nin kristal quruluşu, kvazi-ikiölçülü struktura

malikdir. FeTe laylarını bir yerdə zəif Van-der-Vaals

qüvvələri saxlayır. Bu laylar arasına müəyyən miqdarda

Fe atomları daxil edildikdə kristalloqrafik stabillik daha

da yaxşılaşır. Belə hal stexiometriyadan kənara çıxmaq kimi qiymətləndirilir [4].

Məlum olduğu kimi, İfratkeçirici maddələrdə Tc

böhran temperaturuna yaxınlaşdıqca xüsusi müqavimətin

temperatur asılılığı R(T) müəyyən temperatur intervalında xəttılıkdən kənara çıxır və system ifratkeçirici hala keçir. Buna səbəb istilik fluktuasiyaları nəticəsində kuper

cütlərinin yaranması və nəticə etibarı ilə əlavə cərəyan

axma kanallarının yaranmasıdır [5]. Faza keçidi oblastında ifratkeçiricinin elektrik keçiriciliyinə

fluktuasiyalar xeyli təsir edir. Faza keçidi oblastında əlavə

keçiriciliyin tədqiqi, ifratkeçirici maddələr üçün 2D-3D

crossover temperaturu, laylararası qarşılıqlı təsir sabiti və

koherentlik uzunluğu kimi parametrlərin təyin edilməsinə

imkan verir [6].

Fluktuasiya keçiriciliyi metodu bir tərəfdən nisbətən

sadə olduğu halda, digər tərəfdən kritik temperatur

intervalında ifratkeçirici haqda kifayət qədər dolğun informasiya verir. Koherentlik uzunluqlarının qiymətləri

kiçik olduğu üçün bir neçə kuper cütünün olduğu koherentlik həcmi kifayət qədər kiçik olur. Bunun

nəticəsində belə sistemlərdə termodinamik fluktuasiyalar

əsas rol oynayır ki, bu da əsasən özünü daşınma, maqnit və termodinamik xassələrdə göstərir.

Bu işdə FeSe ifratkeçiricisinin xüsusi müqavimətinin

temperatur asılılığı və fluktuasiya keçiriciliyi tədqiq

edilmişdir. Alınmış təcrübi nəticələr şəkil 1 və şəkil 2-də

göstərilmişdir.


İFRATKEÇİRİCİ FeSe-də FLUKTUASİYA KEÇİRİCİLİYİ

145

Şəkil 1-də xüsusi müqavimətin temperatur asılılığı verilmişdir. Xüsusi müqavimətin temperatur asılılığı 4,2-

300K intervalında tədqiq edilmişdir. Lakin şəkil 1-də

əsasən faza keçidi intervalı verilmişdir. Buna səbəb,

yuxarı temperatur intervalında xüsusi müqavimətin

temperatur asılılığında heç bir məxsusiyyətin olmaması və

fluktuasiya keçiriciliyinin faza keçidi intervalında tədqiq

olunması olmuşdur. Geyd etmək lazımdır ki, başqa iifratkeçirici maddələrdə olduğu kimi, FeSe-də də xüsusi müqavimətinin temperatur asılılığında Tc keçid temperaturu oblastında R(T) asılılığı xəttilikdən kənara

çıxır və faza keçidi oblastı ~7-8K əhatə edir.

İfratkeçiriciliyə keçid temperaturu Tc faza keçidi oblastında d/dT -nin maksimum qiymətinə görə hesablanmış və 11,2K olmuşdur.

Faza keçidi oblastında xüsusi müqavimətin azalması əlavə elektrik keçiriciliyinin yaranması ilə izah olunur.

Ümumiyyətlə iki növ fluktuasiya əsasında yaranan əlavə keçid məlumdur. Birincisi Tc-dən yuxarı temperaturlarda fluktuasiyalar hesabına spontan olaraq

yaranan kuper cütlərinin hesabına olan birbaşa təsirdir ki,

bu Aslamazov və Larkin tərəfindən nəzəri olaraq

işlənilmişdir [7]. İkincisi isə artıq mövcud olan fluktuasiya cütlərinin normal yükdaşıyıcılarla qarşılıqlı təsiri əsasında yaranan Maki və Tompson [8,9] əlavə

keçidi.

Maki və Tompson təsiri əsasən faza keçidi

yaxınlığında 2D oblastında, Aslamazov və Larkin təsiri

isə 3D oblastında özünü daha qabarıq biruzə verir.

Beləliklə təcrübədə nümunənin temperaturu Tc kritik

temperatura yaxınlaşdıqca fluktuasiya mexanizmlərinin

birindən digərinə keçidi baş verir. Ginzburq-Landau nəzəriyyəsinə əsasında YTİK-ci

maddələr üçün fluktuasiya əsasında yaranan əlavə keçid

Varlamov və Livanov tərəfindən hesablanmışdır [10]. Bu

nəzəriyyəyə əsasən fluktuasiya əsasında yaranan əlavə

keçid

21

112

11116

cc T

TJ

T

T

d

e

(1)

kimi təyin edilir ki, burada J = (2с(0)/d)

2 laylar arası

cütləşmə parametridir.

Düsturdan göründüyü kimi, daha yuxarı temperaturlarda

Т>>Tc halında (J<<= ( 1 ), olduqda ~-1 alınır

və bu da 2D – keçiriciliyinin olması, temperaturun Тс

yaxınlığında isə (J>> ), ~-1/2 alınır kı, bu da 3D –

keçiriciliyinə uyğun gəlir.

Şəkil 2-də alınmış təcrübi nəticələr əsasında lnΔσ/σ

–nın ln(T-Tc)/Tc-dən asılılığı verilmişdir. Bu asılılıqda 2D-3D keçidi müşahidə edilir və təcrübi nəticələr

əsasında 2D-3D krossover temperaturu (Tcr=13.7K) təyin

edilmişdir. Daha sonra isə = 4; burada = (Т-Тс)/Тс

və = (с(0)/d)2, şərtlər daxilində

Tcr = Tc 1 + 4(с(0)/d)2 (2)

düsturu əsasında hesablamalar aparılmış və laylararası qarşılıqlı təsir parametri hesablanmış (J=0,16), və (ξ0

=1,98Å) koherentlik uzunluğu qiymətləndirilmişdir.

MİNNƏTDARLIQ. Müəlliflər f.e.d. N.A.Abdullayevə

Rusiya Elmlər Akademiyasının Bərk Cisim Fizikası İnstitutunda (Çernoqolovka ş.) aşağı temperaturlarda təcrübələrin aparılmasında köməklik göstərdiyinə görə öz dərin minnətdarlıqlarını bildirirlər.

________________________________

[1] Y.Kamihara, T.Watanabe, M.Hirano and

H.Hosono, J. Am. Chem. Soc. 130, 3296-3297

(2008)

[2] A.Subedi, L.Zhang, D. J. Singh, and M. H. Du,

Phys. Rev. B 78, 134514 (2008)

[3] I.I.Mazin, D.J.Singh, M.D.Johannes and M.H.Du,

Phys. Rev. Lett. 101, 057003 (2008).

[4] I.A. Zaliznyak, Z.J. Xu, J.S. Wen, et.all.

arXiv:1108.5968v2 [cond-mat.str-el] 1 Dec 2011.

[5] A.L. Soloviov, FNT, 28(2002),1138-1149

[6] . . а , .А.А , В. .А ,

.И. а , AMEA Xəbərləri, fizika-riy. və

texn.elm. ser., 2(2006), 79-82

[7] L.G. Aslamazov and A.L. Larkin, Physics Letters, 6

(1968), 238-239

[8] K. Maki, Prog.Theor. Phys. 39 (1968), 897-901

[9] R.S. Tompson, Physical Review B1, (1970), 327-

332

[10] А.А.Ва а , Д.В. а , ЖЭТФ, 98 (1990),

584-592





(AgSbSe2)0.95(PbTe)0.05-in TERMOELEKTRİK XASSƏLƏRİ

S.S. RƏHİMOV, A.A. SƏDDİNOVA

AMEA Fizika İnstitutu, Bakı, Azərbaycan

[email protected]

p-tip (AgSbSe2)0.95(PbTe)0.05 bərk məhlul tərkibinin 80-520K temperatur intervalında elektrikkeçirmə, termo e.h.q. və

istilikkeçirmə əmsalları tədqiq olunmuşdur. Elektrikkeçirmə əmsalının temperatur asılılığında maksimum (450K), termo e.h.q.-nin

temperatur asılılığında isə maksimum (350K) və minimum (450K) müşahidə edilmişdir. Termoelektrik effektivliyinin temperaturdan

asılı olaraq artması və 500K-də maksimum Z=0,2.10-3K-1 qiymətə malik olduğu göstərilmişdir.

Açar sözlər: termoelektrik effektivliyi, elektrikkeçirmə, termo e.h.q., istilikkeçirmə

PACs: 72.15.Jf, 72.20.Pa, 73.50.Lw, 85.80

GİRİŞ

AgSbSe2 üçqat birləşməsi orta temperatur oblastında işləyən perspektiv p-tip termoelektrik materialdır. AgSbSe2 birləşməsinin tədqiqində stexiometriyadan

kənara çıxma və aşqarlanma geniş tətbiq edilir, çünki bu praktik istifadə üçün daha əlverişli tərkiblərin tapılmasına imkan yaradır [1.2]. Bu istiqamətdə əsas məsələ termo

e.h.q., elektrikkeçirmə və istilikkeçirmədən asılı olan termoelektrik materialın enerji çevrilməsi effektivliyini

yaxşılaşdırmaqdan ibarətdir [3].

AgSbSe2 PbTe kimi kubik qəfəs quruluşda kristallaşır və bu da bir sıra bərk məhlulların alınmasına imkan yaradır. Termoelektrik xassələri yaxşılaşdırmaq

məqsədilə (AgSbSe2)0.95(PbTe)0.05 tərkibli birləşmə

tərəfimizdən sintez olunmuşdur. Bundan başqa, kristal quruluşun dəyişməyəcəyi, amma tərkibin dəyişməsinin

quruluşda defektlərin yaranmasına gətirib çıxaracağı və

bunun gələcəkdə yükdaşıyıcıların səpilmə mərkəzlərinə

xidmət edəcəyi nəzərdə tutulmuşdur. Bu isə termoelektrik

materiallar üçün olduqca əhəmiyyətli olan

istilikkeçirmənin qiymətinin azalmasına gətirib çıxarır.

TƏCRÜBİ NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN ANALİZİ

Tədqiq olunan nümunələr ilkin komponentləri

lehimlənmiş kvars ampulada əridib, ərimə

temperaturundan 100K yuxarı temperaturda 10 saat saxlayıb, daha sonra otaq temperaturuna kimi 1K/dəq.

sürətlə yavaş soyutmaq üsulu ilə alınmışdır. Rentgen quruluş analizi BRUCKER-D2 PHASER

difraktometri vasitəsilə aparılmışdır. Rentgen quruluş analizinin nəticəsinə görə, (AgSbSe2)0.95(PbTe)0.05 qəfəs

sabiti а=5.78600Å, fəza qrupu Fm-3m uyğun olan səthə

mərkəzləşmiş kubik qəfəsə malikdir.

(AgSbSe2)0.95(PbTe)0.05 nümunəsinin 80-520K

temperatur intervalında elektrikkeçirmə, termo e.h.q. və

istilikkeçirmə kimi termoelektrik xassələri tədqiq

olunmuş və alınmış nəticələr verilmiş işdə təqdim olunur.

Təcrübələr dördzondlu potensiometrik metodla aparılmışdır. Termo e.h.q.-nin işarəsinin müsbət olması və

Holl əmsalının işarəsi ilə üst-üstə düşməsi tədqiq olunan

bütün temperatur intervalında keçiriciliyin deşik mexanizmili olmasını göstərir.

Şəkil 1-də (AgSbSe2)0.95(PbTe)0.05- nin elektrik

keçiriciliyinin (1) və termoehq-nin (2) temperatur

asılılıqları verilmişdir.

Şəkil 1 (AgSbSe2)0.95(PbTe)0.05- nin elektrik keçiriciliyinin (1) və

termoehq-nin (2) temperatur asılılıqları

Aparılmış təcrübələr göstərir ki, otaq

temperaturundan aşağı temperaturlarda nümunənin

elektrikkeçirməsi nisbətən kiçikdir və demək olar ki, çox dəyişmir. Temperatur artdıqca elektrikkeçirmənin qiyməti

artmağa başlayır. Lakin elektrikkeçirmənin kifayət qədər

kəskin artması otaq temperaturundan yuxarı temperaturlarda müşahidə olunur.

Elektrik keçiriciliyinin qiymətinin artması təqribən

450K -ə qədər davam edir və 10 -1 -1

qiymət alır. Daha sonra temperatur artdıqca elektrik keçiriciliyinin qiyməti azalır və 500 K –dən yuxarıda bu kəskinlik azalır. Həmin şəkildə göstərilən termoehq-nin temperatur

asılılığında əsasən üç interval diqqəti cəlb edir. Bunlar

100-350K, 350-450K və daha yuxarı 450-550K

temperatur intervallarıdır. Birinci temperatur intervalında 160K temperaturda, ikinci temperatur intervalında isə

350K-də termoehq-nin temperatur asılılığı maksimumdan keçir. Birinci maksimum az nəzərə çarpır, lakin müşahidə

olunur. İkinci maksimum daha kəskin müşahidə edilir və

həmçinin elektrik keçiriciliyinin temperatur asılılığı ilə də

korrelyasiya edir. Lakin 100-350K intervalında həm

elektrik keçiriciliyinin, həm də termoehq-nin qiymətləri

(160-200K temperatur intervalını nəzərə almasaq)

temperaturdan asılı olaraq artır.


(AgSbSe2)0.95(PbTe)0.05-in TERMOELEKTRİK XASSƏLƏRİ

147

Şəkil 2

AgSbSe2- nin DSC vasitəsi ilə aparılmış tədqiqi

göstərir ki (ikinci şəkil), maksimumu 363.5K olmaqla

328-393K, maksimumu 413K olmaqla 398-423K və

maksimumu 498.6K olmaqla 483-523K temperatur

intervallarında üç endoeffekt müşahıdə edilir. Bu

effektlərdən ən kəskini ikinci endoeffekt olduğu halda (S=0.66J/q), ən çox enerji birinci effekt zamanı (S=0.73J/q) ayrılır. Bütün bunlar özünü həm elektrik

keçiriciliyinin, həm də termoehq-nin temperatur

asılılıqlarında aydın göstərir.

[4] işində göstərilir ki, АIВV2VI

sisteminə aid olan

birləşmələrdə ВV və

VI atomları arasında kovalent əlaqə

yaranır və bu da əsasən kristallik qəfəsin möhkəmliyini

təmin edir. Pb atomlarının kristallik qəfəsə daxil olması əlbəttə ki kristallik qəfəsin deformasiyaya uğramasına səbəb olur. AgSbSe2- nin 5% PbTe ilə bərk məhlulu

kristallik qəfəsin stabilliyini azaldır, lakin ümumi halda kubik struktura saxlanılmaqla qəfəsin parametrləri artır. Digər tərəfdən isə gümüş xalkogenidləri ion keçiriciliyinə

malik maddələr kimi tanınır. Temperatur artdıqca gümüş ionları öz yerlərindən çıxır, və kristallik qəfəsin yenidən

qurulmasına təsir edir. əqdim olunan asılılıqlara gəldikdə

isə bunu ilkin olaraq gümüş ionlarının yerlərinin

dəyişməsi, daha sonra energetik olaraq Ag2Se fazalarının əmələ gəlməsi mümkünlüyünün artması ilə izah etmək

olar. Lakin bir tərəfdən Pb atomlarının olması, digər

tərəfdən isə energetik olaraq bütün həcmdə Ag2Se

fazalarının əmələ gəlməsinin mümkünsüzlüyü bu prosesi

ləngidir. Bütün bunlar özünü daşınma əmsallarının temperatur asılılığında göstərir.

Elektrik keçiriciliyinin qiymətinin artmasını PbTe hesabına defekliliyin artması və dərin olmayan akseptor

səviyyələrin əmələ gəlməsi ilə izah oluna bilər. Belə

vəziyyət istilikkeçirmənin qiymətinin azalması və elektrik

keçiriciliyinin temperaturdan asılı olaraq artmasına səbəb

olur ki bu da 450K-qədər müşahidə olunur. Sonrakı azalma isə binar Ag2Se birləşməsinin faza keçidi oblastına düşür və lokal yerlərdə bu fazaların əmələ

gəlməsi ilə əlaqəli ola bilər.

AgSbSe2)0.95(PbTe)0.05-in istilikkeçirmə əmsalının temperatur asılılığı da tədqiq edilmişdir. İstililikkeşirmə

əmsalının qiyməti temperaturdan asılı olaraq 100-250K

intervalında praktik olaraq sabit qalır, daha sonra isə

azacıq artım müşahidə edilir. Qeyd edildiyi kimi

(AgSbSe2)0.95(PbTe)0.05 NaCl strukturunda kristallaşır ki, burada Na yerlərini statistik olaraq Ag, Sb və Pb tutur.

Kristal qəfəsin düyünlərində statistik olaraq müxtəlif

atomlar yerləşdikdə kristal özünü amorf cisim kimi aparır və istilikkeçirmə temperaturdan asılı olaraq dəyişmir.

Tədqiq olunmuş nümunədə, həmçinin termoelektrik effektivliyi də qiymətləndirilmişdir. Verilmiş tərkibdə

termoelektrik effektivliyinin qiymətinin temperaturun

artması ilə artdığı və 500K temperaturda maksimum

Z=0,2.10-3

K-1

qiymətinə malik olduğu göstərilmişdir. ________________

[1] K.T. Wojciechowski, M. Schmidt, Structural and

thermoelectric properties of AgSbTe2-AgSbSe2

pseudobinary system, Phys. Rev. B79, 2009,

184202−1−7. [2] S.N. Guin, A. Chatterjee, K. Biswas, Enhanced

thermoelectric performance in p-type AgSbSe2 by

Cd-doping, The Royal Society of Chemistry

Adv.,2014, 4, 11811–11815

[3] S.S. Ragimov, A.A. Saddinova, Transport

properties of (AgSbSe2)0.9(PbTe)0.1, AJP FIZIKA

2016 vol. XXII 4, section: En, p.13-15

[4] Л.Д. Д дкин, А. . аница. ы у в вы я АIВV

2VI

,

Д а ы А , (1959), 124, 1, 94-97





Я Ц Я Ф Е Se и Te .

. . И Н Н

П . . 131, AZ-1143, ,

. « Se Te.

» .

. . .

Key words: , , , , .

. ,

, . .

. 1955 . . .

.- . , - . . . . .

« » .

. . , .

.

, .

. .

Br, Fe, S, Hg, Zn, Sr Se.

, ,

Se- . Br I

Se. Se Br,

Se,

. Se

. Br I Se.

. . 1956 . –

. 1959 .

. 1957 . . .

. . ,

. . Se, Te,

,

. 1957

. .

-

« Se ».

.

. c 20- .

. . , . . , . . .

(1939). - . . . .

-

Se

. - . – –

. . .

- , , , ,

, .

, , , .

, . . . ,

, . , .

.

. . .

, . 1957 . .

. 1963 . . .

, ,

GaSe

. 1968 .

III

V, III

VI, IV

Cu Ag, – II

2III

4VI

,

, Se- Si- - .

« »

.

.

-

,

Я Ц Я Ф Е Se и Te .

149

. ,

, - - . III

VI

,

IV

. Jn-Sb-Te Ga-Sb-Te

, IV .

, III

-V

- VI

. c , ,

, Se Te,

, . GaSe

. .

.

2000 ,

- , .

« » – ,

. .

III

V II

VI,

.

GaSe, Sn,

Ge I- .

III 2

VI 4

VI (Cd Jn2 S4, Cd Ga2S4, Cd

Jn2 Se4, Cd Ga2 Se4) c

.

- .

Se-

Se- . . . Se

.

.

60- . . .

. . .

.

III

VI , . . .

III

VI ,

. , GaSe

-

, .

. -

- « » GaSb.

I- III-

,

. III

VI

,

.

, . 1969 .

« .

».

GaSe Se. .

. . .

____________________________

[1] Н. . С . . . . . LAP,

, 2014, 270

[2] (

– 4;5;7;14)





GaSexTe1-x

Я Я

. . 1, . . 1,2

, . . 2,3, . . 4, . . 1

1 , ,

2 , ,

3 Ф . . . , ,

4 , ,

[email protected]

1.

GaSe, GaTe p- ,

1017 cm

-3.

, IV

, Si, Ge, Sn , ,

102 1010 Ohm·cm

2 - 5,

(Rd/Rl=102 - 10

5, Rd Rl

, ) [1-6].

,

GaSe, GaTe GaSexTe1-x,

.

[7-10] , -

(Э )

[10-13 ] .

.

2. GaSexTe1-x

Я

GaSe,

. -5 (99.99999%)

-3 (99.999%). GaSe, GaTe , GaSe Te1- (x=1.00; 0.95;

0.90; 0.80; 0.70; 0.30; 0.20; 0.10; 0). 10

-4 mm

Hg .

.

.

, Ga Se Te1-

, GaTe

, GaSe .

, ( 10

4 - 10

10 Ohm·cm)

80 mm 20 [14].

,

, ,

103 Ohm·cm

10 μs 50 Hz -

.

3. .

. 1 σ(O -1 -1)

GaSe0,1Te0,9

( , ): 1 - 250, 2 - 230, 3 - 195, 4 - 174, 5 - 154, 6 - 134,

7 - 118, 8 – 103.


GaSexTe1-x …

151

.1

GaSe0.1Te0.9

(103-250 ). , lg E

.

. . [7-16]:

Ee )0( (1),

)0( ,

. (4)

0

3

KT

e (2),

. (2) ,

, . . ,

.

)1

(T

f

T

310 ( .2)

0103

T

. )1

(T

f

,

(

2n ). (2)

GaSe GaTe

= 10,

= 10 GaSe GaTe = 7

= 6

.

. 2 𝛽

: 1- << >> GaSe, 2- GaSe.

, (2)

.

v

: V=c/n, , n= ,

𝜀 µ [22,23]. 𝜀=µ =1 v= . 𝑛 = 𝜀𝜇 ,

n 𝜀 (n2=𝜀).

, , ,

n n

. [22,23] , ( ) 10-15

,

10-10, 10-13

, [22,23].

, ( ≈ 1014

Hz)

.

n n , n 𝜀

. ,

n .

.1. ,

(1), ? 10

3 V/cm.

(1) ,

.

Э [11].

:

eErer

eU

r

r

0

0

2

(3)

r0

–

kT

ner

0

2

0

4 (4),

n - , - , k -

, -

, r - , 0 -

, - .

:

. . , . . , . . , . . , . .

152

. 3 , .

. 4 )0(

lg))0(

( 2/1

)(cm

VE ( , ) : ): 1 - 250,

2 - 230, 3 - 195, 4 - 174, 5 - 154, 6 - 134, 7 – 103.

Э л ко ен дн полуп о одн ко е ул т т п ед т лен т л е.

GaSexTe1-x …

153

kT

eEr

e0

0

(5)

kT

Et

e 00 (6)

0 -

0103

T

, tE -

, - [8-13].

(4), ,

n , r0 . Э

. , en

000 en , (8),

kTnE

040lg

0

21

(7)

en ( 19106.1 e -

, n [-3

] - ,

sV

cm2

- ).

, n µ E [V/cm]

(I=V/R).

, V

( ), [17-19].

, ,

[20-25]. ,

sV

cm

2

5010

, [21].

GaSe Te1-

103

- 105

V/cm [21].

,

GaSe Te1- n [7].

, , ,

, .5

[20].

.

[26, 27].

,

103

- 105

V/cm

0 .

(10) n(0), . , (10)

.1,

n(0) . Э

.3,

Ef

0

lg0

21

.4. , 108-250

0lg

0

21

. .4 , “ ”

0lg

0

21

. “a” ( .4)

n(0)

. n(0)=(3·1013 -

5·1015) cm

-3. Э

GaSexTe1-x [28-30].

______________________________

[1] J. Pellicer-Porres, F.J. Manjon, A.A. Segure and

V. Munoz. Phys Rev. B 60, 8871 (1999).

[2] . . , . . , . . , . . . , 72, 41 (2002).

[3] . . , . . , . . , . . , . . Ф , . . .

, 13,124

(2007).

[4] . . , . . , . . , . . , . . Ф , . . .

Ф , 14, 61

(2008).

[5] . . , . . , . . , . . , . . . , 33,

60 (2007).

[6] . . , . . , . . .

, 44, 1194 (2010).

[7] J.I. Frenkel. Phys. Rev. 54, 647 (1938).

. . , . . , . . , . . , . .

154

[8] . . , . . , . . , . . , 14, 2813 (1972).

[9] L. Hrivnak. Phys.stat. sol. (a), 36, 5519 (1976).

[10] . Ф . ,

« » 469-475 (1986).

[11] . . . Э , 24, 308 (1954).

[12] . . , . . . . , 2, 108 (1970).

[13] . . . . « », .153-

160 (1964).

[14] . . , . . , . . .

. 1, 19 (1975).

[15] Hossein Mahmoudi Chenari, Hassan Sedghi,

Mohammad Talebian, Mir Maqsoud Golzan, Ali

Hassanzadeh. Journal of Nanomaterials. Article ID

190391, 4 pages (2011).

[16] . . , . . . , 48, 3, 289 (2014).

[17] Ф. . . , « », (1986).

[18] .Ф. . , .103-

107 (1957)

[19] . . , “ ”

.423-433 (1982).

[20] . . Ф . . « », .

196-205 (1984).

[21] A.K. Jonscher. Solid State Physic (phys.c), 3, 4159

(1970).

[22] . . .

. , 185÷204c (1963). [23] . . . ,

« », 34-42 (1978). [24] . .

. (1970).

[25] . , . . .

: (1971). [26] . . , . . .

. , , ,

.25-31 (1997).

[27] . . Ф . . . , . 241-

247 (2004).

[28] Mindor, G. Ottaviani, C.Canali. J.Phys.

Ch m.Solids, 37, 417 (1976).

[29] C. Manfredotti, A.M. Mancini, R. Murri, A. Rizzo,

L. Vasenelli. IL Nuova Cimento, 398, 257 (1977).

[30] . Tatsugama, S. İchimura. İL Nuova Cimento, 38B, 352 (1977 )





Я Я

III-

V

.

. . , . . , . . Я , . .

Ф , ,

[email protected]

В АIII-ВV, .

,

. . А

АIII-ВV c .

Key words: , , ,

PACs: 63.20.dk 74.25.Kc

,

. В

АIII-

ВV [1]. К .

В , ,

АIII-ВV,

. Ц –

АIII-

ВV . З

АIII-ВV,

, .

, , ,

.

l=0 l= L-Z

𝐶𝐶𝑖−𝐶 𝐾𝐶С0 = 𝑉 𝑡𝑉0 = 𝑍 (1)

K=Cc/Cm –

; Cc, i, Cm –

,

; Vc –

; 𝑉0 С0 –

; Z –

; L – .

Д , Z, :

𝛾 ≡ ∗𝑍 = 1 − 𝑥𝑝 − 𝐶𝐶 𝐾−𝐶𝐶0𝐶 (2)

З 𝐶0 -

; ∗ 𝛾-

(𝑉 𝑡 𝑉0 ) t .

𝑍 𝛾 , 𝐶 ( 𝐶 = 𝐾𝐶 ) ,

, (1) (2).

К (К), ,

𝐶 [1]. Э

(1) (2)

. .1 GaAs

InAs-GaAs,

InAs InAs-GaAs , (1)

(2) 𝐶 = 𝐾𝐶 . i ( =0.1; 0.4; 0.7)

InAs-GaAs Z=0.1 L.

К .1, GaAs

i InAs-GaAs.


. . , . . , . . Я , . .

156

.1.

GaAs InAs-GaAs, . Д

Z=0.1 L.

InAs-GaAs: 1 – 10, 2 – 40,

3 – 70 .% GaAs.

З ,

Z=0.1L. В GaAs

.

.2

InSb-AlSb,

InSb-AlSb Z.

. В

In0.6 Al0.4Sb.

К Z

InSb-AlSb . , ,

.

.3 GaSb

InSb-GaSb, InSb

InSb-GaSb Z.

В InSb0.5-

GaSb0.5.

К Z

. ,

.

.2. А AlSb

InSb-AlSb, In0.6 Al0.4Sb.

Д : (1) – Z=L/10, (2) – Z=L/5, (3)

– Z=L/2, (4) – Z=L. Д – L.

.3. GaSb InSb-GaSb,

Z.

К 1,2,3,4,5 Z/L= 0.1, 0.2,

0.3, 04, 0.5 .

InAs0.5-GaAs0.5.

АIII

-ВV, ,

(

)

.

____________________________

[1] . . , . . . ых х, « », , (1978)197.





-

, Щ

. . , . . , . . , . . , ,


В Al In

, , Ge-Si, .

Ge-Si , . Ge-Si< Al; In >, ,

.

К : Al, In, , , . PACs: 63.20.dk 74.25.Kc

, -

,

. Э ,

. В

Ge-Si

. В

Si-Ge,

[1]. З , Al In, ,

.

,

.

Ц –

Ge Si1- ( )

.

, (Ge

Si) ( Al In), .

(vc) (vf1)

(vf2), . В

Ge-Si . В [1], ,

, :

1KCl

1K

KCc

(1)

З cl CC , -

; cSi VV

cGe VV (Si) (Ge) ; lc CCK -

.

(1)

К>1 .

,

, , ,

. З , Ge-Si

< 5 / .

В : ll VV ,0-

; cV -

; GeSi VV , - Si Ge,

; imC -

; im

l

im

l CC ,,0 -

;im

cC - ;


. . , . . , . . , . .

158

im

l

im

c

x

im CCK - ,

( ); t - . :

𝐶𝑖 = 𝐶 𝑖𝑉 , 𝑑𝐶 𝑖𝑑𝑡 = 𝐶 𝑖 −𝑉 𝐶 𝑖𝑉 (2)

, cV , SiV

GeV

x

im

im

lc

im

GeSiclGeSicll KCVCVVVVtVVVVV

,)(,)(0

(3)

(3) (2)

iml

iml

C

C

l

lc

t

l

SiGec

im

l

im

l

Si

x

imcc

Sic

V

VV

V

VVVdt

C

dC

VKVV

VV

,0

0

0

0

1

)(

(4)

В 0VtVc ,

t, (1) cSi VV

cGe VV , (4) :

)1(

)1(

,0 )]1(1[

ximK

x

im

im

l

x

im

im

l

im

c KCKCC

(5)

(5)

,,,0 x

im

im

l KC .

Д

Ge-Si, ,

Ge0.7Si0.3. .1(a,b)

Al In . 5-

.

Al In

, , 11017

-3

11018

-3

.

(a)

.

(b)

. 1 (a,b). А

(a) (b) Ge0.7Si0.3,

, . 1 - + = 0.3, = 0.237; 2 - + = 0.5, = 0.255;

3 - + = 1.3, = 0.328; 4 – + = 1.5, =0.346; 5(a) – + = 0.948, = 0.296, 5 (b) – + = 0.999, = 0.300

К ,

, , .

_________________________

[1] Г. ., . ., . ., Кя . . В // К . 2010. . 55. .

740-743.





Я u2ZnSnSe4, Я

. . , . . , . . , . . , . .

И Ф . Г.

[email protected]

- ( ) Mo/p-

u2ZnSnSe4 /n-CdS/Mo, .

Э

Cu2ZnS(Se,S)4,

, ,

. , u2ZnSnSe4 ,

,

[1].

Д , , ,

, ,

, ,

- , .

, ,

, , .

. И

[2]. Э

İGSS.

, ,

. ,

( Э). Э

,

, , -

( ) [3]. -

. Ц

,

- . –

.

.1. Mo/p-

u2ZnSnSe4/n-CdS/Mo, : 1- , 2- , 3-

- u2ZnSnSe4, 4- n-CdS

.

,

u2ZnSnSe4 (CZTSe)

. CdS

.

-71 .

И -

.

,

.

И , ( , ) (

) CZTSe ,

.


. . , . . , . . , . . , . .

160

.2. 3d ACM - Cu2ZnSnSe4 (2 2

) , . ( )15 .

.3. 2d ACM - Cu2ZnSnSe4 (2 2 ), .

15 -

.4. 3d ACM - Cu2ZnSnSe4,

. (2 2 ). - 30 .

.5. 2d ACM - Cu2ZnSnSe4,

(2 2 ). 30 - .

.6. 3d u2ZnSnSe4 (2 2 )., ( )

Mo ( ), - 15

.

.7. 2d u2ZnSnSe4(2 2 ), ( )

Mo ( ), - 15 .

Я u2ZnSnSe4,

161

.8. 3d u2ZnSnSe4, (2 2

) Mo,

. - 15

.9. 2d u2ZnSnSe4, (2 2 ) Mo,

. - 15

.10. 3d u2ZnSnSe4 (1 1

), Mo,

. .

.11. 3d CdS (2x2 ), u2ZnSnSe4 ( ), ,

(b) CdS. ( /4red/)

– .

, ,

CZTSe, , ,

Mo.

: )

CZTSe

(HO) - 5-10 nm; ) – HO

15nm. ,

; , HO.

2-11.

Ц ( 6148).

___________________________

[1] H. Katagiri, Cu2ZnSnS4 thin film solar cells. Thin

Solid Films, 480, 426. (2005).

[2] N.N.Abdulzadə, S.T.Ağaliyeva, K.Ə.Əsgərova,

D.A.Əhmədova, Ç.E.Səbzəliyeva, A.K.Zamanova,

N.N.Mursakulov. Maqnit sistemləri sürüşdürülmüş iki maqnetrondan tozlandırma üsulu ilə nazik

təbəqəli günəş elementləri üçün Cuİn1-xGaxSe2

təbəqələrinin alınması və tədqiqi. AJP “FİZİKA”, 2018, v.XXIV, N1, section:Az, pp13-17.

[3] Ф.К. , .Ш. К х , К.Ш. К х . (0001)

V2 B

VI3 < И Ь>. «FİZİKA», 2009

CİLD XV 2 38]





NANOZƏRRƏCİKLƏRİN ALINMASINDA ELEKTROLİZ PROSESİNİN MODELLƏŞDİRİLMƏSİ

A.N. NƏCƏFOVA, Ş.Z. ƏLİYEVA, S.G. ƏLİYEVA, B.A. AĞARZAYEVA,

S.G. RZAYEV, N.F. BAĞIROVA, S.P. ÇƏLƏBİ, F.B. NƏSİBOV Müdafiə Sənayesi Nazirliyi

Milli Aerokosmik Agentliyi Ekologiya İnstitutu

COMSOL Multiphysics proqramının köməyilə elektroliz yolu ilə nanokeçirici alınma prosesinin modelləşməsi imkanı göstərilmişdir.

ELEKTROLİZ METODUNUN İŞ PRİNSİPİ

Nanozərrəciklərin alınması üçüm elektreoliz

metodunun iş prinsipi içərisindən metal tozunun

çökdürülməsi üçün metal duzlarının su məhlulundan

sabit cərəyanın keçməsinə əsaslanır. Plastin formasında katod və anod elektrolitə yerləşdirilir. Katodda elektroliz zamanı toz, süngər və ya dendrit formasında metal ayrılır. Metal tozları periodik olaraq ayrılır. Bu isə lazımi dənəvərliyə və müntəzəm tərkibə malik metal toz almağa imkan verir.

Son dövrlərdə ultryüksək sıxlıqlı maqnit yazılarda potensial tətbiq etmək üçün maqnit nanokeçiricilərin

yaradılmasına böyük diqqət yetirilir. Nəzarət olunan

morfologiya və xassələrə malik müxtəlif nanostrukturların sintezində böyük tərəqqiyə nail olunmuşdur .

Şəkil 1. Fe7Co3 nanokeçiricisinin difraktoqramması.

Fe1-xCox ərintisinin həcmə mərkəzləşmiş kub strukturlu nanokeçiricisi böyük biroxlu kristalomaqnit anizatropiyaya malik olduğu üçün maraq doğurur(4). Çökdürülmüş Fe7Co3 nanokeçirici nümunələrinin

difraktoqramları şəkil1-də verilmişdir. Rentgen difraksiyasının nəticələri 3 difraksiya pikinin olduğunu göstərdi: ən intensiv pik 44, 76º-də, zəif pik 82, 45 º-də,

ən zəif isə 65, 12 º-də müşahidə olundu (4). Bu piklər

göstərir ki, Fe7Co3 nanokeçiricisinin çökdürülməsi

kristallik ox boyunca artma istiqamətinin üstünlüyü ilə

reallaşmışdır. Şəkil 2-də Fe7Co3 nanokeçiricisinin böyümə prosesinin sxematik diaqramı təsvir olunmuşdur.

Şəkil 3-də modelin həndəsəsi təqdim olunmuşdur.Yuxarı üfiqi sərhəd anodu, aşağı isə katodu təsvir edir.

Şəkil 2. Fe7Co3 nanokeçiricisinin böyümə prosesinin sxematik

diaqramı. Diaqramda təsvir təsvir olunmuş monokristallik nanokeçiricinin 3 növ atom törəməsi

mövcuddur.

Şəkil3. Modelin həndəsəsi





AVTOMOBİL SENSORLARININ HERMETİKLƏŞMƏSİ ZAMANI YARIMKEÇİRİCİ İNTEQRAL STRUKTURLARIN İNTEQRAL SXEMLƏRİNƏ VƏ ELEKTRON KOMPONENTLƏRƏ MEXANİKİ TƏSİR KƏMİYYƏTLƏRİNİN EKSPRESS

ANALİZİNİN İŞLƏNİLMƏSİ

M.H. İMRANOV, E.L. YURYEVA, S.K. AĞAYEVA, S.N. FİŞENKO, Z.E. MƏŞƏDİBƏYOVA, R.T. QULİYEVA

Müdafiə Sənayesi Nazirliyi Milli Aerokosmik Agentliyi

Müasir avtomobil elektronikasında detalların, düyünlərin blokların sintetik polimer qatranlar əsasında geniş şəkildə

hermetikləşməsi tətbiq olunur .

Hermetikləşmə rütubətdən, zərərli kimyəvi

maddələrdən və ətraf mühitin digər zərərli maddələrindən

müdafiənin effektiv vasitəsidir. Bir qayda olaraq,

hermetikləşmə, elektroizolyasiyanı, mexaniki və

aparaturanın digər istismar xarakteristikalarını təkmilləşdirir və onun etibarlığını artırır. Eyni zamanda

hermetikləşmənin öz çatışmazlıqları vardır. Detalların iş qabiliyyətinə və bütövlüyünə təsir edən daxili elastik

mexaniki gərginliklərin əmələ gəlməsidir ki, datçiklərin

hər bir elementinə təsir edir. Bu isə funksiomal imtinanın meydana gəlməsinə səbəb ola bilər.

İşin məqsədi datçiklərin hermetizasiyası zamanı yaranan daxili elastiki gərginliklərin ölçülməsi

metodikasının işləniməsidir.

Qarşılya qoyulan məqsədə nail olmaq üçün aşağıdakı məsələləri həll etmək lazımdır:

1. Datçiklərin test nümunələrinin hazırlanması metodikasının işlənilməsidir;

2. Hermetikləşmə zamanı yaranan elastiki gərginliklərin kəmiyyətlərinin aşkarlanması üçün testlənmə qurğusunun işlənilməsi;

3. Qurğunun sərhəd parametrlərinin təyin olunması; 4. Nümunələr partiyasının hazırlanması;

DATÇİKLƏRİN TEST NÜMUNƏLƏRİNİN HAZIRLANMASI METODİKASININ İŞLƏNİLMƏSİDİR

Mürəkkəb lehim birləşməsinə təsirini

qiymətləndirmək üçün avtomobil sensoru qutularında elastik stresslərin ölçü üsulu hazırlanmış və sınaqdan keçirilmişdir.

Lehimlənmiş birləşmələrə kompaundun təsirinin

qiymətləndirilməsi üçün avtomobil datçiklərinin

korpuslarındakı elastiki gərginliklərin ölçülməsi

metodikası işlənilmişdir. Elastiki gərginliklərin birbaşa ölçülməsi üçün tenzometrik təzyiq datçiki tətbiq olunur.

Eksperiment üçün hazırlanmış mütləq təzyiq datçikləri

kalibrlənib. Onların funksional xarakteristikalarının kalibrlənməsi 40,0±0,2; 200±0,2 kPa və (23±5) ºC, Uqid=

(5,1±0,01) V gərginlikdə aparılıb. Çıxış gərginliyinə

nəzarətin nəticələri cədvəl 1-də verilmişdir. Şəkil1-də

datçikin kalibrlənmə xarakteristikası verilmişdir.

Cədvəl 1. Çıxış gərginliyinə nəzarətin nəticələri

Parametr, P Xarakteristikaya

təsir sərhədləri

1 2 3 4 5

U1max, V

P1=40 kPa

0,542-0,662

0,602

0,604

0,601

0,612

0,609

U2max, V

P2=200 kPa

2,94-3,06

2,998

3,013

3,014

3,003

3,009

Şəkil 1. Datçikin kalibrlənmə xarakteristikası

M.H. İMRANOV, E.L. YURYEVA, S.K. AĞAYEVA, S.N. FİŞENKO, Z.E. MƏŞƏDİBƏYOVA, R.T. ULİYEVA

164

HERMETİKLƏŞMƏ ZAMANI YARANAN

ELASTİKİ GƏRGİNLİKLƏRİN KƏMİYYƏTLƏRİNİN AŞKARLANMASI ÜÇÜN TESTLƏNMƏ QURĞUSUNUN İŞLƏNİLMƏSİ

Hermetikləşmə zamanı yaranan elastiki gərginliklərin kəmiyyətlərinin aşkarlanması üçün şəkil2-

də göstərilən eksperimental qurğu işlənilmişdir.

Ölçmələr kalibrlənmiş yarımkeçirici datçik vasitəsilə

(şəkil 3) aparılmışdır. Avtomobil elektronikasının xüsusiyyətləri bütün

elementlərə temperaturun təsirinin dövriliyidir. Beləliklə, datçiklərdə elastiki mexaniki

gərginliklərin yaranması ilə nəticələnən avtomobil

elektronikası datçiklərində defektlərin yaranmasının potensial mexanizmlərindən biri göstərilmişdir.

Şəkil 2. Eksperimental qurğunun sxemi. Şəkil 3. Daxili gərginliyin təyin olunması üçün təzyiq datçiki.





CİGSS ƏSASLI KONSENTRATORLU GÜNƏŞ ÇEVİRİCİLƏRİ

N.N. ABDULZADƏ1, V.M. ANDREEV

2, D.A. ƏHMƏDOVA1, N.N, MURSAKULOV

1,

Ç.Ə. SƏBZƏLİYEVA1, M. YAKUŞEV3

1 AMEA-nın H.M Abdullayev adına Fizika Institutu

[email protected] 2 A.F.Ioffe adına FTİ, Sankt-Peterburq

3 Fizika Bölümü, SUPA, Strathclyde Universiteti,

Glasgow G4 0NG, Birləşmiş Krallıq

İşdə göstərilmişdir ki, maqnit sistemləri sürüşdürülmüş iki maqnetrondan isti-fadə etməklə maqnetron tozlandırılması və MOCVD texnologiyalarının inteqrasiyası vasitəsi ilə I-III-VI (Cu(İnGa)(SeS) (CİGSS), III-V (GaAlAs , GaİnP və digərləri) və IV (Ge, Si) əsaslı yüksək effektivliyə malik çoxkaskadlı konsentratorlu günəş elementlərinin alınması mümkündür.

Ən yüksək, rekord faydalı iş əmsalı (F.İ.Ə.) konsentratorlu çoxkaskadlı günəş elementlərində alınmışdır (~40%). Bu günəş elementləri III-V qrup

elementləri əsasında molekulyar şüa epitaksiyası və MÜBQE (MOCVD) texnologiyasının vasitəsi ilə həyata keçirilir. İstehsalı ucuz başa gələn nazik təbəqəli, effektiv günəş elementlərindən isə I-III-VI (Cu(İnGa)(SeS) (CİGSS) əsasında günəş elementlərinin F.İ.Ə. ~ 20% təşkil edir. Zənnimizcə, tətbiq etdiyimiz, maqnit sistemləri sürüşdürülmüş iki maqnetrondan istifadə etməklə maqnetron tozlandırılması və MÜBQE texnologiyalarının inteqrasiyası vasitəsi ilə I-III-VI (Cu(İnGa)(SeS) (CİGSS), III-V (GaAlAs , GaİnP, dörtqat və daha mürəkkəb bərk məhlullardan) və IV (Ge, Si) əsaslı yüksək effektivliyə malik çoxkaskadlı konsentratorlu günəş elementlərinin

texnologiyasının işlənməsi mümkündür. Maqnit sistemləri sürüşdürülmüş iki maqnetrondan istifadə etməklə maqnetron tozlandırılması üsulu ilə qadağan olma oblastının təbəqənin qalınlığının artması istiqamətində sabit və ya varizon şəkildə alınması mümkünlüyü [1] I-

III-VI nazik təbəqələrinin çoxkaskadlı, mürəkkəb strukturlu günəş elementlərində aktiv uducu rol oynaması daha məqsədəuyğundur. MÜBQE texnologiyası vasitəsi III-V birləşmələrinin istənilən konsentrasiyaya malik epitaksial təbəqələrinin alınması mümkünlüyü onun vasitəsi ilə çoxkaskadlı strukturlarda kaskadlar arası kommutasiya elementlərinin yaradılması üçün istifadə edilir. III-V materiallarına nisbətən I-III-VI materialı hesabına aktiv təbəqədə optic udma əmsalının artırılması və xüsusi müqavimətin azalması sayəsində günəş elementlərinin effektivliyinin xeyli artmasına, həmçinin günəş elementinin maya dəyərinin kəskin şəkildə aşağı düşməsinə gətirib çıxarır. Konsentratorlu foto-elektrik

çevirici (FEÇ) cütünin optik oxu günəşə istiqa-

mətlənməlidir. Bu zaman konsentrasiya etmənin tərtibi 500-1000 və daha çox olan zaman element-günəş cütünün qarşılıqlı uzlaşmasının həndəsi dəqiqliyi və günəşi izləmənin bucaq dəqiqliyi çox yüksək olur. Əhəmiyyətli dərəcədə yüksək koncentrə edilmiş günəş şüaları ilə işləyən FEÇ-nin istehsalının inkişaf etdirilməsi başqa tip çeviricilərə nisbətən FİƏ-nın 2-3 dəfədən çox olması, və FEÇ-i üçün işlənilən yarımkeçirici materialların istifadəsinin kəskin dərəcədə aşağı salınması, işıqlı gün ərzində qurğunun həmişə günəşə tərəf istiqamətlənməsi hesabına daha da çox elektrik enerjisi istehsal etməsidir.

Cu(InxGa1-x)(SeyS1-y)2 materiallarının nazik təbəqələrinin elastik metal və orqanik poliamid altlıqlar üzərində formalaşması şəraitinin müəyyən edilməsi və onlar əsasında yüngül, radiasiyaya davamlı, yüksək effektivliyə malik nazik təbəqəli günəş elementlərinin kifayət qədər sadə üsullarla alınma texnologiyasının işlənməsidir [1-5].

Şəkil.1. Cuİn1-xGax(Se1-ySy)2 materiallarında qadağanolma

oblastının materialın tərkibindən (x,y) asılılığı [1].

Günəş elementləri (GE) üçün ən perspektivli materiallar kimi, yüksək optik uduculuq keyfiyyətlərinə malik, radiasiyaya davamlı, qadağan olma oblastı (Şəkil.1.) tərkibdən (x və y-in qiymətlərindən) asılı olaraq geniş diapazonda, yəni 1.0 eV-dan 2.4 eV-a qədər dəyişən Cuİn1-xGax(Se1-ySy)2 (CIGSS) materialları istehsal dəyəri ucuz başa gələn III nəsil günəş çeviricilərinin istehsalında geniş tətbiq olunur.

Bu sahədə elmi ədəbiyyatın tədqiqatından görünür ki, CuIn1-xGax(Se1-ySy)2 (CİGSS) nazik təbəqələrinin sənaye üsulu ilə alınmasının ən müasir üsulu müxtəlif altlıqlar üzərində əvvəlcədən çəkilmiş Cu-In-Ga nazik

təbəqələrinin halkogen (selen, kükürd) atmosferində dəmlənməyə qoyulmasıdır [1-5]. CIGSS materialları əsasında ən yüksək effektivliyə malik günəş elementləri halkopirit strukturlu CuIn1-xGaxSe2 dördqat mis birləşmələrinə əsaslanan uducu təbəqələri olan günəş elementləri əsasında alınmışdır (21.7%) [5]. Kristalik

parametrləri (qəfəs sabitləri) uyğun olan oturacaq üzərində göyərdilmiş kristallik CIGSS materiallarının daha yüksək


N.N. ABDULZADƏ, V.M. ANDREEV, D.A. ƏHMƏDOVA, N.N, MURSAKULOV, Ç.Ə. SƏBZƏLİYEVA, M. YAKUŞEV

166

kristallik keyfiyətə, tələb olunan elektrik və optik xassələrə malik olması, defektlərin konsentrasiyasının aşağı olması, Si, Ge, GaAs, İnP, İnAs və GaSb əsaslı oturacaqlardan istifadə etməklə maqnetron tozlandırılması üsulu ilə CIGSS materiallarının uyğun epitaksial təbəqələri alına bilər. Şəkil 2-də GaAs üzərinə göyərdilmiş nazik CuIn1-xGaxSe2 təbəqəsinin Atom Güc Mikroskopu (AFM) vasitəsi səth morfologiyasının tədqiqi üçün (2x2)mkm sahədən 3d skan şəklindən görünür ki, səth hamardır və hər hansı defekt yoxdur.

Şəkil.2. GaAs üzərində göyərdilmiş CuIn1-xGaxSe2 təbəqəsinin

AFM 2d şəkli.

CIGSS materiallarının mikrostruktur, elektrik və optik xassələrinin onların alınma şəraitlərindən asılılığının tədqiqi əvvəlcədən verilmiş xassələrə malik materialların alınma texnologiyalarının optimallaşdırılmasına gətirə bilər. Təcrübə zamanı Mo və digər kontakt materialı və A3-B5 yarımkeçiricilər əsaslı oturacaqlar üzərində Ga ilə zəngin CIGSS təbəqənin deyil, daha kiçik Eg-yə malik, In ilə zəngin materialın alınması texnologiyası işlənilmişdir. Oturacaqların seçilməsi üçün Qadağanolma zonasının qəfəs parametrindən asılılığını göstərən Şəkil 3.-dən istifadə edilmişdir. Texnologiyanın təkmilləşdirilməsi ilə CuIn1-xGaxSe2 materialının böyüməsi istiqamətində materialın qadağanolma zonasının dəyişgən olması üçün texnoloji rejimlər araşdırılmış və təkmilləşdirilmişdir. Belə ki, texnoloji rejimin seçilməsindən asılı olaraq, təbəqənin qalınlaşması istiqamətində qadağan zonasının böyüməsi və ya kiçilməsi, yəni varizon strukturun alınması imkanları araşdırılmışdır. Alınmış təbəqələrin və onlar əsasında yaradılmış strukturların optik və fotoelektrik xassələri tədqiq olunmuşdur.

İşin tədqiqat obyekti günəşin konsentrə olunmuş şüa enerjisini yüksək effektivliklə elektrik enerjisinə keçirmə qabiliyyətinə malik A3B5 qrup yarımkeçirici materialları (GaAs, AlAs, İnP və b.) əsasında yaradılmış heterostruktur günəş elementlərinin, onların modullarının alınma texnologiyasının inkişaf etdirilməsi üçün Fizika institutu və A.F.İoffe adına FTİ-əməkdaşlarının əməyinin bu vacib məsələnin həllinə konsentrasiya edilməsidir. Heteroquruluşlu konsentrasiyalı günəş elementlərininm alınması üçün metal üzvi birləşmələrdən qaz epitaksiyası (MÜBQE) metodu ilə alınacağı nəzərdə tutulur.

Şəkil.3. A3B5, A2B6, A2B3C6, onların bərk məhlulları və b. yarımkeçiricilər üçün Eg-nin kristallik qəfəs parametrin qiymətindən

asılılığı. İki və üç kaskadlı günəş elementləri üçün optimal optimal Eg oblastları (rənglənmiş oblastlar)

CİGSS ƏSASLI KONSENTRATORLU GÜNƏŞ ÇEVİRİCİLƏRİ

167

Bu metod A3B5 qrup elementlərindən hər birinin epitaksial təbəqəsinin və onların çoxlaylı strukturlarının alınmasına aşağıda sadalanan səbəblərə görə imkan verir: 1) metod təbəqələrin qalınlığının nm dəqiqliyi ilə idarə edilməsinə imkan verir; 2) epitaxsial təbəqələrin göyərmə sürətini geniş diapazonda dəyişməyəimkan verir, idarə olunan ən yüksək göyərmə sürətlərində keyfiyyətli təbəqələrin alınmasına imkan verir; 3) İfrat yüksək vakuum tələb etmir; 4) iştiyari tərkibə malik epitaksial təbəqələri almağa imkan verir; 5) optik in-situ analiz

metodlarını tətbiq etməyə imkan verir. MÜBQE-epitaksiya

metodunun vasitəsi ilə: 1) A3B5 yarımkeçiriciləri əsasında heteroquruluşlu kaskad günəş elementləri alınacaq və onlar yüksəkenerjieffektivlikli günəş batareyaları modullarında quraşdırılacaq. 2) dəyişən qadağan olma oblastına malik epitaksial müxtəlif tərkibli (dəyişən x) İnGa1-xAs

təbəqələrin və onlar əsasında günəş elementlərinin alınma texnologiyası işlənəcəkdir. Bu işi Azərbaycan tərəfi həyata keçirəcəkdir. Bu, dəyışən qadağanolma zonaya malik

təbəqələr maqnit sistemləri bir-biri tərəfə sürüşdürülmüş maqnetronlar sistemi vasitəsi ilə həyata keçiriləcək. Yeni quruluşlu günəş elementlərinin F.İ.Ə.-nın konsentrə olunmuş günəş şüaları altında artırılması imkanları tədqiq ediləcəkdir. Günəş şüalarının konsentratoru qismində müstəvi şəkilli Frenel linzaları ikinci optika sistemləri ilə birgə şüaların 500-dən 1000 dəfəyədək toplamağa imkan verir və günəş batareyası modullarının günəşə tərəf çox dəqiqliklə orientasiya olunmasına çox da böyük tələblər qoymur. Bu zaman biz optik sistem parametrlərinin, Frenel linzası – ikinci optika- günəş elementləri sisteminin optimallaşdırılması istiqamətində axtarışlar aparılması nəzərdə tutulur.

_________________________________

[1] N.N.Abdulzadə, S.T.Ağaliyeva, K.Ə.Əsgərova,

D.A.Əhmədova, Ç.E.Səbzəliyeva, A.K.Zamanova,

N.N.Mursakulov. AJP “FİZİKA”, 2018, v.XXIV, N1, section:Az, pp13-17.

[2] E.P.Zaretskaya, V.F.Gremenok, I.A.Ivanov,

V.B.Zalesski, N.N.Mursakulov, N.N.Abdulzade,

Ch.E.Sabzaliyeva AJP “Fizika”. Vol. XVI, N2,

Series: En, June, 2010, pp 403-407.

[3] A.V.Mudryi, A.V.Korotki, V.F.Gremenok,

E.P.Zaretskaya, V.B.Zalesski, N.N.Mursakulov,

N.N.Abdulzade, AJP “Fizika”. Vol. XVI, N2, Series: En, June, 2010, pp 408-413.

[4] .Ф. , . . За , . . у а у в, . . ва в. Т

Cu(In,Ga)(Se,S)2

( я). Б “Э ”, 2013.

[5] P. Jackson, D. Hariskos, R. Wuerz, O. Kiowski, A.

Bauer, T.M. Friedlmeier and M. Powalla. Phys.

Status Solidi RRL, 2015, 9, N. 1, p. 28-31.

[6] . . в, . . , . . у я в

«Ф я»

( я) И « », 1989. [7] V.M.Andreev, V.A.Grilikhes, V.D.Rumyantsev

“Photovoltaic Conversion of Concentrated Sunlight” .(monoqrafiya), John Wiley & Sons,

1997.





PROTONLARIN TOQQUŞMASININ NƏZƏRİ TƏDQİQİ

M.X. AXUNDOVA, S.G. RZAYEVA, F.E. MƏMMƏDLİ, A.F. MƏMMƏDOVA, R.T. QULİYEVA

Müdafiə Sənayesi Nazirliyi Milli Aerokosmik Agentliyi Protonların daxili quruluşunun öyrənilməsi elementar zərrəciklər fizikasının aktual məsələlərindən biridir. Məqalədə

protonların müxtəlif tip qarşılıqlı təsirinə nəzəri olaraq baxılmışdır. Bəzi enerjilərdə zərrəciklərin qarşılıqlı təsirinin nəticələri qrafiki olaraq təsvir edilmişdir. Nəzəri hesablamaların eksperimentlərlə yoxlanılması da böyük əhəmiyyət daşıyan məsələlərdəndir.

Müasir dövrdə protonların daxili quruluşunun

öyrənilməsi öz formasına görə Rezerford təcrübəsinə identikdir. Daxili quruluşun öyrənilməsi üçün zərrəciklərin müxtəlif növünün toqquşmasına baxılır və cihazların köməyilə səpilmiş fraqmentlərin bucaq paylanması ölçülür. Daxili quruluşun incə detalları barədə informasiya yenə də ilkin dəstəyə nəzərən böyük bucaq altında hərəkət edən zərrəciklərdən daxil olur. Müasir eksperimentlər Rezerford təcrübələrindən öz miqyasına görə fərqlənir və istifadə olunan sel α-zərrəciklərdən deyil, müxtəf sürətləndiricilərdə yüksək enerjilərdə sürətlənmiş protonlardan təşkil olunur.

Qarşılıqlı təsir potensialının mərkəzi simmetriyaya malik olduğunu nəzərə alaraq iki protonun toqquşmasına nəzəri olaraq baxaq. fs( ) və ft( ) səpilmənin uyğun amplitudları olsun. Protonlar fermion olduğu üçün onun dalğa funksiyası bu zərrəciklərin yerdəyişməsinə nisbətən antisimmetrik olmalıdır. Əgər funksiya triplet halı təsvir edirsə, bu zaman spinlərin mübadiləsinə nəzərən simmetrik olacaqdır, uyğun olaraq r(1) və r(2) koordinatlarının yerdəyişməsinə nəzərən antisimmetrik olacaqdır. Beləliklə, səpilmənin simmetrik amplitudu aşağıdakı şəkildə olacaqdır:

ft( )=(1/2)×[ ft( ) - ft(π- ) ] (1)

Triplet halda protonların səpilməsinin eninə kəsiyi

σ t (Ω) =2|^ ft( ) | 2=1/2×| ft( ) - ft(π- ) |2 (2) Əgər dalğa funksiyası sinqlet halı təsvir edirsə, o

zaman spinlərin mübadiləsi zamanı antisimmetrikdir və uyğun olaraq, fəza koordinatlarının mübadiləsi zamanı simmetrik olacaqdır. Beləliklə, səpilmənin simmetrik amplitudu aşağıdakı şəkildə olar:

ft( )=(1/2)×[ fs( ) + fs(π- ) ] (3).

Sinqlet halda protonların səpilməsinin eninə kəsiyi

σ s (Ω) =2|^ fs( ) | 2=1/2×| fs( ) + fs(π- ) |2 (4)

olar. Əgər hədəf və gələn sel qeyri-polyar protonlardan

ibarətdirsə, onda hər bir toqquşmada uçan zərrəciklərin və hədəf zərrəciklərinin spinlərinin təsadüfi paylanması baş verir. Nə qədər ki triplet hal fəzası üçölçülüdür, sinqlet hal fəzası isə birölçülür, o zaman başlanğıc halda uyğun kəmiyyətləri ¾ ehtimalla və ¼ ehtimalla götürmək lazımdır. Beləliklə,

σ (Ω) = ¾ σ t (Ω)+1/4 σ s (Ω) = 2|^ ft( ) | 2=3/4×| ft( )

- ft(π- ) |2 + 1/4×| fs( ) + fs(π- ) |2 (5). Əlavə olaraq potensialın spindən asılı olmadığını

qəbul etsək, onda

fs( )= ft( )= f( ), (6). Yekun olaraq aşağıdakı nəticəni alırıq:

σ (Ω) = | f( ) |2 + | f (π- ) |2 -1/2 [f ( ) f(π- ) + f ( ) f (π- ) ] (7)

Əgər kifayət qədər kiçik enerjilərdə nüvə qüvvələri

nəzərə alınmazsa və itələyici kulon potensialı kimi baxılarsa, o zaman səpilmə kəsiyi Mott düsturu ilə təyin olunur:

σ (Ω) = (e2/4E)×[ sin-4 /2+ cos4 /2 - sin2 /2 cos2

/2 cos(e2/ħv× ln (tg2 /2) ) ] (8) Klassik yaxınlaşma isə Mott düsturunun ilk iki

həddini verir: σ kl (Ω) = (e2/4E)×[ sin-4 /2+ cos4 /2 ] (9)

Üçüncü hədd səpilmə interfernsiyası amplitudunun

təmiz kvant effektidir. Qarşılıqlı təsirin digər xarakteristikası yüklü nch

zərrəciklər çoxluğunun verilmiş faza həcmində hadisələrin paylanmasıdır (şəkil1).

Paylanmadan görünür ki, pT > 100 MeV /s olduqda hadisələrdə yüklü zərrəciklər çoxluğu 200-ə çatır, , pT > 500 MeV /s olduqda isə 120 olur. 60 zərrəcik çoxluğundan başlayaraq eksperimental göstəricilər generatorun proqnozunu aşır. Eksperimental verilənlərə ən uyğun generator ATLAS -dır (şəkil 2). Yaranmış zərrəciklərin kinematik xassələrinin təsviri üçün başlıca dəyişənlər psevdotezlik və eninə PT impulsudur. Psevdotezliyin bucaqdan asılılığı şəkil3-də göstərilmişdir.

Psevdotezlik dəyişəni zərrəcik impulsunun uzununa toplananını xarakterizə edir, eninə impuls isə qarşılıqlı təsirin qeyri-elastiklik dərəcəsini xarakterizə edir ki, buna da ağır zərrəciklərin (W,Z-bozonların) parçalanmasından yaranan zərrəciklər malik olur. Böyük eninə impulsa malik zərrəciklər sərt qarşılıqlı təsir sinfinə aid olan hadisələrdə iştirak edirlər.

PROTONLARIN TOQQUŞMASININ NƏZƏRİ TƏDQİQİ

169

Şəkil 1. Yüklü zərrəciklər çoxluğunun verilmiş faza həcmində hadisələrin paylanması.

Şəkil 2. Atlas detektorunun sxemi.

Şəkil 3. Psevdotezliyin bucaqdan asılılıq qrafiki.





Щ Ч Ф Э Щ

. . , . .

И Ф а , а

.

лючевые слов : , , , ,

, , , ,

( ) [1].

, , . ,

,

. , , .

,

. И ,

, ,

. И

. ,

- [2-7]. В

, .

, z

22

222

121

22, z

mmzUUzU

(1)

m - , 11

2 -

z

, 0R , 0R - .

,

. , ,

(1)

10U 20U

:

2

2

0

2

1

10

RmU

2

22

220

LmU

,

R L2 -

Z . -

(1)

zHm

mH

2

11

2

22

1

2

2

2

2

(2)

.22 22

2

222zmzmH z

nmnE ,, -

znmn ,,,,

(1)

2

112 21,, nmnE nmn

(3)

,2

24exp

2!!2

!1,,

2

1

2

1

2

2

2

2

1

22

2

1

22

1

22

31

1

,,

imm

nn

m

nnmn

ea

La

z

a

z

aaamnn

n

az

(4)

Щ Ч Ф Э Щ

171

n - , n - ,

, ,...,2,1,0 m

, 21,aa -

, xLn

s ,

xH n - Э .

. ,

em ˂˂

hm , em

hm

, .

,

[7]

(5)

, - , A – ,

, , –

, , –

. -

.

[8]

t

t

a

t

at

n

a

n

i

t

ea

ezzzeze

n

a

zH

a

zH

e22

2

222

2

1222

2

0 1

2exp1

!2

- [8]

z

xyzIxyz

z

yxzzzyLxL

mn

nm

mnm

n

m

n

n p

p p

pp

p1

21

exp11

21

.

____________________________

[1] P. Harrison Quantum wells, wires and dots.

Theoretical and computational physics. John Wiley

& Sons ltd, NY, 2005

[2] F.M. Hashimzade, T.G. Ismailov, B.H. Mehdiyev

Influence of external transverse electric and

magnetic fields on the absorption of a parabolic

quantum wire// Physica E: Low-dimensional

Systems and Nanostructures 27 (1), 2005, pp.140-

150

[3] G.B. Ibragimov Free-carrier absorption in quantum

wires for boundary roughness scattering// J. Phys.

Conden. Mat., 2003, v.15, pp.1427-1435

[4] F. Yung, Q. Min Optical properties of

nanostructures// Pan Stanford, 2011, pp.312

[5] . . а , . . а , . . Ш

В

// , 2001, .43, 3, .511-519

[6] . . К ч , . . , а . . а

« D(-)

-

», , .40, .6, 2006, . 689 – 694

[7] Al.L. Efros, Al. Efros. Interband absorption of light

in a semiconductor sphere. Semiconductors

Volume 16, Issue 7, 772-775 (1982)

[8] . , . Э В . .1, .2.- .

1973





Щ Ь

. . , . .

И а , а

.

« ».

лючевые слов : , , , .

-

.

.

,

, , , , , .

.

В

, [1].

( ),

( . 1) , ,

-

[2,3].

.1.

( ) ( )

.

H , ,

, , H , , ,

H .

В

. В

,

« » [ 4] :

2/,, 2222

0

22

0 zyxmzyxV z

m – ; z –

; z -

2

zz Lm : 0 ,

,

. В

A ,

0,2,2

xy .

Д

HH

zH HHH ,

(1)

,82

11

2

22

2

2

2

2

,

mi

m

H

22

2

22

22z

m

zmzz

z,, p,(p,z- ; -

cmHec / ,

e - ; 22

04 H

.

(1) [5 ]

,1222

,, z

Bmn mn

m

(2)

,,,, ,,, zz mnmn

Щ Ь

173

,,mn

,z -

,H

zH

.

,exp24

exp2!

!

2

1,

2

1

2

2

1

22

2

1

22

1

1

,

ima

Laamn

n

a

m

n

m

mn

,112

1

2

1

z

iz

i L

ziD

L

ziDCz

(3)

mn ,...2,1,0 - , ; ,...,2,1,0 m -

;

4422

1 4/12/ Haaaa 0 ma

HH ma

; xLs

n -

; xDp [6]; - :

2141 2exp124exp2 zLC

. Д

, [7]

heheEEdrA

2

,

(4)

, - , A – ,

, , –

, , –

. -

.

-

[8]

z

xyzIxyz

z

yxzzzyLxL

mn

nm

mnm

n

m

n

n p

p p

pp

p1

21

exp11

21

В [6]

2exp2

2exp

2

0

2

3

dxx

xx

. « ».

_______________________________

[1] . ,. , . . В .

. — 2005. . 39. 2. . 247— 250.

[2] .И, а а . . . а ц .//

Э , 48(10), 546, (1988)

[3] а , . . , . . а

Э

./. // Э . - 2000. - . 117. -

.593-603.

[4] A.G. Scherbakov. E.N. Bogachek, U. Landman

Phys. Rev. В 53, 7, 4054 (1996).

[5] V.D. Krevchik, A.B. Grunin, A.K. Aringazin, M.B.

Semenov, E.N. Kalinin, V.G. Mayorov, A.A.

Marko, S.V. Yashin Magneto-optics of quantum

wires with _

D centers. / Hadronic Journal/-2003.

v.26.N 1. p.31-36

[6] И. . а ш , И. . ы , , .- .

, 1962

[7] Al.L. Efros, Al. Efros. Interband absorption of light

in a semiconductor sphere. Semiconductors

Volume 16, Issue 7, 772-775 (1982)

[8] . , . Э В . .1, .2.- .

1973

_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

ISSN 1028-8546

2018, volume XXIV, 3 Section: Az

MÜNDƏRİCAT

1. AIIIBVI

. . , . .

3

2. - - Pb1-xMnxTe

. . , . .

5

3. SnTe Sn1-xMnxTe

. . , . . , . . , . .

8

4. FeS–PbS–M2S3

(M = Ga, In)

M.M. , .H. , .A. , O. M. , K. . , . .

11

5.

. . , . .

14

6.

Bi0,5Sb1,5Te3

. . , . . , . . , . . , . .

17

7. Azərbaycanda yarımmkeçiricilər fizikası elmi istiqamətində tədqiqatların başlanması Cilovdarli (Abbasov) Abbas Əli Oğlu

20

8. - HgCdTe

. .

23

9.

. . , . . , . . , . . , . . , . . , . . , . . , . .

26

10. γ-

. . , . . , . .

29

11. , , TlTe

. . , . . , . . , . . , . . ,

. .

31

12. ZnSe monokristalının, yüksək hidrostatik təzyiq altında, müqavimətinin anizotropiyası Ş.H. Qasımov, İ. Qasımoğlu, H.M. Əsgərov

35

13. Bi2Te3

. . , . . , . .

37

14. Fe3O4

. . , . . , . .

39

15. p-n

. . , . .

42

16. -Cd Hg1- Te

N+

. . , . . , . . , . .

46

17. - Cd Hg1-xTe

. .

48

18.

. . , . . , . . , . . , . . ,

. .

50

19. e ( 3)3 OH

. . K , . . , . . , . .

54

20. - Tl(InS2)1-x(FeSe2)x

. . , . . , . . , . . , . . ,

. .

56

21. InSb c

. . , . . , . . , . . , . .

59

22. Müdrik alim, akademik H.M. Abdullayev

Ə.T. Bağırova

62

23. InAs1-xSbx

.A. A , . . , . , . . , . . A a,

. . , . . , .T. Ma , . .

64

24. Ni0.25-xCuxFe0.75Cr2S4 (0≤х≤0.2) . , . , . , . , .

67

25. Azərbaycan ərazisindəki neftlərin buraxma spektrlərinin araşdırılması A.Ə. Sadiqova, Ş.Ə. Əhmədova, F.R. Babayev, Q.S. Martınova, T.R. Mehdiyev

69

26. Bi2Se3<Se>

. . , . , . . , . . , K. .

73

27.

. . , . . , . .

75

28. Sb2Te3 Bi2Te3

. . , . . , . . , . . ,

. . , . .

77

29. ё TlIn1-xSnxS2,

. .

80

30. GdxSn1-xSe2 kristallarında elektrik müqavimətinin temperatur asılılığının anomal dəyişməsi M.S. Murquzova

84

31. , Bi2 e3

. . , . . , . . , . . , . . , . . , . . , . .

86

32. SmxSn1-xSe2 sistem kristallarının elektrik keçiriciliyinə γ-şüalarının təsiri V.Ə. Abdurahmanova, N.M. Abdullayev, Ş.S. İsmayılov

92

33. (Ni-Zn)

. . , . . , . .

95

34. Yarımkeçiricilərdə kritik nöqtələrin müxtəlif halları üçün kompleks dielektrik funksiyasının spektral asılılıqlarının müqayisəsi

M.H. Hüseynəliyev

101

35.

. . , . .

104

36. p+-n InSb,

. .

107

37. Ce2SnSe4 birləşməsinin elektrik və istilik keçiriciliyi V.Ə. Abdurahmanova, N.M. Abdullayev, H.M. Əskərov, Ş.S. Ismayılov

110

38.

. . , . . , . . , . . , . . я, . .

112

39. ,

. . я

114

40. AgGaS2-PbGa2S4 sisteminin tədqiqi S.K. Cahangirova, Ş.H. Məmmədov, Ö.M. Əliyev

118

41. FeS-FePbGa4S8-FeGa2S4 alt sisteminin tədqiqi Ü.A. Həsənova, Ş.H. Məmmədov, Ö.M. Əliyev

120

42.

As-Ge-Se

. . , . . , . . , . . , . . , . .

122

43. Hipotetik heksaqonal kristallik quruluşlu InTe kristalının təzyiq altında dayanıqlığı B.H. Mehdiyev

125

44. γ- Cd1-xMn(Fe)xTe

. . , . . , . . , . . , . .

128

45. Cd1-xMnxSe -

. . , . . , . . , . . , . . , . . , . . , . .

130

46.

А2 B6

. .

133

47. CdGa2S4

. . , . .

136

48. Ag8Ge1-xMnxTe6 məhlulların alınması və fiziki-kimyəvi xassələri R.N. Rəhimov, A.S. Qəhrəmanova, A.Ə. Xəlilova

138

49. -

. . , . . я , . . , . . , . . , . . , . . , . .

141

50. Ifratkeçirici FeSe-də fluktuasiya keçiriciliyi S.S. Rəhimov, Ş.C. Qurbanov, S.M. Bağırova

144

51. (AgSbSe2)0.95(PbTe)0.05-in termoelektrik xassələri S.S. Rəhimov, A.A. Səddinova

146

52. Se Te

. .

148

53. GaSexTe1-x

. . , . . , . . , . . , . .

150

54. АIII- V

. . , . . , . . я , . .

155

55. - ,

. . , . . я , . . , . .

157

56. u2ZnSnSe4,

. . , . . , . . , . . ,

. .

159

57. Nanozərrəciklərin alinmasinda elektroliz prosesinin modelləşdirilməsi A.N. Nəcəfova, Ş.Z. Əliyeva, S.G. Əliyeva, B.A. Ağarzayeva, S.G. Rzayev, N.F. Bağırova, S.P. Çələbi, F.B. Nəsibov

162

58. Avtomobil sensorlarının hermetikləşməsi zamanı yarımkeçirici inteqral strukturların inteqral sxemlərinə və elektron komponentlərə mexaniki təsir kəmiyyətlərinin ekspress analizinin işlənilməsi M.H. İmranov, E.L. Yuryeva, S.K. Ağayeva, S.N. Fişenko, Z.E. Məşədibəyova,

R.T. Quliyeva

163

59. Cigss əsasli konsentratorlu günəş çeviriciləri N.N. Abdulzadə, V.M. Andreev, D.A. Əhmədova, N.N, Mursakulov, Ç.Ə. Səbzəliyeva, M. Yakuşev

165

60. Protonların toqquşmasının nəzəri tədqiqi M.X. Axundova, S.G. Rzayeva, F.E. Məmmədli, A.F. Məmmədova, R.T. Quliyeva

168

61.

. . , . .

170

62.

. . , . .

172

www.physics.gov.az

www.physics.gov.az

k e h bЫ f h g h k ? e ? g b e m i j h < h > g b d h b … · 2018-09-14 · ajp fİzİka...

Documents