用途示例：焊接机,�UPS,�功率调节器,�空调,�各种开关电源的PFC电路,�变频器等

封装：TO-247,�TO-247-4

高速分立器件IGBT

系列High speed W

近年来,�全球对于能源的需求不断扩大,�在此背景下,�市场对于产业与通信装置的节能要求也在日益提高。此外,�基于装置本身小型化以及紧凑化的要求,�装载在其中的电源也呈现了小型化趋势。为了应对此类需求,�我们开发了高速分立器件IGBT“High�speed�W系列”的产品。

・具有高速开关的特性�(关断损耗降低约40%)※1�

・产品系列包括增加了子发射端子的4脚封装�(TO-247-4)

・保证���jmax=175℃T

MTET0-3080-CN

安全相关注意事项＊使用前请仔细阅读“使用说明书”和“规格书”或咨询本公司或您购买产品的店铺后适当使用。＊请委托拥有本领域专业技术的人员进行处理。

●富士电机(中国)有限公司

●富士電機(香港)有限公司

●台灣富士電機股份有限公司

Tel:�+86-21-5496-1177

Tel:�+852-2664-8699

Tel:�+886-2-2511-1850

上海市普陀区凯旋北路1188号环球港B座26楼

香港九龍尖沙咀海港城港威大廈第六座�19字樓1911-13室

10459�台北市中山區松江路168號10樓

URL�http:�//www.fujielectric.com/products/semiconductor/Gate�City�Ohsaki,�East�Tower,�1-11-2,�Osaki,�Shinagawa-ku,�Tokyo�141-0032,�Japan　Tel:+81-3-5435-7156�

产品系列表 型号说明

1.�具有高速开关的特性�(关断损耗降低约40%)※1

改善VCE(sat)-Eoff 的平衡

相较于High-Speed�V系列,�开关功耗降低了40～50%

※1��与旧型产品（High-Speed�V系列）比较

VCE(V)

产品型号

无内置二极管

650

1200

IC(A)

40

50

50

60

75

75

25

40

40

VCE(sat)(V)

1.8

1.8

1.8

1.8

1.8

1.8

2.0

2.0

2.0

Eon(ｍJ)

0.29

0.42

0.60

0.95

0.90

2.80

Eoff(ｍJ)

0.29

0.46

0.67

1.20

1.30

1.60

QG(nC)

180

215

250

300

300

80

120

2.�产品系列包括增加了子发射端子的4脚封装�(TO-247-4)

通过加装子发射端子,�降低门极与发射极之间环路的电感

相较于TO-247封装(3脚),�关断损耗降低17％,�开启损耗降低56%

120

TO-247

TO-247

TO-247-4

TO-247

TO-247

TO-247-4

TO-247

TO-247

TO-247-4

FGW40N65W

FGW50N65W

FGW60N65W

FGW75N65W

FGW25N120W

FGW40N120W

FG W 40 N 120 W D

FGW40N65WD

FGW50N65WD

FGZ50N65WD

FGW60N65WD

FGW25N120WD

FGW40N120WD

FGW40N65WE

FGW50N65WE

FGZ50N65WE

FGW60N65WE

FGW75N65WE

FGZ75N65WE

FGW25N120WE

FGW40N120WE

FGZ40N120WE分立器件IGBT

封装　W：TO-247　Z�：TO-247-4

系列　W　H　V　RB

：High�speed�W�系列：High�speed�V�系列：Standard�V�系列：RB-IGBT

内置二极管　C,�E　D　�　空白

：有 (IF=IC)：有 (IF=IC/2)：无

极性��N：N型

IC [A] @ 100°C

VCE: VCE × 0.1

0

0.25

0.5

0.75

1

1.25

1.5

1.75

0 10 20 30 40 50

Eof

f [m

J]

Eof

f [m

J]

IC [A]

降低约40%＠IC=25A

降低56%�＠IC=75A

条件：Eoff VCC=400V, IC=25A, VGE=+15/-0V, RG=10Ω, Tj=125°C

IC-Eoff 特性比较

0

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

1 1.2 1.4 1.6 1.8 2VCE(sat) [V]

降低17%�＠IC=75A

VCE(sat)-Eoff 特性比较

条件：Eoff VCC=400V, IC=25A, VGE=+15/-0V, RG=10Ω, Tj=125°C VCE(sat) IC=25A, VGE=15V, Tj=125°C

降低约40%＠IC=25A

High-Speed W系列

High-Speed V系列

High-Speed V系列

High-Speed W系列

关断损耗比较

器件：FGZ75N65WE, FGW75N65WE条件：VCC=400V, VGE=15V, RG=10Ω, Tj=125°C

开启损耗比较TO-247-4

Eof

f [m

J]

IC [A]

3pin3pin3pin

4pin4pin4pin

Eon

[mJ]

IC [A]

3pin3pin

4pin4pin

3pin

5.04.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.00 25 50 75 100

5.04.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.00 25 50 75 100

4pin

0.12 0.40 215

0.37 0.68

1.10 1.40

Controlloop

Powerloop

电路图

PWM

VG

VC

ERG

Gate

Sub-Emitter

Collector

Emitter

Emitter commonEmitter commoninductance inductance ≒ 0≒ 0

Emitter commoninductance ≒ 0

①Collector②Emitter③Sub-Emitter④Gate

①②③④

封装(IF=IC/2)

有内置二 管(IF=IC)

有内置二 管