セレクションガイド 2021.4

赤外線検出素子赤外域のさまざまな感度波長範囲に対応

InAsSb光起電力素子 (バンドパスフィルタ付き)P13243 -016CF

Type Ⅱ 超格子赤外線検出素子P15409 -901

InGaAs PINフォトダイオードG12183 -210KA-03

I n f r a r e d D e t e c t o r

赤外線検出素子赤外線検出素子は、計測・分析・工業・通信・農業・医学・理化学・天文学・宇宙などの分野に幅広く利用されています。浜松ホトニクスは、光技術に関する長年の経験をもとに、赤外域に合わせた幅広いラインアップを用意しています。なお、特注品にも対応しています。お気軽にご用命ください。

ContentsInGaAs PINフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 5・短波長高感度タイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 5・標準タイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 5・長波長タイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 7・InGaAs APD ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 9・プリアンプ付赤外検出モジュール ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 9・InGaAs PINフォトダイオードアレイ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 10InGaAsイメージセンサ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥11・分光分析用InGaAsリニアイメージセンサ ‥‥‥‥‥‥‥‥11・高速タイプInGaAsリニアイメージセンサ ‥‥‥‥‥‥‥‥12・InGaAsエリアイメージセンサ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥13InAs光起電力素子 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14・InAs光起電力素子 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14・プリアンプ付赤外検出モジュール ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14InSb光起電力素子, InSb光導電素子 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 15・InSb光起電力素子 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥15・InSb光導電素子 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥15・プリアンプ付赤外検出モジュール ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 16InAsSb光起電力素子 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥17・標準タイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥17・バンドパスフィルタ付き ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥18・アレイ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥18・プリアンプ付赤外検出モジュール ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥19Type Ⅱ 超格子赤外線検出素子 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 20・Type Ⅱ 超格子赤外線検出素子 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 20・プリアンプ付赤外検出モジュール ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 20サーモパイル（熱型検出素子） ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 21・シングル素子 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 21・デュアル素子 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 21複合素子 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 22・プリアンプ付き赤外線検出器モジュール ‥‥‥‥‥‥‥‥ 24フォトンドラッグ検出素子‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 25・常温型 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 25赤外線検出素子用アクセサリ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 26・温度コントローラ C1103シリーズ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 27・メタルデュワ型バルブオペレータ A3515 ‥‥‥‥‥‥‥‥ 27・放熱器 (電子冷却型検出素子TO-8／TO-3パッケージ用) A3179シリーズ ‥ 28・チョッパ C4696 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 29・赤外線検出素子用アンプ C4159シリーズ, C5185-02 ‥ 30用語の説明 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 32

詳細な製品仕様については、当社ウェブで公開しているデータシートをご覧ください。ウェブアドレス www.hamamatsu.com

0 1 2 3

1.7

InGaAs PINフォトダイオード

InGaAsリニアイメージセンサ

InGaAsエリアイメージセンサ

・標準タイプ・高速、高感度、低暗電流・各種受光面サイズ・アレイ・パッケージを用意

5, 6, 10

5

7

7

8

15

22, 23

25

17

・水分吸収波長帯 (1.9 µm)の光計測用・電子冷却型も用意

・NIR分光器用・電子冷却型も用意

0 5 10 15 20 25

・大気の窓の範囲 (3～5 µm)で高感度を実現した高速センサ

・広い感度波長範囲・感度波長範囲の異なる2つの受光素子を同一光軸で上下に配置したセンサ

21・赤外線の入射エネルギー量に比例した熱起電力が得られるセンサ

1

15・電子冷却型のため、高感度で長時間にわたり6.5 µm付近まで検出可能1 6.7

0.9

11, 12

13

0.9 1.9

0.9

2.6

5.5

251

0.32

10

2.550.9

2.1

0.9 2.55

2.550.5

14・感度波長範囲はPbSに相当。PbSより高速応答を実現1 3.8

感度波長範囲 (µm)製品名 特徴 掲載ページ

製品名感度波長範囲 (µm)

特徴 掲載ページ

InAs光起電力素子

9・高感度、低暗電流0.9 1.7InGaAs APD

・カットオフ波長が5 µm帯・8 µm帯・10 µm帯の赤外線検出素子・高速応答、高信頼性

1 11InAsSb光起電力素子

InSb光起電力素子

InSb光導電素子

サーモパイル

20・InAsとGaSbの超格子構造により、14.5 µm付近まで検出が可能14.51Type Ⅱ 超格子赤外線検出素子

Si + InAsSb

Si + InGaAs

標準タイプInGaAs + 長波長タイプInGaAs

フォトンドラッグ検出素子

・1.7 µm付近の光計測用・電子冷却型も用意

・短波長高感度タイプ・0.5 µmから検出が可能

0.9

0.5 1.7

・10 µm帯に感度をもつ高速検出器 (CO2レーザ光検出用)・常温動作で高速応答

5.3

2.60.32

・タイミング発生回路内蔵・ゲイン切り替え可能・各種受光面サイズ、検出波長、画素数、電子冷却型、パッケージを用意・裏面入射型も用意・タイミング発生回路内蔵・電子冷却型・少画素(64×64)～多画素(VGA)フォーマットのラインアップ

複合素子

赤外線検出素子

浜松ホトニクスの赤外線検出素子

赤外線検出素子の使用にあたり、特に下記の項目について考慮して選択してください。

・分光感度特性上記のグラフに見られるように、さまざまな分光感度特性の検出素子を用意しています。素子を冷却することによって、InGaAs・InAs・InSb・InAsSbは短波長側に分光感度特性がシフトします。

・応答速度さまざまな応答速度の検出素子を用意しています。

・受光面サイズ、素子数受光面サイズの小さいものから大きいものまで、各種タイプを用意しています。また、高速マルチチャンネル分光測光用などに適した多素子型も用意しています。

・冷却方法使いやすい常温型のほか、冷却剤が不要な電子冷却型、低ノイズを実現したデュワ型 (液体窒素により冷却)を用意しています。

・対象物の温度対象物の温度から検出素子を選択する場合、物体から放射されるエネルギー分布 (エネルギーの波長依存性)を考慮する必要があります。物体の温度が変わると、その放射エネルギー分布は、黒体放射の法則 (プランクの放射則)にしたがって変化します(右図参照)。最大感度波長 λp (μm)と物体の温度 T (K)の間には以下の関係が成り立ちます。λp・T=2897.9

波長 (µm)

D* (cm · Hz1/2/W)

106

107

108

109

1010

1011

1012

1013

1014

1 2 30 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

光起電力素子光導電素子Si熱型検出素子

InSb (-60 ˚C)

InAsSb (-30 ˚C)InAsSb (25 ˚C) 10 µm帯用InAsSb (-30 ˚C)

サーモパイル

短波長高感度タイプInGaAs (25 ˚C)

Si (25 ˚C)

長波長タイプInGaAs (-196 ˚C)

InAs (-196 ˚C)

InSb (-196 ˚C)長波長タイプInGaAs (25 ˚C)

InAsSb (-196 ˚C)14 µm帯用Type II (-196 ˚C)

8 µm帯用InAsSb (-30 ˚C)

KIRDB0259JQ

浜松ホトニクスの赤外線検出素子の分光感度特性 (代表例)

放射強度 N. (W cm-2 sr-1µm

-1)

10-80.1 1

800

15002000

300040005000

T(K)=6000

200

273

400

600

1000

10-710-610-510-410-310-210-1100101102103104

10 100

波長 (µm)KIRDB0014JB

黒体放射の法則 (プランクの放射則)

(Typ. Ta=25 °C)

型名 冷却 受光面サイズ

(mm)

感度波長範囲λ(µm)

最大感度波長λp(µm)

遮断周波数fc

VR=1 V(MHz)

パッケージ 写真 オプション(別売)

G10899-003K

非冷却

ϕ0.3

0.5 ～ 1.7 1.55

300

TO-18C4159-03 (P.30)

G10899-005K ϕ0.5 150

G10899-01K ϕ1 45

G10899-02K ϕ2 10TO-5

G10899-03K ϕ3 5

さまざまな受光面サイズを用意しています。(指定のない場合はTyp. Ta=25 °C)

型名 冷却 受光面サイズ(mm)

感度波長範囲λ(µm)

最大感度波長λp(µm)

遮断周波数fc

(MHz)パッケージ 写真 オプション(別売)

G12180-003A

非冷却

ϕ0.3

0.9 ～ 1.7

1.55

600(VR=5 V)

TO-18

C4159-03 (P.30)

G12180-005A ϕ0.5 200(VR=5 V)

G12180-010A ϕ1 60(VR=5 V)

G12180-020A ϕ2 13(VR=1 V) TO-5G12180-030A ϕ3 7(VR=1 V)

G12180-050A ϕ5 3(VR=1 V) TO-8

G8370-81*1 ϕ1

0.9 ～ 1.7

35(VR=1 V) TO-18

G8370-82*1 ϕ2 4(VR=1 V) TO-5G8370-83*1 ϕ3 2(VR=1 V)

G8370-85*1 ϕ5 0.6(VR=1 V) TO-8

G12180-110A

1段電子冷却(Tchip=-10 °C)

ϕ1

0.9 ～ 1.67

40(VR=1 V)

TO-8

C4159-03 (P.30)A3179 (P.28)

C1103-04 (P.27)

G12180-120A ϕ2 13(VR=1 V)

G12180-130A ϕ3 7(VR=1 V)

G12180-150A ϕ5 3(VR=1 V)

G12180-210A

2段電子冷却(Tchip=-20 °C)

ϕ1

0.9 ～ 1.65

40(VR=1 V) C4159-03

(P.30)A3179-01 (P.28)

C1103-04 (P.27)

G12180-220A ϕ2 13(VR=1 V)

G12180-230A ϕ3 7(VR=1 V)

G12180-250A ϕ5 3(VR=1 V)

G6854-01 非冷却 ϕ0.08 0.9 ～ 1.7 2000(VR=5 V)CDレンズ付TO-18

*1: 低PDLタイプ5

短波長高感度タイプ

標準タイプ

InGaAs PINフォトダイオード

メタルパッケージ

InGaAs PINフォトダイオード

(Typ. Ta=25 °C)

型名 受光面サイズ

(mm)

感度波長範囲λ(µm)

最大感度波長λp(µm)

遮断周波数fc

VR=5 V(MHz)

パッケージ 写真

G15553-003C ϕ0.3

0.9 ～ 1.7

1.55

600

セラミック(未封止) G15553-005C ϕ0.5 200

G15553-010C ϕ1 60

G11193-02R ϕ0.2

0.9 ～ 1.7

1000

セラミックG11193-03R ϕ0.3 500

G11193-10R ϕ1 60

G13176-003P ϕ0.3

0.9 ～ 1.7

600プラスチックCOB

G13176-010P ϕ1 60

G14448-003L ϕ0.3 0.9 ～ 1.7 600レンズ付プラスチックCOB

(Typ. Ta=25 °C)

型名 受光面サイズ

(mm)

感度波長範囲λ(µm)

最大感度波長λp(µm)

受光感度S

λ=λp(A/W)

遮断周波数fc

VR=0 V(MHz)

写真

G8370-10 ϕ10 0.9 ～ 1.7 1.55 1.0 0.1

表面実装型

6

セラミックパッケージ

波長 (µm)

(Typ. Ta=25 ˚C)

受光感度 (A/W)

1.00.6 0.80.40.190

0.2

0.4

1.2

1.0

0.8

0.6

1.2 1.4 1.6 1.8

G10899シリーズ

Siフォトダイオード S1337-BR

SiフォトダイオードS1337-BQ

G6854-01G15553シリーズ

G8370-81/-82/-83/-85

波長 (µm)

受光感度 (A/W)

0

(Typ.)1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9

Tchip=25 ˚CTchip=-10 ˚CTchip=-20 ˚C

G12180シリーズ:

G12180シリーズ

G8370-10

波長 (µm)

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 ˚C, VR=0 V)

0.8 1.0 1.4 1.6 1.8

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

1.2

1.2

G11193シリーズ

G13176シリーズ

G14448-003L

KIRDB0646JBKIRDB0644JAKIRDB0444JF

分光感度特性［ G10899シリーズなど ］ ［ G12180シリーズ, G8370-10 ］ ［ G11193/G13176シリーズ /G14448-003L ］

(指定のない場合はTyp. Ta=25 °C)

型名 冷却 受光面サイズ

(mm)

感度波長範囲λ(µm)

最大感度波長λp(µm)

遮断周波数fc

VR=0 V(MHz)

パッケージ 写真 オプション(別売)

G12181-003K

非冷却

ϕ0.3

0.9 ～ 1.9

1.75

90

TO-18C4159-03 (P.30)

G12181-005K ϕ0.5 35

G12181-010K ϕ1 10

G12181-020K ϕ2 2.5TO-5

G12181-030K ϕ3 1.5

G12181-103K

1段電子冷却(Tchip=-10 °C)

ϕ0.3

0.9 ～ 1.87

140

TO-8

C4159-03 (P.30)A3179 (P.28)

C1103-04 (P.27)

G12181-105K ϕ0.5 50

G12181-110K ϕ1 16

G12181-120K ϕ2 3.5

G12181-130K ϕ3 1.8

G12181-203K

2段電子冷却(Tchip=-20 °C)

ϕ0.3

0.9 ～ 1.85

150

TO-8

C4159-03 (P.30)

A3179-01 (P.28)

C1103-04 (P.27)

G12181-205K ϕ0.5 53

G12181-210K ϕ1 17

G12181-220K ϕ2 3.7

G12181-230K ϕ3 1.9

1.7 μm付近の光計測に適しています。

1.9 μm帯の水分吸収の波長帯の光計測に適しています。(指定のない場合はTyp. Ta=25 °C)

型名 冷却 受光面サイズ

(mm)

感度波長範囲λ(µm)

最大感度波長λp(µm)

遮断周波数fc

VR=0 V(MHz)

パッケージ 写真 オプション(別売)

G12182-003K

非冷却

ϕ0.3

0.9 ～ 2.1

1.95

90

TO-18C4159-03 (P.30)

G12182-005K ϕ0.5 35

G12182-010K ϕ1 10

G12182-020K ϕ2 2.5TO-5

G12182-030K ϕ3 1.5

G12182-103K

1段電子冷却(Tchip=-10 °C)

ϕ0.3

0.9 ～ 2.07

140

TO-8

C4159-03 (P.30)A3179 (P.28)

C1103-04 (P.27)

G12182-105K ϕ0.5 50

G12182-110K ϕ1 16

G12182-120K ϕ2 3.5

G12182-130K ϕ3 1.8

G12182-203K

2段電子冷却(Tchip=-20 °C)

ϕ0.3

0.9 ～ 2.05

150

TO-8

C4159-03 (P.30)

A3179-01 (P.28)

C1103-04 (P.27)

G12182-205K ϕ0.5 53

G12182-210K ϕ1 17

G12182-220K ϕ2 3.7

G12182-230K ϕ3 1.9

7

長波長タイプ

最大感度波長: 1.75 μm

最大感度波長: 1.95 μm

InGaAs PINフォトダイオード

NIR (近赤外線)分光器用に適しています。(指定のない場合はTyp. Ta=25 °C)

型名 冷却 受光面サイズ

(mm)

感度波長範囲λ(µm)

最大感度波長λp(µm)

遮断周波数fc

VR=0 V(MHz)

パッケージ 写真 オプション(別売)

G12183-003K

非冷却

ϕ0.3

0.9 ～ 2.6

2.3

50

TO-18C4159-03 (P.30)

G12183-005K ϕ0.5 20

G12183-010K ϕ1 6

G12183-020K ϕ2 1.5TO-5

G12183-030K ϕ3 0.8

G12183-103K

1段電子冷却(Tchip=-10 °C)

ϕ0.3

0.9 ～ 2.57

70

TO-8

C4159-03 (P.30)A3179 (P.28)

C1103-04 (P.27)

G12183-105K ϕ0.5 25

G12183-110K ϕ1 7

G12183-120K ϕ2 2

G12183-130K ϕ3 0.9

G12183-203K

2段電子冷却(Tchip=-20 °C)

ϕ0.3

0.9 ～ 2.55

75

TO-8 C4159-03 (P.30)A3179-01 (P.28)

C1103-04 (P.27)

G12183-205K ϕ0.5 28

G12183-210K ϕ1 8

G12183-220K ϕ2 2.3

G12183-230K ϕ3 1

G12183-210KA-03 ϕ1 4 TO-66

最大感度波長: 2.3 μm

8

波長 (µm)

(Typ. VR=0 V)

受光感度 (A/W)

1.41.21.00.80

0.2

0.4

1.2

1.0

0.8

0.6

1.6 1.8 2.0

Tchip=25 ˚CTchip=-10 ˚CTchip=-20 ˚C

波長 (µm)

(Typ. VR=0 V)

受光感度 (A/W)

1.41.21.00.80

0.2

0.4

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

1.6 1.8 2.22.0

Tchip=25 ˚CTchip=-10 ˚CTchip=-20 ˚C

波長 (µm)

受光感度 (A/W)

1.41.21.00.80

0.2

0.4

1.2

1.0

0.8

0.6

1.6 1.8 2.0 2.4 2.62.2

1.4(Typ. VR=0 V)

Tchip=25 ̊CTchip=-10 ̊CTchip=-20 ̊C

*G12183-210KA-03を除く

G12183-210KA-03

G12183シリーズ*

KIRDB0487JDKIRDB0483JD

KIRDB0491JE

分光感度特性［ G12181シリーズ ］ ［ G12182シリーズ ］ ［ G12183シリーズ ］

直流電源を接続するだけで赤外線を検出できるアンプ一体型のモジュールです。

距離計測・微弱光検出などに用いられます。

(Typ.)

型名 検出素子 冷却(測定条件)受光面サイズ

(mm)

カットオフ波長λc(µm)

最大感度波長λp(µm)

受光感度S

λ=λp(V/W)

写真

C10439-10 G10899-01K 非冷却(Ta=25 °C)

ϕ11.70 1.55 1 × 106

C10439-11 G10899-03K ϕ3

C12483-250 G12180-250A電子冷却

(Tchip=-15 °C)

ϕ5 1.66 1.55 5 × 107

C12485-210 G12182-210Kϕ1

2.05 1.95 1.8 × 108

C12486-210 G12183-210K 2.56 2.30 2 × 108

G7754-01 G12183-010(チップ) 液体窒素(Tchip=-196 °C)

ϕ12.4 2.0

2 × 109

G7754-03 G12183-030(チップ) ϕ3 5 × 108

注) 電源ケーブルが付属されています。

(Typ.)

型名 受光面サイズ

(mm)

感度波長範囲

(µm)

降伏電圧max.

ID=100 µA(V)

降伏電圧の温度係数(V/°C)

遮断周波数RL=50 Ω(MHz)

端子間容量

(pF)

増倍率λ=1.55 µm 写真

G14858-0020AA ϕ0.2 0.95～1.7 80 0.1 900 2.0 30

InGaAs APD

9

プリアンプ付赤外検出モジュール

分光感度特性

波長 (µm)

0.5 1

(Typ. Ta=25 ˚C)

1010

1012

1013

1011

21.5 2.5 3

C12483-250

C12486-210

C12485-210

G7754-01/-03

D* (cm ∙ Hz1/2/W)

λ

KIRDB0369JH

［ C12483-250, C12485-210, C12486-210, G7754-01/-03 ］

KAPDB0417JA

［ G14858-0020AA ］

波長 (µm)

受光感度 (A/W)

0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8

(Typ. Ta=25 °C, M=1)0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

KACCB0348JA

［ C10439-10/-11 ］

波長 (nm)

Highレンジ受光感度 (mV/nW)

Lowレンジ受光感度 (mV/nW)

400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800

(Typ. Ta=25 °C)1.2

0

0.012

1.0 0.010

0.8 0.008

0.6 0.006

0.4 0.004

0.2 0.002

0.000

InGaAs PINフォトダイオード

4分割型と16素子、32素子、40素子、46素子アレイを用意しています。(Typ. Ta=25 °C)

型名 受光面サイズ(mm)

感度波長範囲λ(µm)

最大感度波長λp(µm)

パッケージ 写真

G6849-01 ϕ1 (4分割)

0.9 ～ 1.7 1.55

TO-5

G6849 ϕ2 (4分割)

G7151-16 0.08 × 0.2 (16素子)

セラミック

G12430-016D 0.45 × 1.0 (16素子)

G12430-032D 0.2 × 1.0 (32素子)

G12430-046D 0.2 × 1.0 (46素子)

G8909-01 ϕ0.08 (40素子) セラミック(未封止)

InGaAs PINフォトダイオードアレイ

10

1.0

0.8

0.6

0.4

0

0.2

0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8

(Typ. Ta=25 °C)

波長 (µm)

受光感度 (A/W)

KIRDB0002JC

分光感度特性

［ InGaAsフォトダイオードアレイ ］

表面入射型

分光分析用InGaAsリニアイメージセンサ

型名 冷却 画素高さ(µm)

画素ピッチ(µm)

画素数 ラインレート(ライン/s)

感度波長範囲λ(µm)

不良画素の割合 写真 専用駆動回路*

1

G9203-256DA

非冷却 500

50 256 1910

0.9 ～ 1.7 0

G9204-512DA 25 512 960*2

G11608-256DA 50 256 17200

0.5 ～ 1.7 1% max.

G11608-512DA 25 512 9150*2

G11508-256SA 1段電子冷却(Tchip=-10 °C) 500

50 256 172000.9 ～ 1.67 0

C16091-08*3

G11508-512SA 25 512 9150*2 C16091-09*3

G11475-256WB

2段電子冷却(Tchip=-20 °C)

250

50 256 17200

0.9 ～ 1.85

5% max.

C16091-01*3

G11476-256WB 0.9 ～ 2.05 C16091-03*3

G11477-256WB 0.9 ～ 2.15 C16091-04*3

G11478-256WB 0.9 ～ 2.55 C16091-06*3

G11475-512WB

25 512 9150*2

0.9 ～ 1.85

4% max.

C16091-02*3

G11477-512WB 0.9 ～ 2.15 C16091-05*3

G11478-512WB 0.9 ～ 2.55 C16091-07*3

G14237-512WA 500 0.85 ～ 1.4 1% max. C16091-10*3

型名 冷却 画素高さ(µm)

画素ピッチ(µm)

画素数 ラインレート(ライン/s)

感度波長範囲λ(µm)

不良画素の割合 写真 専用駆動回路*

1

G11620-128DA

非冷却

500

50

128 30800

0.95 ～ 1.7

1% max.

C11513

G11620-256DA 256 17200

G11620-256DF

25

256 17200

G11620-512DA 512 9150

G13913-128FB250

50 128 13600

G13913-256FG 25 256 7290

G11620-256SA 1段電子冷却(Tchip=-10 °C) 500

50 256 172000.95 ～ 1.67

C16091-11*3

G11620-512SA 25 512 9150 C16091-12*3

G12230-512WB 2段電子冷却(Tchip=-20 °C) 250 25 512 9150 0.95 ～ 2.15 2% max. C16091-13*3

*1: 別売*2: 2本のビデオラインで読み出した場合、256画素と同じラインレートになります。*3: センサ付き

裏面入射型

11

InGaAsイメージセンサ

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.00

0.5

1.0

1.5

波長 (µm)

受光感度 (A/W)

(Typ.)

Tchip=25 °CTchip=-10 °CTchip=-20 °C

G11477シリーズ

G11478シリーズ

G11476シリーズ

G13913シリーズG11620シリーズ

G14237-512WA

G11608シリーズ

G11508シリーズ

G11475シリーズ

受光感度 (A/W)

波長 (µm)

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0

0.2

0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 2.01.8

(Ta=25 °C)

G11135/G14714シリーズ

G14006-512DEG10768シリーズ

G9494シリーズ

KMIRB0068JG KMIRB0112JC

分光感度特性

［ 分光分析用InGaAsリニアイメージセンサ ］ ［ 高速タイプInGaAsリニアイメージセンサ ］

InGaAsイメージセンサ

多チャンネル高速ラインレートを必要とする異物選別や医療診断装置用に設計された1024画素、高速リニアイメージセンサです。

型名 冷却 画素高さ(µm)

画素ピッチ(µm)

画素数 ラインレート(ライン/s)

感度波長範囲λ(µm)

不良画素の割合 写真 専用駆動回路*

4

G10768-1024D非冷却

10025 1024 39000 0.9 ～ 1.7 1% max. C10854

G10768-1024DB 25

産業計測装置に適した高速リニアイメージセンサです。

高速タイプInGaAsリニアイメージセンサ

型名 冷却 画素高さ(µm)

画素ピッチ(µm)

画素数 ラインレート(ライン/s)

感度波長範囲λ(µm)

不良画素の割合 写真 専用駆動回路*

4

G9494-256D非冷却

50 50 256 71000.9 ～ 1.7 1% max. C10820

G9494-512D 25 25 512 3720*5

表面入射型

裏面入射型InGaAsフォトダイオードとCMOS-ROICをバンプ接続しており、1つの出力端子となっています。

型名 冷却 画素高さ(µm)

画素ピッチ(µm)

画素数 ラインレート(ライン/s)

感度波長範囲λ(µm)

不良画素の割合 写真 専用駆動回路*

4

G11135-256DD

非冷却

50 50 256 140000.95 ～ 1.7

1% max. C11514G11135-512DE 25 25 512 8150

G14006-512DE 25 25 512 8150 1.12 ～ 1.9

*4: 別売*5: 2本のビデオラインで読み出した場合、256画素と同じラインレートになります。

裏面入射型

高速ラインレートの裏面入射型InGaAsリニアイメージセンサで、複数の出力端子となっています。

型名 冷却 画素高さ(µm)

画素ピッチ(µm)

画素数 ラインレート(ライン/s)

感度波長範囲λ(µm)

不良画素の割合 写真 専用駆動回路

G14714-512DE非冷却

25 25 512 400000.95 ～ 1.7 1% max.

G14714-1024DK 12.5 12.5 1024 40000

12

分光感度特性

KMIRB0051JC

受光感度 (A/W)

波長 (µm)

1.0

0.8

0.6

0.4

0

0.2

0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8

(Typ. Ta=25 °C)

［ G11097-0606S, Ｇ12242-0707W, G13393シリーズ, G14671-0808W ］

KMIRB0078JC

受光感度 (A/W)

波長 (µm)

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0

0.2

0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 2.01.8

(Typ. Ta=25 °C)

G14672-0808W

G12460-0606SG13544-01

［ G12460-0606S, G13544-01, G14672-0808W ］

受光感度 (A/W)

波長 (µm)

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0

0.2

1.1 1.3 1.5 1.7 1.9 2.32.11.2 1.4 1.6 1.8 2.22.0

(Typ. Tchip=-20 °C)

KMIRB0099JB

［ G13441-01, G14673-0808W ］

KMIRB0114JA

受光感度 (A/W)

波長 (µm)

1.3 1.5 1.7 1.9 2.1 2.3 2.5 2.7

(Typ. Tchip=-20 °C)1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

［ G14674-0808W ］

裏面入射型InGaAsフォトダイオードとCMOS読み出し回路 (ROIC: Readout Integrated Circuit)を内蔵したハイブリッド構造のイメージセンサです。

型名 冷却 画素サイズ(µm)

画素ピッチ(µm)

画素数 フレームレート*1

(フレーム/s)

感度波長範囲λ(µm)

不良画素の割合 写真 専用駆動回路*

2

G11097-0606S 1段電子冷却(Tchip=25 °C)50 × 50 50 64 × 64 1025

0.95 ～ 1.71% max. C11512

G12460-0606S 1段電子冷却(Tchip=0 °C) 1.12 ～ 1.9

G12242-0707W

2段電子冷却(Tchip=15 °C) 20 × 20 20

128 × 128 258

0.95 ～ 1.7

1% max. C11512-02

G13393-0808W 320× 256 2280.37% max.

G13393-0909W 640 × 512 62

G13544-01 2段電子冷却(Tchip=-10 °C)50 × 50 50 192 × 96 867

1.12～1.91% max.

G13441-01 2段電子冷却(Tchip=-20 °C) 1.3～2.15

G14671-0808W 2段電子冷却(Tchip=15 °C)

20 × 20 20 320 × 256 509

0.95～1.7 0.37% max. C16090-01*3

G14672-0808W

2段電子冷却(Tchip=-20 °C)

1.12～1.85

1% max.

C16090-02*3

G14673-0808W 1.3～2.15 C16090-03*3

G14674-0808W 1.7～2.55 C16090-04*3

*1: 蓄積時間 1 µs (min.)*2: 別売*3: センサ付き

InGaAsエリアイメージセンサ

13

InAs光起電力素子は、3.5 μm付近まで検出が可能な低ノイズ・高速応答の赤外線検出素子です。(Typ.)

型名 冷却 受光面サイズ(mm)

カットオフ波長λc(µm)

最大感度波長λp(µm)

パッケージ 写真 オプション(別売)

P10090-01 非冷却

ϕ1

3.65 3.35 TO-5 C4159-07 (P.30)

P10090-11 1段電子冷却(Tchip=-10 °C) 3.55 3.30

TO-8

A3179-01 (P.28)C1103-04 (P.27)C4159-06 (P.30)

P10090-21 2段電子冷却(Tchip=-30 °C) 3.45 3.25A3179-01 (P.28)C1103-04 (P.27)C4159-06 (P.30)

P7163 液体窒素(Tchip=-196 °C) 3.10 3.00 メタルデュワ C4159-05 (P.30)

InAs光起電力素子

(Typ.)

型名 検出素子 受光面サイズ(mm)

冷却測定条件 カットオフ波長

λc(µm)

最大感度波長λp(µm)

写真チップ温度(°C)

C12492-210 InAs(P10090-21) ϕ1 電子冷却 -28 3.45 3.25

注) 電源ケーブルが付属されています。

直流電源を接続するだけで赤外線を検出できるアンプ一体型のモジュールです。

プリアンプ付赤外検出モジュール

波長 (µm)

D* (λ, 1200, 1) (cm · Hz1/2/W)

(Typ.)

1

108

1011

109

1012

1010

2 3 4107

C12492-210(Tchip=-28 °C)

KIRDB0688JA

［ C12492-210 ］［ InAs光起電力素子 ］

波長 (µm)

(Typ.)

108

107

1010

1012

1011

1

109

4

D* (λ, 1200, 1) (cm · Hz1/2/W)

2 3

P10090-21 (Tchip=-30 ˚C)

P7163(Tchip=-196 ˚C)

P10090-01(Tchip=25 ˚C)

P10090-11(Tchip=-10 ˚C)

KIRDB0356JE

分光感度特性

14

InAs光起電力素子

5 μm帯において最も高感度・高速応答の検出ができます。液体窒素で冷却するメタルデュワ型を用意しています。 (Typ.)

型名 冷却 受光面サイズ(mm)

カットオフ波長λc(µm)

最大感度波長λp(µm)

パッケージ 写真 専用アンプ(別売)

P5968-060

液体窒素(Tchip=-196 °C)

ϕ0.6

5.5 5.3 メタルデュワ

C4159-01 (P.30)P5968-100 ϕ1

P5968-200 ϕ2 C4159-04 (P.30)

P5968-300 ϕ3 特注品

P4247-16 0.25 × 1.4(1 × 16素子) C4159-01 (P.30)P4247-44 0.45 × 0.45(4 × 4素子)

6 μm付近まで、高感度で高速の検出が可能な電子冷却型の光導電素子です。(Typ.)

型名 冷却 受光面サイズ(mm)

カットオフ波長λc(µm)

最大感度波長λp(µm)

パッケージ 写真 オプション(別売)

P6606-110 1段電子冷却(Tchip=-10 °C) 1 × 16.7

5.5

TO-8A3179-01 (P.28)Ｃ1103-07 (P.27)Ｃ5185-02 (P.31)P6606-210 2段電子冷却(Tchip=-30 °C) 6.5

P6606-3053段電子冷却(Tchip=-60 °C)

0.5 × 0.5

6.3 TO-3A3179-04 (P.28)C1103-05 (P.27)Ｃ5185-02 (P.31)

P6606-310 1 × 1

P6606-320 2 × 2

分光感度特性

波長 (µm)

(Typ. Tchip=-196 ˚C)

1011

1012

11010

62 3 4 5

D* (λp, 1200, 1) (cm ∙ Hz1/2/W)

KIRDB0063JF

［ InSb光起電力素子 ］

波長 (µm)

(Typ.)

21107

108

109

1011

1010

3 4 5 6 7

D* (λp, 1200, 1) (cm ∙ Hz1/2/W)

P6606-310(Tchip=-60 ˚C)

P6606-210(Tchip=-30 ˚C)

P6606-110(Tchip=-10 ˚C)

KIRDB0166JD

［ InSb光導電素子 ］

15

InSb光起電力素子, InSb光導電素子

InSb光起電力素子

InSb光導電素子

InSb光起電力素子, InSb光導電素子

直流電源を接続するだけで赤外線を検出できるアンプ一体型のモジュールです。(Typ.)

型名 検出素子 受光面サイズ(mm)

冷却測定条件 カットオフ波長

λc(µm)

最大感度波長λp(µm)

写真チップ温度(°C)

P4631-03 InSb(P6606-310) 1 × 1 電子冷却 -58 6.1 5.5

P7751-01* InSb(P5968-060) ϕ0.6 液体窒素 -196 5.5 5.3P7751-02* InSb(P5968-200) ϕ2

* FOV=60°注) 電源ケーブルが付属されています。

プリアンプ付赤外検出モジュール

分光感度特性

波長 (µm)

D* (λ, 1200, 1) (cm · Hz1/2/W)

(Typ.)

1 6

108

107

1011

109

1012

1010

2 3 4 5 7

P7751-01/-02(Tchip=-196 °C)

P4631-03(Tchip=-58 °C)

KIRDB0689JA

16

当社独自の結晶技術により、カットオフ波長 5 μm帯・8 μm帯・10 μm帯を実現しています。表面実装対応の小型パッケージ P13243-013CAを用意しています。

(Typ.)

型名 冷却 受光面サイズ(mm)

カットオフ波長λc(µm)

最大感度波長λp(µm)

パッケージ 写真 オプション(別売)

P11120-201 2段電子冷却(Tchip=-30 °C) ϕ1 5.9 4.9 TO-8A3179-01 (P.28)C1103-04 (P.27)C4159-07 (P.30)

P13243-013CA

非冷却 0.7 × 0.7 5.3 3.5

セラミック

C4159-01 (P.30)

P13243-011MA TO-46

P13243-122MS 1段電子冷却(Tchip=-10 °C)2 × 2

5.2

4.1 TO-8

A3179 (P.28)C1103-04 (P.27)C4159-01 (P.30)

P13243-222MS 2段電子冷却(Tchip=-30 °C) 5.1A3179-01 (P.28)C1103-04 (P.27)C4159-01 (P.30)

P12691-201G 2段電子冷却(Tchip=-30 °C) ϕ1 8.3 6.7 TO-8A3179-01 (P.28)C1103-04 (P.27)C4159-07 (P.30)

P13894-011CN

非冷却

1 × 1

11.0

5.6

セラミック

C4159-01 (P.30)P13894-011NA

TO-5

P13894-011MA

P13894-211MA 2段電子冷却(Tchip=-30 °C) 10.2 TO-8A3179-01 (P.28)C1103-04 (P.27)C4159-01 (P.30)

標準タイプ

D* (λ, 1200, 1)(cm · Hz1/2/W)

波長 (µm)

1 2 43 5 6 7107

108

1010

109

(Typ.)

P13243-011MA/-013CA(Tchip=25 ˚C)

P11120-201(Tchip=-30 ˚C)

P13243-222MS(Tchip=-30 ˚C)

P13243-122MS(Tchip=-10 ˚C)

KIRDB0430JJ

［ P11120-201, P13243シリーズ ］

KIRDB0592JB

3 64 5 8 97 10

(Typ. Tchip=-30 °C)

波長 (µm)

D* (λ, 1200, 1)(cm · Hz1/2/W)

1010

109

108

107

［ P12691-201G ］

2 43

(Typ.)

5 6 7 8 9 10 11 12106

107

108

109

D* (λ, 1200, 1)(cm · Hz1/2/W)

波長 (µm)

P13894-211MA(Tchip=-30 °C)

P13894-011MA(Tchip=25 °C)

P13894-011CN/-011NA(Tchip=25 °C)

KIRDB0626JC

［ P13894シリーズ ］

分光感度特性

17

InAsSb光起電力素子

InAsSb光起電力素子

分光感度特性

2.5 3.0 4.03.5 5.04.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0

波長 (µm)

(Typ. Ta=25 °C)

受光感度 (mA/W)

P13243-043MF/-043CF

P13243-045MF/-045CF

P13243-039MF/-039CF

P13243-033MF/-033CF

KIRDB0676JB

［ P13243シリーズ ］

1 2 43 75 6

1010

109

108

107

106

波長 (µm)

(Typ. Ta=25 °C)

D* (λ, 1200, 1) (cm · Hz1/2/W)

KIRDB0687JA

［ P15742シリーズ ］

窓材にバンドパスフィルタ (中心波長 3.3 μm・3.9 μm・4.26 μm・4.45 μm)を採用したInAsSb光起電力素子です。ガス (CH4、CO2)計測に適しています。

(Typ.)

型名 冷却受光面サイズ(mm)

窓材*1 パッケージ 写真 専用アンプ(別売)

P13243-033CF

非冷却

0.7 × 0.7

BPF (3.3 µm)セラミック

C4159-01 (P.30)

P13243-033MF TO-46

P13243-039CFBPF (3.9 µm)

セラミック

P13243-039MF TO-46

P13243-043CFBPF (4.26 µm)

セラミック

P13243-043MF TO-46

P13243-045CFBPF (4.45 µm)

セラミック

P13243-045MF TO-46

P13243-015CF

0.7 × 0.7(2素子)

BPF (3.3 µm)

セラミックBPF (3.9 µm)

P13243-016CFBPF (3.9 µm)

BPF (4.26 µm)

*1: BPF: バンドパスフィルタ

バンドパスフィルタ付き

DIP型セラミックパッケージのInAsSb PDアレイです。同時計測、広範囲の計測が可能です。(Typ.)

型名 冷却 受光面サイズ(mm)

カットオフ波長λc(µm)

最大感度波長λp(µm)

パッケージ 写真 専用アンプ(別売)

P15742-016DS非冷却

0.45 × 0.7(16素子)

5.3 3.5 セラミック P15742-046DS 0.2 × 0.7(46素子)

アレイ

18

直流電源を接続するだけで赤外線を検出できるアンプ一体型のモジュールです。(Typ.)

型名 検出素子 受光面サイズ(mm)

冷却測定条件 カットオフ波長

λc(µm)

最大感度波長λp(µm)

写真チップ温度(°C)

C10439-14 InAsSb(P13243-011MA) 0.7 × 0.7

非冷却 +25

5.3 4.1

C12494-011LH InAsSb(P13894-011NA) 1 × 1 11 5.6

C12494-210S InAsSb(P11120-201) ϕ1電子冷却

-285.9 4.9

C12494-210M InAsSb(P12691-201G) 8.3 6.7

C12494-211L InAsSb(P13894-211MA) 1 × 1 -28 10.6 5.6

注) 電源ケーブルが付属されています。

プリアンプ付赤外検出モジュール

分光感度特性

波長 (µm)

Highレンジ受光感度 (mV/nW)

Lowレンジ受光感度 (mV/nW)

2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0

(Typ. Ta=25 °C)0.1

0.001

0.01

0.01 0.001

0.0001

KACCB0419JB

［ C10439-14 ］

波長 (µm)

D* (λ, 1200, 1) (cm · Hz1/2/W)(Typ.)

1 6

108

105

106

107

109

1010

2 3 4 5 7 8 1211109

C12494-011LH(Tchip=+25 °C)

C12494-210S(Tchip=-28 °C)

C12494-210M(Tchip=-28 °C)

C12494-211L(Tchip=-28 °C)

KIRDB0690JB

［ C12494-011LH/-210S/-210M/-211L ］

19

(Typ.)

型名 冷却 受光面サイズ(mm)

カットオフ波長*1λc(µm)

最大感度波長λp(µm)

パッケージ 写真 専用アンプ(別売)

P15409-901 液体窒素(Tchip=-196 °C) ϕ0.1 14.5 5.4 メタルデュワ C4159-01 (P.30)

*1: 信号/雑音=1となる波長

P15409-901は、当社独自の結晶成長技術とプロセス技術により、14 μm帯まで感度を広げたType Ⅱ 超格子赤外線検出素子です。本製品は環境に配慮した赤外線検出素子で、RoHS指令制限物質の水銀・カドミウムを使用していません。これらの物質を含んだ従来品に代わる製品です。

波長 (µm)

(Typ. Tchip=-196 °C)

D* (cm・Hz1/2/W)

1 113 5 7 9 10 14 1512 132 4 6 8

1010

109

1011

108

KIRDB0673JB

分光感度特性

Type Ⅱ 超格子赤外線検出素子

直流電源を接続するだけで赤外線を検出できるアンプ一体型のモジュールです。(Typ.)

型名 検出素子 受光面サイズ(mm)

冷却測定条件 カットオフ波長

λc(µm)

最大感度波長λp(µm)

写真チップ温度(°C)

C15780-401 Type Ⅱ 超格子(P15409-901) ϕ0.1 液体窒素 -196 14.5 5.4

プリアンプ付赤外検出モジュール

20

Type Ⅱ 超格子赤外線検出素子

(Typ.)

型名 パッケージ 素子数 受光面サイズ(mm) 窓材感度波長範囲(µm) 写真

T11262-01

TO-18 1 1.2 × 1.2

ARコート付Si 3 ～ 5T11361-01*1

T15770バンドパスフィルタ付

4.45

T11361-05*1 4.3

*1: サーミスタ内蔵

ガス濃度計測などに適した高感度Siサーモパイルです。サーモパイルにバンドパスフィルタを付けることによって、さまざまなガスの濃度を計測することができます。T15570は炎検出、T11361-05はCO2濃度計測に適しています。

(Typ.)

型名 パッケージ 素子数 受光面サイズ(mm) 窓材感度波長範囲(µm) 写真

T11722-11

TO-5 2 1.2 × 1.2(1素子当たり) バンドパスフィルタ付

参照光: 3.9CO2: 4.3

T11722-12 参照光: 3.9CH4: 3.3

二酸化炭素（CO2）とメタン（CH4）の濃度を高精度で計測するために開発したデュアルタイプのサーモパイルです。2波長を同時検出できるように、2つの高感度Siサーモパイルチップと2つのバンドパスフィルタから構成されています。

サーモパイルは波長依存性がないため、分光感度特性は窓材の透過特性で決まります。以下に代表的な窓材の分光透過特性を示します。サーモパイルの下記窓材への付け替えについては当社営業へお問い合わせください。

KIRDB0671JC

分光感度特性 (代表例)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

2 3 4 5 6 7 108 9

波長 (µm)

透過率 (%)

4.45 µmバンドパスT15770 (炎)

3.3 µmバンドパスT11722-12 (CH4)

3.9 µmバンドパスT11722-11/-12 (参照光)

4.26 µmバンドパスT11361-05T11722-11 (CO2)

ARコート付SiT11262-01T11361-01

Si

21

サーモパイル（熱型検出素子）

シングル素子

デュアル素子

感度波長範囲の異なる２つの受光素子を同一光軸で上下に配置したセンサです。広い感度波長範囲を実現しています。電子冷却型は、素子を冷却して温度を一定に保つことによって、S/Nが向上し高精度の測定が可能になります。

(Typ.)

型名 冷却 検出素子 受光面サイズ(mm)

感度波長範囲λ(µm)

最大感度波長λp(µm)

受光感度S

(A/W)パッケージ 写真 専用アクセサリ(別売)

K1713-003

非冷却

Si 2.4 × 2.40.32 ～ 5.3

0.94 0.45

TO-5

C9329C4159-01(P.30)InAsSb 0.7 × 0.7 4.0 0.0039

K1713-05Si 2.4 × 2.4

0.32 ～ 1.70.94 0.45

C9329C4159-03(P.30)

InGaAs ϕ0.5 1.55 0.55

K1713-08Si 2.4 × 2.4

0.32 ～ 2.60.94 0.45

InGaAs ϕ1 2.3 0.60

K1713-09Si 2.4 × 2.4

0.32 ～ 1.70.94 0.45

InGaAs ϕ1 1.55 0.55

K11908-010KInGaAs 2.4 × 2.4

0.9 ～ 2.551.55 0.95 C4159-03

(P.30)InGaAs ϕ1 2.1 1.0

K3413-05

1段電子冷却(Tchip=-10 °C)

Si 2.4 × 2.40.32 ～ 1.67

0.94 0.45

TO-8

C9329C4159-03(P.30)

A3179-03(P.28)

C1103-04(P.27)

InGaAs ϕ0.5 1.55 0.55

K3413-08Si 2.4 × 2.4

0.32 ～ 2.570.94 0.45

InGaAs ϕ1 2.3 0.60

K3413-09Si 2.4 × 2.4

0.32 ～ 1.670.94 0.45

InGaAs ϕ1 1.55 0.55

K12728-010K

非冷却

Si 2.4 × 2.40.32 ～ 1.7

0.96 0.45

セラミックInGaAs ϕ1 1.55 0.55

K12729-010KInGaAs 2.4 × 2.4

0.9 ～ 2.551.55 0.95

InGaAs ϕ1 2.1 1.0

波長 (µm)

(Typ. Ta=25 °C)

0.3

0.2

0.1

0.7

0.6

0.5

0.4

0.20

1.20.4 0.6 0.8 1.0

受光感度 (A/W)

波長 (µm)

1106

62 3 4 5

107

109

108

D* (cm ∙ Hz1/2/W)

(Typ. Ta=25 °C)

KIRDB0623JBKIRDB0199JB

分光感度特性

［ K1713-003 ］

Siフォトダイオード InAsSb光起電力素子

22

複合素子

波長 (µm)

受光感度 (A/W)

2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6

0.6

0.8

1.0

0.4

0.2

0

(Typ. Ta=25 °C)

1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0

1.2

0.9

InGaAs (λc=1.7 µm)

InGaAs (λc=2.55 µm)

波長 (µm)

受光感度 (A/W)

0.3

0.5

0.4

0.6

0.2

0.1

0

(Typ. Ta=25 °C)0.7

1.4 1.6 1.80.40.2 0.6 0.8 1.0 1.2

InGaAs

Si

KIRDB0479JC KIRDB0598JC

［ K11908-010K, K12729-010K ］ ［ K12728-010K ］

波長 (µm)

(Typ. Ta=25 °C)

0.3

0.2

0.1

0.7

0.6

0.5

0.4

0.20

1.20.4 0.6 0.8 1.0

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 ˚C)

波長 (µm)

0.80

2.82.0 2.2 2.4 2.61.0 1.2 1.4 1.6 1.8

0.2

0.1

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

受光感度 (A/W)

K1713-08

K1713-05/-09

KIRDB0211JBKIRDB0199JB

［ K1713-05/-08/-09 ］

Siフォトダイオード InGaAs PINフォトダイオード

KIRDB0212JBKIRDB0199JB

波長 (µm)

0.80

2.82.0 2.2 2.4 2.61.0 1.2 1.4 1.6 1.8

0.2

0.1

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

受光感度 (A/W)

(Typ. Tchip=-10 ˚C)

K3413-08

K3413-05/-09

波長 (µm)

(Typ. Ta=25 °C)

0.3

0.2

0.1

0.7

0.6

0.5

0.4

0.20

1.20.4 0.6 0.8 1.0

受光感度 (A/W)

［ K3413-05/-08/-09 ］

Siフォトダイオード InGaAs PINフォトダイオード

23

複合素子

複合素子を用いたアンプ一体型のモジュールです。直流電源を接続するだけで広い波長域の検出が可能です。(Typ.)

型名 検出素子 冷却(測定条件)受光面サイズ

(mm)

感度波長範囲λ

(µm)

最大感度波長λp(µm)

受光感度S*1

λ=λp(V/W)

写真

C10439-15 K1713-08(Si + InGaAs)非冷却

(Ta=25 °C)Si: 2.4 × 2.4InGaAs: ϕ1 0.32 ～ 2.6

Si: 0.94InGaAs: 2.3

Si: 4.5 × 105InGaAs: 6.5 × 105

*1: Highレンジ

プリアンプ付き赤外線検出器モジュール

波長 (µm)

Highレンジ受光感度 (V/mW)

Lowレンジ受光感度 (V/mW)

0.2 0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6

700

0

600

500

400

300

200

100

70

60

50

40

30

20

10

0

(Typ. Ta=25 °C)

Si

InGaAs

KACCB0535JA

分光感度特性

24

入射フォトンの進む方向に正孔がひきずられて起電力が発生する“フォトンドラッグ効果”を応用した検出器です。10.6 μmに感度をもっているため、CO2レーザの検出に適しています。なお、入射面には反射防止膜が施されています。C12496-046は、直流電源を接続するだけで赤外線を検出できるアンプ一体型のモジュールです。

(Typ.)

型名 冷却 受光面サイズ

(mm)

最大感度波長λp(µm)

受光感度S

λ=10.6 µm(V/W)

写真専用

マグネットスタンド(別売)

B749

非冷却

ϕ5.0

10.6

1.2 × 10-6 A1447

C12496-046 ϕ4.6 1.3 × 10-2

外形寸法図 (単位: mm, 指示なき公差: ±1)

79.5 ± 2

20

BNCコネクタ1/4-20UNC

30

16.0 ± 0.5

受光部

KIRDA0016JE

［ B749 ］

1/4-20UNC

100

20

49.5

160 min. 230 max.

5.5

KIRDA0017EA

［ マグネットスタンド A1447 ］

KIRDA0231JB

20 ± 0.2

20 ± 0.27

107.5

(4 ×) M3 深さ 2

32

24 ± 0.2

3.1 ± 0.5受光面

ネジ穴 (5 ×) M3 深さ 5 4ピンコネクタ (電源入力)

BCNコネクタ (信号出力)

18.2

15

15 25 60

36.513.2 ± 0.5

33.5

受光窓 4.6 ± 0.2

指示なき公差: ±1

付属ケーブルリード色ピンNo. ピン接続Vcc=+15 V 白GND 青・白より線GND

Vcc=-15 V 青プラグ (接続側より見た図)

［ C12496-046 ］

25

フォトンドラッグ検出素子

常温型

当社は以下の赤外線検出素子用アクセサリを用意しています。· 温度コントローラ (P.27)· 電子冷却型用放熱器 (P.28)· チョッパ (P.29)· 赤外線検出器用アンプ (P.30)

接続例を以下に示します。

ケーブル番号 ケーブル およその長さ 備考

① 同軸ケーブル (信号用) 2 m放熱器 A3179シリーズに付属しています。ケーブルはできるだけ短くして使用してください。(10 cm程度が望ましい)

② 4芯ケーブル (コネクタ付)A4372-05 3 m温度コントローラ C1103シリーズに付属しています。別売もしています。

③ 4芯ケーブル (コネクタ付)A4372-02 2 m

赤外線検出素子用アンプ C4159シリーズ、C5185-02、プリアンプ付赤外検出モジュール (常温型)に付属しています。別売もしています。6芯ケーブル (コネクタ付き)A4372-03[プリアンプ付赤外検出モジュール (電子冷却型)に付属]の別売もしています。

④ BNCコネクタケーブル E2573 1 m 別売品

⑤ 電源ケーブル(温度コントローラ用) 1.9 m 温度コントローラ C1103シリーズに付属しています。

⑥ チョッパ駆動ケーブル(チョッパに接続されている) 2 m チョッパ駆動回路に接続してください。

⑦ 2芯ケーブルまたは同軸ケーブル (チョッパの電源用) 2 m以下 ユーザーにて用意してください。

*1: バラ線を3～4ピンコネクタまたはバナナプラグに付けて電源に接続してください。*2: はんだ付けが必要です。アンプ C5185-02を使用する場合、BNCコネクタが必要です。(ユーザーにて用意してください。例: E2573の一端)*3: 専用ソケットはありません。はんだ付けが必要です。注) ケーブルについての詳細はデータシートを参照してください。

赤外線検出素子用アクセサリ

*3

*2

*1

チョッパ駆動回路(C4696の付属品)

放熱器 A3179シリーズ

赤外線検出素子用アンプC4159シリーズ, C5185-02

温度コントローラC1103シリーズ

電源 (±15 V)

電源(100 V, 115 V, 230 V)

˚C

電源 (+12 V)

チョッパC4696

電子冷却型検出素子 *3

POWEROUT

GND+12 VPOWER

CHOPPERTRIG

測定機器

KACCC0321JD

赤外線検出素子用アクセサリの接続例

26

C1103シリーズは、電子冷却型赤外線検出素子用の温度コントローラです。検出素子内部の電子冷却素子の温度設定をすることが可能です。

項目 C1103-04 C1103-05 C1103-07

対応製品*11段／2段電子冷却型

InAsSb, InAs光起電力素子InGaAs, Siフォトダイオード

2段／3段電子冷却型InSb光導電素子

1段電子冷却型InSb光導電素子

設定素子温度 -30 ～ +20 °C -75 ～ -25 °C -30 ～ +20 °C

温度安定度 ±0.1 °C以内

制御出力電流 1.1 A min, 1.2 A typ., 1.3 A max.

電源 100 V ± 10%・50/60 Hz*2

消費電力 30 W

外形寸法 107 (W) × 84 (H) × 190 (D) mm

質量 約1.9 kg

動作温度 +10 ～ +40 °C

動作湿度 90%以下*3

保存温度 -20 ～ +40 °C

付属品 取扱説明書4芯ケーブル (コネクタ付, 3 m) A4372-05*4、電源ケーブル*1: 電子冷却型プリアンプ付赤外検出モジュールには対応していません。本製品は、複数の電子冷却素子の温度設定をすることはできません。*2: 外部電源入力は出荷時に100 V、115 V、あるいは230 Vに変更することができます。*3: 結露なきこと高湿環境においては、製品とその周囲で温度差があると製品表面が結露しやすく、特性や信頼性に影響が及ぶことがあります。

*4: 放熱器 A3179シリーズと組み合わせて使う場合には、A3179シリーズ付属の4芯ケーブルは使わないでA4372-05を使ってください。

電子冷却型検出素子 サーミスタ

電子冷却素子

比較回路

C1103シリーズ

増幅回路 電流回路

電源

AC入力

KIRDC0008JB

ブロック図

リーク台グランドナット

O-リング80.0 ± 1 (閉)

115.0 ± 1 (開)

ノブ

ポンプチューブ 9.5 ± 0.5

KIRDA0021JC

外形寸法図 (単位: mm)

仕 様

27

温度コントローラ C1103シリーズ

バルブオペレータを用いてメタルデュワの再排気を行うことができます。詳細は取扱説明書をご覧ください。なお、バルブオペレータによって再排気を行った後の素子の性能については保証の対象外となりますので、ご承知願います。

真空排気系 バルブオペレータ メタルデュワ型検出器

メタルデュワ型バルブオペレータ A3515

赤外線検出素子用アクセサリ

*5: 温度コントローラ C1103シリーズと組み合わせて使う場合には、A3179シリーズ付属の4芯ケーブルは使わないで4芯ケーブル A4372-05 (別売、コネクタ付)を使ってください。

*6: 検出素子接続用のソケットは付属していません。はんだ付けにて検出素子を接続します。検出素子のピンとはんだ付け部を絶縁用ビニールチューブで覆ってください。

6ピンTO-8パッケージおよびTO-3パッケージの電子冷却型検出素子用に設計された放熱器です。A3179・A3179-03は周囲温度 25 °Cに対しては約35 °C、A3179-01は約40 °C、A3179-04は約85 °Cの冷却が可能です。A3179-03は複合素子 K3413シリーズ専用、A3179は一段電子冷却型TO-8用、A3179-01は２段電子冷却型TO-8用、A3179-04はTO-3用です。

32

60˚

(4 ×) 3.5検出素子メタルパッケージ

3

26.0 ± 0.2

3

0.4 ± 0.3*2*1

質量: 約50 g

32

32.6

46 40

受光面*3

*1: 検出素子メタルパッケージの底面 (基準面)*2: 素子を組み込んだときの寸法*3: 使用する素子ごとに受光面の位置が異なります。 詳細は使用する素子の外形寸法図を参照してください。

26.0 ± 0.2

A3179-01: B=6A3179-03: B=6.4質量: 約53 g

32

60˚

40

32

46

B3

26.6

(4 ×) 3.5検出素子メタルパッケージ

受光面*30.4 ± 0.3*2*1

*1: 検出素子メタルパッケージの底面 (基準面)*2: 素子を組み込んだときの寸法*3: 使用する素子ごとに受光面の位置が異なります。 詳細は使用する素子の外形寸法図を参照してください。

56 ± 0.5

68 ± 0.5

80 ± 0.5

56 ± 0.5

40

45 ± 0.5

受光面

3

38

(4 ×) 3.5固定板

19.7 +1-0

質量: 約320 g

KIRDA0018JD

KIRDA0019JE

KIRDA0149JC

外形寸法図 (単位: mm, 指示なき公差: ±0.3)

［ A3179 ］

［ A3179-01, A3179-03 ］

［ A3179-04 ］

取扱説明書 4芯ケーブル (2 m): 冷却素子・サーミスタ用*5 *6 同軸ケーブル (2 m): 信号用*6付属品

28

放熱器 (電子冷却型検出素子TO-8／TO-3パッケージ用) A3179シリーズ

項目 仕様

チョッピング周波数*1 *2 115～380 Hz, 345 Hz typ.

動作電圧 VD DC 5～13 V, 12 V typ.

デューティ比 1:1

回転安定度 0.06%/°C

同期信号 VH(ハイレベル)

Min. VD - 0.5 V

Max. VD - 0.2 V

動作温度 0 ～ 50 °C

最大消費電流*2 90 mA

付属品 マグネットスタンド A1447 (P.25参照)、駆動回路

*1: オプションの円盤を使用した場合、230～760 Hzになります。*2: VD=12 V

1813.5 38.5

BNC

A1447(マグネットスタンド)

23.0 45.0

19202.3～272.3 (可変)

出射窓 8.0

入射窓 4.0

12.5

17.5

30

+12 V

ON-OFF

GND

6ピンレセプタクルコード長 2 m(駆動回路部を接続)

12.5

2537

60

6ピンコネクタ

TRIG

COUNTER

85

88

〈チョッパ本体〉

〈駆動回路部〉

KIRDA0022JA

外形寸法図 (単位: mm, 指示なき公差: ±1)

動作電圧 (V)

2 4 6 8 10 1412

100

0

(Typ.)800

700

600

500

400

300

200チョッピング周波数 (Hz)

オプションの円盤使用時

C4696

KIRDB0376JA

チョッピング周波数－動作電圧

仕 様

29

チョッパ C4696

赤外線検出素子用アクセサリ

30

必要な電源の仕様・C4159シリーズ, C5185-02: ±15 V ± 0.5・電流容量: アンプの最大消費電流の1.5倍以上・リップルノイズ: 5 mVp-p以下・ アナログ電源のみ推奨直流電源 (例): PW18-3AD [TEXIO]

E3630A [キーサイト・テクノロジー]

InSb, InAs, InAsSb, InGaAsの各検出素子用の低ノイズアンプです。

取扱説明書 電源ケーブル A4372-02 (アンプ接続用4ピンコネクタ付、片側: バラ線、2 m)付属品

赤外線検出素子用アンプ C4159シリーズ, C5185-02

絶対最大定格 (Ta=25 °C)

項目 定格値 単位

電源電圧 ±18.0 max. V

動作温度*6 0 ～ +40 °C

保存温度*6 -20 ～ +70 °C*6: 結露なきこと。高湿環境においては、製品とその周囲で温度差があると製品表面が結露しやすく、特性や信頼性に影響が及ぶことがあります。注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。

光起電力素子用アンプ (Typ.)

項目 C4159-01 C4159-04 C4159-05 C4159-06 C4159-07 単位

変換インピーダンス 108, 107, 106

(3レンジ切替)2 × 107, 2 × 106, 2 × 105(3レンジ切替)

108, 107, 106(3レンジ切替)

106, 105, 104(3レンジ切替)

106, 105, 104(3レンジ切替) V/A

周波数特性 (アンプのみ, -3 dB) DC～100 kHz*7 DC～45 kHz DC～15 kHz DC～100 kHz DC～100 kHz -

出力インピーダンス 50 50 50 50 50 Ω

最大出力電圧 (1 kΩ負荷) +10 +10 +10 +10 +10 V

出力オフセット電圧 ±5 ±5 ±10 ±5 ±5 mV

等価入力雑音電流*8 (f=1 kHz) 0.15 (108, 107レンジ)

0.65 (106レンジ) 0.550.15 (108, 107レンジ)0.65 (106レンジ) 6 10 pA/Hz

1/2

逆電圧 0 Vで使用, 外部から印加不可 -

外部電源*9 ±15 V

消費電流 +30, -10 max. +30, -22 max. mA*7: 素子接続時は60 kHz以下になります (ϕ0.6 mm: 60 kHz以下、ϕ1 mm: 25 kHz以下)。入射光の立ち上がり時間 tr (10～90%)が約100 µs以下になると出力にリンギングが発生します。リンギングはtrが小さくなると大きくなります。ただし正弦波光ではリンギングは発生しません。

*8: 入力抵抗: 1 MΩ (C4159-01/-04/-05), 500 Ω (C4159-06/-07)*9: 推奨直流電源 (アナログ電源): ±15 V、電流容量: 最大消費電流の1.5倍以上、リップル雑音: 5 mVp-p以下注) ・出力雑音電圧 = 等価入力雑音電流 × 変換インピーダンス・赤外線検出素子用アンプ以外のアクセサリについては、データシート「赤外線検出素子用アクセサリ」を参照してください。

適合検出素子分類 型名 適合検出素子*3 *4 *5

光起電力素子用アンプ

C4159-01デュワ型InSb (P5968-060/-100), 常温型InAsSb (P13243-015CF/-016CF/-011MA/-033CF/-033MF/-039CF/-039MF/-043CF/-043MF/-045CF/-045MF, P13894-011CN/-011MA/-011NA), 電子冷却型InAsSb (P13243-122MS/-222MS, P13894-211MA), デュワ型Type Ⅱ (P15409-901)

C4159-04 デュワ型InSb (P5968-200)

C4159-05 デュワ型InAs (P7163)

C4159-06 電子冷却型InAs (P10090-11/-21)

C4159-07 常温型InAs (P10090-01), 電子冷却型InAsSb (P11120-201, P12691-201G)

InGaAs PINフォトダイオード用アンプ C4159-03 常温／電子冷却型InGaAs (G12180/G12181/G12182/G12183シリーズ)

光導電素子用アンプ C5185-02 電子冷却型InSb (P6606-110/-210/-305/-310/-320)*3: 本製品は、複数の検出素子を駆動することはできません。*4: この項目に掲載された製品以外と組み合わせて使用することを希望する場合には、事前に当社へご連絡ください。*5: 多素子タイプと組み合わせて使用することを希望する場合には、事前に当社へご連絡ください。

KIRDA0046JC

12.5

25

152335

37

60 IN

POWER

OUT

HIGHMIDLOW

24.5

23 26.2

85

39.5

11.5

ゲインつまみ

BNC コネクタ

PREAMPLIFIER

4ピンコネクタ

オフセット電圧調節ネジ

注) リード取り付け用の専用ソケットは用意していません

ここにリードをはんだ付けする

ピン接続GNDカソードアノード

4ピンコネクタ

30

60 IN

POWER

OUT

HIGHMIDLOW

24.5

85

39.5

11.5

バイアスつまみ

BNC コネクタ

BNC

1818

30

21.2

PREAMPLIFIER

KIRDA0048JB

外形寸法図 (単位: mm, 指示なき公差: ±1)

［ C4159-01/-03/-04/-05/-06/-07 ］ ［ C5185-02 ］

31

光導電素子用アンプ (Typ.)*2

項目 C5185-02 単位

入力インピーダンス 5 kΩ

電圧ゲイン 66 (× 2000) dB

周波数特性 (アンプのみ, -3 dB) 5 Hz～250 kHz -

検出素子バイアス電流 5 mA, 10 mA, 15 mA (3レンジ切替) -

出力インピーダンス 50 Ω

最大出力電圧 (1 kΩ負荷) ±10 V

等価入力雑音電圧 (f=1 kHz) 2.6*3 nV/Hz1/2

外部電源*1 ±15 V

消費電流 +100, -30 max. mA*1: 推奨直流電源 (アナログ電源): ±15 V、電流容量: 最大消費電流の1.5倍以上、リップル雑音: 5 mVp-p以下*2: 検出素子のバイアス電流が、表中の検出素子バイアス電流の値と適合していることを事前に確認してください。*3: 検出素子バイアス電流 max.時注) 出力雑音電圧 = 等価入力雑音電圧 × 電圧ゲイン

InGaAs PINフォトダイオード用アンプ (Typ.)

項目 C4159-03 単位

変換インピーダンス 107, 106, 105 (3レンジ切替) V/A

周波数特性 (アンプのみ, -3 dB) DC～15 kHz -

出力インピーダンス 50 Ω

最大出力電圧 (1 kΩ負荷) +10 V

出力オフセット電圧 ±5 mV

等価入力雑音電流 (f=1 kHz) 2.5 pA/Hz1/2

逆電圧 外部から印加可能 -

外部電源*1 ±15 V

消費電流 ±15 max. mA

型名 質量C4159-01/-03/-04/-05 320 gC4159-06/-07 330 gC5185-02 290 g

用語の説明

暗抵抗: Rd光導電素子の暗中での素子抵抗。

暗電流: ID光起電力素子 (InGaAs, InAs, InSbなど)に逆電圧を印加すると、暗中でも微少な電流が流れます。これを暗電流と呼び、検出限界を決める要因となります。

FOV (Field of View)視野角。視野は背景放射によるノイズと関係があり、D*に大きな影響を及ぼします。

オフセット電圧入力がゼロのときのアンプ出力直流電圧。

受光感度: S入射光量 1 W時の出力、つまり光電感度を示す値。通常、光導電素子の場合の単位はV/W、光起電素子はA/Wです。

光起電力素子 (フォトダイオード)半導体のPN接合部に光を照射すると、電流や電圧を発生する受光素子。InGaAs、InAs、InAsSb、InSbなどがあります。

光導電素子光が入射すると導電率が大きくなる受光素子。

最大感度波長: λp受光感度が最大となる波長。

(最大)逆電圧: VR (max.), (最大)印加電圧光起電力素子に逆電圧、あるいは光導電素子に電圧を印加していくと、ある電圧でブレークダウンを起こし、素子の特性が著しく劣化します。そのため、この電圧値より少し低目のところに絶対最大定格を定めています。定格値以上の電圧は印加しないでください。

(最大)許容電流光導電素子の動作時に流すことができる電流の上限の値。電流を最大許容電流以上に流すと、素子の特性を劣化させるため、絶対に避けてください。

雑音等価電力: NEP (Noise Equivalent Power)雑音量に等しい入射光量、つまり信号対雑音比 (S/N)が1となる入射光量。当社は最大感度波長 (λp)などにおける値を規定しています。雑音量は、周波数帯域幅の平方根に比例するため、バンド幅を1 Hzで正規化します。

NEP at λp [W/Hz1/2] = 雑音電流 [A/Hz1/2]

受光感度 [A/W] at λp

遮断周波数: fc出力に変化のない周波数領域から3dB減衰する周波数。遮断周波数 (fc)と上昇時間 (tr)の関係は、おおよそ次の式で表されます。

tr [s] = 0.35fc [Hz]

上昇時間: tr上昇時間は、ステップ関数の光入力に対する立ち上がりの時間で規定し、出力が最高値 (定常値)の10%から90% (または0%から63%)になるまでの時間。光源には、検出素子に応じてGaAs LED (0.92 µm)やレーザダイオード (1.3 µm)などが使われます。

端子間容量: Ct光起電力素子は、PN接合により1つのコンデンサが形成されていると考えることができます。この容量を接合容量といい、応答速度を決める大切な値になります。オペアンプを用いたI-V変換回路では、ゲインピーキング現象の要因になる場合があります。当社では、接合容量にパッケージの浮遊容量を含めた端子間容量として規定しています。

短絡電流: Isc短絡電流は、負荷抵抗 0のときの出力電流を示し、おおむね素子の面積に比例します。分光感度に対して白色光感度と呼ばれ、光源に分布温度 (色温度) 2856 Kの標準タングステンランプ (照度100 lx)を使用します。

カットオフ波長: λc分光感度特性の長波長側の限界を示す値。データシートでは、最大感度の10％になる波長を記載しています。

チョッピング周波数赤外線検出素子の感度測定時、チョッパを使って入射光をオン/オフさせる方法があります。そのときのチョッパの周波数をチョッピング周波数といいます。

D* (ディ・スター: 比検出能力)1 Wの光入力があったときに、検出素子の交流的なS/Nがどれだけあるかを示すもので、検出素子面積によらずに検出素子の特性そのものを比べられるように検出素子面積 1 cm2、雑音帯域 1 Hzで規格化されています。D*の表示は一般にD* (A, B, C)のように表し、Aは光源の温度 [K]または波長 [µm]、Bはチョッピング周波数 [Hz]、Cは雑音帯域幅 [Hz] を意味します。単位はcm・Hz1/2/Wで、D*が高いほど、よい検出素子といえます。なおD*は以下の式から求められます。

D* = S/N・Δf1/2

P・A1/2

Sは信号、Nは雑音、Pは入射エネルギー [W/cm2]、Aは受光面積[cm2]、Δfは雑音帯域幅 [Hz]を表します。また、D*とNEPの間には以下の関係が成り立ちます。

D* = A1/2

NEP

ノイズ: N300 K背景放射の下における検出素子の出力電圧 (電流)。

並列抵抗: Rsh並列抵抗は、光起電力素子における0 V付近での電圧̶電流比で、当社カタログでは以下の式で規定しています。このときの暗電流は、逆電圧が10 mVのときの値です。

Rsh [Ω] = 10 [mV]ID [A]光起電力素子に逆電圧を印加しない用途では、並列抵抗で発生するノイズが支配的となります。

量子効率: QE光電流として取り出される電子あるいは正孔の数を入射フォトン (光子)数で割った値。通常、パーセントで表されます。量子効率 QEと受光感度 S [A/W]は、ある波長 λ [nm]において以下の関係にあります。

QE = S × 1240λ × 100 [%] 32

弊社の製品は、一般電子機器 (計測機器、事務機器、情報通信機器、家電機器など)に使用されることを意図しており、個別製品資料に記載されている場合を除き、極めて高い信頼性や安全性を要求する特殊用途 (原子力制御機器、航空宇宙機器、人命に直接影響を与える医療機器や輸送機器および防災・安全装置など)には使用しないでください。 絶対最大定格や使用上の注意などを遵守して製品を使用してください。 弊社は品質・信頼性の向上に努めていますが、製品の完全性を保証するものではありません。弊社の製品を用いて製造されたお客様の機器において万一製品が故障した場合にも、人身事故、火災事故、その他、社会的な損害などを生じさせないよう、十分な安全設計 (冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計など)を施してください。特に製品の誤動作や故障により人の生命・身体への危害または重大な財産的損害の発生の恐れのある機器で使用する場合には、発生し得る不具合を十分に考慮した安全設計を施さなければ危険です。このような機器での使用については、事前に仕様書などの書面による弊社の同意を得ていない場合は、弊社はその責を負いません。 最終需要者に対して、製品およびこれを使用した機器の機能・性能や取り扱いの説明、ならびに適切な警告・表示などを十分に実施してください。 製品の保証は、納入後1年以内に瑕疵が発見され、かつ弊社に通知された場合、製品の修理または代品の納入を限度とします。ただし、保証期間内であっても、天災および不適切な使用 (改造、弊社製品資料に記載された環境・適用分野・使用方法・保管・廃棄などに関する諸条件に反したことなど)に起因する損害については、弊社はその責を負いません。なお、納入仕様書などで製品ごとに保証期間を定めている場合は、その期間を保証期間とします。 弊社製品の輸出など (技術の提供を含む)を行う場合は、外国為替および外国貿易法などの輸出関連法規を遵守し、輸出許可証、役務取引許可証などが必要であれば確実に取得してください。なお、輸出関連法規に関する製品の該当／非該当については弊社営業にお問い合わせください。 弊社製品資料に記載された応用例は、製品の代表的な使用例を説明するためのものであり、特定の使用目的への適合性や商業的利用の成否を保証するものではありません。また、知的財産権の実施に対する保証または許諾を行うものでもありません。なお、その使用により第三者と知的財産権にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責を負いません。 製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。弊社製品資料は正確を期するため慎重に作成されたものですが、まれに誤記などによる誤りがある場合があります。製品を使用する際には、必ず納入仕様書をご用命の上、最新の仕様をご確認ください。 弊社製品資料の記載内容について、弊社の許諾なしに転載または複製することを禁じます。

浜松ホトニクス製品に関する注意事項とお願い

営業品目

● Siフォトダイオード● APD● MPPC®● フォトIC● イメージセンサ● PSD（位置検出素子）● 赤外線検出素子● LED● 光通信用デバイス● 車載用デバイス● X線フラットパネルセンサ● MEMSデバイス● ミニ分光器● 光半導体モジュール

光半導体製品

● 光電子増倍管● 光電子増倍管モジュール ● マイクロチャンネルプレート● イメージインテンシファイア● キセノンランプ・水銀キセノンランプ● 重水素ランプ● 光源応用製品 ● レーザ応用製品● マイクロフォーカスX線源● X線イメージングデバイス

電子管製品

● カメラ・画像計測装置● X線関連製品● ライフサイエンス分野製品● 医療分野製品● 半導体故障解析装置● FPD/LEDの特性評価装置● 分光計測・光計測装置

システム応用製品

● 半導体レーザ及び応用製品● 固体レーザ

レーザ製品

● MPPCは、浜松ホトニクス株式会社の登録商標です。● 本資料の記載内容は、令和3年4月現在のものです。● 製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。製品を使用する際には、納入仕様書をご用命の上、最新の内容をご確認ください。

Cat. No. KIRD0001J18 Apr. 2021 DN

仙 台 営 業 所筑 波 営 業 所東 京 営 業 所中 部 営 業 所大 阪 営 業 所西日本営業所

〒980-0021〒305-0817〒105-0001〒430-8587〒541-0052〒812-0013

仙台市青葉区中央3-2-1 (青葉通プラザ11階)茨城県つくば市研究学園5-12-10 (研究学園スクウェアビル7階)東京都港区虎ノ門3-8-21 (虎ノ門33森ビル5階)浜松市中区砂山町325-6 (日本生命浜松駅前ビル)大阪市中央区安土町2-3-13 (大阪国際ビル10階)福岡市博多区博多駅東1-13-6 (いちご博多イーストビル5階)

Tel: 022-267-0121 Fax: 022-267-0135Tel: 029-848-5080 Fax: 029-855-1135Tel: 03-3436-0491 Fax: 03-3433-6997Tel: 053-459-1112 Fax: 053-459-1114Tel: 06-6271-0441 Fax: 06-6271-0450Tel: 092-482-0390 Fax: 092-482-0550

Tel: 053-434-3311 Fax: 053-434-5184固体営業推進部 〒435-8558 浜松市東区市野町1126-1

受 光 素 子

光通信用デバイス ミニ分光器

LED 光半導体モジュール

主な光半導体製品

APD

フォトIC

MPPC

赤外線検出素子イメージセンサ

Siフォトダイオード