electronica

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UNIVERSIDAD ESTATAL PENÍNSULA DE SANTA ELENA FACULTAD DE SISTEMAS Y TELECOMUNICACIONES ESCUELA DE INFORMATICA CARRERA: INGENIERÍA EN SISTEMAS Módulo: ELECTRONICA Prof. Ing. Sendey Vera Estudiante DOMÍNGUEZ MORAN JENIFFER 3/1 INFORMATICA

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Page 1: Electronica

UNIVERSIDAD ESTATAL PENÍNSULA

DE SANTA ELENAFACULTAD DE

SISTEMAS Y TELECOMUNICACIONES

ESCUELA DE INFORMATICA

CARRERA: INGENIERÍA EN SISTEMAS

Módulo:

ELECTRONICA

Prof. Ing. Sendey Vera

Estudiante

DOMÍNGUEZ MORAN JENIFFER

3/1 INFORMATICA

Page 2: Electronica

1. Determine la corriente I para cada una de las configuraciones. a)

Respuestas ID=0 [V ] ID=I I=0 [V ]

b)

0,7 + Vr1 = 20 [V ] Vr2 = 20V – 0,7V Vr2 = 19,3 [V ] I=Vr1R1

=19,3V20K

= 0,96 [mA ]

Respuesta I=0,96 [mA ]

c)

Page 3: Electronica

Vf = Vr Vr = 10 [V ] I=VrR =10V10K

=1 [mA ]

Respuesta I=1 [mA ]

2. Determine Vo e ID para las siguientes configuraciones.a)

5V – Vr2 -0.7 = 0 Vr1 = 4.3 [V ] IF=ID=4.32.2=1.95 [mA ] Vo = -Vr1 Vo = -4.3 [V ]

b)

8V – Vrt -0.7V = 0 8V – I(r1 + r2) – 0.7V = 0 5.9 I = 7.3

Page 4: Electronica

I = 1.23 [mA ]

8V – Vr1 – Vo = 0 Vo = 8V – (1.2K)(1.23 mA) Vo = 6.52[V ]

3. Determine el nivel de Voa)

20V – 0.7V – 0.3V – I (R1 + R2) = 0 20V – 0.7V – 0.3 V – I (4K) = 0 4K I = 19V I = 4.75 [mA ]

VR2 – Vo = 0 Vo = VR2 Vo = 2 ( 4.75) Respuesta Vo = 9.5 [V ]

b)

10V – Vr1 – 0.7V – Vr2 + 2V = 0 10V – (1.2K) I – 0.7V – (4.7K) I + 2V = 0 (5.9K) I = 11.3V I = 1.91 [mA ]

10V – Vr1 – 0.7V – Vo = 0 Vo = 10V – Vr1 _ 0.7V

Page 5: Electronica

Vo = 10V – (1.2K)(1.91 mA) – 0.7V Respuesta Vo = 7.008[V ]

4. Determine Vo e Io para las siguientes redes.a)

22V – Vr1 – 0.7V – Vr2 = 0 22V – 2.2 I – 0.7 V – 1.2 I = 0 3.4 I = 21.3 V ID=21.33.4 =6.26 [mA ] 22V – 13.7V – 0.7V = Vo Vo = 7.6 [mA ]

b)

20V – Vr1 – 0.7V + 5V = 0 6.8K I = 24.3 V I = 3.57 [mA ]

20V – (6.8K)(3.57mA) = Vo Vo = - 4.27 [V ]

Respuestas Vo = -4.27[V ] Io = I = 3.57[mA ]

5. Determine Vo1 y Vo2 para las siguientes redes. a)

Page 6: Electronica

12V – 0.7V – Vr1 – 0.3V = 0 Vr1 = 11[V ]

Vr1 = (4.7K) I 11V = (4.7K) I I = 2.34 [mA ]

12V – 0.7V = Vo1 Vo1 = 11.3 [V ]

12V – 0.7V – 11V = Vo2 Vo2 = 0.3 [V ] Respuestas Vo1 = 11.3 [V ] Vo2 = 0.3 [V ]

b)

10V – (R1 + R2) I – 0.7V – 0.3V = 0 10V – (4.5K) I – 0.7V – 0.3V = 0 (4.5K) I = 9V I = 2[mA ]

Vo1 = -10V + 0.3V + 0.7V Vo1 = -9[V ]

Vo2 = - Vr2 Vo2 = -(3.3K) (2mA) Vo2 = -6.6[V ]

Respuestas

Page 7: Electronica

Vo1 = -9 [V ] Vo2 = -66 [V ]

6. Determine Vo e IDde las siguientes redesa)

20V – 0.7V = Vo Vo = 19.3[V ]

20V – 0.7V – Vr1 = 0 Vr1 = 19.3 [V ]

Io = Ir1 19.3V = (4.7K) Io Io = 4.1 [mA ]

b)

15V – 0.7V – Vr1 + 5V = 0

Page 8: Electronica

Vr1 = 19.3 [V ]

If = I = Ir1 19.3V = (2.2K) I I = 8.77 [mA ]

15V – 0.7V = Vo Vo = 19.3 [V ]

Respuestas Io = 8.77 [mA ] Vo = 19.3 [V ]ANALISIS DE LA RECTA DE CARGA

7. Utilizando las características de la siguiente figura, determine ID ,V D ,V R para el circuito de la figura.

a) ID=ER1

= 80,33

=24,24 [mA ]

V D=8 [V ] IDQ=21.52 [mA ] V DQ=0,9 [V ]

8−0,7−V R=O

V R=7.3 [V ]

Repita el indicio (a) empleando el modelo ideal del diodo y compare resultados

b)

ID=ER1

= 80,33

=24,24 [mA ]

V D=0 [V ]

Page 9: Electronica

8−V R=O

V R=8 [V ]

8. Empleando las características de la figura, determine ID y V D para el

circuito de la figuraa)

ID=ER1

= 52,2

=2,27 [mA ]

V D=5 [V ]

IDQ=0,9 [mA ] V DQ=1,9 [V ]

Repita el inciso(a) con R=0,47 k

b)

ID=ER1

= 50,47

=10,64 [mA ]

V D=5 [V ]

IDQ=9 [mA ] V DQ=0,8 [V ]

Page 10: Electronica

Repita el inciso(a) con R=0,18 k

c)

ID=ER1

= 50,18

=27,78 [mA ]

V D=5 [V ]

IDQ=23 [mA ] V DQ=0,92 [V ]

9. Determine el valor R para el circuito de la figura que ocasionara una

corriente en el diodo de 10 [mA ] si E=7 [V ].Utilice las características de la figura para el diodo.

IDQ=10 [mA ]

E=7 [V ]

ID=11,2 [mA ]

R= EID

=0.63 [K ]

10. Empleando las características aproximadas del diodo de Si, determine el

nivel de ID ,V D yV R para el circuito.

a)

ID=IR=VR

=29.32.2

=13,32 [mA ]

V D=0,7 [V ]

30−0,7−V R=0

V R=29,3 [V ]

Page 11: Electronica

Desarrolle el mismo análisis del inciso(a) utilizando el modelo ideal del diodo.

b)

E=30 [V ]

ID=IR=ER

= 302.2

=13,64 [mA ]

V D=0 [V ]

V R=IR∗R V R=(13,64)(2.2)

V R=30 [V ]

11. Determine V Oe I para las red

ID=VR

=10−0,31

=9,7 [mA ]

V O=10−0,3

V O=9,7 [V ]

12. Determine el V O1 ,V O2 y I para la red

a)

Va < Vb

V=V a−V b

Page 12: Electronica

V=16−12=4 [V ]

V R=4−0,7−0,7

V R=2,6 [V ]

ID=V R

R=2,64,7

=0,55 [mA ]

V O=16−0,7−0,7

V O=14,6 [V ]

b)

20−V R1−0,7=0

V R1=19,3 [mA ]

0,7−V R1−0,3=0 V R2=0,4 [mA ]

IR1=V R1

R1=19,3

1=19,3 [mA ]

IR2=V R2

R2= 0,40,47

=0,85 [mA ]

IDSi=IR1−I R2

IDSi=19,3−0,85

IDSi=18,45 [mA ]

V O1=0,7 [V ]

V O2=0,3 [V ]

1. Determine V Oe I Dpara las redes

1R s

=12+ 12=1 [mA ]

RT=1 [mA ]

Page 13: Electronica

RS=1+2=3 [mA ] 10−0,7−V R1−V R2=0 V R1+V R2=9,3 [V ]

IRS=V RS

RS=9,33

=3,1 [mA ]

ID=I RS2

=1,55 [mA ]

V O=10−0,7−(1,55)(2)

V O=6,2 [V ]