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2do Simposio Internacional en Nanociencias y Nanotecnología

Página # 1Centro de Nanociencias y Nanotecnología de la UNAMDr. Wencel De La Cruz H.

Espectroscopías de Superficie

Dr. Wencel De La Cruz H.Centro de Nanociencias y Nanotecnología

Universidad Nacional Autónoma de MéxicoEnsenada, B.C.

CONTENIDO

• AES (3:00 - 3:50)

• XPS (4:00 – 5:55)

• Mediciones de AES y XPS en los laboratorios (6:00 – 7:00):

- Grupo 1: Jesús Díaz (Lab. Ablación láser)

- Grupo 2: David Domínguez (Lab. Espec. Super.)

- Grupo 3: Isabel Ponce (Lab. Espec. Super.)



Espectroscopías

• Ópticas: UV-Vis, Elipsometría, FTIR, RAMAN, etc. Principal información: Propiedades ópticas de Materiales

• Electrónicas: AES, XPS, EELS. Principal información: Análisis químico de superficie

Sección 1 (AES)• ¿Por qué electrones?• Desarrollo histórico• Aspectos básicos• El proceso Auger• Análisis cualitativo• Análisis cuantitativo por AES



Por qué electrones?

¿ De qué orden son las distancias que puede recorrer un electrón dentro de un sólido sin perder su energía?

¿De qué parte del sólido puede escapar un electrón sin perder energía?

Camino Libre Medio Inelástico (IMFP o IMFP):Es la distancia promedio que un electrón con una energía dada viaja entre dos colisiones inelásticas sucesivas.

Å

E

D

E

CEE

E

p

IMFP

22 ln

4.829

8.204.53

91.097.1

191.0

069.0944.0

1.0

2

50.0

1.0

21

2

pV

gp

E

M

NU

UD

UC

EE

donde:

E : Energía del electrón (eV)

Eg: Ancho de energía prohibida (eV)

Ep: Energía del plasmón (eV.)

: Densidad (g/cm-3)

NV: Número de electrones de Valencia

M: Peso atómico



Desarrollo histórico

• El proceso físico que forma la base del AES fue postulado por Klein andRosseland en 1920 (La relajación de un átomo excitado puede ser a travésde la emisión de un fotón o un electrón).

• Pierre Auger en 1923, encontró que la energía de los electrones emitidosera independiente de la frecuencia del haz de rayos X primario y que laenergía del electrón era característica para cada elemento.

• La primera aplicación de la AES al análisis de superficie fue realizado porLander en 1953. Examinó varios metales y óxidos metálicos en condicionesde Ultra Alto Vacío.

• Scheibner y Tharp en 1967 usaron un sistema LEED para detectar ladistribución de energía de los electrones Auger. Harris (1968) utilizó unsistema Lock-in para la primera derivada de la distribución de electronesAuger. Estas ideas hicieron este método aplicable al análisis de superficiesen numerosos laboratorios.

Aspectos Básicos

• La espectroscopía Auger puede ser considerara como el resultado de tres procesos básicos:

1) Ionización atómica (por remoción de un electrón interno)

2) Emisión de un electrón (proceso Auger)

3) Análisis de los electrones emitidos (problema técnico)



Estructura electrónicaÁtomos aislados

Energíade enlaceK

L

M

1s

2s- 2p

3s-3p

Nivel de vacío

Nomenclatura utilizada por científicos que trabajan con Rayos- X, la cual, también es utilizada para Auger

Estructura electrónica - Estado sólido

Energíade enlace

L1

K

2s

Nivel de vacío

L23 2p

V

1s

Banda deValencia



El proceso Auger y espectroscopía Auger

I.Ionización

El proceso Auger es iniciado por la creaciónde un hueco de los niveles internos, lo cualse logra haciendo incidir a la muestraelectrones de alta energía (de 2 a 10 KeV).Estos electrones pueden ionizar cualquiertipo de átomo.

Electrón dealta energía

Impacto con el eletrón

Ionización

L1

K

L23

V

L1

K

L23

V

Nivel de vacío

En algunos estudios se utilizan rayos-x (h=1000 – 2000 eV) para realizar la ionización y el acrónimo es XAES.



Relajación y Emisión Auger

El átomo que fue ionizado, se encuentra en un estado altamente excitado y se relajará utilizando una de las siguientes rutas:

1)Fluorescencia de rayos x

2)Emisión Auger

L1

K

L23

VNivel de vacío

Al final del proceso el átomo queda doblemente ionizado.

KE=(EK-EL1)-EL23

KE=EK-(EL1+EL23)

La nomenclatura:Transición KL1L23En el orden en que decrece la energía de enlace.



LA ESPECTROSCOPÍA AUGER ESTÁ BASADAEN LA MEDICIÓN DE LA ENERGÍA CINÉTICADE LOS ELECTRONES EMITIDOS

Cada elemento en una muestra tiene un espectrocaracterístico de picos a varias energías cinéticas.



AES: Espectros•El espectro directo está relacionado con elnúmero de electrones detectados con unaenergía dada.

•El espectro diferencial elimina laamplificación de la corriente, el fondo esconstante y exagera los picos.

Energía del Pico: Si los picos son grabadosen el modo de N(E), la energía exacta delpico puede ser determinada del espectro. Si elespectro es grabado de la forma dN(E)/dE elmínimo del pico de la primera derivada estomado como la energía del pico.



Intensidad del pico Auger:

Para un átomo aislado la intensidad del pico Auger está dado por:

AASXYsSXY EDETPEII 00donde: I0 : Intensidad de los electrones primariosE0 : Energía del haz primarios : Sección eficaz de ionización del nivel SPSXY: Probabilidad para que el átomo excitado decaiga vía proceso Auger SXYT(EA) : Transmisión del analizador.D(EA) : Eficiencia del detector

Si el átomo hace parte de un sólido entonces la intensidad esta dada por:

dzE

zzEDETPEErEII

AMAASXYSMsSXY

0

A000 cosexpnx,,1

Factor de retrodispersiónProfundidad de escape de loselectrones Auger, la cualproduce un decaimientoexponencial de la señal Augercon la profundidad z.

Distribución del átomo A conLa profundidad z



Producción de electrones Auger

La relajación de los átomos excitados puede ocurrir por los siguientes camino:Emisión de un electrón Auger o la emisión de un fotón por florescencia.

YSXY=1-Yh

6

43

1003.1 034.0 064.0

1

xCBA

CZBZAY

Y

h

h

Análisis cualitativo:

• Análisis de la forma de los picos

Comparación de la señal Auger del C sobre Ni.(a) Ni calentado por 24 h a 600K. (b) Monocristal de grafito(c) Ni calentado por 24 h a 700K. (d) Carburo de Ni



La concentración atómica de un elemento es

donde IX amplitud pico a pico, dX factor de escala y SXsensibilidad relativa entre el elemento X y la plata

i Sidi

Ii

Sxdx

IxCx /

Lo ideal es cuantificar los espectros de una muestra de interés comparándola con una muestra de referencia.

Análisis Cuantitativo

AES: Análisis cuantitativo

• El factor de escala es igual paratodos los picos; para Fe(703eV),Cr(529eV) y Ni(848eV) lasamplitudes son 10.1, 4.7 y 1.5, ylos factores de sensibilidadrelativa calculados son 0.20, 0.29y 0.27.

• Las concentraciones sonCFe=0.70, CCr=0.22 y CNi=0.08CFe=70%, CCr=22% y CNi=8%

27.0/5.129.0/7.420.0/1.10

20.0/1.10

FeC



INSTRUMENTACIÓN:

1) Fuente de energía:

1.1) Fuente de electrones1.2) Fuente de rayos-X

2) Analizador de electrones:

2.1) Analizador de campo retardante (RFA).2.2) Analizador de espejos cilíndricos (CMA)

3) Cámara de Ultra Alto Vacío



RESUMEN

El AES es una técnica espectroscópica sensible ala superficie usada para el análisis elemental, queofrece lo siguiente:

1) Alta sensibilidad (ca. 1% monocapa)

2) Monitoreo de superficies durante la limpieza de las muestras

3) Cuantificación de una región de la superficie de la muestra



Perfil de profundidad• Un haz de iones de un gas inerte (Argón) de energía de

0.5keV a 5keV excava la muestra a un ritmoaproximadamente constante

• Se monitorean las intensidades relativas de lastransiciones Auger correspondientes a los elementos deinterés

Perfil de profundidad de una multicapa Ni-Cr



Sección 2 (XPS)Introducción

Aspectos básicos

División spin-orbita

Análisis cualitativo

Electrones Auger inducidos por los rayos-X

Profundidad de información

Análisis cuantitativo por XPS

Error en la medición

Asimetría de los fotoelectrones

IntroducciónEfecto fotoeléctrico

Descubierto por Hertz (1887)y explicado por Einsten en 1905 (premio Nóbel en 1921).

El desarrollo del XPS como un métodosofisticado de análisis es el resultado deltrabajo meticuloso del sueco KaiSiegbahn y sus colegas (1957-1967).Kai Siegbahn premio Nóbel en 1981

Átomo de oxígeno

Electrón fotoemitido O1s

Fotón de rayos-X



XPS X-ray Photoelectron Spectroscopy

ESCA Electron Spectroscopy for Chemical Analysis

UPS Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy

PES Photoemission electron Spectroscopy

Fuente de rayos-X

Electrones fotoemitidos

Fotón

Energía de enlace

Energía cinética

Electrón fotoemitido

Espectro XPS:

Intensidad de los electrones fotoemitidos Vs. K.E. o B.E.

K.E. = h – B.E. -

Identificación elemental y estados químicos del elemento.

Composición relativa de los constituyentes de la superficie.

Estructura de la banda de valencia

Aspectos básicos



Ilustración del proceso de fotoemisión para el Ni 3p donde los átomos de O 2p son absorbidos por el metal.

Referencia para la energía de enlace

Muestra

Espectrómetro

Mismo nivelNivel de Fermi Nivel de Fermi

Nivel de vacío

Nivel de vacío



Instrumentación

• Analizador de energía del electrón.

• Fuente de rayos-X.

• Neutralizadora.

• Sistema de vacío.

• Controles electrónicos.

• Cañón de iones de Ar.

Sistema de Ultra Alto Vacío (<10-9 Torr)

• Detección de electrones.

• Se evita contaminación.

Pico:

Fotoelectrón sin pérdida de energía

Background: Fotoelectrón con pérdida de energía



División Spin-Órbita

Notación de los picos:

Acoplamiento L-S ( j=l+s )

Área ~ 2j+1

Los valores de separación de un doblete (producido por la interacción Spin-Órbita) de un nivel interno de un elemento en diferentes compuestos son casi los mismos.

El cociente de las áreas de los picos en un doblete de un nivel interno de un elemento en diferentes compuestos son también los mismos.

El valor de separación de los dobletes y el cociente de las áreas son de gran ayuda para la identificación de elementos.



Análisis Cualitativo



Electrones Auger inducidos por los rayos-x

La K.E. es independiente de la energía de los rayos-X.

Estado base Transición a un estado excitado

Estado final

Profundidad de información en XPS

Camino Libre Medio Inelástico (IMFP o ):

Es la distancia promedio que un electrón con una energía dada viaja entre dos colisiones inelásticas sucesivas.

Intensidad de electrones (Io) emitida a una profundidad d por debajo de una superficie es atenuada acorde a la ley de Beer Lambert. Así, la intensidad de esos electrones que alcanzan la superficie (Is) está dada por:

Para una longitud de camino de un , la intensidad de la señal ha caído un 63%



Profundidad de información en XPS

• La profundidad de información es definida como la profundidad a la cual el 95% de todos los fotoelectrones son dispersados al momento de alcanzar la superficie (3).

• La mayoría de los están entre 1 y 4 nm (usando fuente de Al K).

• Así, la profundidad de información (3) será aproximadamente de 3 - 12 nm, bajo las condiciones mencionadas anteriormente.

Análisis Cuantitativo por XPS: I

Algunos análisis cuantitativos por XPS tienen una exactitud de ± 10%

donde: Ii = intensidad de un pico “p” de fotoemisión para un elemento “i”.

Ni = Concentración atómica promedio de un elemento “i” en la superficie bajo análisis.

i = Sección eficaz de fotoionización (Factor de Scofield).

i = Camino libre medio inelástico de los electrones del pico “p”.

K = Todos los factores relacionados a la detección de la señal (asumidos constante durante un experimento).



¿Cómo medir la intensidad de un pico de fotoemisión?

Altura del pico

Área del pico

Área del pico

Área del pico

Energía cinética

Energía cinética

Energía cinética

Energía cinética

Intensidad

Intensidad

Intensidad

Intensidad

La peor!!

La Mejor!!

Debe incluir correcciones de pérdida debida a plasmones y otros picos

• Error del 15% usando los ASF.

• En el uso de mediciones de muestras patrón (o la ecuación descrita anteriormente) el error es aproximadamente del 5%.

• En ambos casos la reproducibilidad es de 98% (Apro.)

Función Respuesta de un Analizador

La función respuesta es la eficiencia de detección en un analizador deelectrones, la cual es función de la energía del electrón. La funciónrespuesta también depende de parámetros del analizador de electrones, talcomo la resolución del analizador.



Análisis cuantitativo: II

Sección eficaz de fotoionización (i ) ha sido calculado teóricamente para todos los elementos y para las fuentes de Al K y Mg K.

Camino libre medio inelástico (i) varía con la energía cinética del fotoelectrón y puede ser estimado de la fórmula TPP-2M.

Para una superficie compuesta por varios elementos i, j y k, la concentración relativa se puede obtener de:

kkk

k

jjj

j

iii

i

iii

i

kji

i

KI

K

I

KI

K

I

NNN

N

Ejemplos de cuantificación: I

Cociente atómico Oxígeno/metal

Tabla I: Óxidos superficiales: cuantificación obtenida a partir de la correspondiente intensidad del pico.



Ejemplos de cuantificación: II

Tabla II: Comparación de las concentraciones obtenidas por XPS y EPMA (SEM+EDS) para algunos minerales.

Error en la cuantificación

Ii = El error principal que se comete durante la medición de la intensidad es debida a la mala substracción del background.

i = Valores calculados teóricamente (se desconoce su magnitud).

i = el error estimado puede ser de hasta un 50%.



Sección 3 (XPS)Corrimientos químicos en XPS

Estados inicial y final

Anchos de línea y resolución

Instrumentación

Efectos químicos en XPS

Corrimiento químico: Cambio en la energía de enlace de un electrón del core debido a un cambio en los enlaces de ese elemento.

Cualitativamente hablando, la energía de enlace del core está determinada por la interacción electrostática entre él y el núcleo y reducida por:

• Apantallamiento electrostático de la carga nuclear debido a todos los otros electrones (incluyendo a los electrones de valencia).

• Remoción o adición de carga electrónica como un resultado de los cambios se alterara el apantallamiento.

Remoción de la carga electrónica de valencia Incremento de B.E.

Aumento de la carga electrónica de valencia disminución de B.E.



Corrimientos químicos: óxido vs. metal

Energía de enlace es menor debido al incremento del apantallamiento de los núcleos por los electrones 2s.

Energía de enlace es mayor debido a que los electrones 2s del Li son cedidos al oxígeno.

Espectro XPS

2p6

Corrimiento químico para el Ti 2p al pasar de Ti a Ti4+

Los corrimientos químicos sonuna herramienta poderosa paraidentificar ambientes químicos,estados de oxidación y gruposfuncionales.



Tabla III: Energías típicas para el C 1s de muestras orgánicas

Tabla IV: Energías típicas para el O 1s de muestras orgánicas

Ejemplos de corrimientos químicos



Espectro de alta resolución de la Arsenopirita

Corrimientos químicos



Corrimientos químicosSe cuenta con base de datos en el NISThttp://srdata.nist.gov/xps/

Hay muchas opciones y puedes escoger la que más te guste!!!



Instrumentación

Analizador de electrones

Analizador hemisféricoconcéntrico (CHA)

Analizador de espejos cilíndricos (CMA)

1. Estos analizadores deben de trabajar a resolución constante para XPS.2. También pueden trabajar a resolución variable, pero no se usa para XPS.

Influencia de la resolución del analizadoren la forma e intensidad del pico

295 290 285 280 275

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Resolución alta

Resolución media

Resolución baja

Inte

nsid

ad N

orm

aiza

da

Energía de enlace (eV)

295 290 285 280 275

Resolución alta

Resolución baja

Resolución mediaInte

nsid

ad (

U.A

.)

Energía de enlace (eV)

Espectro de XPS del pico de C1s (muestra de BC)



Satélites de la fuente de rayos-X

Tabla VI: energías e intensidades de los satélites de rayos -X

1300 1500

1

10

100In

ten

sida

d re

lativ

a a

k1,

2

Energía (eV)

Mg Al

Fuentes monocromáticas

Para Al K

Usando los planos (1010) deUn cristal de cuarzo tenemos:

`Ventajas de usar fuente de rayos-X monocromáticos:• Ancho de picos XPS delgados• Reduce el background• No hay picos satélites en XPS ni picos fantasma



Radiación Monocromática

Radiación no Monocromática

XPS de una muestra de SiO2 usando una fuente de Al k

Experimentalmente, poder discernir entre átomos que tienenun pequeño corrimiento químico está limitado por el anchodel pico, el cual depende de:

1) El ancho intrínseco de los niveles iniciales y el tiempode vida del estado final (EP).

2) El ancho de línea de la radiación incidente (EF).3) El poder de resolución del analizador de electrones (EA).

222PFA EEEE

Anchos de línea y resolución



Más comunes

Tabla V: Energías y anchos de las líneas de rayos-X

Variación de la fuente de rayos-X



Métodos analíticosConvolución

Deconvolución

¿Cómo podemos obtener espectros XPS de alta resolución?

Sección 4 (XPS)Pérdidas de energía electrónica (background)

Atenuación del electrón: dispersiones inelásticas

Modelo interpretativo: QUASES

Diferentes picos en un espectro XPS

Perfil de profundidad



Pérdidas de energía electrónica (background)Origen del background

Los fotoelectrones pierden energía por chocar con los plasmones (volumen y superficies) y por producir cualquier excitación de los niveles en la banda de valencia.

¿Por qué es importante estudiar el background?

Por que se puede obtener información de la profundidad y distribución lateral de los elementos, utilizando la metodología desarrollada por Sven Tougaard.

Background:dispersiones inelásticas

Tougaard desarrolló un procedimiento de ajuste a la “cola” inelástica, la cual da información de la morfología de las capas superficiales. Tal como, el recubrimiento, alturas de partículas (o películas)



Análisis de espectros XPS usando QUASES• La cuantificación tradicional por XPS asume que:

• El área de análisis es homogénea.• La concentración atómica superficial es directamente proporcional a la intensidad del pico.

• Para una mayor exactitud en la cuantificación se debería tener en cuenta la intensidad del pico, la forma del pico y la energía del background.• En XPS los electrones detectados resultan de dos procesos:

• Los electrones intrínseco (los fotoelectrones).• Los electrones extrínsecos (los fotoelectrones dispersados inelásticamente).

• Los electrones extrínsecos dependen fuertemente de la profundidad a la que fueron emitidos y de la distribución lateral.• La figura muestra un cálculo teórico de la porción extrínseca del espectro 2p de Cu, como una función de la posición y distribución de los átomos de Cu en una cierta matriz.

Diferentes picos en espectros XPS

1) Picos de Fotoemisión2) Picos Auger3) Picos debido a Satélites de Rayos-X4) Picos Fantasmas de Rayos-X5) Picos debido al “shake-up”6) Picos por división de multiplete7) Picos debido a pérdidas de energía por plasmones8) Picos y bandas de valencia



Método general para la identificación de los picos

1) Identificar los picos C1s, O1s, C(KLL), O(KLL) ya que son los mássobresalientes en un espectro XPS si las muestras no han sidopreparadas en forma in-situ. Recuerde identificar los picos debidos alos satélites y los debidos a pérdidas de energía.

2) Identifique las otras líneas intensa en el espectro (utilice el manual deXPS) recuerde tener presente los picos debido a los satélites de rayos-x.Realice una tabla con las posiciones en energía de los picos menosintensos. Tenga presente que puede haber interferencia de los picos másintensos con algunos otros elementos, por ejemplo: para el C1s elRu3d; para el O1s el V2p y el Sb3d; para el O(KLL) el I(MNN) yCr(LMM); para el C(KLL) el Ru(MNN).

2) Identifique los picos de menor intensidad que te hagan falta identificar,asumiendo que estos picos son los más intensos de elementosdesconocidos. Los pequeños picos que no se puedan identificar puedenser picos satélites.

3) Observe que las separaciones debidas a los doblete de spin sean lascorrectas (para los picos p, d y f) y, que el cociente entre los dobletesdel pico p es sea de 1:2; de los d sea de 2:3; y de los f sea de 3:4.

Perfil de profundidad

Análisis por XPS

Erosión con iones de Ar+

Análisis por XPS

Material erosionado

Tiempo de erosión

Áre

a de

l pic

o

Se asume una velocidad constante de erosión



Perfil de profundidad con rotación de la muestra

Iones: 4 kVMuestra en reposo

Iones de alta energía

Muestra

Iones: 4 kVMuestra en rotación

Muestra

Iones de alta energía

Iones: 500 VMuestra en rotación

Muestra

Iones de baja energía

Ancho de la interfaz Cr/Si = 23.5 nm



Daños inducidos por los rayos - X

Para muestras sensibles se deben hacer las mediciones al menos dos veces para ver si hubo algún daño en la muestra.



Sección 5 (XPS)Compensación de cargas

Análisis de áreas pequeñas e imagen

Variaciones angulares

Parámetro Auger

Sistemas XPS en México

Compensación de la carga

FotoelectronesElectrones AugerElectrones secundariosBackground

Rayos-X

Muestra

Para metales u otras muestras conductoras son aterrizadas al sistema.

Los electrones se mueven continuamente a la superficie para compensar a los electrones perdidos en la región de la superficie.



Muestra

Carga superficial no-uniforme

Ensanchamiento de los picos!!

Técnicas para referenciar la energía de enlace en muestras aislantes

Tomar ventaja de los contaminantes basados en carbono- Contaminación del ambiente.- Contaminación de bombas de aceite.- Adicionar ciclohexano.

A menudo se utiliza una energía de enlace de 285 ± 0.2 eVu otro pico de la muestra con posición bien conocida.



Técnicas de compensación de cargas

Usando un cañón de electrones de baja energía

Óptica de los electrones

Filamento

Área de análisis determinada por el analizador Área de análisis determinada por tamaño del haz de rayos -X

Rayos -X Rayos -XMuestra Muestra

FotoelectronesFotoelectronesApertura del

analizador

Apertura del analizador

Análisis de áreas pequeñas e imagen con XPS



Técnicas de imagen por XPS

(1) - Moviendo el portamuestra- Imagen: Posición x,y vs. la

intensidad de los fotoelectrones• Resolución: 50 m.

Tamaño pequeño de los rayos-X

(2) - Usando placas para el barrido- Imagen: Voltajes Vx,Vy de

barrido Vs. Intensidad de los fotoelectrones.

• Resolución: 10 m.

(3) - Usando un arreglo de detectores- Imagen: Posición x,y del detector

vs. la intensidad de los fotoelectrones

• Resolución: 3 m.Detector MPC



Ejemplos de imagen por XPS

Variaciones angulares

• Puede aprovecharse la sensibilidad angular de detección para obtenerinformación no destructiva de profundidad

• Este análisis está limitado a capas muy delgadas

• Para valores pequeños de la contribuciónprincipal del espectro es de la muestra de Si

• Para valores mayores de se vuelve sustancial lacontribución de la capa de óxido



• XPS no detecta Hidrógeno.• Requieren ultra alto vacío.• Las muestras generalmente son sólidos.• Para muestras aislantes debe neutralizarse la carga acumulada.

Algunas limitaciones del XPS

AplicacionesÁrea de aplicación

Información disponible

Corrosión y oxidación

Identificación elemental; oxidación; composición química en el proceso

Metalurgia/ tribología

Identificación elemental; análisis de aleaciones; estudio de recubrimientos

Adhesión Enlace entre película y sustrato; cambios químicos durante la adhesión

Catálisis Identificación de las especies intermedias formadas; estado de oxidación de especies activas

Semiconductores Caracterización de recubrimientos de películas delgadas e interfaces; identificación de óxidos nativos

Superconductores Estados de valencia; estequiometrías, estructura electrónica



CCMC-UNAM

*

*

IICO

*

CINVESTAV *

IIM-UNAM

UAM-IZTAPALAPAIF-UAP

*IMP

Sistemas XPS en México

IPN

Mediciones de AES y XPS en los laboratorios (6:00 – 7:00):

- Grupo 1: Jesús Díaz (Lab. Ablación láser)

- Grupo 2: David Domínguez (Lab. Espec. Super.)

- Grupo 3: Isabel Ponce (Lab. Espec. Super.)

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