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- 252 -

Schlagwortverzeichnis

Abhebetechnik 200

AbschnUrspannung 230

Xtzpolieren 192

Akkumulationszone s. Anreicherungszone

Aktivierungsenergie 111

amplifier mode s. Verst!rkerbetrieb

Amplitudenmodulationsrauschen 218 f.

Anreicherungszone 121, 132, 137 f., 145 f., 172

Arbeitspunkt 71, 141 f., 204 ff.

Aufbauzeit einer Dom!ne 146 f.

Auflosung einer Dom!ne 147

Auger-Effekt 14 Aussteuerparameter 71 f.

Auswahlregeln 30 ff. axiale Bauweise 200

Bandstruktur 11, 23, 118, 127

Baritt-Diode 10, 96 ff., 101 f., 105 f., 223

Basisband 226

Besselfunktion 72

Beweglichkeit, Elektronen-11, 35, 118, 231

Beweglichkeit, differentielle 12, 116, 120, 124, 128, 139, 149, 155, 165, 171, 176, 178, 180

Boltzmann-Statistik 122

Boltzmann-Verteilung 30

Boltzmannsche Transportglei-chung 126, 128

Bonden 110

Bose-Einstein-Statistik 31

break-down voltage s. Durchbruchspannung

Bridgman-Verfahren 191

Brillouin-Zone 24, 116 ff., 122

Bulk-Material 192

Butchersche Flachenregel 135, 138 ff.

Chip 107, 111 f.

clump doping s. Low-High-Low-Profil

Czochralski-Verfahren 190 f.

DDR-Dlode s. Doppeldrift-Diode

Debye-Lange 144 f., 151 f.

Deformationspotential 28, 125

delayed dipole-domain mode s. Verzogerungsbetrieb

Diamant-Gitter 190 dielektrische Relaxation

151 f., 158, 166, 172, 175

Diffusionskonstante 128, 136, 138, 150, 165

Diffusionsspannung 199, 230

Dipoldomane 11 f., 130, 132, 141 f., 165, 178

direkter Ubergang 118

Dispersionsrelation 27, 32, 54, 153 f., 163 f.

Domane 120 ff., 131 ff., 137 ff., 141 ff., 156, 159 ff., 165 ff., 178 f., 181, 184 f., 231 f., 234

Domanengeschwindigkeit 135 f., 138, 158, 162, 179, 181

Domanenkapazitat 145 ff., 235

- 253 -

Domanen-Laufzeitbetrleb 181, 220

Domanenspannung 132, 139, 143 ff., 148, 167,231

Doppeldrlft-Dlode 67 f. Dovett-Diode 103 ff. Drain 228 f., 231, 236

drain conductance s. Kanalleitwert

Driftraum s. Laufraum

Drlftzone 47, 67, 78, 81 f., 96, 107

Durchbruchfeldstarke 184

Durchbruchspannung 37, 63 f., 67, 69, 80 f., 87

Durchgriff 36, 64, 97

Durchreichfaktor s. Strukturfaktor

Durchstlmmbarkeit 213, 215 f.

Elnstein-Beziehung 128

Elektronentemperatur 9, 18, 22, 30, 32, 34, 122 f., 128

Elektronen-Transfer-Bauelemente 179, 183, 185, 198, 200 ff.

Elektronen-Transfer-Effekt 34, 106, 116 f., 119, 122, 124, 135, 181, 183

Emission, spontane 31

Emission, stimulierte 31

Energlerelaxation 17, 33, 35, 125, 128

Epitaxie 108

Epitaxie, FlUssigphasen- 69, 192 f., 195 ff., 240

Epltaxie, Gasphasen- 108, 192 ff., 197

Epltaxie, metallorganische Gasphasen- 195

Epitaxie, Molekularstrahl- 69, 192, 197

Eutektlkum 200, 229

Feldeffekttransistor 199, 224 f., 228 ff.

Fermi-Energie 122

Ferml-Verteilung 122

Flachenregel s. Butchersche Flachenregel

formgebende Xtzlosung 197

Frequenzdurchstlmmbarkeit 210

Frequenzmodulationsrauschen 217 f., 220

Frequenzmultiplex 226

Frequenzstabillsierung 211

Frequenzsynchronisation 210

Galliumtriathyl 195

Galliumtrimethyl 195

Gate 228 ff., 232, 234 ff., 240 f.

Gitterschwingungen s. Phononen

Gittertemperatur 9, 22, 32, 123 f.

gradual channel approxima-tion 229

GroBintegration 239 GroBsignalimpedanz 74 Gruppengeschwindigkeit 154 Gtite 209 ff., 213, 218 f.

Gunn-Effekt 34, 116, 118, 124, 130, 133, 150, 165, 181, 231 f.

Gunn-Element 9, 11 f., 135, 146 ff., 159 ff., 163 ff., 171 f., 180, 182, 202, 211, 213 ff., 218, 220, 222 f., 226

Gunn-Oszillator 166, 210 f.

r-Punkt 23, 116, 118, 122, 135

Haftstellen 192

- 254 -

Hauptminimum des Leitungsban-des 11, 118, 122, 127 f.

heiBe Elektronen 9, 18, 33

Heterostruktur 69 f., 103, 227

High-Low-Profil 66 f., 79

Hi-Lo-Profil s. High-Low-Profil

hybrider Betrieb 178, 182, 189

Hysterese 205 f.

Impatt-Diode 9 ff., 13, 20 f., 38 ff., '1 f., 65, 69 f., 75, 79 ff., 83, 85 f., 96, 102 f., 106 f., 112, 182 ff., 202, 218, 220, 222, 226

Impatt-Schwingung 92 Impedanz 223 Impedanz, Kleinsignal Baritt-Diode 101 f.

Impedanz, Kleinsignal Gunn-Element 155 ff.

Impedanz, Kleinsignal Impatt-Diode 45 ff., 210

Impedanz, Kleinsignal pin-, Misawa-Diode 58 ff.

Injektionsstrom 98, 100, 104

Injektionswinkel 100, 103 ff.

Innenlochs~ge 192

Integration, mittlere 240

inter-valley-Streuung s. Streuung, Zwischental-

intra-valley-Streuung s. Streuung, Innertal-

Ionenimplantation 109, 240

Ionisationsintegral 81

Ionisationsrate 15 ff., 36 f., 40, 43 f., 49, 52, 54, 61, 71, 76, 80, 90, 96

Ionisierungsenergie 16, 18

Johnson-Rauschen 217

Kanalleitwert 233 Keimkristall 190 f.

Kipptiegeltechnik 195 f.

Klystron 218 f., 221

komplexe p-Ebene 156 f.

komplexe Widerstandsebene 203 ff.

Kontakte 109 ff., 199 ff.

koplanare Struktur 201

L~ppen 192

Laser 196, 199 Laufraum 10, 35, 37, 39,

42, 44 ff., 50, 62, 74, 101

Laufwinkel 46, 101 Laufzeitbetrieb 181, 183

Laufzeitfrequenz 59, 79, 162 Lawinendurchbruch 9, 13 f.,

16, 35, 37, 39, 41, 49, 51, 58, 76, 78, 80, 86 f.

Lawinenfrequenz 44, 48, 59, 73 f.

Lawinengleichung 41 ff., 53, 70

Lawineninduktivit~t 45

Lawinenkapazit~t 45

Lawinenlaufzeit-Diode s. Impatt-Diode

Lawinenmultiplikation 96

Lawinenraum 10, 35, 37 ff., 42 f., 50

Lawinenstrom 37 f., 70 ff.

Lawinenzone 44 f., 62 ff., 69 f., 70, 73 f., 78, 82, 85, 106, 113

Lebensdauer 111

Legieren 200

Leistungsdichte im Bau-element 112

- 255 -

Leistungs-Impedanz-Produkt 83, 182 f.

Leistungs-Verzogerungsprodukt 238

lift-off-Technik 200

Liquid-Encapsulation-Czochralski-Technik 190 f.

Locher, schwere 118

Locher, leichte 118

Loschbetrieb 170 f., 181 ff.

Loschfeldstarke 169 f., 184

Loschspannung 143, 178

Lo-Hi-Lo-Profil s. Low-High-Low-Profil

Lokaloszillator 225 f.

Low-High-Low-Profil 60 f., 79

LSA-Betrieb 172 ff., 177 ff., 181 f., 185, 189,223

L-Punkt 23, 116, 118 f., 122, 127

Masse, effektive Elektronen-11,16,118,122,126,135

Masse, effektive Loch- 16, 118

Masse, Zustandsdichte- 118

Matthiessensche Regel 35

Maxwell-Verteilung 125 f., 128

medium-scale integration s. mittlere Integration

medium time between failures s. medium time to failure

medium time to failure 111, 223

Metallisierung 109 ff.

Mikrowellengehause 115

Misawa-Diode s. pin-Diode

Mitatt-Betrieb 106

MOCVD s. Epitaxie, metall­organische Gasphasen-

Modenkarte 182

molecular beam epitaxy s. Epitaxie, Molekularstrahl-

Monosilan 108

Montage (Chip) 112 ff.

MTF s. medium time to failure

Multi-Domanen-Betrieb 178, 182

Multiplikationsfaktor 15, 37, 58, 71

Multiplikationsfaktor, Wechselstrom- 58

Nebenminimum des Leitungs­bande s 11, 11 8 f., 1 22 f., 126, 128, 135

nod-Grenze 160 ff.

no/f-Grenze 166, 171, 177 ff.

nol-Grenze 158 f., 162, 166, 179, 185

no l 2-Grenze 164 f.

Nyquist-Rauschen 217

ohmscher Kontakt 199

Ortskurve 203 ff.

Oszillationsbetrieb mit be-grenzter Raumladungsbildung s. LSA-Betrieb

Oszillator 202 ff., 206 f., 209 ff., 220, 225 f.

Pd-Diffusionszelle 193

phased array radar s. Radar, elektronisch durchstimmbares

Phasengeschwindigkeit 153 f.

Phasenschieber 226

Phononen 21 f., 24, 28 ff., 33, 119

Phononen, optische 27 f., 32 f.

Phononen, akustische 27 ff., 32 f.

- 256 -

Phononenenergie 32

Phononenspektrum 28 f.

Permeabilitat 216

piezoelektrische Wechsel-wirkung 29

pinch-off voltage s. AbschnUrspannung

pin-Diode 39 f., 49 ff., 54, 59 ff.

PmZ-Produkt s. Leistungs-Impedanz-Produkt

polare Halbleiter 29

Polieratzen 192

Poynting-Vektor 207

punchthrough s. Durchgriff

Quasi-Read-Dioden 66 f.

quenched dipole-domain mode s. Loschbetrieb

Radar 9, 226 f.

Radar, elektronisch durch-stimmbares 226 f., 239

Radiometrie 226

Ramo-Shockley-Theorem 56 f.

Rauschen 10, 165, 202, 204 f., 210 f., 216 ff., 222 f., 225

Read-ahnliche Dioden 67

Read-Diode 39 f., 42, 47 ff., 52,61 ff., 65, 69 f., 76 f., 79, 84, 222

reflection-type amplifier s. Reflexionsverstarker

Reflexionsverstarker 224

Relaxationszeit 34 f., 125, 128, 162

Relaxationszeit, dielektrische 131,151 f., 158, 166

Resonanz, ferrimagnetische 215

Resonator 202

Richtfunk 9, 238

Rohre 9, 221, 224

Ronde 198

Sattigungscharakteristik 21, 119, 123, 127, 134

Sattigungsdriftgeschwindig­keit 17, 21, 33 f., 37, 39 f., 45, 48, 51, 78, 81, 83, 91 ff., 95 f., 100 f., 103 ff., 231

Sattigungsfeldstarke 140

Sandwich-Bauweise 192, 200 f.

Satellitental s. Neben-minimum des Leitungsbandes

Seitenband 218

Schiebetiegelverfahren 196

Schleifen 192

Schwellenfeldstarke 120 f., 124 f., 129 f., 132 f., 139, 142 f., 158, 169, 173, 184 f., 187, 189 f.

SDR-Diode s. Single-Drift-Region-Diode

sekundare Elektronen 15

Silan 108

Silico-Chloroform 108

Single-Drift-Region-Diode 67

Source 228, 231, 235

Sperrstrom 13 ff., 42 ff., 70

Stabilitatskriterium s. nod-, nol- und no l 2-Grenze

Steilheit 233, 237

StoBionisation 10, 13 f., 17, 21 f., 34, 40, 42, 50, 88 f.

StoBzeit 37

Streifenleitungstechnik 201, 242

Streuung, Innertal- 22 ff., 32, 116, 126

Streuung, Zwischental- 22 ff., 32, 116, 119, 126

- 257 -

Streuung an Phononen 25 ff., 32 f.

Strukturatzen 197

Strukturfaktor 64, 88

TEA s. transferred-electron amplifier

TED s. transferred-electron device

TEO s. transferred-electron oscillator

Thermokompression 114 f.

threshold field s. Schwellenfeldstarke

tilting boat technique s. Kipptiegeltechnik

Tragerfrequenz 218 f., 226

transferred-electron amplifier 224

transferred-electron device 223 ff.

transferred-electron oscilla­tor 224

Transistor 221, 224

Transitfrequenz s. Laufzeitfrequenz

Trapatt-Diode 85 ff., 91 ff., 222

Trapatt-Modus 39, 92 f.

Trichlorsilan 108

triggered-domain mode 143

Tunnett-Betrieb 106

upside-down-Montage 113

van-der-Pauw-Methode 198

vapour-phase epitaxy s. Epitaxie, Gasphasen-

Varaktor 212 ff., 223

variable reactor diode s. Varaktor

Verarmungszone einer Dipol-domane 121, 132, 137 f., 145

Versetzung 191

Versetzungsdichte 191

Verstarkerbetrieb 180 f., 224

Verz5gerungsbetrieb 168 f., 171,181,183 ff.

Volumen-Material s. Bulk-Material

Wachstumsfaktor 177

Warmewiderstand 112 f.

Wafer 107, 111

Wanderfeldr5hre 221

Wanderwellenverstarker 224

Wellengleichung 150 ff., 163

Wiedemann-Franzsches Gesetz 22

Wirkungsgrad 80, 84 ff., 102 f., 165, 169 ff., 173, 175, 182, 184 ff., 188 ff., 221 ff., 225

x-Punkt 23, 116, 118, 127

YIG-Ferrit 215 f., 223

Yttrium-Eisen-Granat s. YIG-Ferrit

yttrium iron garnet s. YIG-Ferrit

Zener-Effekt 13

Zinkblende-Struktur 190

Zustandsdichte 122, 127

Moeller, LeiHaden der Elektrotechnik Herausgegeben von Prof. Or.-Ing. H. Fricke, Braunschweig, Prof. Or.-Ing. H. Frohne, Hannover, und Prof. Or.-Ing. P. Vaeke, Hamburg

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Schlachetzki/v. MUnch Integrierte Schaltungen

Von Prof. Dr. rer. nat. A. Schlachetzki, Technische Univer­sitat Berlin und Heinrich-Hertz-Institut fUr Nachrichten­technik, Berlin, und Prof. Dr. phil. nat. W. von MUnch, Universitat Stut~gart

255 Seiten mit 138 Bildern, 12,7 x 18,8 cm. Kart. OM 17,80 (Teubner Studienskripten, Band 79)

"Das Buch stellt, unterstUtzt von Sachverzeichnis und Literaturverzeichnis, weniger ein Studienskript als vielmehr eine gedrangte, aber umfassende Darstellung des Gesamtgebietes dar. Samtliche modernen Herstellungs­verfahren und Konzepte sind enthalten, die saubere Darstellung erm8g1icht schnelles Eindringen in den jeweiligen Sachverhalt und glbt klare Auskunft.

Das Gesamtgebiet von der Technologie des Siliziums und des Galliumarsenids tiber die Theorie von PN­Verbindungen, Blpolartransistor und Feldeffekt bis hln zu den prinziplellen Schaltungskomponenten integrierter Halbleiterschaltungen ist Uberdeckt. Das Konzept von Addlerern, Speichern, AD-Wandlern oder ladungsgekoppelten Elementen 1st ebenso ent­halten wie spezlelle Probleme der Galliumarsenid­Integration. Die integrierte Injektionslogik wird behandelt, die Magnetblasenspeicher sind nicht ver­gessen, und selbst die optische Integration ist ge­streift.

Damit ist dies Such ein gelungenes, kleines Nach­schlagewerk, jedem zu empfehlen, der sich Uber sei­ne Grundkenntnisse hinaus mit dem Stand der Technik vertraut machen will."

Heinz Beneking, ETZ

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