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QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 2
ContenidosContenidos
Cristales metálicos
� El gas de electrones libres• Monodimensional
- Energía de Fermi; densidad de estados; energía total• Tridimensional• Efecto de la temperatura: Distribución de Fermi-Dirac
� Electrones en un potencial periódico• Ondas planas; red de Bravais; celda unidad primitiva; red recíproca; celda de Wigner-Seitz; primera zona de Brillouin • Funciones de Bloch • Bandas
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BibliografíaBibliografía
The Physical Chemistry of SolidsThe Physical Chemistry of Solids, R. J. Borg and G. J. Dienes, (Academic , R. J. Borg and G. J. Dienes, (Academic Press, San Diego, 1992).Press, San Diego, 1992).
Solid State Physics,Solid State Physics, N. W. Ashcroft and N. David Mermin, (Thomson N. W. Ashcroft and N. David Mermin, (Thomson Learning, 1976). [Caps. 2, 4, 5, 8 y 9]Learning, 1976). [Caps. 2, 4, 5, 8 y 9]
Electronic Structure of Materials,Electronic Structure of Materials, A. P. Sutton, (Clarendon Press, Oxford, A. P. Sutton, (Clarendon Press, Oxford, 1993).1993).
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Cristales metálicosCristales metálicos
• no aporta una explicación simple de las fuerzas de cohesión entre los átomos de un metal
Un punto de vista (“químico”): extensión de t. MO; gran abundancia de MOs; bandas
El enlace metálico es específico de fases condensadas. (Tradicionalmente, es tratado muy superficialmente desde la química.)
(no muy convincente como teoría simple; muchas cuestiones por contestar)
Otro punto de vista (“físico”): extensión refinada de una teoría del “gas de electrones libres”
Modelo de Bandas.
• es la base de la comprensión de conductividad y magnetismo• cálculos (ab initio o semiempíricos) “caso a caso”
Ductilidad; entalpías de fusión pequeñas (5-10 kcal/mol)La pérdida de periodicidad cristalina no juega un papel determinante en el enlace metálico.
Un modelo de partida: “Gas de electrones libres”
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Gas de electrones libres (Gas de electrones libres (monodimensionalmonodimensional): El modelo): El modelo
x0 L
eN electrones
Distribución monodimensional de electrones libres (*) con una densidad electrónica , de Ne electrones por segmento de longitud L. (*) Cada electrón se mueve
sometido el potencial creado por todos los demás y se acepta que éste es el mismo para todos los electrones y en cualquier punto del espacio disponible para todos los electrones.
)()(2 2
22
xxxm
xxx ψεψ =∂
∂−h
[condiciones de contorno periódicas (Born-von Karman)])()( xLx xx ψψ =+
Atención: éstas NO son las condiciones de periodicidad naturales del cristal; sólo son condiciones de contorno “razonables”
equivalen a construir una “macrored” de periodicidad L
ed
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Gas de electrones libres (Gas de electrones libres (monodimensionalmonodimensional): Niveles permitidos): Niveles permitidos
⇒c.c.
;)(xki
kxx
xeNx =ψ ;
2)( 2
2
xx km
kh
=ε
xkiLkixki xxx eee = ⇒ 1=Lki xe1cos =Lkx0sen =Lkx
⇒
πππ 2,4,2,0 xx nLk =±±= L
( )L,2,1,0 ±±=xnL
nk xx
π2=
Niveles permitidos
xk0L
π21
L
π22
L
π23
L
π21−
L
π22−
Lπ2
;si0 xx
xkixkikkee xx ′≠=
′
[ ] 1−= Lkx
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Gas de electrones libres (Gas de electrones libres (monodimensionalmonodimensional): Niveles ocupados a T=0): Niveles ocupados a T=0
eN es muy grande (del orden de )2310
Principio de Pauli ⇒ máximo de 2 electrones / nivel electrónico ocupado
Último nivel ocupado (nivel de Fermi):
22
2,,
πππe
eFxFx d
L
N
Lnk ===
( ) ;212 , eFx Nn =+ ;24 , eeFx NNn ≅−=4
,e
Fx
Nn =
Energía de los niveles ocupados: 2
2
22
2
222
2
2
4
22)( xxxx n
mL
hn
Lmk
mk ===
πε
hh
( )4,,2,1,0 ex Nn ±±±= L
–distribución quasi-continua de niveles
muy grande
–el nivel 0 se suele omitir2
22
8eF d
m
πε
h=
Energía de Fermi:
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Gas de electrones libres (Gas de electrones libres (monodimensionalmonodimensional): Niveles): Niveles
xk
22
2)( xx k
mk
h=ε
niveles ocupados
niveles vacíos
2
π
L
Ne+2
π
L
Ne−
Energía de Fermi
1ª (macro) zona de Brillouin
(de la “macrored” de periodicidad L) L
Ne π2
4+
L
Ne π2
4−
Fε
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Gas de electrones libres (Gas de electrones libres (monodimensionalmonodimensional): Densidad de estados): Densidad de estados
εε dD )(
Número de estados cuya energía está comprendida entre y ε εε d+
Número de estados cuyo vector de onda está comprendida entre y xk xx dkk +
xx dkkD )(
22
2xk
m
h=ε→xk
xx dkkm
d2
h=ε→xdk
( )xdk
m
m2/1
2 εh=
estadounidades de longitud del eje
xkLπ2
1
π2
L==)( xkD
( )ε
εππd
m
mLdk
Lx 2/1
222 h= ε
επd
mL2/12/3
2/1 1
2h=
2/12/3
2/1 1
2)(
επε
h
mLD =
ε
)(εD
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Gas de electrones libres (Gas de electrones libres (monodimensionalmonodimensional): Energía total): Energía total
∫=F
dDETε
εεε0
)(2
∫=F
dmL
ETε
εεεπ 0 2/12/1
2/1 1
2h
2/3
2/1
2/1
3
2
2F
mLε
πh=
Energía media por electrónEnergía media por electrón
222
48e
e
T dmN
E πh=
2
4
22
23eedN
m⋅=
πh
Fε6
1=
222
8eF d
m
πε
h=
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Gas de electrones libresGas de electrones libresDistribución tridimensional de electrones libres (*) con una densidad electrónica, de, de Ne electrones en un volumen V.
)()(ˆ2
22
rrm
rrhψεψ =∇−
[condiciones de contorno periódicas (Born-von Karman)]
),,(),,( zyxzyLx ψψ =+L
L
L
),,(),,( zyxzLyx ψψ =+),,(),,( zyxLzyx ψψ =+
;)( rki
keCr
rr
rr
=ψ 22
2)( k
mk
hr=ε
( )L,2,1,0 ±±=xnL
nk xx
π2=
( )L,2,1,0 ±±=ynL
nk yy
π2=
( )L,2,1,0 ±±=znL
nk zz
π2=
( );,, zyx kkkk ≡r
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Gas de electrones libresGas de electrones libres
xk
yk
L
π2Número de estados permitidos por unidad de volumen del espacio :k
r
( ) 3382
1
ππ
V
L=
Número de estados permitidos en una esfera del espacio de radio :k
r
3
2
3
3 63
4
8FF k
Vk
V
ππ
π=
xk
yk
Fk
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Gas de electrones libres: Niveles ocupados a T=0Gas de electrones libres: Niveles ocupados a T=0
eF NkV
=3
262
πÚltimo nivel ocupado (nivel de Fermi):
;3 2
3
πFe k
V
N= 23 3πeF dk = (vector de onda de Fermi)
Esfera de Fermi: Esfera del espacio que contiene todos los estados ocupados a T=0 en el gas de electrones libres.
kr
Superficie de Fermi: Superficie del espacio que contiene todos los estados ocupados a T=0 en un cristal dado; en general no es una superficie esférica.
kr
Energía de Fermi: Energía del último nivel ocupado a T=03/23/22
22
2
)3(22
eFF dm
km
πεhh
==
Momento lineal de Fermi: hFF kp =
Velocidad de Fermi: mkmp FFF h==v
Temperatura de Fermi: FBF Tk=ε
Constituida por todos los puntos del espacio que tienen energía
kr
Fε
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Gas de electrones libres: Densidad de estadosGas de electrones libres: Densidad de estados
dkkD )(
Número de estados cuyo vector de onda tiene un módulo comprendida entre y k dkk +
estados por unidad de volumen del espacio k
r volumen del espacio kr
comprendido entre yk dkk +
dkkV 2
34
8π
π=
;2
22
km
h=ε
εε dD )( dkkV 2
34
8π
π=
dkkm
d2
h=ε
( )ε
επ
πd
mmV2
2/1
3
24
8 hh= εε
πd
mV 2/1
2/123
2/3
2h=
2/1
2/123
2/3
2)( ε
πε
h
mVD =
ε
)(εD
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Gas de electrones libres: Energía total y otras propiedadesGas de electrones libres: Energía total y otras propiedades
∫=F
dDETε
εεε0
)(2
2/5
23
2/32/3
5
2FT
mVE ε
πh= 3/2
3/53/42
10
3ee dN
m
πh=
3/23/222
)3(2
eF dm
πεh
=
3/23/53/42
10
3e
e
T dmN
E πh=
Fε5
3=Energía media por electrón:
Variación de la energía de Fermi con el volumen: VV
FF
3
2εε−=
∂
∂
Presión (interna) debida al gas de electrones: V
EP T
3
2=
Módulo de compresibilidad del gas de electrones: V
EB T
9
10=
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Distribución de FermiDistribución de Fermi--DiracDirac
Dado un conjunto de Ne electrones en equilibrio térmico a la temperatura T,la probabilidad de que haya un electrón ocupando el nivel de energía iεviene dada por:
1
1)(
)( +=≡
− TkiiBFie
ppεε
ε
Número total de electrones: ∑=i
ie pN 2
si la energía de los niveles varía de forma quasi-continua
εεε dDp∫+∞
∞−= )()(2
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Distribución de FermiDistribución de Fermi--DiracDirac
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Distribución de FermiDistribución de Fermi--DiracDirac
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Distribución de FermiDistribución de Fermi--DiracDirac
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Distribución de FermiDistribución de Fermi--DiracDirac
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Distribución de FermiDistribución de Fermi--DiracDirac
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Distribución de FermiDistribución de Fermi--DiracDirac
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Propiedades térmicas del gas de electrones libresPropiedades térmicas del gas de electrones libres
Número total de electrones
εε
π εεd
e
mVTkBF∫
∞+
−+
=0 )(
2/1
2/123
2/3
12
2hεεε dDpNe ∫
+∞
=0
)()(2
Energía total electrónica a la temperatura
εεεε dDpET ∫+∞
=0
)()(2
T
2/3
2/123
2/3
3
22
2F
mVε
πh=
εε
π εεd
e
mVTkBF∫
∞+
−+
=0 )(
2/3
2/123
2/3
12
2h
Capacidad calorífica electrónica a volumen constante, a la temperatura T
εεεε
dDT
pC elecV ∫
∞+
∂
∂=
0, )(
)(2
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Capacidad calorífica electrónica a V constanteCapacidad calorífica electrónica a V constante
número de electrones que se excitan (a T) TkB~
energía ganada por cada electrón que se excitan (a T)
TkB~
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Capacidad calorífica electrónica a V constanteCapacidad calorífica electrónica a V constante
número de electrones que se excitan (a T) TkB~
energía ganada por cada electrón que se excitan (a T)
TkB~
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Capacidad calorífica electrónica a V constanteCapacidad calorífica electrónica a V constante
número de electrones que se excitan (a T) TkB~
energía ganada por cada electrón que se excitan (a T)
TkB~
energía térmica (a T) 22~ TkB
capaciad calorífica electrónica a voluemen constante
T~
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Capacidad calorífica electrónica a V constanteCapacidad calorífica electrónica a V constantepor volumen V del metal (que contiene Ne electrones)
εεεε
dDT
pC elecV ∫
∞+
∂
∂=
0, )(
)(2
( )[ ]TkTkT
p
BFB
F
2cosh4
1)(22 εε
εεε
−
−=
∂
∂
εεε
ε dT
pDC FelecV ∫
∞+
∂
∂=
0,
)()(2
εεεε dDpET ∫+∞
=0
)()(2
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Capacidad calorífica electrónica a V constanteCapacidad calorífica electrónica a V constante
εεε
ε dT
pDC FelecV ∫
∞+
∂
∂=
0,
)()(2
( )[ ]ε
εε
εεεε d
TkTkD
BFB
FF ∫
∞+
−
−=
0 22 2cosh4)(2
;2 Tk
xB
Fεε −= ;2 FB xTk εε += dxTkd B2=ε
dxTkx
xTk
T
xD B
Tk
FBF
B
F2
cosh4
)2(2)(2
2
2∫∞+
−
+= ε
εε
εε
ε dkx
xTkxDC B
FBFelecV ∫
∞+
∞−
+=
2,cosh
)2()(2
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Capacidad calorífica electrónica a V constanteCapacidad calorífica electrónica a V constante
εεε dx
xk
x
xTkDC FBBFelecV ∫
∞+
∞−
+=
22
22
,coshcosh
2)(2
0cosh 2
=∫∞+
∞−dxx
x
6cosh
2
2
2 π=∫
∞+
∞−dxx
x
TkDC BFelecV
22
, )(3
2ε
π= variación lineal con
pendiente proporcional a
T
)( FD εb
por volumen V del metal (que contiene Ne electrones)
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Capacidad calorífica electrónica a V constanteCapacidad calorífica electrónica a V constante
TkN
CF
BeelecV
ε
π 22
,2
=
Aconee NnN ,=
Gas de electrones libres
por volumen V del metal (que contiene Ne electrones)
2/1
2/123
2/3
2)( FF
mVD ε
πε
h=
3/23/222
)3(2
eF dm
πεh
=
V
Nd ee =
por mol de metalp.ej. metal monoatómico
BA
F
BconeelecV kN
TknC 3
6
2
,,
=
ε
π
TkNk
nC BA
F
BconeelecV
=
ε
π
2
2
,, Tb=F
coneT
Rnb
2
2
,
π=
a temperatura ambiente
vibVC ,
210~ −vibV
F
cone CT
Tn ,
2
,6
≈
π
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Ondas planasOndas planasOnda plana que se propaga en la dirección del espacio real :kr
rr=propag
rkierr ( )
zyx kkkk ,,≡r
( )zyxr ,,≡r
reales
reales
– el valor de la onda plana es constante en cualquier plano del espacio real que sea perpendicular a k
r
Czkykxkrk zyx =++=rr
(un plano para cada valor de ) kr
⊥ C
– el valor de la onda plana es periódico a lo largo de líneas paralelas a , con periodicidad dada por k
rkπλ 2=
kr
p.ej., en la dirección de k
r )( λ+= rkirki ee– es un momento lineal; se conoce como el “vector de onda”k
r
;ˆ xki
x
xki
xxx ekep h= ;ˆ
yki
y
yki
yyy ekep h= zki
z
zki
zzz ekep h=ˆ
hrrkp =
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Red de Bravais; Celda unidad primitivaRed de Bravais; Celda unidad primitivaRed de Bravais:
Conjunto de puntos discretos cuyo vector de posición viene dado por
332211 anananRrrrr
++= 321 ,, nnn enteros
321 ,, aaarrr
no coplanares
(definición alternativa) Red infinita de puntos discretos, cuya distribución y orientación es idéntica en todos los puntos de la misma.
ejemplo de red de Bravais bidimensional
ejemplo de red bidimensional que no es de Bravais
Celda unidad primitiva:Volumen del espacio que, trasladado a todos los puntos de una red de Bravais, llena todo el espacio sin vacíos ni solapamientos: Genera el cristal completo.
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Red recíproca Red recíproca (de una red de Bravais)(de una red de Bravais)
Sea una red de Bravais , de periodicidad { }Rr
( )321 ,, aaarrr
Red recíproca:
Una onda plana cualquiera no tiene, en general, la periodicidad de esa red de Bravais, pero sí la tiene si su vector de onda apunta en ciertas direcciones y tiene ciertas longitudes.k
r
Conjunto de vectores de onda cuyas ondas planas tienen la misma periodicidad que la red de Bravais (o red directa)
{ }Kr
rKiRrKi eerrrrr
=+ )({ }Kr
1=RKierr { }R
r
{ }Kr
red directa
red recíproca
Caso de una red directa cúbica:
π211 naK x =π222 naK y =π233 naK z =
Cada punto de una red recíproca representa una onda plana con las mismas condiciones de periodicidad que la red directa.
Si una onda plana tiene las mismas condiciones de periodicidad que la red directa, está representada por algún punto de la red recíproca.
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Red recíproca Red recíproca (monodimensional)(monodimensional)
11 =aKi xe π211 naK x = L,2,1,01 ±±=n
=x
red directa
0 1a 12a 13a1a−12a−13a−
=xk
red recíproca
01
2
a
π
1
4
a
π
1
2
a
π−
1
4
a
π−
celda unidad primitiva
1ª zona de Brillouin
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Periodicidad de las ondas planas Periodicidad de las ondas planas (monodimensionales)(monodimensionales)
xai
e 1
2π
1
2a
k==
πλ
=x
red directa
0 1a 12a 13a1a−12a−13a−
=xk
red recíproca
01
2
a
π
1
4
a
π
1
2
a
π−
1
4
a
π−
1ª zona de Brillouin
onda planaperiodicidad en la dirección de propagación
tiene la periodicidad
de la red directa
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Periodicidad de las ondas planas Periodicidad de las ondas planas (monodimensionales)(monodimensionales)
xai
e 1
4π
2
2 1a
k==
πλ
=x
red directa
0 1a 12a 13a1a−12a−13a−
=xk
red recíproca
01
2
a
π
1
4
a
π
1
2
a
π−
1
4
a
π−
1ª zona de Brillouin
onda planaperiodicidad en la dirección de propagación
tiene la periodicidad
de la red directa
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Periodicidad de las ondas planas Periodicidad de las ondas planas (monodimensionales)(monodimensionales)
xa
i
e 1
8.0 π
15.22
ak
==π
λ
=x
red directa
0 1a 12a 13a1a−12a−13a−
=xk
red recíproca
01
2
a
π
1
4
a
π
1
2
a
π−
1
4
a
π−
1ª zona de Brillouin
onda planaperiodicidad en la dirección de propagación
NO tiene la
periodicidad de la
red directa
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Red recíproca Red recíproca (bidimensional)(bidimensional)
)0,( 11 aa =r
red directa
red recíproca
),0( 22 aa =r
)0,2( 11 aK π=r
)2,0( 22 aK π=r
2211 alalRrrr
+=
),( 2211 alal=
2211 KmKmKrrr
+=
)2,2( 2211 amam ππ=
ππ 22)( 2211 nmlmlRK =+=rr
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Periodicidad de las ondas planas Periodicidad de las ondas planas (monodimensionales)(monodimensionales)
)0,( 11 aa =r
red directa
red recíproca
),0( 22 aa =r
)0,2( 11 aK π=r
)2,0( 22 aK π=r
+ ya
xa
i21
222exp
ππ
p.ej.:21 2aa =
2
2 2a
k==
πλ
onda plana
periodicidad en la dirección de propagación
tiene la periodicidad
de la red directa
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Red recíproca Red recíproca (bidimensional)(bidimensional)
aa )0,1(1 =r
red directa
red recíproca
aa )23,21(2 =r
aK 34)1,0(1 π=r
aK 34)21,23(2 π=r
2211 alalRrrr
+=
alll )23,2( 221 +=
2211 KmKmKrrr
+=
ammm 34)2,23( 212 π+=
ππ 22)( 122221 nmlmlmlRK =++=rr
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Celda primitiva de WignerCelda primitiva de Wigner--SeitzSeitz
Celda de Wigner-Seitz en torno a un punto de una red de Bravais:Región del espacio que está más próxima a dicho punto que a cualquier otro de esa red de BravaisContrucción prácita: Trazar líneas desde ese punto hasta sus primeros vecinos de la red de Bravais; trazar planos bisectrices de las mismas; tomar el poliedro limitado por dichos planos que contiene el punto de la red de Bravais de referencia.
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Primera zona de BrillouinPrimera zona de Brillouin
Primera zona de Brillouin:La celda de Wigner-Seitz en torno a un punto de la red recíproca
=xk
red recíproca
01
2
a
π
1
4
a
π
1
2
a
π−
1
4
a
π−
1ª zona de Brillouin 11 aka x ππ ≤≤−
Del mismo modo que una celda primitiva unidad contiene toda la información sobre la estructura de un cristal, la primera zona de Brillouin contiene toda la información sobre las ondas planas que se propaguen en ese cristal.
113 aka x ππ −≤≤−11 3 aka x ππ ≤≤
2ª zona de Brillouin
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 45
Electrones en un potencial periódico: Teorema de BlochElectrones en un potencial periódico: Teorema de Bloch
=x red directa
0 1a 12a1a−12a− 2/L2/L−
~ 1 Å ~ 106 Å
)()( 1axVxV +=
Teorema de Bloch:
)()()(ˆ2
22
xxxVm xxx knnkkn ψεψ =
+∇−h
)()( 1axVxV +=
⇒)()( xUex
x
x
x kn
xki
kn =ψ
con )()( 1axUxUxx knkn +=
Las funciones propias de la ec. de Schrödinger con un potencial periódico son ondas planas multiplicadas por una función periódica (con la misma periodicidad que el potencial)
1aNL =
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 46
Electrones en un potencial periódico: Teorema de BlochElectrones en un potencial periódico: Teorema de Bloch
)()( 1
1 xeaxx
x
x kn
aki
kn ψψ =+o, alternativamente:
)()( xUexx
x
x kn
xki
kn =ψ con )()( 1axUxUxx knkn +=
)()( rUerkn
rki
kn
rrv
rr
r =ψ con )()( RrUrUknkn
rrrvv +=
)()( reRrkn
Rki
kn
rrrv
rr
r ψψ =+En tres dimensiones:
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 47
Electrones en un potencial periódico: Estados permitidosElectrones en un potencial periódico: Estados permitidos
Periodicidad microscópica, natural en el cristal
Condiciones de Bloch⇓
Periodicidad a escala macroscópica, impuesta arbitrariamente
Condiciones de Born-von Karman⇓
)()( 1
1 xeaxx
x
x kn
aki
kn ψψ =+
)()( 1 xNaxxx knkn ψψ =+
)()( xLxxx knkn ψψ =+
)()( 1
1 xeNaxx
x
x kn
aNki
kn ψψ =+
11 =aNki xe
;21 πxx mNak = ;2
1
xx mNa
kπ
= ( )L,2,1,0 ±±=xm
En el eje (del que algunos de sus puntos constituyen la red recíproca) hay un estado permitido por cada segmento de longitud
xk
12 Naπ
Los estados permitidos de un electrón en un potencial periódico tienen los mismos valores de que los estados permitidos del Gas de Electrones Libres!xk
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 48
Electrones en un potencial periódico: Estados permitidosElectrones en un potencial periódico: Estados permitidos
Estados permitidos: )(xxkn
ψ ;2
1
xx mNa
kπ
= ( )L,2,1,0 ±±=xm
=xk
red recíproca
01
2
a
π
1
4
a
π
1
2
a
π−
1
4
a
π−
1
2
Na
π
1
4
Na
π
1
6
Na
π1
2
Na
π−
1ª zona Brillouin
En una celda primitiva de la red recíproca, el número de estados permitidos es:
12 Naπ12 aπ unidades long. eje k / celda primitiva rr
unidades long. eje k / estado permitidoN=
estados permitidos
celda primitiva rr
El número de estados permitidos en la primera zona de Brillouin es igual al número de celdas primitivas del cristal.
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 49
Electrones en un potencial periódico: BandasElectrones en un potencial periódico: Bandas
– Una función con condiciones de contorno Born-von Karman puede expresarse como combinación lineal de todas las ondas planas que satisfagan dichas condiciones de contorno
– Un potencial periódico puede expresarse como combinación lineal de todas las ondas planas que tengan la misma periodicidad (la del cristal)
xqi
q
q
x
x
x
eCx ∑∈
=GEL
)(ψ
;xqi
qx
xeN ;
22
1
xxx mNa
mL
qππ
== ( )L,2,1,0 ±±=xm
;xKi xe ;
21
1
na
K x
π= ( )L,2,1,01 ±±=n
[porque son todos los estados permitidos de un gas de electrones libres con cc B-vK]
[que son los elementos de la red recíproca]
xKi
K
RRK
x
x
x
eaxV ∑∈
=)(
)()( 1axVxV +=
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 50
1. Cálculo de la matriz del Hamiltoniano, , en la base de ondas planas del gas de electrones libres
Electrones en un potencial periódico: BandasElectrones en un potencial periódico: Bandas
Método variacional linealxq
C
xqi xeVT +ˆ
22
GEL2
)(ˆ qm
qeNTeN qqqq
xqi
q
xqi
q
h′′
′′ == δεδ
a. La matriz de energía cinética es diagonal [es el caso de GEL]
xqi
q
xKixqi
qK
RRK
xqi
q
xqi
q eNeeNaeNxVeN x
x
x
′′
∈
′′ ∑=)(
b. Las interacciones entre ondas planas sólo proceden del potencial periódico
xKqi
q
xqi
qK
RRK
eNeNa )( +′′
∈
∑=
[omitimos los subíndices x]
xqi
q
xqi
qKqqK
RRK
eNeNa +′
∈
∑= ,δ KqqK
RRK
a +′
∈
∑= ,δ
Sólo se acoplan (se mezclan) ondas planas cuyos vectores de onda difieren exactamente en algún vector de la red recíproca Kqq +′=
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 51
Electrones en un potencial periódico: BandasElectrones en un potencial periódico: BandasConviene escribir qKkq −= ∈kde modo que 1ª zona de Brillouin
siendoqK un vector de la red recíproca
p.ej.
=xk 01
2
a
π
1
4
a
π
1
2
a
π−
qqK−k
1ª zona Brillouin
entonces Kqq +′=
;KqKk q +′=− ( )qq KkKKkq ′−=+−=′
Las ondas planas que se acoplan por el potencial periódico se corresponden a un mismo desplazamiento de dos puntos distintos de la red recíprocak
qKkq −=
qKkq ′−=′
⇓Los estados electrónicos en un potencial periódico se pueden caracterizar con un vector de onda de la 1ª zona de Brilloink
)(xkψ
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 52
Electrones en un potencial periódico: BandasElectrones en un potencial periódico: Bandas
=xk 01
2
a
π
1
4
a
π
1
2
a
π−
k
1ª zona Brillouin
Lista de ondas planas que contribuyen a la función de onda
ka
+1
2πk
a+
1
4πk
a+
1
6πk
a+−
1
2πLL
)(xkψ
xKki
Kk
K
k eCx )(
RR
)( −−
∈
∑=ψ ∈k 1ª zona de Brillouin
2. Diagonalización de la matriz del HamiltonianoKkC −⇒
Resultan tantos estados como ondas planas contribuyentes )(xnkψ⇒
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 53
Electrones en un potencial periódico: BandasElectrones en un potencial periódico: Bandas
k
ka +− 12π
ka +12π
ka +− 14π
ka +14π
L
k′
ka ′+− 12π
ka ′+12π
ka ′+− 14π
ka ′+14π
L
H
0
0 0
0
x
x
x
x
xL
x
x
x
x
xL
x
x
x
x
xL
x
x
x
x
xL
x
x
x
x
xL
L
L
L
L
L
L
x
x
x
x
xL
x
x
x
x
xL
x
x
x
x
xL
x
x
x
x
xL
x
x
x
x
xL
L
L
L
L
L
L
x
xL
x
xL
x
xL
x
xL
x
xL
L
L
L00
k ′′
ka ′′+− 12π
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 54
2
1
2
2 am
πε
h
Niveles del GEL(m) en representación de zona reducidaNiveles del GEL(m) en representación de zona reducida
k
k121 ak π⋅−
121 ak π⋅+122 ak π⋅−
122 ak π⋅+
123 ak π⋅−
123 ak π⋅+
1
2
a
π
1
4
a
π
1
2
a
π−
1
4
a
π− k0
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 55
Electrones en un potencial periódico: BandasElectrones en un potencial periódico: Bandas
Modelo simplificado:Interacción entre estados del gas de electrones libres de energía parecida
xki
keNxKki
Kk eN )( −−
)(GEL kε
)(GEL Kk −ε
KkkV −,
KkkV −,
11H 12H
12H 22H
( )( ) 02
122211 =−−− HHH εε ( ) 02211
2
122211
2 =+−+− HHHHH εε
( ) 2
12
2
22112211
22
1H
HHHH +
−±+=ε
( ) 2
,
2
GELGELGELGEL
2
)()()()(
2
1Kkkk V
KkkKkk −+
−−±−+≈
εεεεε kk 21 , εε
L
Punto Kk2
1= (plano de Bragg) Kk Vk ±= )(GELεε
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 56
=xk 01
2
a
π
1
2
a
π−
1
98.0a
π
1
02.1a
π−
Interacción Kkk −L
Electrones en un potencial periódico: Formación de bandasElectrones en un potencial periódico: Formación de bandas
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 57
Interacción Kkk −L
01
2
a
π
1
2
a
π−
Electrones en un potencial periódico: Formación de bandasElectrones en un potencial periódico: Formación de bandas
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 58
Interacción Kkk −L
01
2
a
π
1
2
a
π−
Electrones en un potencial periódico: Formación de bandasElectrones en un potencial periódico: Formación de bandas
N/2 estados del GEL
N/2 estados del GEL
N/2 estados del GEL
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 59
Interacción Kkk −L
01
2
a
π
1
2
a
π−
Electrones en un potencial periódico: Formación de bandasElectrones en un potencial periódico: Formación de bandas
N/2 estados del GEL
N/2 estados del GEL
N/2 estados del GEL
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 60
KV2
01
2
a
π
1
2
a
π−
Electrones en un potencial periódico: BandasElectrones en un potencial periódico: Bandas
banda de N estados
banda de N estados
espaciado entre bandas (band gap)
Esquema de zona extendida
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 61
01
2
a
π
1
2
a
π−
1a
π
Electrones en un potencial periódico: BandasElectrones en un potencial periódico: Bandas
KV2banda de N estados
banda de N estados
espaciado entre bandas (band gap)
Esquema de zona reducida
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 62
1a
π0
=N
N e electrones/celda primitiva unidad
2< banda (de valencia) incompleta⇒[conductores]
2= banda (de valencia) llena⇒[aislantes y semiconductores intrínsecos]
Energía de Fermi (nivel de Fermi) si
1=NN e
2=NN e
3=NN e
4=NN e
4;2 <> banda (de valencia) incompleta⇒[conductores]
4= banda (de valencia) llena⇒[aislantes y semiconductores intrínsecos]
L
Electrones en un potencial periódico: BandasElectrones en un potencial periódico: Bandas
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 63
Bandas (bidimensionales), Bandas (bidimensionales), a lo largo del eje (ka lo largo del eje (kxx,0) de la 1ªZB, ,0) de la 1ªZB, en representación de zona reducidaen representación de zona reducida
espacio recíproco y red recíproca(de una red de Bravais bidimensional cuadrada)
xk
yk
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 64
Niveles del GEL(b) a lo largo del eje (kNiveles del GEL(b) a lo largo del eje (kxx,0) de la 1ªZB, ,0) de la 1ªZB, en representación de zona reducidaen representación de zona reducida
a
π
a
π2
a
π−
a
π2− xk
22
2 am
πε
h
( )0,2 akx π−( )0,xk
( )0,2 akx π+
( )0,4 akx π−
ZBkx ª1∈
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 65
Niveles del GEL(b) a lo largo del eje (kNiveles del GEL(b) a lo largo del eje (kxx,0) de la 1ªZB, ,0) de la 1ªZB, en representación de zona reducidaen representación de zona reducida
a
π
a
π2
a
π−
a
π2− xk
22
2 am
πε
h
( )0,2 akx π−( )0,xk
( )0,2 akx π+
( )0,4 akx π−
ZBkx ª1∈
( )aakx ππ 2,2 ±−( )akx π2,±
( )aakx ππ 2,2 ±+
( )aakx ππ 2,4 ±−
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 66
Niveles del GEL(b) a lo largo del eje (kNiveles del GEL(b) a lo largo del eje (kxx,0) de la 1ªZB, ,0) de la 1ªZB, en representación de zona reducidaen representación de zona reducida
a
π
a
π2
a
π−
a
π2− xk
22
2 am
πε
h
ZBkx ª1∈
( )0,2 akx π−( )0,xk
( )0,2 akx π+
( )0,4 akx π−
( )aakx ππ 2,2 ±−( )akx π2,±
( )aakx ππ 2,2 ±+
( )aakx ππ 2,4 ±−
( )aakx ππ 4,2 ±−( )akx π4,±
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 67
Niveles del GEL(b) a lo largo del eje (kNiveles del GEL(b) a lo largo del eje (kxx,0) de la 1ªZB, ,0) de la 1ªZB, en representación de zona reducidaen representación de zona reducida
a
π
a
π2
a
π−
a
π2− xk
22
2 am
πε
h
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 68
Niveles del GEL(b) a lo largo del eje (kNiveles del GEL(b) a lo largo del eje (kxx,0) de la 1ªZB, ,0) de la 1ªZB, en representación de zona reducidaen representación de zona reducida
a
π
a
π2
a
π−
a
π2− xk
22
2 am
πε
h
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 69
Superficie de Fermi 1=XF εεy Primera zona de Brillouin
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 74
1a
π0
εNúmero de estados en un interalo diferencial de energía en torno a :
Electrones en un potencial periódico: Densidad de estadosElectrones en un potencial periódico: Densidad de estados
εε dDdNestados )(=
Densidad de estados en torno a la energía :ε
)(εD
)(εD
ε
modelo linealEnergía de Fermi (nivel de Fermi) si
1=NN e
2=NN e
3=NN e
4=NN e
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 75
Electrones en un potencial periódico: Densidad de estadosElectrones en un potencial periódico: Densidad de estados
)(εD
εFε
Gas de electrones libres tridimensional
)(εD
εFε
Conductor metálico tridimensional
)(εD
εFε
Aislante tridimensional
gapε∆ )(εD
εFε
Semiconductor intrínseco tridimensional
gapε∆
Densidades de ocupación a T=0
QFES. Cristales metálicos. U.A.M. 2005–06. 76
Electrones en un potencial periódico: Densidad de estadosElectrones en un potencial periódico: Densidad de estados
)(εD
εFε
Gas de electrones libres tridimensional
)(εD
εFε
Conductor metálico tridimensional
)(εD
εFε
Aislante tridimensional
gapε∆ )(εD
εFε
Semiconductor intrínseco tridimensional
gapε∆
Densidades de ocupación a T>0