practica 4,5,6 de dispositivos esime
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8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime
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Practica #4
“Medición de la amplitud y frecuencia de la salida de diferentes circuitos
limitadores con diodos zener y obtención de sus gracas de transferencia”
Procedimiento
1.- btener la respuesta de salida de los siguientes circuitos
!plicando a la entrada una se"al senoidal de 1 $pp de amplitud a 1%&z.
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'.- (legir la misma
escala de
sensibilidad )ertical
para ambos canales* seleccionando acoplamiento !+ en el canal 1 y ,+ para el
canal '.
.- Para la obtención de las grcas de transferencia /$ salida )s $ entrada0*
seleccionar el modo -2 en el osciloscopio colocando la misma escala de
sensibilidad para ambos canales. Posteriormente selecciona acoplamiento 3,
en los dos canales y ubica el punto en el centro de las coordenadas* despu5s
seleccionar !+ para el canal 1 y ,+ para el canal '.
Simulaciones
Para el circuito de la gura /a0
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Para el circuito de la gura/b0
!mplitud 1
$pp
671 %&z
!mplitud .88
$pp
671 %&z
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Para el circuito de la gura /c0
!mplitud 1
$pp
671 %&z
!mplitud 8.
$pp
671 %&z
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Resultados Obtenidos
Para el circuito de la gura /a0
!mplitud 1
$pp
671 %&z
!mplitud 11.1
$pp
671 %&z
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Para el circuito de la gura /b0
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Para el circuito de la gura /c0
Practica #
9denticación del tipo* terminales y estado de transistores bipolares de unión
/:;metro digital marca !gilent
Procedimiento:
1.- ,el manual “,iscrete ?emicondutor Products” del fabricante ational
?emiconductor elegir ' transistores bipolares tipo P y ' tipo PP de
aplicación para amplicadores de propósitos generales y conmutadores.
btener sus @oAas de especicaciones t5cnicas.
'.- 9ndicar la interpretación de su nomenclatura.
.- ,el mult>metro digital seleccionar la función de o@m con un rango de %B y
realizar el procedimiento para identicar las terminales emisor* colector y base.
4.- Cegistrar en una tabla para cada uno de los transistores los )alores de
resistencia el5ctrica medidos entre las terminales cuando se polarizan
directamente las uniones p-n en todo el procedimiento de prueba.
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. +onforme los )alores de resistencia medidos* identica cada una de las
terminales asi como el tipo de funcionalidad de cada transistor /buen estado*
corto circuito o circuito abierto0.
D.- Cepetir el procedimiento del punto y 4 pero a@ora eligiendo la función de
prueba de diodos.
8.- Cepetir el punto pero teniendo en cuenta los )alores de )oltaAe realizados
en el punto anterior.
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Practica E D
Amplifcador con Polarización fja en confguración Emisor Común
Introducción:
El transistor bipolar que opera en la región lineal tiene unas características eléctricas
lineales que son utilizadas para amplificación. En estos circuitos, las señales de entrada
son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de energía realizado a
través de fuentes de tensión externas denominadas fuentes de alimentación o fuentes de
polarización. as fuentes de alimentación cubren dos ob!etivos" proporcionar las
corrientes y tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en la región
lineal y suministrar energía al transistor, una parte de la cual va a ser convertida en
potencia #amplificación$. os valores de corrientes y tensiones en continua en losterminales de un transistor se denominan punto de traba!o y se suele expresar por la letra
%.
igura !
El transistor del circuito de la figura & esta polarizado con dos resistencias y unafuente de tensión en continua '((. En este circuito se verifica que"
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)i suponemos que el transistor se encuentra en la región directa lineal, entoncesse puede relacionar las intensidades de base y colector a través de la hFE y asignar una tensión base*emisor típica de +.'. El c-lculo de las tensiones e intensidades
del transistor proporciona su punto de traba!o %. ara este circuito, % vienedefinido por las siguientes ecuaciones"
En la figura &./ se muestra la representación gr-fica del punto de traba!o % deltransistor, especificado a través de tres par-metros" 0(%, 01% y la '(E%. Este punto seencuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga est-tica" si %se encuentra en el límite superior de la recta el transistor estar- saturado, en ellímite inferior en corte y en los puntos intermedios en la región lineal. Esta recta seobtiene a través de la ecuación del circuito que relaciona la 0 ( con la '(E que,representada en las curvas características del transistor de la figura &./,corresponde a una recta. a tercera ecuación define la recta de carga obtenida alaplicar 2' al circuito de polarización, de forma que"
ara dibu!ar esta recta de una manera sencilla en el plano #'(E, 0($ del transistor se seleccionan dos puntos"
a) '(E3+, entonces 0(3'(( 4 5(.
b) 0(3+, entonces '(E3'((. Estos puntos se pueden identificar en la figura &./ yrepresentan los cortes de la recta de carga est-tica con los e!es de coordenadas.
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6igura &./ ímite de operación de un transistor.
7na de las primeras decisiones relacionadas con la polarización de un transistor esseleccionar la ubicación del punto %. a selección m-s pr-ctica es situarle en la mitad dela recta de carga est-tica para que la corriente de colector sea la mitad de su valor m-ximo, condición conocida como excursión m-xima simétrica. Evidentemente esta es
una condición de diseño que asegurara el m-ximo margen del punto % a incrementos decualquier signo de la intensidad de colector. )in embargo, hay muchas otras condicionesde operación del transistor que exige un desplazamiento de % en uno u otro sentido. Enestos casos la situación del punto % estar- definida por las diferentes restricciones.
POLARIZACIONES DC CON RETROALIMENTACIÓN DE VOLTAJE.
olarización 8( con retroalimentación de emisor. En este circuito la resistencia derealimentación es 5E.
6igura b. olarización con retroalimentación.
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9aremos la prueba de desestabilizar el punto %.
0( intenta aumentar mucho. ero al aumentar la 0(, aumenta la 'E.
Entonces vemos que se da un fenómeno de :autorregulación:, intenta aumentar mucho pero al final aumenta menos. ;unque no se estabiliza, se desestabilizamenos, esa :auto corrección: se llama realimentación.
; este efecto de que una variable de salida afecte a la entrada se le llamarealimentación, la salida afecta a la entrada, se auto corrige. ;dem-s se le llama:5ealimentación negativa: porque un aumento supone una disminución. )i unaumento supusiera otro aumento sería una :5ealimentación positiva:. Enamplificadores es muy importante la realimentación, como se ver- m-s adelante.
)eguimos analizando el circuito.
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I"S#R$CCIO"ES: Gtilizar en 5sta prctica dos :;
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ara una óptima amplificación se tiene que tener en cuenta que el punto de
operación debe de cumplir
Q→ I C =6mA y V CE=6V ademasde qesaremosla βtipica=200
8e la ecuación = despe!amos a la resistencia al igual que de la ecuación >
RB=V CC −V BE
( I C
β )
RC =V CC −V CE
I C
or lo tanto para el circuito de polarización de corriente de base teniendo en
mente las condiciones anteriores tenemos que los valores de los resistores son"
RB=376 !" RC =1 !"
8eterminación de la variación del punto de operación en reposo con beta mínima y
m-xima
8e la ecuación de malla = despe!amos la corriente de colector
I C =(V CC −V BE) β
R B
8e la ecuación de malla / despe!amos el volta!e colector emisor
V CE=V CC − I C RC
;hora para beta mínima y m-xima los respectivos resultados de 0c y 'ce
I c1=2.97 mA y V CE 1=9.03
I c1=8.92mA yV CE1=3.08
ara las respectivas variaciones de corriente y volta!e obtenemos
# I C =5.95mA y #V CE=5.95V
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(onsideremos el circuito de la figura
Ecuaciones de malla
E=¿ I B+ I C
1.− I ¿ CC =¿ I B R B+V BE+ I E R E
2.−V ¿
CC =¿ I C R C +V CE+ I E R E3.−V ¿
5ealizando la misma analogía para este circuito que el visto anteriormente
tenemos que los valores de los resistores son los siguientes, tomando las
ecuaciones / y = tenemos"
RB=V CC −V BE− R E I E
( I
C
β )
RC =V CC −V CE− R E I E
I C
)e observa que para ambas resistencias se tiene una cierta dependencia de la
resistencia del emisor, para este caso pr-ctico se tomara un valor de 5e 3 /++ ?,
y por tanto obtendremos"
?e puede obser)ar Fue el cto es
similar al de la gura 1* tan solo
se agregó el resistor C(* dondesu función primordial es darle
mayor estabilidad al
ura Dc
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RB=356666" R C =900 "
7na de las consideraciones importantes que debe de ser respetado para la
m-xima estabilidad es la siguiente"
A ¿V E $0.10V CC o V E $0.20V CC
Entonces examinando esta condición de estabilidad obtenemos que 5e es igual a"
/.* ara el /+@ de 'cc
V E=1.2V or ley de ohm sabemos que V = IR , asi pues R E=V E
I E→
1.2V
6mA
Abservando lo anterior y que 0E es aproximadamente 0c
R E=200"
RC =800 " y RB=336666.66"
=.* ara el =+@ de 'cc
R E=400"los Resistores son → R C =600" y R B=296666.66"
+on este nue)o )alor de Ce los
resistores complementarios toman
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PROCE%I&IE"#O'
1. !rma el circuito amplicador de la gura DJ y mide el punto de operación
en reposo /I0.
Simulación (medición del punto )*'
VCC12V
R1430kΩ R2
1kΩ
Q1
2N2222A
C1
100n
C2
100n
igura !a
+EC) IC)
Simulación D.KL $ .18
m!#ransistor
,
8.D8 $ 4.L m!
#ransistor
-
.DK$ D.4' m!
-
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VCC
12V
R1430kΩ R2
1kΩ
Q1
2N2222A
XMM1
XMM3
'. !plica a la entrada del circuito* como se ilustra en la gura Db* una se"al
senoidal de un 1%@z de frecuencia y una amplitud pico a pico de 1 m$*
aumenta lentamente la amplitud de la se"al /obser)ando lo Fue ocurre
con la se"al de salida0 @asta Fue a la salida se obtenga la mNima
amplitud de la forma de onda sin distorsión alguna. 3uarda en G?: las
grcas de entrada y salida /o respuesta0 del circuito* y calcula la
ganancia de )oltaAe /!) 7 $salO$ent0. (stn en fase las se"ales de
entrada y salidaQ (Nplica bre)emente.
Q1
2N2222A
VCC
12V
R1
430kΩ
C1
100nF
R2
1kΩ
VCC
12V
C2
100nF
XFG1
XSC2
; 1 ( 8
B
C
igura !b
-
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Simulación:
Entrada Salida
6re7 1%@z +PP antes dedistorsionarse+PP./0m+
re. ,12z +PP. 3'-+
%anaciade &olta'e ( A& )=Vsal
Vent =
5.2V
70mV =74.28 &eces
#ransistor , 4.,/5
Entrada Salida6re7 1%@z +PP antes de
distorsionarse
+PP.600m+
re. ,12z +PP.3'7-+
%anaciade &olta'e ( A& )=Vsal
Vent =
5.92V
400mV =78.1 &eces
Q1
2N2222A
VCC
12V
R1
430kΩ
C1
100nF
R2
1kΩ
VCC
12V
C2
100nF
XFG1
XSC2
; 1 ( 8
B
C
Q1
2N2222A
VCC
12V
R1
430kΩ
C1
100nF
R2
1kΩ
VCC
12V
C2
100nF
XFG1
XSC2
; 1 ( 8
B
C
-
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#ransistor - 4.-!,
Entrada Salida6re7 1%@z +PP antes de
distorsionarse
+PP.600m+
re. ,12z +PP. 5'8-+
%anaciade &olta'e ( A& )=Vsal
Vent =
781mV
10mV =78.1 &eces
. !@ora* conecta en el (misor una CR 7 C1 7 1 S como lo muestra la
gura Dc. Mide y registra de nue)o el punto de operación en reposo I
/1cr $+(I0* es decir sin aplicar se"al en la entrada. !nota tus
obser)aciones.
Q1
2N2222A
VCC
12V
R1
430kΩ
R2
1kΩ
VCC
12V
R3
1.0kΩ
&edición del punto de reposo ()* con RE.,009*'
Q1
2N2222A
VCC
12V
R1
430kΩ
C1
100nF
R2
1kΩ
VCC
12V
C2
100nF
XFG1
XSC2
; 1 ( 8
B
C
Q1
2N2222A
VCC
12V
R1
430kΩ
R2
1kΩ
VCC
12V
R3
100Ω
XMM1
XMM2
-
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&edición del punto de reposo ()* con RE.-009*'
&edición del punto de reposo ()* con RE.6009*'
VCC
12V
R1430kΩ R2
1kΩ
Q1
2N2222A
XMM1
XMM2
VCC
12V
R3200Ω
4.-Cepite el procedimiento del punto ' anterior. (s el mismo )alor de la
ganancia de )oltaAe obtenida en el punto dosQ (Nplica.
Q1
2N2222A
VCC
12V
R1
430kΩ
C1
100nF
R2
1kΩ
VCC
12V
C2
100nF
XFG1
RE
XSC1
CeDtronix
/ = > E C
B
.
VCC
12V
R1
430kΩ R2
1kΩ
Q1
2N2222A
XMM1
XMM2
VCC
12V
R3
200Ω
RE.,009 +EC) IC)
Simulación
#ransistor
,#ransistor
-
RE.-009 +EC) IC)
Simulación !'!-+ 6'6/6m
A#ransistor
,#ransistor
-
RE.6009 +EC) IC)
Simulación !'8,8+ 6'036m
A#ransistor
,#ransistor
-
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Simulacion'
Con resistencia en el emisor (RE.,009*
Entrada Salida
re.,12
z
+PP antes de
distorsion
arse
+PP.,'
0-+
re.,12z
+PP.5'!-
+
%anaciade &olta'e ( A& )
Vsal
Vent =
8.62V
1.02V =8.4&eces
#ransistor , 4.,/5 con resistencia en el
emisor(RE.,009*
Entrada Salida6re7
1%@z
+PP antesde
distorsionars
e
+PP.600
m+
re.
,12z
+PP.
5'55+
%anaciade &olta'e ( A& )
Vsal
Vent =
781mV
10mV =&eces
-
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#ransistor - 4.-!, con resistencia en el
emisor(RE.,009*
Simulacion'
Con resistencia en el emisor (RE.-009*
Entrada Salida
re.
,12
z
+PP antes de
distorsionarse
+PP.,'
5-+
re.
,12z
+PP.
5',!
+
%anaciade &olta'e ( A& )
Vsal
Vent =
8.62V
1.02V =4.4 &eces
#ransistor , 4.,/5 con resistencia en elemisor(RE.-009*
Entrada Salida
Q1
2N2222A
VCC
12V
R1
430kΩ
C1
100nF
R2
1kΩ
VCC
12V
C2
100nF
XFG1
RE
200Ω
CeDtron
Entrada Salida6re7
1%@z
+PP antesde
distorsionars
e
+PP.600
m+
re.
,12z
+PP.
7'0+
%anacia de &olta'e ( A& )
Vsal
Vent = 9V
10mV =&eces
-
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6re7
1%@z
+PP antesde
distorsionars
e
+PP.600
m+
re.
,12z
+PP.
/'!+
%anaciade &olta'e ( A& )
Vsal
Vent =
781mV
10mV =&eces
#ransistor - 4.-!, con resistencia en el
emisor(RE.-009*
Entrada Salida6re7
1%@z
+PP antesde
distorsionars
e
+PP.600m+
re.
,12z
+PP.
5'5+
%anaciade &olta'e ( A& )
Vsal
Vent =
781mV
10mV =&eces
Con resistencia en el emisor (RE.6009*
Q1
2N2222A
VCC
12V
R1
430kΩ
C1
100nF
R2
1kΩ
VCC
12V
C2
100nF
XFG1
RE
400Ω
XSC1
CeDtronix
/ = > E C
B
.
-
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Simulacion'
Con resistencia en el emisor (RE.600*
Entrada Salida
re.
,12
z
+PP antes de
distorsion
arse
+PP.,'
5-+
re.
,12z
+PP.
5',!
+
%anaciade &olta'e ( A& )
Vsal
Vent =
8.62V
1.02V =4.4 &eces
#ransistor , 4.,/5 con resistencia en el
emisor(RE.600*
Entrada Salida6re7
1%@z
+PP antesde
distorsionars
e
+PP.600
m+
re.
,12z
+PP.
/'3-+
%anaciade &olta'e ( A& )
Vsal
Vent =
781mV
10mV =&eces
-
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Q1
2N2222A
VCC
12V
R1
430kΩ
C1
100nF
R2
1kΩ
VCC
12V
C2
100nF
XFG1
RE
100Ω
XSC1
CeDtronix
/ = > C
B
C3
4.7µF
#ransistor - 4.-!, con resistencia en el
emisor(RE.600*
Entrada Salida6re7
1%@z
+PP antesde
distorsionars
e
+PP.600
m+
re.
,12z
+PP.
8'/!+
%anaciade &olta'e ( A& )
Vsal
Vent =781mV
10mV =&eces
.-+onecta un capacitor en paralelo con CR como lo muestra la gura Dd.
bser)a y anota lo Fue ocurre con la amplitud de la se"al de salida. ?e
modica el )alor de !)Q Por Fu5Q
al +onectar el capacitor en paralelo
con la resistencia se logra dar ms
estabilidad al circuito y tambi5n
obtenemos una mayor ganancia de
)oltaAe en la salida.
. !umenta la amplitud de la se"al de entrada de modo Fue el
transistor entre a las regiones de corte y saturación 3uarda en G?: la
grca de la se"al de salida y mide sus )alores mNimo y m>nimo de
la amplitud. (Nplica en Fu5 regiones est trabaAando el
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D. Cealiza un cuadro sinóptico para )aciar todos los resultados
num5ricos resultantes de eNperimentar en los diferentes circuitos con
los dos transistores /I1 y I'0* anotando tus obser)aciones para cada
caso.8. Cealiza tus conclusiones. +omplementa y resuel)e el cuestionario
para Fue lo aneNes al reporte.
+uestionario
1 9ndica la principal caracter>stica de la polarización Aa.' +ul es la función de CRQ
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Practica /;Amplifcador con polarización de colector<
base en confguración Emisor común;'
IntroducciónEn un proceso de diseño o de an-lisis de un amplificador es necesario conocer la
respuesta del sistema tanto en 8( como en ;(. a selección del punto de traba!o % de un
transistor se realiza a través de diferentes circuitos de polarización que fi!en sus tensiones
y corrientes.
En la figura a se incluyen los circuitos de polarización m-s típicos basados en
resistencias y fuentes de alimentaciónF adem-s, se indican las ecuaciones que permiten
obtener el punto de traba!o de los transistores. Estos circuitos presentan diferencias en
algunos casos importantes.
1.- ,ise"a un amplicador con :;< en
conguración emisor comTn con
polarización de colector base /como el
Fue ilustra0 la gura 8a.
+omo @emos )ista la importancia de
mantener el punto de reposo en
medio de la recta de carga para poder
brindarle mayor estabilidad al circuito
amplicador se dise"ara un circuito
de polarización colector base el cual
presenta una mayor estabilidad Fue
los circuitos anteriores.
!"#$a %a. C!$!'( *+ ,(-a$!a&!/n *+ '$an!'($+ JT
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! continuación se realizaran los clculos de los arreglo de resistencias para el
circuito de polarización colector-base para poder obtener un punto de reposo
en $+(I7D$ y 9+I7Dm!.
C(n!*+$+( +- !"#!+n'+ &!$!'(
Ecuacion de malla de entrada
1.−V CC = RC ( I C + I B )+ I B RB+ I E R E
Ecuación de malla de salida
2.−V CC = RC ( I C + I B )+V CE+ I E R E
8e la ecuación = despe!amos el resistor de colector"
RC =V CC −V CE− R E I E
I E
8e la ecuación / despe!amos el resistor de base"
RB=V CC − RC ( I C + I B )− R E I E
I B
Ceniendo las consideraciones de 5e3/++ ?, =++ ? y con ++ ?, que
corresponden a los valores permitidos para que haya una ganancia optima,
exceptuando el valor de /++ ? que est- por deba!o del rango permitido se tiene"
(on 5e3/++ ?
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RC =893" y RB=176.66 ! "
(on 5e3=++ ?
RC =795.02" y R B=176.66 ! "
(on 5e3++ ?
RC =595.02" y R B=176.66 ! "
'.- repita las instrucciones y el procedimiento indicado en la prctica o D*
agregando tambi5n al circuito dise"ado los capacitores +1 y + ' a la entrada y la
salida respecti)amente.
a. !rme el circuito amplicador con :;< en conguración emisor comTn
con la conguración emisor-base y mida el punto de operación en
reposo.
VCC
12V
RC
R
RE
Q1
2N2222A
Polarización colector base con: las
siguientes resistencias calculadas
R E=100" (200" ( 400"
RC =893 "(795.02"(595.02"
RB=176.66 ! " ( : : : :
-
8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime
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&edición del punto de operación en reposo ()* con
RE.,009*'
VCC
12V RC
893Ω
R
177kΩ
RE
100Ω
Q1
2N2222A
1
DC 10MOhm.224 V+
-
2
DC 1e-009Ohm.%5 A+
-
&edición del punto de operación en reposo ()* con
RE.-009*'
VCC12V
RC
795Ω
R
177kΩ
RE
200Ω
Q1
2N2222A
1
DC 10MOhm.216 V+
-
2
DC 1e-009Ohm.%%5 A+
-
RE.,009 +EC) IC)
Simulación D.''4$ .8LDm!
#ransistor
,#ransistor
-
RE.-009 +EC) IC)
Simulación D.'1K$ .88Lm!
#ransistor
,#ransistor
-
-
8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime
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&edición del punto de operación en reposo ()* con
RE.6009*'
VCC
12V
RC
595Ω
R
177kΩ
RE
400Ω
Q1
2N2222A
1
DC 10MOhm.216 V+
-
2
DC 1e-009Ohm.%%5 A+
-
RE.6009 +EC) IC)
Simulación D.'1K$ .88Lm!
#ransistor
,#ransistor
-
-
8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime
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b. !plicando a la entrada del circuito una se"al de 1U@z y una )oltaAe pico
a pico inicial de 1m$* aumentar lentamente la amplitud de la se"al
@asta Fue en la salida obtenga un mNimo de amplitud de la forma de
onda sin distorsionarse.
Simulacion'
Con resistencia en el emisor (RE.,009*
#ransistor , 4.,/5 con resistencia en el
emisor(RE.,009*
Entrada Salida6re7
1%@z
+PP antesde
distorsionars
e
+PP.600
m+
re.
,12z
+PP.
-0'6+
%anaciade &olta'e ( A& )
VCC
12V
RC
595Ω
R
177kΩ
RE
400Ω
Q1
2N2222A
XFG1
C1
100nF
XSC1
CeDtronix
/ = > C
B
C2
100nF
Entrada Salida
re.
,12z
+PP antesde
distorsionarse
+PP.,'-
8+
re.
,12z
+PP.
7',7
+
%anaciade &olta'e( A& )
Vsal
Vent =
9.19V
1.23V =7.4 &eces
-
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Vsal
Vent =
781mV
10mV =&eces
#ransistor - 4.-!, con resistencia en el
emisor(RE.,009*
Entrada Salida6re7
1%@z
+PP antes
dedistorsionars
e
+PP.600
m+
re.
,12z
+PP.
,7'-+
%anaciade &olta'e ( A& )
Vsal
Vent =
781mV
10mV =&eces
Simulacion' (Con un areglo de resitencias de:RE.-009
= RC./739*
Con resistencia en el emisor (RE.-009*
Entrada Salida
re.
,12
z
+PP antes de
distorsion
arse
+PP.,'
5-+
re.
,12z
+PP.
5',!
+
-
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%anaciade &olta'e ( A& )
Vsal
Vent =
8.62V
1.02V =4.4 &eces
#ransistor , 4.,/5 con resistencia en el
emisor(RE.-009*
Entrada Salida6re7
1%@z
+PP antesde
distorsionars
e
+PP.600
m+
re.
,12z
+PP.
7'05+
%anaciade &olta'e ( A& )
Vsal
Vent =
781mV
10mV =&eces
#ransistor - 4.-!, con resistencia en elemisor(RE.-009*
Entrada Salida6re7
1%@z
+PP antesde
distorsionars
e
+PP.600
m+
re.
,12z
+PP.
5'5+
%anaciade &olta'e ( A& )
-
8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime
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Vsal
Vent =
781mV
10mV =&eces
Con resistencia en el emisor (RE.6009 = RC.3739 *
Simulacion'
Con resistencia en el emisor (RE.600*
Entrada Salida
re.
,12
z
+PP antes de
distorsionarse
+PP.,'
5-+
re.
,12z
+PP.
5',!
+
%anaciade &olta'e ( A& )
Vsal
Vent =
8.62V
1.02V =4.4 &eces
#ransistor , 4.,/5 con resistencia en elemisor(RE.600*
Entrada Salida
Q1
2N2222A
VCC
12V
R1
430kΩ
C1
100nF
R2
1kΩ
VCC
12V
C2
100nF
XFG1
RE
400Ω
XSC1
CeDtronix
/ = > E C
B
.
-
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6re7
1%@z
+PP antesde
distorsionars
e
+PP.600
m+
re.
,12z
+PP.
/',-+
%anaciade &olta'e ( A& )
Vsal
Vent =
781mV
10mV =&eces
#ransistor - 4.-!, con resistencia en el
emisor(RE.600*
Entrada Salida6re7
1%@z
+PP antesde
distorsionars
e
+PP.600
m+
re.
,12z
+PP.
/'8!+
%anaciade &olta'e ( A& )
Vsal
Vent =
781mV
10mV =&eces
-
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+G(?
-
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?Amplifcador &ultietapa en Confguración Emisor Común
PROCE%I&IE"#O
1. !rme el circuito de la gura KJ siguienteV
XFG1
Q2
2N2222A
VCC
12V
C1
10µF
R1
82kΩ
2
22kΩ
R2
220Ω
R3
820Ω
R4
22kΩ
R
1kΩ
Q1
2N2222A
5
8.2kΩ
4%
470Ω
C2
10µF
C3
10µF
XSC1
CeDtronix
/ = > E C
B
.
C4
10µF
igura 7a
'. Primero mida y anote el punto de operación en reposo de los transistores
I1 y I'* es decir* sin aplicarle se"al del generador de funciones al
circuito amplicador sino solamente con el )oltaAe de polarización $cc de
la fuente de poder.
Punto deoperación en reposo
Q2
2N2222A
VCC
12V
R1
82kΩ
2
22kΩ
R2
220Ω
R3
820Ω
R4
22kΩ
R
1kΩ
Q1
2N2222A
5
8.2kΩ
4%
470Ω
C2
10µF
4.20 V+
-
2
DC 10MOhm.5% V+
-
3
DC 1e-009Ohm.552 A+
-
4
DC.0%6 A+
-
Simulación +EC) IC)
#ransistor
,
.L8 $ .LL'
m!#ransistor
-
4.'$ .8K
m!
-
8/21/2019 practica 4,5,6 de dispositivos esime
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. !@ora apliFue* con el generador de funciones* a la entrada del circuito
una se"al sinusoidal de 1 %@z de frecuencia* conectando el canal 1 del
osciloscopio a la entrada del amplicador multietapa y el canal ' a su
salida.4. 9niciando con el control del generador de funciones al m>nimo* aumente
lentamente la amplitud* obser)ando la se"al de salida del amplicadormultietapa /entre el colector de I' y tierra* esto es en el canal ' del
osciloscopio0V y det5ngase Austo antes de Fue se empiece a distorsionar
la se"al de salida.. Mida y registre el )alor $ p-c de la se"al de entrada y el $ pp de salida del
amplicador multietapa.D. a de la se"al de salida con respecto a la
entrada del multietapaQ1.Cealice la operación !) /etapa 1 W !) /etapa '0. +ompare este )alor con
el de !) total calculado en el punto L y @aga sus obser)aciones.11.Cepita el procedimiento de los pasos indicados de los puntos al L
anteriores* pero agregando un capacitor /+40 de 1 Xfd en paralelo conel emisor del primer amplicador como lo muestra la gura Kb. +ompare
con los resultados obtenidos anteriormente y @aga sus obser)aciones.1'.!@ora desconecte el capacitor + Fue se encuentra en paralelo con C(
de la etapa de salida. bser)e y anote Fue ocurre con la se"al de salida.1.+on las condiciones de los puntos 1* y 4 cambie el capacitor + por
uno de 1 Xfd y obser)e lo Fue ocurre con la salida del multietapa.14.Mida y anote la !). como
obser)aciones respecti)as y realice sus conclusiones.
1D.(labore y resuel)a un cuestionario para entregarlo al inicio de la sesiónde laboratorio* de por lo menos 1 preguntas cuyo contenido sea
referido al tema de 5sta prctica.