oct. 7th, wednesday oct. 8th, thursday oct. 9th,...
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Oct. 7th, Wednesday Oct. 8th, Thursday Oct. 9th, Friday
Poster Session 3
+ VR Poster Session
(16:40-18:10)
(16:32 - 16:40)
Session Th3
(16:02 - 16:32)
Company Introduction 3
(15:22 - 16:02)
Short Presentation 3
(14:20 - 15:22)
Company Introduction 2
(12:10 - 12:50)
Free Time (Lunch)
(12:50 - 13:40)
Free Time (Lunch)
(11:50 - 12:40)
Company Introduction 5
(12:40 - 13:40)
Company Introduction 4
(9:30 - 11:00)
Closing Session (16:15 - 16:35)
(16:50 - 17:00)
Session We3
(16:20 - 16:50)
Online Party
(19:00 - 20:00)
+ Free Banquet
Free Time
(18:00 - 18:50)
Company introduction 1
(18:50-19:00)
Free Time
(18:10 - 19:00)
16:00
17:00
18:00
19:00
18:00
19:00
(14:00 - 14:10)
Session We1
(14:10 - 14:40)
Special Session
"Forefront of 5G technology &
business" (13:40-14:15)(14:15 - 14:25)
Special Session
(14:25-14:55)
(14:55 - 15:05)
Special Session
(15:05-15:35)
(15:35 - 15:45)
15:00
16:00
17:00
(14:40 - 14:50)
Session We2
(14:50 - 15:20)
(15:20 - 15:30)
Short Presentations 1
(15:30 - 16:10)
(16:12 - 16:20)
14:00
12:00
13:00
14:00
11:00
12:00
10:00
(14:10 - 14:20)
9:00
20:00
(9:30 - 9:40)
Short Presentations 2
(9:40 - 10:30)
(10:30 - 10:40)
Poster Session 2
(10:40 - 12:10)
Session Th2
(13:40 - 14:10)
15:00
Session Fr1
(9:00 - 9:30)
Tutrial
(11:00 - 11:50)
Special Session
(15:45-16:15)
Session Th1
(9:00 - 9:30)
20:00
Poster Session 1
(17:00 - 18:00)
Rump Session
(19:00 - 20:30)
9:00
10:00
11:00
Plenary Session
(13:10 - 14:00)
Opening Session (13:00 - 13:10)13:00
*The time highlighted with this color is
for break, advertisement
and announcement.
第 39回電子材料シンポジウム
39th Electronic Materials
Symposium
EMS-39
ADVANCE PROGRAM Oct. 7th (Wed.) – 9th (Fri.), 2020 ONLINE http://ems.jpn.org/
【October 7th, Wednesday】
Opening Session (13:00-13:10)
Plenary Session (13:10-14:00) Chair: N. Fujimura (Osaka Prefecture University)
Plenary 13:10 (50min) Research on Nitride Semiconductors ~from the Dawn, through the Present, to the Future~
窒化物半導体研究の夜明け、現在、そして将来
T. Matsuoka
Tohoku University
Break (14:00-14:10)
Session We1 (14:10-14:40) Chair: K. Kojima (Tohoku University)
We1 [Invited] 14:10 (30min) Recent Progress of Power Semiconductor Devices and Expectation for GaN Power Devices
最近のパワーデバイスの進展ならびに GaNパワーデバイスへの期待
N. Iwamuro
Univsersity of Tsukuba
Break (14:40-14:50)
Session We2 (14:50-15:20) Chair: T. Araki (Ritsumeikan University)
We2 [Invited] 14:50 (30min) Breakthrough Technologies for AlGaN-based UV-B Laser Diode
サファイヤ基板上に作製した UV-Bレーザーダイオード
M. Iwaya*, T. Omori*, S. Tanaka*, Y. Ogino*, K. Yamada*, S. Ishizuka*, S. Teramura*, K. Sato*,**, S.
Iwayama*,***, T. Takeuchi*, S. Kamiyama*, I. Akasaki*,****, and H. Miyake*** *Meijo University, **Asahi-Kasei Corporation, ***Mie University, and ****Nagoya University
Break (15:20-15:30)
Short Presentation 1 (15:30-16:10) Chair: F. Ishikawa (Ehime University) P1-1 15:30 (2min+poster) RF-MBE growth and characterization of high-In-content GaInN/GaInN multiple layers
高 In 組成 GaInN/GaInN 多重周期構造の RF-MBE 成長と評価
K. Tahara, R. Yoshida, H. Hirukawa, T. Yamaguchi, T. Onuma, and T. Honda
Kogakuin University
P1-2 15:32 (2min+poster) Growth of GaN Film on ScAlMgO4 Substrate by RF-MBE
RF-MBE法による ScAlMgO4基板上 GaN エピタキシャル成長
S. Kayamoto*, T. Fuji*,** T. Fukuda**, R. Sugie***, S. Mouri*, and T. Araki* *Ritsumeikan Univ, **Fukuda Crystal Laboratory, ***Toray Research Center, Inc.
P1-3 15:34 (2min+poster) A theoretical model for carbon coverage on GaN polar surfaces during MOVPE
極性面 GaN-MOVPEにおける炭素被覆率の理論解析
D. Yosho*, Y. Inatomi*, and Y. Kangawa*,** *Kyushu University, **Nagoya University
P1-4 15:36 (2min+poster) Epitaxial Growth of InGaN Thin Film with High InN Molar Fraction by Pulsed DC Sputtering
高 InN モル分率 InGaN 薄膜の DCパルススパッタリング成長
Y. Onishi*, H. Miura**, N. Takahashi**, M. Uemukai*, T. Tanikawa*, and R. Katayama* *Osaka University, **Tokyo Electron Technology Solutions Limited
P1-5 15:38 (2min+poster) Hole Traps Introduced by Electron Beam Irradiation in Homoepitaxial n-type GaN and Its Irradiation Energy
Dependence
電子線照射によりホモエピタキシャル成長 n 型 GaN 中に形成されるホールトラップの照射エネルギー依
存性
M. Endo, M. Horita, K. Kanegae, and J. Suda
Nagoya University
P1-6 15:40 (2min+poster) Impact of The Schottky Barrier Height on Deep-level Transient Spectroscopy of Gamma-ray-irradiated n-
type GaN
ショットキー障壁高さがガンマ線を照射した GaNに対する DLTS 測定に与える影響
K. Aoshima, M. Horita, and J. Suda
Nagoya University
P1-7 15:42 (2min+poster) Fabrication of GaN Polarity-Inverted Structure by Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching and
Surface Activated Bonding
誘導結合プラズマ反応性イオンエッチングと表面活性化接合による GaN極性反転構造の作製
N. Yokoyama, R. Tanabe, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
Osaka University
P1-8 15:44 (2min+poster) Transverse Quasi-Phase-Matched Second Harmonic Generation using Polarity-Inverted GaN Channel
Waveguide with Input Grating Coupler
入力グレーティング結合器を集積した極性反転 GaN チャネル導波路による横型擬似位相整合第二次高
調波発生
T. Murata, N. Yokoyama, T. Komatsu, Y. Morioka, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
Osaka University
P1-9 15:46 (2min+poster) Layer-by-layer Synthesis of Metal Oxide Compounds by Programable Pulsed-DC Sputtering Combined with
Oxygen Pulsed Supply
酸素パルス供給と組み合わせたプログラム可能なパルス DC スパッタリングによる金属複合酸化物のレー
ヤー・バイ・レーヤー合成
H. Isshiki*, K. Miyagi*, Y. Tanaka*,**, and S. Saisho*,** *The University of Electro-Communications, **Shincron Co. LTD.
P1-10 15:48 (2min+poster) Annealed Proton-Exchanged Waveguide with Large Mode Size in Quasi-Phase-Matched MgO:SLT for High
Power Second Harmonic Generation
高出力第二高調波発生に向けたMgO:SLT 擬似位相整合アニールプロトン交換導波路
R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama Osaka University
P1-11 15:50 (2min+poster) Growth of GaAs nanowires on 2-inch Si substrate by molecular beam epitaxy
分子線エピタキシーによる 2 インチ Si基板上への GaAsナノワイヤの成長
M. Yukimune, K. Sakaguchi, R. Tsutsumi, T. Ohno, and F. Ishikawa
Ehime University
P1-12 15:52 (2min+poster) Effect of Bi flux on the molecular beam epitaxial growth of GaAs/GaAsBi core/shell nanowires GaAs/
GaAsBi
コアシェルナノワイヤーの分子線エピタキシャル成長に対する Biフラックスの影響
M. Okujima*, S. Mori*, K. Yoshikawa*, M. Yukimune*, R. D. Richards**, and F. Ishikawa* *Ehime University, **University of Sheffield
P1-13 15:54 (2min+poster) Two-step photon up-conversion solar cells using up-conversion of holes
正孔のアップコンバージョンを利用した 2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池
S. Asahi*, M. P. Nielsen**, N. J. Ekins-Daukes**, and T. Kita* *Kobe University, **University of New South Wales
P1-14 15:56 (2min+poster) Crystallization of Ni (111) layer on c-plane sapphire substrate for high-quality graphene precipitation -
utilization of crystallization starter layer -
高品質グラフェン析出のための c 面サファイヤ基板上 Ni (111)層の結晶化─結晶化開始層の使用─
A. Nakashima, T. Kashio, T. Murahashi, T. Soga, T. Maruyama, and S. Naritsuka
Meijo University
P1-15 15:58 (2min+poster) In-situ X-ray diffraction monitor of multilayer graphene by precipitation method using nanodiamond
ナノダイヤモンドを用いた析出法による多層グラフェンのその場 X 線回折測定
T. Kashio, A. Nakashima, Y. Ueda, T. Maruyama, and S. Naritsuka
Meijo University
P1-16 16:00 (2min+poster) High pressure and high temperature treatment for the impurity control of P implanted diamond
リンイオン注入ダイヤモンドの不純物制御のための高温高圧処理
K. Higashiura, R. Fukuta, F. Ishikawa, T. Shinmei, H. Ohfuji, and T. Irifune
Ehime University
P1-17 16:02 (2min+poster) Magnetic tunnel junction based sensors for electric current monitoring
電流検出用強磁性トンネル接合磁気センサ M. Oogane, T. Ogasawara, M. Tsunoda, and Y. Ando
Tohoku University
P1-18 16:04 (2min+poster) Highly thermal-stable monolayers formed on a gold surface using benzenedithiol
金表面に形成したベンゼンジチオール単分子膜の耐熱性評価
H. Takahashi, N. Ikematsu, Y. Hattori, and M. Kitamura
Kobe University
P1-19 16:06 (2min+poster) Self-consistent analysis of PCSEL under CW operation
連続駆動時のフォトニック結晶レーザーの自己無撞着動作解析
S. Katsuno, T. Inoue, M. Yoshida, M. De Zoysa, K. Ishizaki, and S. Noda
Kyoto University
P1-20 16:08 (2min+poster) The effect of laser pulse interval on laser-induced periodic nanostructure formation
レーザー誘起周期ナノ構造形成におけるパルス間隔の影響
T. Ohgai, R. Miyagawa, and O. Eryu
Nagoya Institute of Technology
Break (16:10-16:20)
Session We3 (16:20-16:50) Chair: H. Nishinaka (Kyoto Institute of Technology)
We3 [Invited] 16:20 (30min) Deep and Vacuum UV Emission Properties in Rocksalt-structured MgZnO
酸化物半導体 MgZnOにおける波長 200 nm以下の深紫外線発光特性
T. Onuma*, K. Kudo*, K. Ishii**, M. Ono*, Y. Ota***, K. Kaneko**, T. Yamaguchi*, S. Fujita*, and T.
Honda* *Kogakuin University, **Kyoto University, and ***Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research
Institute
Break (16:50-17:00)
Poster Session 1 (17:00-18:00) Core time (Odd: 17:00-17:40, Even: 17:20-18:00)
Free time (18:00-18:50) Company Introduction 1 (18:50-19:00)
Rump Session (19:00-20:30) “PhD researchers lead not only academia but also industry and global society”
「博士研究者がアカデミアはもとより産業界そしてグローバル社会を牽引するということ」
Organizer: N. Fujimura (Osaka Prefecture University)
Panelists: T. Asahi (Waseda University)
S. Takahashi (Leave a Nest Co., ltd.)
S. Tsuji (Seijo University)
E. Hoshi (The University of New Mexico)
オーガナイザ ・藤村 紀文 (大阪府立大) パネラー
・朝日 透 (早稲田大)「パラダイムチェンジをリードする博士人材」 ・高橋 修一郎 (リバネス) 「博士が仕掛けるビジネスとは-博士の情熱が世界を変える-」
・辻 智 (成城大学) 「グローバルに活躍の場を拡げる博士社員」 ・星 エリ (ニューメキシコ大学)「研究室からマーケットプレイスへ。」
【October 8th, Thursday】
Session Th1 (9:00-9:30) Chair: Y. Kangawa (Kyushu University)
Th1 [Invited] 9:00 (30min) Introduction to “Future Materials Exploring Initiative-Engineering for Diverse Stable Phases-”
JST-CRDS 「未来材料探索イニシアティブ―多様な安定層のエンジニアリング―」への誘い
K. Sato*,** *Japan Science and Technology Agency and **Tokyo University of Agriculture and Technology
Break (9:30-9:40)
Short Presentation 2 (9:40-10:30) Chair: R. Miyagawa (Nagoya Institute of Technology)
P2-1 9:40 (2min+poster) Synthesis of high-entropy oxide epitaxial thin films: layered rock salt LiCr1/6Mn1/6Fe1/6Co1/6Ni1/6Cu1/6O2
高エントロピー酸化物のエピタキシャル薄膜合成: 層状岩塩型 Li(Co1/6Cr1/6Cu1/6Fe1/6Mn1/6Ni1/6)O2
K. Wang*, K. Nishio *, K. Horiba**, M. Kitamura**, K. Edamura*, D. Imazeki*, R. Nakayama*, R. Shimizu* ***, H. Kumigashira**,****, and T. Hitosugi* *Tokyo Institute of Technology, **High Energy Accelerator Research Organization, ***PRESTO, ****Tohoku
Univeristy
P2-2 9:42 (2min+poster) Change in the defect structures of composition controlled electronic-ferroelectric YbFe2O4 thin films
電子強誘電体 YbFe2O4薄膜の組成制御と欠陥構造の変化
K. Shimamoto, K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, and N. Fujimura
Osaka Prefecture University
P2-3 9:44 (2min+poster) Formation process of metastable Al-doped HfO2 thin films phases and directly on Si by atomic layer
deposition
ALD法を用いて作成した Si 直上 Al:HfO2準安定相の結晶化過程
S.Takarae, K. Takada, D. Kiriya, A. Ashida, T. Yoshimura, and N. Fujimura
Osaka Prefecture University
P2-4 9:46 (2min+poster) Growth of Metastable Rhombohedral Structured Oxides Using Alpha-Fe2O3 Buffer Layers via Mist CVD
Method
酸化鉄バッファ層を用いた準安定構造菱面体晶系酸化物の成長
K. Shimazoe, H. Nishinaka, Y. Arata, Y. Ito, and M. Yoshimoto
Kyoto Institute of Technology
P2-5 9:48 (2min+poster) Data Analysis for Sputtering and High-Temperature Annealing in AlN Templates Fabrication
AlN テンプレート作製におけるスパッタリング・高温アニーリングのデータ解析
A. Kusaba*, Y. Kangawa*,**, K. Norimatsu***, and H. Miyake*** *Kyushu University, **Nagoya University, ***Mie University
P2-6 9:50 (2min+poster) Epitaxial growth of various p- and n-type oxide thin films on flexible synthetic mica using mist chemical
vapor deposition
ミスト CVD 法を用いたフレキシブルな合成雲母上への p 型および n 型ワイドギャップ酸化物薄膜のエピ
タキシャル成長
Y. Arata, H. Nishinaka, K. Shimazoe, Y. Ito, and M. Yoshimoto
Kyoto Institute of Technology
P2-7 9:52 (2min+poster) Comparison of Microstructures in alpha-Ga2O3 and alpha-In2O3 Films Grown on alpha-Al2O3 Substrates by
Mist CVD
Mist CVD 法による α-Al2O3基板上 α-Ga2O3, α-In2O3の微細構造比較
Y. Hayakawa*, S. Ohno*, T. Yamaguchi*, T. Kiguchi**, S.Takahashi*, H. Yokoo*, T. Onuma*, and T. Honda* *Kogakuin University, **Tohoku University
P2-8 9:54 (2min+poster) Elimination of Threading dislocations in alpha-Ga2O3 Grown by Double-layered Epitaxial Lateral
Overgrowth
二重 ELOによる α型酸化ガリウムの貫通転位の除去
K. Kawara*,**, Y. Oshima***, M. Okigawa*, and T. Shinohe* *FLOSFIA Inc., **Kyoto University, ***National Institute for Materials Science
P2-9 9:56 (2min+poster) In-plane Anisotropy in the Direction of the Dislocation Bending in alpha-Ga2O3 Grown by Epitaxial Lateral
Overgrowth
ELOによる α型酸化ガリウムにおける転位屈折方向の面内異方性
K. Kawara*,**, T. Oshima*, M. Okigawa*, and T. Shinohe* *FLOSFIA Inc., **Kyoto University
P2-10 9:58 (2min+poster) P-type alpha-(Ir,Ga)2O3 with a band gap of more than 4 eV
バンドギャップ 4 eV 以上の p 型 α-(Ir,Ga)2O3
K. Kaneko*, Y. Masuda*, S. Kan*, I. Takahashi**, Y. Kato**, R. Kanno**, M. Sugimoto**, T. Shinohe**, and S.
Fujita* *Kyoto University, ** FLOSFIA Inc.
P2-11 10:00 (2min+poster) Band alignment of MgZnO alloys and the related band offset calculations
MgZnO混晶のバンドアライメントとバンドオフセット計算
Y. Ota*, K. Kaneko**, T. Onuma***, and S. Fujita** *TIRI, **Kyoto University, ***Kogakuin University
P2-12 10:02 (2min+poster) Structural and electronic properties of 2-dimensional GaN on van der Waals substrates
van der Waals基板上の 2次元窒化ガリウムの構造と電子状態
T. Yayama*, A. K. Lu**, T. Nakanishi**, and T. Morishita** *Kogakuin University, **AIST
P2-13 10:04 (2min+poster) Raman study of the phase transition in VO2 ultrathin films on hexagonal-boron nitride
六方晶窒化ホウ素上の VO2超薄膜における相転移のラマン分光研究
B. Yu*, S. Genchi*, M. Yamamoto**, K. Watanabe***, T. Taniguchi***, H. Tanaka* *Osaka University, **Kansai University, ***National Institute for Materials Science
P2-14 10:06 (2min+poster) Topological phase transformation of transition metal dichalcogenides via contacting electron donor
molecules
電子ドナー性分子の接合による遷移金属カルコゲナイドのトポロジカル相への転移
K. Matsuyama, A. Fukui, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, and D. Kiriya
Osaka Prefecture University
P2-15 10:08 (2min+poster) Formation of periodic nanostructures by circularly polarized laser
円偏光レーザーによる周期的ナノ構造の形成
H. Matsuura, R. Miyagawa, and O. Eryu
Nagoya Institute of Technology
P2-16 10:10 (2min+poster) Removal of polymer residues from PMMA-protected transferred graphene PMMA
保護により転写されたグラフェンからのポリマー残渣除去
K. Niwa, T. Fukami, T. Maruyama, and S. Naritsuka
Meijo University
P2-17 10:12 (2min+poster) First demonstration and characterization of semipolar deep ultraviolet LEDs on r-AlN
r 面 AlN上半極性深紫外 LED の初のデモンストレーションとその特性
R. Akaike, M. Funato, and Y. Kawakami
Kyoto University
P2-18 10:14 (2min+poster) Design and Fabrication of AlN Waveguide Microcavity SHG Device
AlN導波路型微小共振器第二高調波発生デバイスの設計と作製
S. Umeda, T. Nagata, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
Osaka University
P2-19 10:16 (2min+poster) Evaluation on formation energies of point defect in group III nitride semiconductors for space-use solar cells
宇宙用太陽電池に向けた III 族窒化物半導体の点欠陥生成エネルギーの評価
R. Suzuki, T. Yayama, and T. Honda
Kogakuin Iniversity
P2-20 10:18 (2min+poster) Impact of Cell Pitch on High-speed Switching Performance in GaN Vertical Trench MOSFETs
GaN 縦型トレンチ MOSFETのセルピッチが高速スイッチング性能へ与える効果
T. Ishida, K. Sakao, T. Kachi, and J. Suda
Nagoya University
P2-21 10:20 (2min+poster) Suppression of efficiency-droop for Eu-doped GaN using amplified spontaneous emission
自然放射増幅光を利用した Eu 添加 GaN における効率ドループ現象の抑制
A. Takeo, S. Ichikawa, S. Maeda, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
Osaka University
P2-22 10:22 (2min+poster) Impact of fabrication errors on laser oscillation in GaN:Eu-based photonic crystal cavities
GaN:Euフォトニック結晶共振器のレーザ発振に及ぼす作製誤差の影響
T. Iwaya, S. Ichikawa, M. Murakami, J. Tatebayashi, and Y. Fujiwara
Osaka University
P2-23 10:24 (2min+poster) Effect of boron implantation process conditions on isolation characteristics of GaN-based micro LED arrays
GaN 系マイクロ LED アレイの分離特性に対するホウ素注入プロセス条件の影響
F. Yoshimura, K. Yamane, and A. Wakahara
Toyohashi University of Technology
P2-24 10:26 (2min+poster) Performance Analysis of an InAs/GaAs/Al0.3Ga0.7As Quantum Dot in well Intermediate Band Solar Cell
under Two step Photoexcitations
二段階光励起下における InAs/GaAs/Al0.3Ga0.7As ドットインウェル中間バンド型太陽電池の性能解析
Y. Zhu, S. Asahi, K. Watanabe, and T. Kita
Kobe University
P2-25 10:28 (2min+poster) Absolute Photoluminescence Spectroscopy on InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells: Bias Voltage
Dependence
InAs/GaAs量子ドット太陽電池における絶対値発光分光:電圧バイアス依存性
R. Tamaki*,****, Y. Shoji**, J.-F. Guillemoles***,****, and Y. Okada*,**** *The University of Tokyo, **AIST, ***IPVF, ****NextPV LIA
Break (10:30-10:40)
Poster Session 2 (10:40-12:10)
Company Introduction 2 (12:10-12:50)
Free time (Lunch) (12:50-13:40)
Session Th2 (13:40-14:10) Chair: M. Kitamura (Kobe University)
Th2 [Invited] 13:40 (30min) New ferromagnetic semiconductos and spintronics applications: Fe-doped narrow-gap III-V
ferromagnetic semiconductors and heterostructures with high Curie temperature
強磁性半導体の新展開と半導体スピントロニクス:高いキュリー温度をもつ鉄添加狭ギャップ III-V 族強
磁性半導体とヘテロ構造
M. Tanaka*, L. Anh*, K. Takiguchi*, S. Goel*, S. Ohya *, N. Tu*,**, and P. Hai*,*** *The Univsersity of Tokyo, **Ho Chi Minh City University of Pedagogy, ***Tokyo Institute of
Technology
Break (14:10-14:20)
Short Presentation 3 (14:20-15:22) Chair: T. Yayama (Kogakuin University)
P3-1 14:20 (2min+poster) Characteristics of droplet formations at the molecular beam epitaxy of GaAsBi compound nanostructures on
Si(111) and GaAs(001) substrates
Si(111)及び GaAs(001)基板上の GaAsBi 化合物ナノ構造の分子線エピタキシー法における液滴形成特
性
K. Yoshikawa*, K. Nagashima**, T. Yanagida**, and F. Ishikawa* *Ehime University, **The University of Tokyo
P3-2 14:22 (2min+poster) Controlling Bi content in low-temperature-grown GaAs1-xBix
低温成長 GaAsBiの Bi組成の制御
T. Umenishi*, Y. Takagaki*, Y. Tominaga*, M. Yukimune**, and F. Ishikawa** *Hiroshima University, **Ehime University
P3-3 14:24 (2min+poster) Dramatic enhancement of current and voltage in modulation-doped two-step photon up-conversion solar cells
変調ドープした二段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における電流・電圧上昇
K. Watanabe, S. Asahi, Y. Zhu, and T. Kita
Kobe University
P3-4 14:26 (2min+poster) Development of mid-infrared photodetector can operate under room temperature with high sensitivity using
intraband transition
バンド内遷移を利用した室温動作高感度中赤外光検出デバイスの開発
K. Nakabayashi, S. Asahi, and T. Kita
Kobe University
P3-5 14:28 (2min+poster) Direct growth of single-layer graphene on 2-inch a-plane sapphire substrate using low-pressure CVD without
metal catalyst
金属触媒無しの減圧 CVDによる 2 インチ a 面サファイア基板上の単層グラフェンの直接成長
Y. Ueda, T. Maruyama, and S. Naritsuka
Meijo University
P3-6 14:30 (2min+poster) Low temperature graphite growth on SiO2 substrate using Ga solution
液状 Ga を用いた SiO2基板上の低温グラファイト成長
T. Fukami, K. Niwa, Y. Kobayashi, T. Maruyama, and S. Naritsuka
Meijo University
P3-7 14:32 (2min+poster) Thermal conductivity of suspended twisted bilayer graphene
架橋積層グラフェンの熱伝導率測定
J. Doi, S. Mouri, and T. Araki
Ritsumeikan University
P3-8 14:34 (2min+poster) Seed layer technique leading to high-efficiency multi-junction solar cells on glass
ガラス上多接合太陽電池の開発に向けた Al誘起層交換 Ge 薄膜のシード応用
T. Nishida, T. Suemasu, and K. Toko
University of Tsukuba
P3-9 14:36 (2min+poster) Highly Tolerant Diamond Schottky Barrier Photodiodes for High-Power Excimer Lamp and 70 MeV Protons
真空紫外線及び 70 MeV陽子線に対して高い耐性を有すダイヤモンドショットキーバリアダイオード
M. Imura*, M. Togawa**, H. Okumura***, J. Nishinaga****, M. Miyahara**, T. Matsuki**** and Y. Koide* *NIMS, **KEK, ***Univsersity of Tsukuba, ****AIST
P3-10 14:38 (2min+poster) Electrical and Optical Characteristics of ITO Electrode for Electrically-Tunable Waveguide Phase Shifter
電界印加型導波路位相シフタのための ITO 電極の電気的・光学的特性
A. Tomibayashi, Y. Hisada, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
Osaka University
P3-11 14:40 (2min+poster) Formation and optical characteristics of Tm,Yb-codoped ZnO nanowires on silicon substrates by sputtering-
assisted MOCVD
Si基板上 Tm,Yb 共添加 ZnO ナノワイヤの結晶成長と発光特性評価
N. Nishiyama, J. Tatebayashi, S. Ichikawa, and Y. Fujiwara
Osaka University
P3-12 14:42 (2min+poster) Solution processed nonvolatile organic transistor memories based on ambipolar organic semiconductors
両極性有機半導体を用いた塗布型不揮発性有機トランジスタメモリ
M. Higashinakaya*, T. Nagase*,**, R. Hattori*, S. Tazuhara*, T. Kobayashi*,** and H. Naito*,** *Osaka Prefecture University, ** RIMED
P3-13 14:44 (2min+poster) Evaluation of carrier mobility in organic metal-oxide-semiconductor capacitors
有機 MOS キャパシタのキャリア移動度評価
Y. Kimura, Y. Hattori, and M. Kitamura
Kobe University
P3-14 14:46 (2min+poster) Influence of the Layer Number of Graphene on Remote Epitaxy of InN by RF-MBE
RF-MBE を用いた InN リモートエピタキシーにおけるグラフェン層数の効果
K. Matsushima, S. Mouri, and T. Araki
Ritsumeikan University
P3-15 14:48 (2min+poster) Role of Low-Temperature Buffer Layer and GaN Flattening Layer on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of
Lattice-Matched InGaN on ScAlMgO4
ScAlMgO4上の格子整合 InGaN の有機金属気相成長に対する低温バッファ層と GaN 平坦化層の役割
S. Yoshida*, N. Ryoki**, K. Miyano**, T. Tanikawa*, M. Uemukai*, and R. Katayama* *Osaka University, **Panasonic Corporation
P3-16 14:50 (2min+poster) First Demonstration of Tunable Single-Mode InGaN Laser with Periodically Slotted Structure
周期的スロット構造を用いた InGaN 波長可変単一モードレーザ
A. Higuchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama
Osaka University
P3-17 14:52 (2min+poster) Design of Ttransverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer AlN Waveguide for 230-nm DUV Second
Harmonic Generation
230-nm帯深紫外第二次高調波発生にむけた横型擬似位相整合 2 層極性反転 AlN導波路の設計
Hiroto Honda*, Naoki Yokoyama*, Asahi Yamauchi*, Tenta Komatsu*, Kanako Shojiki**, Hideto Miyake**,
Masahiro Uemukai*, Tomoyuki Tanikawa* and Ryuji Katayama* *Osaka University, ** Mie University
P3-18 14:54 (2min+poster) Epitaxial growth of four-inch AlGaN-based deep ultraviolet LEDs by using a large-scale mass production
MOCVD tool
大型大量生産 MOCVD装置による 4 インチ AlGaN系深紫外 LEDのエピタキシャル成長
J. Yoshinaga*, Y. Yano*, T. Arimura*, S. Koseki*, and H. Hirayama** *Taiyo Nippon Sanso Corporation, **RIKEN
P3-19 14:56 (2min+poster) Growth of AlGaN on AlN Template by RF-MBE and Their Spectral Responsivity in Deep UV Spectral
Region
RF-MBE による AlN テンプレート上の AlGaN の成長とそれらの深紫外スペクトル領域でのスペクトル応答性
M. Hashimoto, N. Tachibana, M. Nakanishi, T. Yamaguchi, T. Honda, and T. Onuma
Kogakuin University
P3-20 14:58 (2min+poster) Relationship between crystallinity and emission property in RF-MBE growth of GaN
GaNの RF-MBE成長における結晶性と発光特性の関係
N. Tachibana, M. Hashimoto, T. Yamaguchi, T. Honda, and T. Onuma
Kogakuin University
P3-21 15:00 (2min+poster) Comparative study of dislocation classification in HVPE-grown GaN by etch pit method and multiphoton-
excitation photoluminescence imaging
エッチピット法と多光子励起フォトルミネセンスイメージングによる HVPE 成長 GaN の転位分類の比較研
究
M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama
Osaka University
P3-22 15:02 (2min+poster) Resonance characteristics of piezoelectric GaN cantilever fabricated by photoelectrochemical etching
光電気化学エッチングを用いて作製した圧電 GaN カンチレバーの共振特性
T. Yamada*, Y. Ando*, H. Watanabe**, Y. Furusawa**, M. Deki*,*****, A. Tanaka**,***, S. Nitta**, Y. Honda**,
J. Suda*,**, H. Amano**,*** *Nagoya University, **IMaSS, ***NIMS,
P3-23 15:04 (2min+poster) Design of Waveguide Directional Coupler for Electric-Field Driven GaN Mach-Zehnder Interferometer
電界印加型 GaNマッハツェンダ干渉計へ向けた導波路型方向性結合器の設計
Y. Hisada, A. Tomibayashi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
Osaka University
P3-24 15:06 (2min+poster) Design of GaN Waveguide Microcavity Device for Broadband Photon Pair Generation
広帯域光子対発生に向けた GaN 導波路型微小共振器デバイスの設計
T. Nagata, S. Umeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama
Osaka University
P3-25 15:08 (2min+poster) Design of epitaxial layer structure for AlN/GaN/AlGaN quantum-well channel field-effect transistors grown
on AlN substrate
AlN 基板上 AlN/GaN/AlGaN 量子井戸チャネル電界効果トランジスタのためのエピタキシャル層構造の
設計
J. Sawada*, L. Schowalter**, and J. Suda* *Nagoya University, **Asahi Kasei Corporation
VR-1 15:10 (2min+VRposter) Anti Stokes photoluminescence caused by energy transfer in ytterbium doped yttrium aluminum perovskite
Yb添加 YAlO3におけるエネルギー移動を介した Anti-Stokes PL
Y. Nakayama, Y. Harada, and T. Kita
Kobe University
VR-2 15:12 (2min+VRposter) Development of MicroLED transfer Technology on flexible sheet
フレキシブルシート上へのマイクロ LED 転写技術の開発
R. Maeda*, K. Masuda*, A. Nishikawa**, A. Loesing**, I. Fukunaga***, and H. Sekiguchi*,**** *Toyohashi University of Technology, **ALLOS Semiconductor GmbH, ***Okinawa Institute of Science and
Technology Graduate University, ****JST PRESTO
VR-3 15:14 (2min+VRposter) Development of GaN-based MicroLED Neural Probe for Specific-Depth Optogenetic Control
脳組織の光遺伝学操作に向けたマイクロ LED プローブの開発
D. Shinko*, H. Yasunaga*, T. Takagi*, Y. Nakayama*, K. Mizuguchi*, A. Nishikawa***, A. Loesing***, M.
Ohsawa**, and H. Sekiguchi*,**** *Toyohashi University of Technology, **Nagoya City University, ***ALLOS Semiconductor GmbH, ****JST
PRESTO
VR-4 15:16 (2min+VRposter) Correlation between photo excited carrier and spin order of strongly correlated ferroelectric YMnO3 thin
films
強相関強誘電体 YMnO3薄膜の光励起キャリアと磁気秩序の相関
K. Miura, K. Shimamoto, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, and N. Fujimura
Osaka Prefecture University
VR-5 15:18 (2min+VRposter) Growth of GaN Crystal with Low Oxygen Concentration and Low Dislocation Density by Na-flux PS
Method with Li Addition Technique
Na フラックスポイントシード法における Li 添加技術を用いた低酸素不純物かつ低転位な GaN 結晶の成
長
T. Nakajima, T. Yamada, K. Murakami, M. Imanishi, M. Yoshimura, and Y. Mori
Osaka University
VR-6 15:20 (2min+VRposter) Formation of the metastable phase of HfxZr1-xO2 ferroelectric films deposited by atomic layer deposition
method
原子層堆積法により作製した HfxZr1-xO2強誘電体薄膜の準安定相形成
K. Takada, S. Takarae, T. Yoshimura, and N. Fujimura
Osaka Prefecture University
Company Introduction 3 (15:22-15:52)
Break (15:52-16:02)
Session Th3 (16:02-16:32) Chair: H. Isshiki (The University of Electro-Communications)
Th3 [Invited] 16:02 (30min) Electron Beam Technology Innovation by Semiconductor Photocathodes and its Commercialization
III-V族半導体を用いた電子ビーム源デバイスが切り拓く微細領域の産業技術
T. Nishitani*,**, Y. Honda*, M. Araidai*, H. Amano*, M. Tabuchi*, A. Narita*, H. Yasuda***, F.
Ishikawa****, T. Meguro*****, A. Koizumi**, D. Sato**, and A. Honda** *Nagoya University, **Photo electron Soul Inc., ***Osaka University, ****Ehime University, *****Tokyo
University of Science
Break (16:32-16:40)
Poster Session 3 and VR Poster Session (16:40-18:10)
Core time (Odd: 10:40-11:40, Even: 11:10-12:10)
Core time (Odd: 16:40-17:40, Even: 17:10-18:10)
Free time (18:10-19:00)
Online Party (19:00-20:00) and Free Banquet
【October 9th, Friday】
Session Fr1 (9:00-9:30) Chair: K. Watanabe (National Institute for Materials Science)
Fr1 [Invited] 9:00 (30min) Deep-learning-assisted robotic assembly of two-dimensional crystals to build van der Waals
superlattices
深層学習を活用したファンデルワールス超格子の自動作製
S. Masubuchi and T. Machida
University of Tokyo
Break (9:30-9:40)
Company Introduction 4 (9:40-11:00)
Tutrial (11:00-11:50) Chair: R. Katayama (Osaka University)
Turorial 11:50 (50min) Quantum Annealing: Progress and Prospects
量子アニーリングの現状と展望
H. Nishimori
Tokyo Institute of Technology
Free Time (Lunch) (11:50-12:40) Company Introduction 5 (12:40-13:40)
Special Session (13:40-16:15) Chair: Y. Otoki (SCIOCS Co. Ltd.)
13:40 (5min)
“Forefront of 5G technology and business” 「5Gはどこにいくのか?」 Y. Otoki
SCIOCS Co. Ltd.
SP-1 [Invited] 13:45 (30min) 5G system trends and requirements for materials and devices
5Gシステムの全体動向と材料・デバイスへの要求
K. Watanabe
Fujitsu Labolatories
Break (14:15-14:25)
SP-2 [Invited] 14:25 (30min) 5G Device market Trend and Examples of RF Fronend
5Gスマートフォンにおける RF回路及び RF部品・モジュールの動向
Y. Ando
Navian Inc.
Break (14:55-15:05) SP-3 [Invited] 15:05 (30min) Technologies on RF Acoustic Devices for Wireless Communications and Challenges for 5th Generation
Systems
無線通信用弾性波デバイス技術と 5Gに向けた取り組み
M. Ueda
TAIYO YUDEN Mobile Technology Co. Ltd.
Break (15:35-15:45) Chair: K. Shiojima (University of Fukui)
SP-4 [Invited] 15:45 (30min) GaN HEMT Technologies for 5G Base Transceiver Station Amplifiers
5G基地局用 GaN HEMT技術の進展
T. Yamamura
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Closing Session (16:15-16:35)
【講演者へのご案内】
(プレナリー講演,招待講演,スペシャルセッション)
プレナリー講演,招待講演,スペシャルセッション(チュートリアルを
含む)は口頭講演です.ご発表スライドは, パワーポイントをご利用くだ
さい. WEB 会議システムを使った LIVE 配信形式で開催します. 本オ
ンライン開催では, Zoom の利用を推奨させて頂いております. 講演で
使用する Zoomは EMSにて, 時間無制限のプランにて契約しておりま
す. EMS の講演を発表・視聴するにあたり, 時間制限はなく, 発表者・
参加者の方に Zoomご利用に関する費用は発生いたしません.
なお,招待講演,チュートリアルおよびスペシャルセッションの講演
者にもオンラインポスター会場に掲示スペースを用意しておりますので,
是非ポスターあるいは講演スライドのコピーを掲示願います.ポスター
セッションの時間帯は決めておりませんが,会期中いつでも見られるよ
うにしており, 参加者の皆様との討論にご活用いただければ幸いです.
(一般講演)
一般講演は, 2 分間のショートプレゼンテーションとポスター発表か
らなります.
[ショートプレゼンテーション]
事前にビデオをご提出頂きます. 提出頂いた動画を事務局にて配
信致します. パワーポイント(16:9 サイズを推奨)を使用してご講演を
録画して頂き, 事前に EMS ホームページにて,音声付き動画を MP4
(フル HD)形式でアップロードして頂きます.詳細は EMS ホームペー
ジをご覧ください.(http://ems.jpn.org/)
[ポスターセッション]
1. ご発表をされるポスターは事前にご提出を頂きます. 提出先などの
情報は , EMS ホームページに随時アップデート致します.
(http://ems.jpn.org/)
2. ショートプレゼンテーションの番号に対応するポスターセッションで
ご発表をお願いします.著者の方は,指定された時間中は,Zoom
で待機し, ご説明をお願い致します.
3. 講演番号で指定された Zoom の URL へログインをお願いします.
ご自身の Zoom を予めログアウト頂き, 講演番号にてログインを頂
きますよう, お願いします. ポスターは会期中を通じ,掲示して下
さい.
4. ポスターは期日までに, ご提出ください.
5. 掲示スペースは A0 サイズ(縦 118.4
cm×横 84.1 cm)が 1枚です.
ポスター会場では, 会期中を通して他のポス
ターをご覧になられます.
[VRポスターセッション]
1. ショートプレゼンテーションの番号に対応する VR ポスター会場でご
発表をお願いします.著者の方は,指定された時間中は VRポスタ
ー会場で待機し, ご説明をお願い致します.
2. VRポスターセッションの接続テスト・ポスター掲示は当日までに一斉
実施致します. 接続テストなどの情報は, EMSホームページに随時
アップデート致します. ポスターは会期中を通して掲示して下さい.
3. ポスターは掲示日までにご用意ください.
4. 掲示スペースは A0 サイズ(縦 84.1 cm×横 118.4 cm)に合わせて
います.通常のポスターセッションとは異なり, 横向きですのでご注
意ください.
5. 最小フォントサイズ 40pt, 画像の解像度は 300 dpi以上でご用意を
お願い致します.
6. ポスターのファイル形式は PNG としてください.
※パワーポイントで作成したポスターを"ファイル"→"エクスポート"→
"ファイル種類の変更"より PNG として保存すると,高解像度なポスタ
ーが作成できます.VR ポスター会場では, 会期中を通して他のポス
ターをご覧になられます.
【EMS 賞】 本シンポジウムでは,第 16 回(平成 9 年開催)以降,優れた研究発
表をなされた,あるいは討論等によりこの会議を盛り上げていただいた,
原則として 35才以下の若手研究者を対象として EMS賞を授与してい
ます.資格などの詳しい内容は会議初日にアナウンスし,受賞者の発
表および授与式は最終日に行います.論文発表に加えて,formal あ
るいは informal な討論の場にも是非,積極的に参加して頂き,大いに
会議を盛り上げて頂けますようお願い申し上げます.
【会場】 EMS39 はオンラインにて行います. 詳細は EMS ホームページをご
覧ください. (http://ems.jpn.org/)
【問い合わせ先】 論文・プログラム関係
〒599-8531 大阪府堺市中区学園町1-1
大阪府立大学大学院 工学研究科
藤村 紀文(論文委員長)
TEL:072-254-9332
e-mail:[email protected]
参加の申込みと支払い
〒604-0031 京都府京都市中京区新町通二条
下る頭町21-5
㈱アートツーリスト EMS-39係
TEL:075-252-2234, FAX:075-252-2244
e-mail:[email protected]
その他シンポジウム全般(事務局)
〒657-8501 兵庫県神戸市灘区六甲台町1-1
神戸大学大学院 工学研究科
原田 幸弘(総務委員)
TEL:078-803-6076
e-mail:[email protected]
各種情報は,EMSホームページをご覧下さい.
http://ems.jpn.org/
84.1 cm
118.4cm
電子材料シンポジウム委員会
電子材料シンポジウム委員会 運営委員長 藤田 静雄 (京大) 運営委員 朝日 一 (阪大) 荒川 泰彦 (東大) 上田 哲三 (パナソニック) 上野 昌紀 (住友電工) 小田 克矢 (日立製作所) 尾鍋 研太郎 (東大) 河口 研一 (富士通研) 河西 秀典 (シャープ) 喜多 隆 (神戸大) 纐纈 明伯 (東京農工大) 後藤 秀樹 (日本電信電話) 竹田 美和 (科学技術交流財団) 手塚 勉 (キオクシア) 冨谷 茂隆 (ソニー) 名西 憓之 (立命館大) 藤原 康文 (阪大) 松本 功 (名大) 三宅 秀人 (三重大) 本久 順一 (北大) 吉野 淳二 (東工大) 若原 昭浩 (豊橋技科大) 実行委員長 喜多 隆 (神戸大) 実行副委員長 中村 孝夫 (東大) 本久 順一 (北大) 若原 昭浩 (豊橋技術大) 総務委員 井村 将隆 (物材機構) 奥村 宏典 (筑波大) 桐谷 乃輔 (大阪府立大) 原田 幸弘 (神戸大) 情報セキュリティ委員 宇野 和行 (和歌山大) 会計委員 江端 一晃 (日本電信電話) 西永 慈郎 (産総研) 会場委員 朝日 重雄 (神戸大) 大音 隆男 (山形大) 金子 健太郎 (京大) 久志本 真希 (名大) 玉置 亮 (東大) 毛利 真一郎 (立命館大)
VR会場委員 中山 雄太 (神戸大) 中村 健太郎 (九大) 企業展示委員 石井 良太 (京大) 宮川 鈴衣奈 (名工大) 論文委員長 藤村 紀文 (大阪府大) 論文副委員長 乙木 洋平 (サイオクス) 杉山 正和 (東大) 荒木 努 (立命館大) 論文委員 秋田 勝史 (住友電工) 石川 史太郎 (愛媛大) 石川 靖彦 (豊橋技科大) 一色 秀夫 (電通大) 井上 知也 (シャープ) 岩谷 素顕 (名城大) 牛田 泰久 (豊田合成) 生方 映徳 (大陽日酸) 大兼 幹彦 (東北大) 大野 雄高 (名大) 片山 竜二 (阪大) 金村 雅仁 (トランスフォーム・ジャパン) 寒川 義裕 (九大) 北村 雅季 (神戸大) 木村 大至 (豊田中研) 蔵口 雅彦 (東芝) 河野 俊介 (ソニー) 小島 一信 (東北大) 笹倉 弘理 (北大) 塩島 謙次 (福井大) 末益 崇 (筑波大) 竹見 政義 (三菱電機) 俵 毅彦 (日本電信電話) 反保 衆志 (産総研) 寺井 慶和 (九工大) 成塚 重弥 (名城大) 西中 浩之 (京都工繊大) 冨士田 誠之 (阪大) 船戸 充 (京大) 宮川 鈴衣奈 (名工大) 村上 尚 (農工大) 森 勇介 (阪大) 山田 明 (東工大) 屋山 巴 (工学院大) 油利 正昭 (パナソニック) 分島 彰男 (名工大) 渡邊 賢司 (物材機構)