igbt module bsm50gp120
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8/6/2019 Igbt Module Bsm50gp120
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleIGBT-Modules BSM50GP120
Elektrische Eigenschaften / Electrical propertiesCharakteristische Werte / Characteristic values
min. typ. max.Modulinduktivitätstray inductance module Ls CE - - 100 nH
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chiplead resistance, terminals-chip TC = 25°C RCC'+EE' - 7 - mW
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter min. typ. max.Durchlaßspannung VGE = 0V, Tvj = 25°C, IF = 50 A VF - 1,75 2,2 Vforward voltage VGE = 0V, Tvj = 125°C, IF = 50 A - 1,7 - VRückstromspitze IF=INenn, - diF/dt = 1600A/µspeak reverse recovery current VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 600 V IRM - 75 - A
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 600 V - 85 - ASperrverzögerungsladung IF=INenn, - diF/dt = 1600A/µsrecovered charge VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 600 V Qr - 5,5 - µAs
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 600 V - 12 - µAsAbschaltenergie pro Puls IF=INenn, - diF/dt = 1600A/µsreverse recovery energy VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 600 V ERQ - 1,6 - mWs
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = 600 V - 4 - mWs
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper min. typ. max.Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VGE = 15V, Tvj = 25°C, IC = 25,0 A VCE sat - 2,2 2,55 Vcollector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC = 25,0 A - 2,5 - VGate-Schwellenspannunggate threshold voltage VCE = VGE, Tvj = 25°C, IC = 1mA VGE(TO) 4,5 5,5 6,5 VEingangskapazitätinput capacitance
f = 1MHz, Tvj = 25°CVCE = 25 V, VGE = 0 V Cies - 1,5 - nF
Kollektor-Emitter Reststrom VGE = 0V, Tvj = 25°C, VCE = 1200 V ICES - 1,5 500 µAcollector-emitter cut-off current VGE = 0V, Tvj = 125°C, VCE = 1200 V - 2,0 - mAGate-Emitter Reststromgate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 300 nA
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper min. typ. max.Durchlaßspannung Tvj = 25°C, IF = 25,0 A VF - 2,1 2,4 Vforward voltage Tvj = 125°C, IF = 25,0 A - 2 - V
NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor min. typ. max.Nennwiderstandrated resistance TC = 25°C R25 - 5 - kW
Abweichung von R100
deviation of R100TC = 100°C, R100 = 493 W DR/R -5 5 %
Verlustleistungpower dissipation
TC = 25°C P25 20 mW
B-WertB-value
R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 3375 K
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleIGBT-Modules BSM50GP120
Thermische Eigenschaften / Thermal propertiesmin. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode RthJC - - 0,65 K/Wthermal resistance, junction to case Trans. Wechsr./ Trans. Inverter - - 0,35 K/W
Diode Wechsr./ Diode Inverter - - 0,55 K/WTrans. Bremse/ Trans. Brake - - 0,55 K/WDiode Bremse/ Diode Brake - - 1,2 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode l Paste =1W/m*K RthCK - 0,04 - K/Wthermal resistance, case to heatsink Trans. Wechsr./ Trans. Inverter l grease =1W/m*K - 0,02 - K/W
Diode Wechsr./ Diode Inverter - 0,04 - K/WHöchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj - - 150 °C
Betriebstemperatur operation temperature Top -40 - 125 °C
Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolationinternal insulation Al2O3
CTIcomperative tracking index 225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M 3 Nmmounting torque ±10%Gewichtweight G 300 g
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleIGBT-Modules BSM50GP120
I C [ A ]
VCE [V]
I C [ A ]
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) I C = f (VCE)Output characteristic Inverter (typical) VGE = 15 V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5
Tj = 25°CTj = 125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5
VGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) I C = f (VCE)Output characteristic Inverter (typical) Tvj = 125°C
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleIGBT-Modules BSM50GP120
I C [ A ]
VGE [V]
I F [ A ]
VF [V]
Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) I F = f (VF)Forward characteristic of FWD Inverter (typical)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 2 4 6 8 10 12 14
Tj = 25°CTj = 125°C
Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) I C = f (VGE)Transfer characteristic Inverter (typical) VCE = 20 V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 0,5 1 1,5 2 2,5
Tj = 25°CTj = 125°C
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleIGBT-Modules BSM50GP120
600 V
15 Ohm
E [ m W s
IC [A]
600 V
E [ m W s
RG [W
]
Schaltverluste Wechselr. (typisch) E on = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC) VCC =
Switching losses Inverter (typical) T j = 125°C, VGE = ±15 V, RGon = RGoff =
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0 20 40 60 80 100 120
EonEoff Erec
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 5 10 15 20 25 30 35
EonEoff Erec
Schaltverluste Wechselr. (typisch) E on = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG)Switching losses Inverter (typical) T j = 125°C, VGE = +-15 V , Ic = Inenn , VCC =
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleIGBT-Modules BSM50GP120
Z t h J C
[ K / W ]
t [s]
15 Ohm
I C [ A ]
VCE [V]
Transienter Wärmewiderstand Wechselr. Z thJC = f (t)Transient thermal impedance Inverter
0,01
0,1
1
0,001 0,01 0,1 1 10
Zth-IGBTZth-FWD
Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) I C = f (VCE)Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA) Tvj = 125°C, VGE = ±15V, RG =
0
20
40
60
80
100
120
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
IC,ModulIC,Chip
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleIGBT-Modules BSM50GP120
I C [ A ]
VCE [V]
I F [ A ]
VF [V]
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4
Tj = 25°CTj = 125°C
Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) I F = f (VF)Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical)
Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) I C = f (VCE)Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical) VGE = 15 V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
Tj = 25°CTj = 125°C
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleIGBT-Modules BSM50GP120
I F [ A ]
VF [V]
R [W ]
TC [°C]
Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) I F = f (VF)Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4
Tj = 25°CTj = 150°C
NTC- Temperaturkennlinie (typisch) R = f (T)NTC- temperature characteristic (typical)
Rtyp
100
1000
10000
100000
0 20 40 60 80 100 120 140 160
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleIGBT-Modules BSM50GP120
Schaltplan/ Circuit diagram
Gehäuseabmessungen/ Package outlines
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keineEigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
2 31
21
23
22
24
2019
13
4
1615
11
1817
12
5 6
10
7
14
NTC
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