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G12182シリーズ 長波長タイプ ( カットオフ波長 : 2.05 2.1 μm) 浜松ホトニクス株式会社 InGaAs PIN フォトダイオード 1 光パワーメータ カットオフ波長: 2.052.1 μm InGaAs PINフォトダイオード用アンプ C4159-03 1段電子冷却型用放熱器 A3179 2段電子冷却型用放熱器 A3179-01 電子冷却用コントローラ C1103-04 ガス分析 低価格 水分計測 NIR (近赤外)測光 受光面サイズ: 0.33 mm 低ノイズ 高感度 高信頼性 高速応答 特長 用途 オプション 構成 型名 外形寸法図/窓材* 1 パッケージ 冷却 受光面サイズ (mm) G12182-003K (1)/K TO-18 非冷却 0.3 G12182-005K 0.5 G12182-010K 1 G12182-020K (2)/K TO-5 2 G12182-030K 3 G12182-103K (3)/K TO-8 1段電子冷却 0.3 G12182-105K 0.5 G12182-110K 1 G12182-120K 2 G12182-130K 3 G12182-203K (4)/K TO-8 2段電子冷却 0.3 G12182-205K 0.5 G12182-210K 1 G12182-220K 2 G12182-230K 3 *1: K=硼珪酸ガラス

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G12182シリーズ

長波長タイプ (カットオフ波長: 2.05~2.1 μm)

浜松ホトニクス株式会社

InGaAs PINフォトダイオード

1

光パワーメータカットオフ波長: 2.05~2.1 μm

InGaAs PINフォトダイオード用アンプ C4159-031段電子冷却型用放熱器 A31792段電子冷却型用放熱器 A3179-01電子冷却用コントローラ C1103-04

ガス分析低価格

水分計測

NIR (近赤外)測光

受光面サイズ: 0.3~3 mm低ノイズ

高感度

高信頼性

高速応答

特長 用途

オプション

構成

型名 外形寸法図/窓材*1 パッケージ 冷却受光面サイズ

(mm)G12182-003K

(1)/K TO-18非冷却

0.3G12182-005K 0.5G12182-010K 1G12182-020K (2)/K TO-5

2G12182-030K 3G12182-103K

(3)/K TO-8 1段電子冷却

0.3G12182-105K 0.5G12182-110K 1G12182-120K 2G12182-130K 3G12182-203K

(4)/K TO-8 2段電子冷却

0.3G12182-205K 0.5G12182-210K 1G12182-220K 2G12182-230K 3*1: K=硼珪酸ガラス

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InGaAs PINフォトダイオード G12182シリーズ

絶対最大定格

型名サーミスタ許容損失

Pd_th電子冷却素子許容電流

ITE max電子冷却素子許容電圧

VTE max逆電圧VR max

動作温度Topr

保存温度Tstg はんだ付け

条件(mW) (A) (V) (V) (°C) (°C)

G12182-003K

- - -

1

-40 ~ +85*2 -55 ~ +125*2

260 °C以下、10 s以内

G12182-005KG12182-010KG12182-020KG12182-030KG12182-103K

0.2

1.5 1.0

-40 ~ +70*2 -55 ~ +85*2

G12182-105KG12182-110KG12182-120KG12182-130KG12182-203K

1.0 1.2G12182-205KG12182-210KG12182-220KG12182-230K注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。

*2: 結露なきこと

高湿環境においては、製品とその周囲で温度差があると製品表面が結露しやすく、特性や信頼性に影響が及ぶことがあります。

電気的および光学的特性 (指定のない場合Typ.)

型名

測定条件サーミスタ

抵抗

Rth

(k)

サーミスタ

B定数

B

(K)

感度波長範囲

(μm)

最大感度波長p

(μm)

受光感度

S=p

暗電流

IDVR=0.5 V

暗電流の温度係数

VR=0.5 V

(倍/°C)

素子温度

Tchip

(°C)Min.

(A/W)Typ.

(A/W)Typ.(nA)

Max.(nA)

G12182-003K

25 - - 0.9 ~ 2.1

1.95 1 1.2

10 100

1.07

G12182-005K 20 200G12182-010K 100 1000G12182-020K 500 5000G12182-030K 1000 10000G12182-103K

-10

9.0 3.3

0.9 ~ 2.07

1 10G12182-105K 3 30G12182-110K 10 100G12182-120K 50 500G12182-130K 100 1000G12182-203K

-20 0.9 ~ 2.05

0.5 5G12182-205K 1.5 15G12182-210K 5 50G12182-220K 25 250G12182-230K 50 500

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InGaAs PINフォトダイオード G12182シリーズ

分光感度特性

(μm)

(Typ. VR=0 V)

(A/

W)

1.41.21.00.80

0.2

0.4

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

1.6 1.8 2.22.0

Td=25 ˚CTd=-10 ˚CTd=-20 ˚C

KIRDB0487JC

窓材の分光透過率

(μm)

(Typ. Ta=25 °C)

(%

)

85

90

95

100

1.41.21.00.9 1.6 1.81.31.1 1.5 1.7 2.12.01.9

KIRDB0638JA

G12182シリーズは、静電気によって破壊または劣化する危険性があります。使用に際してはご注意ください。

型名

測定条件遮断周波数

fcVR=0 V

RL=50

端子間容量Ct

VR=0 Vf=1 MHz

並列抵抗

RshVR=10 mV

比検出能力D*

=p

雑音等価電力NEP=p素子温度

Tchip

(°C)Min.

(MHz)Typ.

(MHz)Typ.(pF)

Max.(pF)

Min.(M)

Typ.(M)

Min.(cm·Hz1/2/W)

Typ.(cm·Hz1/2/W)

Typ.(W/Hz1/2)

Max.(W/Hz1/2)

G12182-003K

25

40 90 25 50 0.65 3

1 × 1011 3.5 × 1011

6.5 × 10-14 2 × 10-13

G12182-005K 15 35 70 150 0.2 1 1.5 × 10-13 3.5 × 10-13

G12182-010K 5 10 230 500 0.05 0.25 2.5 × 10-13 6.5 × 10-13

G12182-020K 1.2 2.5 1000 2000 0.01 0.05 5.5 × 10-13 1.5 × 10-12

G12182-030K 1 1.5 2000 3000 0.004 0.02 8.5 × 10-13 2.5 × 10-12

G12182-103K

-10

40 140 22 50 10 50

5 × 1011 1.5 × 1012

1.5 × 10-14 4.5 × 10-14

G12182-105K 15 50 64 150 2.8 14 3 × 10-14 8 × 10-14

G12182-110K 5 16 200 500 0.6 3 5.5 × 10-14 1.5 × 10-13

G12182-120K 1.2 3.5 900 2000 0.13 0.65 1.5 × 10-13 4 × 10-13

G12182-130K 1 1.8 1800 3000 0.055 0.28 2 × 10-13 5.5 × 10-13

G12182-203K

-20

40 150 20 50 20 100

7 × 1011 2 × 1012

1 × 10-14 3 × 10-14

G12182-205K 15 53 60 150 5.5 28 2 × 10-14 5.5 × 10-14

G12182-210K 5 17 195 500 1.4 7 4 × 10-14 1 × 10-13

G12182-220K 1.2 3.7 850 2000 0.28 1.4 9 × 10-14 2.5 × 10-13

G12182-230K 1 1.9 1700 3000 0.11 0.55 1.5 × 10-13 4 × 10-13

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InGaAs PINフォトダイオード G12182シリーズ

KIRDB0488JA KIRDB0530JA

G12182-020KG12182-030K

G12182-005K

G12182-010K

G12182-003K

1 μA

0.01 0.1 1 10

(V)

100 nA

1 nA

10 nA

10 μA(Typ. Ta=25 °C)

G12182-130K (Td=-10 °C)

G12182-203K (Td=-20 °C)

100 nA

0.01 0.1 1 10

(V)

10 nA

100 pA

1 nA

1 μA(Typ.)

G12182-230K (Td=-20 °C)

G12182-103K (Td=-10 °C)

G12182-210K (Td=-20 °C)

G12182-205K (Td=-20 °C)

G12182-105K (Td=-10 °C)

G12182-110K (Td=-10 °C)

G12182-220K (Td=-20 °C)G12182-120K (Td=-10 °C)

暗電流-逆電圧

電子冷却型常温型

直線性 (G12182-010K)

(%

)

(Typ. Ta=25 °C, λ=1.3 μm, RL=2 Ω, VR=0 V)

(mW)

90

0 2 864

92

82

80

86

88

84

102

100

94

98

96

10

KIRDB0537JA

感度の温度特性

(μm)

(%

/°C)

-1.0

(Typ. VR=0 V)

1.00.8 1.6 2.22.01.2 1.4 1.8

0

1.0

-0.5

0.5

2.5

1.5

2.0

KIRDB0641JA

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InGaAs PINフォトダイオード G12182シリーズ

1 nF

0.001 0.01 0.1 1 10

(V)

100 pF

1 pF

10 pF

10 nF(Typ. Ta=25 °C, f=1 MHz)

G12182-030K/130K/230K

G12182-010K/110K/210K

G12182-020K/120K/220K

G12182-003K/103K/203K

G12182-005K/105K/205K

KIRDB0489JB

端子間容量-逆電圧 並列抵抗-素子温度

100 kΩ

-40 -20 0 40 60

1 MΩ

1 kΩ

100 Ω

10 kΩ

1 GΩ

10 MΩ

100 MΩ

(Typ. VR=10 mV)

20 80 100

(°C)

G12182-003K/103K/203K

G12182-005K/105K/205K

G12182-010K/110K/210K

G12182-020K/120K/220K

G12182-030K/130K/230K

KIRDB0490JB

サーミスタの温度特性

(°C)

)

103

(Typ.)

104

105

106

-40 -20 0 20

KIRDB0116JA

電子冷却素子の冷却特性

20

0 0.40.2 0.6 1.0 1.40.8 1.2 1.6

(A)

(°C

)

0

-40

-60

-20

40(Typ. Ta=25 °C, =3 °C/W)

1

2

KIRDB0231JA

1 段電子冷却型、2 段電子冷却型の動作温度は

70 °C までです。

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InGaAs PINフォトダイオード G12182シリーズ

KIRDA0221JA

外形寸法図 (単位: mm)

(1) G12182-003K/005K/010K (2) G12182-020K/030K

3.0 ± 0.1

4.7 ± 0.1

2.6

± 0

.2

0.1

max

.

3.6

± 0

.213

min

.

5.4 ± 0.2

0.45

2.54 ± 0.2

-0.2 X +0.2-0.2 Y +0.2

5.9 ± 0.12.

5 ±

0.2

0.15

max

.

0.4

max

.

8.1 ± 0.1

9.2 ± 0.2

4.2

± 0

.218

min

.

5.1 ± 0.3

1.5 max.

-0.2 X +0.2-0.2 Y +0.2

0.45

KIRDA0220JA

電子冷却素子の電流-電圧特性

(V)

(A)

(Typ. Ta=25 °C, =3 °C/W)

0

1.6

0.6

1.4

0.2

1.0

0.4

1.2

0.8

0 0.80.60.40.2 1.21.0

1

2

KIRDB0115JB

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InGaAs PINフォトダイオード G12182シリーズ

(3) G12182-103K/105K/110K/120K/130K (4) G12182-203K/205K/210K/220K/230K

10 ± 0.2

14 ± 0.2

15.3 ± 0.2

A

6.4

± 0

.212

min

.

0.45

10.2 ± 0.2

5.1

± 0

.2

5.1

± 0

.2

5.1 ± 0.2

G12182-103K/105K/110K

4.3 ± 0.2

G12182-120K/130K

4.4 ± 0.2A

0.2

max

.

( ) ( )

(-) (+)

-0.3 X +0.3-0.3 Y +0.3

G12182-203K/205K/210K

6.6 ± 0.2

G12182-220K/230K

6.7 ± 0.2A

10 ± 0.2

14 ± 0.2

15.3 ± 0.2

A

10 ±

0.2

12 m

in.

10.2 ± 0.2

5.1

± 0

.2

5.1 ± 0.2

0.45

5.1

± 0

.2

0.2

max

.

( ) ( )

(-) (+)

-0.3 X +0.3-0.3 Y +0.3KIRDA0226JA

KIRDA0227JA

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Cat. No. KIRD1118J07 Mar. 2019 DN

www.hamamatsu.com

仙台営業所筑波営業所東京営業所中部営業所大阪営業所西日本営業所

〒980-0021〒305-0817〒105-0001〒430-8587〒541-0052〒812-0013

仙台市青葉区中央3-2-1 (青葉通プラザ11階)茨城県つくば市研究学園5-12-10 (研究学園スクウェアビル7階)東京都港区虎ノ門3-8-21 (虎ノ門33森ビル5階)浜松市中区砂山町325-6 (日本生命浜松駅前ビル)大阪市中央区安土町2-3-13 (大阪国際ビル10階)福岡市博多区博多駅東1-13-6 (竹山博多ビル5階)

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製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。本資料は正確を期するため慎重に作成されたものですが、まれに誤記などによる誤りがある場合があります。本製品を使用する際には、必ず納入仕様書をご用命の上、最新の仕様をご確認ください。本製品の保証は、納入後1年以内に瑕疵が発見され、かつ弊社に通知された場合、本製品の修理または代品の納入を限度とします。ただし、保証期間内であっても、天災および不適切な使用に起因する損害については、弊社はその責を負いません。本資料の記載内容について、弊社の許諾なしに転載または複製することを禁じます。

本資料の記載内容は、平成31年3月現在のものです。

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InGaAs PINフォトダイオード G12182シリーズ

関連情報

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・安全上の注意

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・赤外線検出素子/技術資料

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