examen d electronica de potencia

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INSTITUTO DE EDUCACIÓN SUPERIOR TECNOLÓGICO PÚBLICO “CARLOS CUETO FERNANDINI” Departamento de Electrotecnia Industrial EXAMEN FINAL DE ELECTRONICA DE POTENCIA ALUMNO(A):……………………………………………………..………………….. Fecha: 06/12/2013 IV Semestre Nocturno Duración: 30 min. 1. …….……..….. posee tres terminales: Terminal principal 1, terminal principal 2 y compuerta (2 pts.) a. El BJT b. El MOSFET c. El JFET d. El SCR e. El TRIAC 2. Esta compuesta por seis capas, pero funciona como un transisor de cuatro capas. (2 pts.) a. El BJT b. El MOSFET c. El JFET d. El SCR e. El TRIAC 3. El JFET es : (2 pts.) a. Un dispositivo unijuntura b. Un dispositivo controlado por voltaje c. Un dispositivo de seis capas d. Un dispositivo controlado por corriente e. Un dispositivo de cuatro capas 4. El canal de un JFET se encuentra entre: a. La compuerta y el drenador b. El colector y emisor c. La entrada y la salida d. El drenador y el surtidor e. La base y el emisor 5. Un JFET siempre opera con a. La unión pn de compuerta a surtidor polarizada en inversa b. La unión pn de compuerta a surtidor polarizada en directa

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Page 1: Examen d Electronica de Potencia

INSTITUTO DE EDUCACIÓN SUPERIOR TECNOLÓGICO PÚBLICO“CARLOS CUETO FERNANDINI”

Departamento de Electrotecnia Industrial

EXAMEN FINAL DE ELECTRONICA DE POTENCIA

ALUMNO(A):……………………………………………………..………………….. Fecha: 06/12/2013IV Semestre Nocturno Duración: 30 min.

1. …….……..….. posee tres terminales: Terminal principal 1, terminal principal 2 y compuerta(2 pts.)

a. El BJT b. El MOSFETc. El JFET

d. El SCRe. El TRIAC

2. Esta compuesta por seis capas, pero funciona como un transisor de cuatro capas. (2 pts.)

a. El BJT b. El MOSFETc. El JFET

d. El SCRe. El TRIAC

3. El JFET es : (2 pts.)

a. Un dispositivo unijunturab. Un dispositivo controlado por

voltajec. Un dispositivo de seis capas

d. Un dispositivo controlado por corriente

e. Un dispositivo de cuatro capas

4. El canal de un JFET se encuentra entre:

a. La compuerta y el drenadorb. El colector y emisorc. La entrada y la salida

d. El drenador y el surtidore. La base y el emisor

5. Un JFET siempre opera cona. La unión pn de compuerta a surtidor polarizada en inversab. La unión pn de compuerta a surtidor polarizada en directac. El drenador conectado a tierrad. El drenador conectado a fuentee. La compuerta conectada a tierra

6. Un MOSFET difiere de un JFET principalmentea. Debido a la capacidad de potenciab. Porque el mosfet tiene dos compuertasc. El JFET tiene una unión pnd. Porque los MOSFET no tienen un canal físicoe. La corriente de drenador del MOSFET es mayor a la del JFET

Page 2: Examen d Electronica de Potencia

Profesor: Lic. Jesús M. Álvarez Vásquez Equipos e Instrumentos de Medición

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INSTITUTO DE EDUCACIÓN SUPERIOR TECNOLÓGICO PÚBLICO“CARLOS CUETO FERNANDINI”

Departamento de Electrotecnia Industrial

7. Que significa IGBT: (2 pts.)

a. Transistor Bipolar de Puerta Aisladab. Transistor de Baja Ganancia de Corrientec. Baja Corriente de Puerta y Tensiond. Transistor de Baja Impedancia y Alta Gananciae. Transistor de Efecto de Campo

8. Un tiristor tiene: (2 pts.)

a. Una unión pnb. Dos uniones pnc. Tres uniones pn

d. Cutro uniones pne. Solo dos terminales

9. Un SCR difiere del diodo de cuatro capas porque: (2 pts.)

a. Tiene un terminal de compuertab. El SCR no es un tiristorc. No presenta cuatro capas

d. No puede ser encendido ni apagado

e. Presenta 6 capas

10. A que compuerta lógica corresponde el siguiente esquema: (2 pts.)

a. ORb. ANDc. NORd. NANDe. X-OR

Page 4: Examen d Electronica de Potencia

EXAMEN FINAL DE ELECTRONICA DE POTENCIA

ALUMNO(A):……………………………………………………..………………….. Fecha: 06/12/2013IV Semestre Nocturno Duración: 30 min.

1. ¿Cuál de los siguientes es una característica del triac?

a. Es como un SCR bidireccionalb. Es un dispositivo de cuatro

terminalesc. No es un tiristor

d. Es un dispositivo de cuatro capase. No trabaja en corriente alterna

2. Que significa MOSFET: (2 pts.)

a. Transistor Bipolar de Puerta Aisladab. Transistor de Baja Ganancia de Corrientec. Transistor Bi-Junturad. Transistor de Efecto de Campo e. FET Metal Oxido Semiconductor

3. Un tiristor tiene: (2 pts.)

a. Una unión pnb. Dos uniones pnc. Tres uniones pn

d. Cutro uniones pne. Solo dos terminales

4. Un SCR difiere del diodo de cuatro capas porque: (2 pts.)

a. Tiene un terminal de compuertab. El SCR no es un tiristorc. No presenta cuatro capas

d. No puede ser encendido ni apagado

e. Presenta 6 capas

5. Un JFET siempre opera cona. La unión pn de compuerta a surtidor polarizada en inversab. La unión pn de compuerta a surtidor polarizada en directac. El drenador conectado a tierrad. El drenador conectado a fuentee. La compuerta conectada a tierra

6. Un MOSFET difiere de un JFET principalmentea. Debido a la capacidad de potenciab. Porque el mosfet tiene dos compuertas

Profesor: Lic. Jesús M. Álvarez Vásquez Equipos e Instrumentos de Medición

Page 5: Examen d Electronica de Potencia

INSTITUTO DE EDUCACIÓN SUPERIOR TECNOLÓGICO PÚBLICO“CARLOS CUETO FERNANDINI”

Departamento de Electrotecnia Industrial

c. El JFET tiene una unión pnd. Porque los MOSFET no tienen un canal físicoe. La corriente de drenador del MOSFET es mayor a la del JFET

7. …….……..….. posee tres terminales: Terminal principal 1, terminal principal 2 y compuerta(2 pts.)

f. El BJT g. El MOSFETh. El JFET

i. El SCRj. El TRIAC

8. Esta compuesta por seis capas, pero funciona como un transisor de cuatro capas. (2 pts.)

k. El BJT l. El MOSFETm. El JFET

n. El SCRo. El TRIAC

9. El canal de un JFET se encuentra entre:

p. La compuerta y el drenadorq. El colector y emisorr. La entrada y la salida

s. El drenador y el surtidort. La base y el emisor

10. A que compuerta lógica corresponde el siguiente esquema: (2 pts.)

a. ORb. ANDc. NORd. NANDe. X-OR