Hi-QHDコードによる新材料FinFETのデバイスシミュレーション解析阪大工, 阪大 CMC 氏名鍾菁廣, 森伸也, 降旗大介

目的 次世代の3次元構造を持つ新材料半導体デバイスの開発に向けて, 新材料を用いたデバイスの輸送特性をデバイスシミュレーションによって予測する。内容 新材料として期待されているIII-V族半導体(InGaAs, GaSb)をチャネル材料に持ったFinFETの短チャネル効果のシミュレーション解析を行った。結果 III-V族FinFETでは, Finの構造により, ドレイン電界による障壁低下効果はSiと同程度であるが, サブスレッショルド係数は, 有効質量・誘電率の違いにより量子閉じ込め効果の度合いが変化する(図1)ことで劣化することを明らかにした(図2)。

利用した計算機 SX-ACEノード時間10,000 時間 (全ノード合計)使用メモリ80GB (全ノード合計)並列化256並列 (64×4)

図2各材料のサブスレッショルド係数図1各材料のFin部分の電子密度分布In0.53Ga0.47AsSi GaSb

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Hi-QHDコードによる新材料FinFETの�デバイスシミュレーション解析�阪大工, 阪大 CMC 　氏名 鍾 菁廣, 森 伸也, 降旗 大介