dorota a. pawlak emil tymicki - kpk.gov.pl · materiały o ulepszonej fotoluminescencji re dla...
TRANSCRIPT
Dorota A. Pawlak
Emil Tymicki
ЄЄЄ L
MBS
N ЄЄЄ L
MBS
N
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych Centrum Nowych Technologii, Uniwersytet Warszawski
Centrum Doskonałości – ENSEMBLE3
Centrum Doskonałości
Centre of ExcelleNce for nanophotonicS, advancEd Materials and novel crystal growth-Based technoLogiEs
ENSEMBLE3
Firmy , klastry
Lokalizacja przedsiębiorstw w Polsce
Ekonomicznie najbardziej atrakcyjny region
2013 - 21,9% PKB
> 150 przedsiębiorstwa związane z fotoniką
(>40 Mazowieckie)
Przedsiębiorstwa (wzrost kryształów):
Vigo System S.A.,
Top-GaN Sp. z o.o.,
Topsil Semiconductors Sp. z o.o.,
Nano Carbon Sp. z o.o.,
3C Crystals Sp. z o.o.
Budżet Centrum Doskonałości
15 mln Euro – Horyzont 2020
40 mln zł – Międzynarodowa Agenda Badawcza (FNP)
~ 20 mln zł – Ministerstwo Nauki i Szkolnictwa Wyższego ?
Całkowita wartość Projektu ~ 120 mln zł
okres 7 lat
Krajowe inteligetne specjalizacje (KIS)
KIS 18: Systemy i materiały optoelektroniczne;
KIS 13: Wielofunkcyjne materiały i kompozyty z
zaawansowanymi funkcjami;
KIS 1. Technologie inżynierii medycznej.
Kluczowe technologie wspomagające w UE (KETs)
Nanotechnologia
Zaawansowane
materiały
Fotonika
Monokryształy związków pólprzewodnikowych
Czochralski (LEC)
Arsenki
GaAs
InAs
Fosforki
InP
GaP
GaSb
Antymonki
Bi2Te3
Bi2Se3 (Mn,Ca)
Bi2Te3Se
BiTeX
(X = Cl,J,Br)
Izolatory topologiczne
9
Węglik krzemu (4H- i 6H-SiC) - energoeletronika
4H-SiC 6H-SiC
www.electric-vehiclenews.com
DC/AC, AC/DC
Instytut Technologii
Materiałów Elektronicznych
11
Szkło borofosforanu sodu domieszkowane
nanocząstkami srebra otrzymanego
Materiały plazamoniczne
Podłoże czarne
Podłoże białe Podłoże czarne
Eutektyczny tlenek bizmutu – srebro (Bi2O3-Ag)
Instytut Technologii
Materiałów Elektronicznych
Materiały o ulepszonej fotoluminescencji RE dla wzmacniaczy optycznych
M. Gajc, … D. A. Pawlak, Adv. Funct. Mat. (2013), 23, 3443.
Er3+
RE PL enhancement
RE absorption
enhancement
RE emission
enhancement
Local field
enhancement
Energy transfer
(NP RE)
Lifetime
shortening
Energy transfer
(RE NP) 400 600 800 1000 1400 1600
NBP PL
NBP pure
NBP:nAg
NBP:3%Er3+
NBP:nAg:3% Er3+
PL
inte
nsi
ty (a.
u.)
Wavelength (nm)
4I15/ 2
4I13/ 2PL 7-krotne
wzmocnienie
• Lasery półprzewodnikowe
• Wzmacniacze optyczne
13
Materiały eutektyczne (TiO2-WO3 , SrTiO3-TiO2,
NiTiO3 –TiO2) do zastosowań w fotoelektrochemii
10
µm 1
µm
10
µm
SrTiO3-TiO2 NiTiO3-TiO2
WO3-TiO2 MnTiO3-TiO2
TiO2-WO3 fotoanoda
katoda
e-
H2O + 2h+ 1/2O2 +2H+
2H+ + 2e- H2
h+
e-
H2
Instytut Technologii
Materiałów Elektronicznych
14
Materiały termoelektryczne - energoelektronika
Kryształ PbTe
Płytka PbTe
n p
Temp. wyższa
Temp. niższa V
ΔT
Instytut Technologii
Materiałów Elektronicznych
Idea ogniwa termoelektrycznego
Izolatory topologiczne
15
Monokryształy Bi2Te3 i Bi2Se3
Instytut Technologii
Materiałów Elektronicznych
https://en.wikipedia.org/wiki/Topological_insulator
Podsumowanie -
cele długoterminowe
1. Rozpoznawalny w Europie i na świecie potencjał naukowy i
innowacyjny w dziedzinie nanofotoniki, zaawansowanych
materiałów i nowych technologii
2. Współpraca z partnerami Centrum, z jednostkami z Polski,
Europy i świata.
3. Rozwój regionu Województwa Mazowieckiego – zwiększenie
konkrecyjności.
4. Autonomia w podejmowaniu decyzji jako ośrodek badawczy
założony w Warszawie, na podstawie porozumienia między
polskimi i zaawansowanymi partnerami
5. Zdolność do funkcjonowania i rozwoju w długim czasie