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Product Standards
MOS FET
FCAB21490L
Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C 1,2,4,5. Source1(FET1) 3. Gate1 (FET1)
6,7,9,10. Source2(FET2) 8. Gate2 (FET2)
Source-source Voltage
Gate-source Voltage
Channel Temperature
Storage Temperature Range
Note *1 Mounted on FR4 board ( 25.4 mm 25.4 mm t1.0 mm )
using the minimum recommended pad size (36mm Copper ).
*2 Mounted on Ceramic substrate (70 mm 70 mm t1.0 mm).
*3 t = 10 ms, Duty Cycle 1 %
Page
Packaging
Source-source ON resistance:RSS(on) typ. = 2.2 mW(VGS = 3.8 V)
CSP(Chip Size Package)
Unit: mm
A
A
A
W
VSS
Marking Symbol: 7F
Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1)
FCAB21490LGate resistor installed Dual N-channel MOS FET
For lithium-ion secondary battery protection circuits
Features
10
Parameter
PD2
IS2 29
12
VGS 8
PD1
Source Current
DC *1
DC *2
Pulse *3
Total Power DissipationDC
*1
DC *2
of 51
0.54
000 pcs / reel (standard)
Symbol Rating Unit
135
IS1 13.5
Embossed type (Thermo-compression sealing) :
V
ISp
V
W3.5
Panasonic TCSP1530011-N1
JEITA ―
Code ―
Equivalent circuitTch 150 C
Tstg -55 to +150 C
8(G2) 6,7,9,10(S2)
3(G1)
FET2
FET1
1,2,4,5(S1)
Doc No. TT4-ZZ-01990 Revision. 1
Established : 2016-05-02 Revised : ####-##-##
Product Standards
MOS FET
FCAB21490L
Electrical Characteristics Ta = 25 C 3 C
Body Diode Forward Voltage
Note Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring methods for transistors.
*1 Guaranteed by design, not subject to production testing
*2 Measurement circuit for Turn-on Delay Time / Rise Time / Turn-off Delay Time / Fall Time
Note2:Measurement circuit
Page of
VDD = 6.0 V, VGS = 4.0 to 0 V
Fall Time *1,*2 tf
Gate-drain Charge *1
pF
ms
Total Gate Charge *1 Qg
Gate-source Charge *1 Qgs
6
12
IS = 6.0 A
6.1
2.75
25
0.7 VDD = 6.0 V, VGS = 0 to 4.0 V
6.7
4.1
nC
IF = 6.0 A, VGS = 0 V
2.1 IS = 6.0 A, VGS = 4.5 V
VGS = 8 V, VSS = 0 V
IS = 6.0 A, VGS = 3.1 V
1.5
Gate-source Threshold Voltage Vth
2.4
3570
RSS(on)2 IS = 6.0 A, VGS = 3.8 V 1.6 2.2
RSS(on)4
VF(s-s) 0.6
RSS(on)1
IS = 1.11 mA, VSS = 10 V
tr
Turn-on delay Time *1,*2
VSS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 kHzOutput Capacitance *1
CissInput Capacitance *1
Qgd
VDD = 6.0 V
VGS = 0 to 4.0 V,
IS = 6.0 A
Reverse Transfer Capacitance *1
IS = 6.0 A
td(on)
Coss
Crss
Turn-off delay Time *1,*2 td(off)
Rise Time *1,*2
1.55
Zero Gate Voltage Source Current ISSS VSS = 12 V, VGS = 0 V
Source-source Breakdown Voltage VSSS
Source-source On-state ResistanceRSS(on)3
IS = 6.0 A, VGS = 2.5 V
1.65
0.35 1.4
Gate-source Leakage Current
1.9 3.1
1.0IGSS
VGS = 5 V, VSS = 0 V
2
V
1.0 mA
V
5
mA
0.90
410
460
10
mW
1.2
3.95
2.85
ms
V
Unit IS = 1.0 mA, VGS = 0 V 12
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max
10 %
90 %
90 %
10 %
90 %
10 %
td(on) tr td(off) tf
Vout
RL = 1 W
VDD = 6.0 V
Vin
S1
G1
50 W
Rg
G2
Rg
S2
IS = 6.0 A
PW = 10 ms
D.C. 1 %
0 V
4.0 V
Vin
Vout
Doc No. TT4-ZZ-01990 Revision. 1
Established : 2016-05-02 Revised : ####-##-##
Product Standards
MOS FET
FCAB21490L
Page
IS - VSS RSS(on) - IS
IS - VGS RSS(on) - VGS
IF - VF IGS - VGS
3 of 5
0
2
4
6
8
10
12
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
2.5 V
VGS = 4.5 V 3.8 V
3.1 V
0.01
0.1
1
0 0.5 1 1.5
85 ºC
-40 ℃
25 ºC
0.01
0.1
1
10
0 0.2 0.4 0.6 0.8
25 ºC
85 ºC
- 40 ºC
※Pulse measurement
1.E-09
1.E-08
1.E-07
1.E-06
1.E-05
1.E-04
0 5 10 15
25 ºC
85 ºC
- 40 ºC
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1 2 3 4 5 6 7 8
3.1 V
VGS = 4.5 V
3.8 V
2.5 V
So
urc
e-S
ou
rce
On-r
esis
tan
ce
R
SS
(on)
( m
Ω )
S
ourc
e-s
ourc
e O
n-r
esis
tance
R
SS
(on)
( m
Ω )
Sourc
e C
urr
ent
, IS
( A
)
Sourc
e C
urr
ent
, IS
( A
)
Gate-source Voltage , VGS ( V ) Gate-source Voltage , VGS( V )
Source Current , IS ( A ) Source-source Voltage , VSS(V)
Ga
te-s
ou
rce
Le
aka
ge
Cu
rren
t
IGS
( A
)
Gate-source Voltage , VGS ( V )
Dio
de F
orw
ard
Curr
ent
, IF
( A
)
Body Diode Forward Voltage , VF ( V )
※Pulse measurement ※Pulse measurement
※Pulse measurement
※Pulse measurement
0
2
4
6
8
10
12
0.5 1.5 2.5 3.5 4.5 5.5 6.5 7.5
※Pulse measurement
25 ºC
85 ºC
-40 ℃
IS = 6. A
Doc No. TT4-ZZ-01990 Revision. 1
Established : 2016-05-02 Revised : ####-##-##
Product Standards
MOS FET
FCAB21490L
Page 5
Thermal Response
ISS - VSS Dynamic Input / Output Characteristics
Rth - tsw Safe Operating Area
4 of
1.E-10
1.E-09
1.E-08
1.E-07
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
0 5 10 15 200.0
1.0
2.0
3.0
4.0
0 5 10 15 20 25 30
VDD = 6.0 V IS = 6.0 A
25 ºC
85 ºC
- 40 ºC
0.1
1
10
100
1000
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Zero
Gate
Voltage
Sourc
e C
urr
ent
ISS
( A
)
Source-source Voltage , VSS ( V ) Gate Charge , Qg ( nC ) G
ate
-sourc
e V
oltage
, V
GS
( V
)
Pulse Width , tsw ( s )
Therm
al R
esis
tance , R
th (
ºC
/ W
)
Source-source Voltage , VSS ( V )
※Pulse measurement
Pulse Width , tsw ( s )
Square Wave Pulse Duration ( s )
0.001
0.01
0.1
1
10
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Ta = 25 ºC,
Mounted on FR4 board (25.4 mm×25.4 mm×t1.0 mm). using the minimum recommended pad size(36 mm Copper) .
Norm
aliz
ed E
ffective T
ransie
nt T
herm
al Im
peda
nce
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
1 ms
DC 1 s
11 ms
100 ms
3 ms
limited by RSS(on) (VGS = 3.8 V)
Ta = 25 ºC,
Mounted on FR4 board
(25.4 mm×25.4 mm×t1.0 mm). using the minimum recommended pad size(36 mm Copper) .
Absolute Maximum
Sourc
e C
urr
ent,
IS (
A )
Ta=25 ºC
(A) Mounted on FR4 board (25.4 mm×25.4 mm×t1.0 mm).
using the minimum recommended pad size (36 mm Copper) .
(B) Mounted on Ceramic substrate (70 mm×70 mm×t1.0 mm).
(A)
(B)
Doc No. TT4-ZZ-01990 Revision. 1
Established : 2016-05-02 Revised : ####-##-##
Product Standards
MOS FET
FCAB21490L
Unit: mm
Unit: mm
Page
Outline
5
Land Pattern (Reference)
5 of
Doc No. TT4-ZZ-01990 Revision. 1
Established : 2016-05-02 Revised : ####-##-##
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No.010618
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