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![Page 1: › products › semicon › PDF › NJG1815K75_J.pdf NJG1815K75 SPDT スイッチ GaAs MMICNJG1815K75 -2 -絶対最大定格 T a =+25 C, Z s =Z l =50 項目 記号 条件 定格 単位](https://reader033.vdocuments.us/reader033/viewer/2022041817/5e5bb8999046a249ac17bd39/html5/thumbnails/1.jpg)
NJG1815K75
- 1 - Ver.2017-05-11
端子名:
1. P1
2. GND
3. P2
4. VCTL
5. PC
6. VDD
SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 外形
NJG1815K75 は無線 LAN システムに最適な 1 ビットコントロー
ル SPDT スイッチです。
本製品は、1.8V の低切替電圧に対応し、高帯域 6GHz での低損入
損失と高アイソレーション特性を特長とします。また、保護素子を
内蔵することにより高い ESD 耐圧を有します。
NJG1815K75 は RF ポートの DC カットキャパシタを内蔵してい
ます。また、超小型・薄型 DFN6-75 パッケージの採用により実装面
積の削減に貢献します。
アプリケーション
-WLAN(802.11a/b/g/n/ac/ax)システム
-送受信切替、アンテナ切替及びその他汎用切替用途
-スマートフォン、WLAN モジュール、データカード及びその他モバイル用途
特徴
低切替電圧 VCTL(H)=1.8V typ.
動作電圧 VDD=3.3V typ.
低挿入損失 0.45dB typ. @f=2.4~2.5GHz
0.40dB typ. @f=4.9~6.0GHz
高アイソレーション 25dB typ. @f=2.4~2.5GHz,
25dB typ. @f=4.9~6.0GHz
1dB 圧縮時入力電力 P-1dB=+31dBm typ. @f=2.4~6.0GHz
超小型、薄型パッケージ DFN6-75 (パッケージサイズ: 1.0x1.0x0.375mm typ.)
RoHS 対応, ハロゲンフリー, MSL1
端子配列
真理値表
“H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L)
通過経路 VCTL
PC-P1 H
PC-P2 L
注: 本資料に記載された内容は予告なく変更することがありますので、ご了承下さい。
NJG1815K75
(Top view)
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NJG1815K75
- 2 -
絶対最大定格
Ta=+25°C, Zs=Zl=50
項目 記号 条件 定格 単位
入力電力 PIN VDD=3.3V, ON 状態 +31 dBm
動作電圧 VDD 6.0 V
切替電圧 VCTL 6.0 V
消費電力 PD 4 層(76.2x114.3mm スルーホール無)
FR4 基板実装時, Tj=150oC 380 mW
動作温度 Topr -40~+105 °C
保存温度 Tstg -55~+150 °C
電気的特性 1 (DC 特性)
(共通条件: Ta=+25°C, 指定の外部回路による)
項目 記号 条件 最小値 標準値 最大値 単位
動作電圧 VDD 2.5 3.3 5.0 V
動作電流 IDD RF 無信号時, VDD=3.3V - 15 30 A
切替電圧(High) VCTL(H) 1.35 1.8 5.0 V
切替電圧(Low) VCTL(L) 0 - 0.45 V
切替電流 ICTL VCTL(H)=1.8V - 3 10 A
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NJG1815K75
- 3 -
電気的特性 2 (RF 特性)
(共通条件: VDD=3.3V, VCTL(H)=1.8V, VCTL(L)=0V, Ta=+25°C, Zs=Zl=50, 指定の外部回路による)
項目 記号 条件 最小値 標準値 最大値 単位
挿入損失 1 LOSS1 f=2.4~2.5GHz - 0.45 0.65 dB
挿入損失 2 LOSS2 f=3.4~3.8GHz - 0.45 0.65 dB
挿入損失 3 LOSS3 f=4.9~6.0GHz - 0.40 0.60 dB
アイソレーション 1 ISL1 f=2.4~2.5GHz 23 25 - dB
アイソレーション 2 ISL2 f=3.4~3.8GHz 22 25 - dB
アイソレーション 3 ISL3 f=4.9~6.0GHz 22 25 - dB
リターンロス 1 RL1 f=2.4~2.5GHz 13 16 - dB
リターンロス 2 RL2 f=3.4~3.8GHz 15 20 dB
リターンロス 3 RL3 f=4.9~6.0GHz 15 20 - dB
1dB 圧縮時入力電力 P-1dB f=2.4~6.0GHz +28 +31 - dBm
スイッチング時間 TSW 50% VCTL to 10%/90% RF - 150 400 ns
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NJG1815K75
- 4 -
端子情報
番号 端子名 機能説明
1 P1 RF 端子です。DC ブロッキングキャバシタは不要です。
2 GND GND 端子です。
RF 特性を劣化させない為に近傍で接地電位に接続してください。
3 P2 RF 端子です。DC ブロッキングキャバシタは不要です。
4 VCTL 制御電圧入力端子です。ハイレベルとする際に+1.35~+5.0V
の電圧を、ローレベルとする際に 0~+0.45V の電圧印加してください。
5 PC 共通 RF 端子です。DC ブロッキングキャバシタは不要です。
6 VDD 電源端子です。正電源電圧(+2.5~+5.0V)を印加してください。RF 特性への影響
を抑止するため対 GND 間にバイパス用キャパシタを接続してください。
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NJG1815K75
- 5 -
特性例 (指定の外部回路による)
Switching Time(PC-P1 path, V
DD=3.3V, V
CTL(H)=1.8V)
Time (100ns/div)
Vo
ltag
e (
arb
. U
nit
s)
VCTL
P1
146ns 176ns
-4.0
-3.6
-3.2
-2.8
-2.4
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0.0
-40
-36
-32
-28
-24
-20
-16
-12
-8
-4
0
0 1 2 3 4 5 6
PC-P1 LOSS
PC-P2 ISL
P1-P2 ISL
Loss, ISL vs Frequency(PC-P1 ON, V
DD=3.3V, V
CTL=1.8V)
Inse
rtio
n L
oss (d
B)
Iso
lati
on
(d
B)
Frequency (GHz)
-4.0
-3.6
-3.2
-2.8
-2.4
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0.0
-40
-36
-32
-28
-24
-20
-16
-12
-8
-4
0
0 1 2 3 4 5 6
PC-P2 LOSS
PC-P1 ISL
P1-P2 ISL
Loss, ISL vs Frequency(PC-P2 ON, V
DD=3.3V, V
CTL=0V)
Inse
rtio
n L
oss (d
B)
Iso
lati
on
(d
B)
Frequency (GHz)
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0 1 2 3 4 5 6
P1 portPC port
Return Loss vs Frequency(PC-P1 ON, V
DD=3.3V, V
CTL=1.8V)
Frequency (GHz)
Re
turn
Lo
ss (d
B)
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0 1 2 3 4 5 6
P2 portPC port
Return Loss vs Frequency(PC-P2 ON, V
DD=3.3V, V
CTL=0V)
Frequency (GHz)
Retu
rn L
oss (d
B)
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NJG1815K75
- 6 -
特性例 (指定の外部回路による)
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
44
48
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
Input Power (dBm)
Ou
tpu
t P
ow
er
(d
Bm
)
Output Power, IDD
vs Input Power(PC-P1 ON, V
CTL=1.8V, f=2.5GHz)
Op
era
tin
g C
urr
en
t I
DD(
A)
-4.0
-3.6
-3.2
-2.8
-2.4
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0.0
-30
-27
-24
-21
-18
-15
-12
-9
-6
-3
0
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
Input Power (dBm)
(PC-P1 ON, VCTL
=1.8V, f=2.5GHz)
PC
-P1 In
sert
ion
Lo
ss (d
B)
PC
-P2 Iso
lati
on
(d
B)
Loss, ISL vs Input Power
-4.0
-3.6
-3.2
-2.8
-2.4
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0.0
-30
-27
-24
-21
-18
-15
-12
-9
-6
-3
0
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
Input Power (dBm)
(PC-P2 ON, VCTL
=0V, f=2.5GHz)
PC
-P2 In
sert
ion
Lo
ss (d
B)
PC
-P1 Iso
lati
on
(d
B)
Loss, ISL vs Input Power
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
44
48
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
Input Power (dBm)
Ou
tpu
t P
ow
er
(d
Bm
)
Output Power, IDD
vs Input Power(PC-P1 ON, V
CTL=1.8V, f=6.0GHz)
Op
era
tin
g C
urr
en
t I
DD(
A)
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
44
48
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
Input Power (dBm)
Ou
tpu
t P
ow
er
(d
Bm
)
Output Power, IDD
vs Input Power(PC-P2 ON, V
CTL=0V, f=6.0GHz)
Op
era
tin
g C
urr
en
t I
DD(
A)
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
44
48
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
Input Power (dBm)O
utp
ut
Po
wer
(d
Bm
)
Output Power, IDD
vs Input Power(PC-P2 ON, V
CTL=0V, f=2.5GHz)
Op
era
tin
g C
urr
en
t I
DD(
A)
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NJG1815K75
- 7 -
特性例 (指定の外部回路による)
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
-40
-36
-32
-28
-24
-20
-16
-12
-8
-4
0
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
Input Power (dBm)
PC
-P1 In
sert
ion
Lo
ss (d
B)
PC
-P2 Iso
lati
on
(d
B)
Loss, ISL vs Input Power
(PC-P1 ON, VCTL
=1.8V, f=6.0GHz)
-2.0
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
-40
-36
-32
-28
-24
-20
-16
-12
-8
-4
0
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
Input Power (dBm)
PC
-P2 In
sert
ion
Lo
ss (d
B)
PC
-P1 Iso
lati
on
(d
B)
Loss, ISL vs Input Power
(PC-P2 ON, VCTL
=0V, f=6.0GHz)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
THROUGH
EV
M (%
)
Input Power (dBm)
EVM vs Input Power(PC-P1 ON, V
CTL=1.8V, f=2.5GHz, OFDM 64QAM)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
THROUGH
EV
M (%
)
Input Power (dBm)
EVM vs Input Power(PC-P2 ON, V
CTL=0V, f=2.5GHz, OFDM 64QAM)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
THROUGH
EV
M (%
)
Input Power (dBm)
EVM vs Input Power(PC-P1 ON, V
CTL=1.8V, f=6.0GHz, OFDM 64QAM)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
THROUGH
EV
M (%
)
Input Power (dBm)
EVM vs Input Power(PC-P2 ON, V
CTL=0V, f=6.0GHz, OFDM 64QAM)
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NJG1815K75
- 8 -
特性例 (指定の外部回路による)
-4.0
-3.6
-3.2
-2.8
-2.4
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0.0
-40
-36
-32
-28
-24
-20
-16
-12
-8
-4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
(PC-P1 ON, VCTL
=1.8V, f=2.5GHz)
PC
-P1 In
sert
ion
Lo
ss (d
B)
PC
-P2 Iso
lati
on
(d
B)
Loss, ISL vs Temperature
Ambient Temperature (oC)
-4.0
-3.6
-3.2
-2.8
-2.4
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0.0
-40
-36
-32
-28
-24
-20
-16
-12
-8
-4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
(PC-P2 ON, VCTL
=0V, f=2.5GHz)
PC
-P2 In
sert
ion
Lo
ss (d
B)
PC
-P1 Iso
lati
on
(d
B)
Loss, ISL vs Temperature
Ambient Temperature (oC)
-4.0
-3.6
-3.2
-2.8
-2.4
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0.0
-40
-36
-32
-28
-24
-20
-16
-12
-8
-4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
(PC-P1 ON, VCTL
=1.8V, f=6.0GHz)
PC
-P1 In
sert
ion
Lo
ss (d
B)
PC
-P2 Iso
lati
on
(d
B)
Loss, ISL vs Temperature
Ambient Temperature (oC)
-4.0
-3.6
-3.2
-2.8
-2.4
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0.0
-40
-36
-32
-28
-24
-20
-16
-12
-8
-4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
(PC-P2 ON, VCTL
=0V, f=6.0GHz)
PC
-P2 In
sert
ion
Lo
ss (d
B)
PC
-P1 Iso
lati
on
(d
B)
Loss, ISL vs Temperature
Ambient Temperature (oC)
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
-50 -25 0 25 50 75 100 125
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
P-1
dB (d
Bm
)
P-1dB
vs Temperature
(PC-P1 ON, VCTL
=1.8V, f=2.5GHz)
Ambient Temperature (oC)
Absolute Maximum Raitings: 31dBm
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
-50 -25 0 25 50 75 100 125
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
P-1
dB (d
Bm
)
P-1dB
vs Temperature
(PC-P2 ON, VCTL
=0V, f=2.5GHz)
Ambient Temperature (oC)
Absolute Maximum Raitings: 31dBm
![Page 9: › products › semicon › PDF › NJG1815K75_J.pdf NJG1815K75 SPDT スイッチ GaAs MMICNJG1815K75 -2 -絶対最大定格 T a =+25 C, Z s =Z l =50 項目 記号 条件 定格 単位](https://reader033.vdocuments.us/reader033/viewer/2022041817/5e5bb8999046a249ac17bd39/html5/thumbnails/9.jpg)
NJG1815K75
- 9 -
特性例 (指定の外部回路による)
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
-50 -25 0 25 50 75 100 125
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
P-1
dB (d
Bm
)
P-1dB
vs Temperature
(PC-P1 ON, VCTL
=1.8V, f=6.0GHz)
Ambient Temperature (oC)
Absolute Maximum Raitings: 31dBm
20
21
22
23
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-50 -25 0 25 50 75 100 125
VDD
=2.5V
VDD
=2.7V
VDD
=3.0V
VDD
=3.3V
VDD
=4.0V
VDD
=5.0V
P-1
dB (d
Bm
)
P-1dB
vs Temperature
(PC-P2 ON, VCTL
=0V, f=6.0GHz)
Ambient Temperature (oC)
Absolute Maximum Raitings: 31dBm
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NJG1815K75
- 10 -
(TOP VIEW)
外部回路図
注)
制御ラインにノイズ影響を多く受ける場合に限り、バイパスキャパシタ C2 を推
奨します。
基板実装図
部品リスト
部品 定数 備考
C1 1000pF Murata MFG
(GRM03 シリーズ) C2 10pF
P1
2
3
1 6
4
P2
5
DECODER
VCTL
PC
VDD
C1
C2
PCB: FR-4, t=0.2mm
キャパシタサイズ: 0603 (0.6 x 0.3 mm)
ストリップライン幅: 0.4mm
PCB サイズ: 19.4 x 14.0mm
スルーホール径: 0.2mm
(TOP VIEW)
1pin mark 1pin mark
コネクタ、キャパシタ損失を含む基板損失
周波数(GHz) 損失 (dB)
2.4 0.28
2.5 0.28
3.4 0.35
3.8 0.39
4.9 0.52
6.0 0.72
VCTL
PC
P2 P1
VDD
GND
1pin mark
*C2
*C2 is optional
C1
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NJG1815K75
- 11 -
PCB レイアウトガイドライン
(TOP VIEW)
注意事項
良好な RF 特性を得る為、Exposed pad は出来るだけ近傍で PCB の GND パターンに接続してください。
1 2 3
4 5 6
スルーホール
直径:= 0.2mm
パッケージ端子
PCB パターン
パッケージ外形
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NJG1815K75
- 12 -
単位: mm
DFN6-75 パッケージ推奨フットパターン (6pin DFN Package 1.0x1.0mm)
Package: 1.0mm x 1.0mm
Pin pitch: 0.35mm
: Land
: Mask (Open area) * Metal mask thickness: 100m
: Resist (Open area)
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NJG1815K75
- 13 -
単位 : mm
基板材質 : Cu
端子処理 : Ni/Pd/Au
モールド樹脂 : エポキシ樹脂
重量 : 1.2 mg
パッケージ外形図(DFN6-75)
<注意事項>
このデータブックの掲載内容の正確さには
万全を期しておりますが、掲載内容について
何らかの法的な保証を行うものではありませ
ん。とくに応用回路については、製品の代表
的な応用例を説明するためのものです。また、
工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴
うものではなく、第三者の権利を侵害しない
ことを保証するものでもありません。
ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項
この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、
製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関
連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。
この製品は静電放電 ・ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。
0.15±0.05
A
B
0.05 S AB
1
0.35
0.1
5±
0.0
5
0.1
75±
0.0
5
R0.075
0.33±0.1
0.1
3±
0.1
0.1
0±
0.1
0.2
1±
0.1
0.10±0.1
0.20±0.1
2 3
6 5 4
1.00±0.05
Pin1 INDEX
1 2 3
6 5 4
1.0
0±
0.0
5
S
0.08 S
0.10 S
0.3
75±
0.0
5
(0.1
25)
0.15±0.05
A
B
0.05 S AB
1
0.35
0.1
5±
0.0
5
0.1
75±
0.0
5
R0.075
0.33±0.1
0.1
3±
0.1
0.1
0±
0.1
0.2
1±
0.1
0.10±0.1
0.20±0.1
2 3
6 5 4
1.00±0.05
Pin1 INDEX
1 2 3
6 5 4
1.0
0±
0.0
5
1.00±0.05
Pin1 INDEX
1 2 3
6 5 4
1.0
0±
0.0
5
S
0.08 S
0.10 S
0.3
75±
0.0
5
(0.1
25)
S
0.08 S
0.10 S
0.3
75±
0.0
5
(0.1
25)