2n6668

7/27/2019 2n6668

http://slidepdf.com/reader/full/2n6668 1/9

Darlington SiliconPower Transistors

. . . designed for general–purpose amplifier and low speedswitching applications.

• High DC Current Gain —

hFE = 3500 (Typ) @ IC = 4 Adc

• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 200 mAdc

VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6667

= 80 Vdc (Min) — 2N6668

• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —

VCE(sat) = 2 Vdc (Max)@ IC = 5 Adc

• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors

• TO–220AB Compact Package

• Complementary to 2N6387, 2N6388

COLLECTOR

EMITTER

[ 8 k [ 120

Figure 1. Darlington Schematic

BASE

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î


MAXIMUM RATINGS (1)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î


Rating Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Symbol Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

2N6667 Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

2N6668 Î Î Î

Î Î Î

Unit



Collector–Emitter Voltage Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

VCEOÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

60 Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

80 Î Î Î

Î Î Î

Vdc



Collector–Base Voltage Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

VCBÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

60 Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

80 Î Î Î

Î Î Î

Vdc



Emitter–Base Voltage Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

VEBÎ Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î

5 Î Î Î

Î Î Î

Vdc


Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î


Collector Current — Continuous

— Peak

Î Î Î Î Î

Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

ICÎ Î Î Î Î Î Î Î Î

Î

Î Î Î Î Î Î Î Î


10

15

Î Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

Adc



Base Current Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

IB Î Î Î Î Î Î Î Î Î


250 Î Î Î

Î Î Î

mAdc



Total Device Dissipation @ TC = 25_C

Derate above 25_CÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

PD Î Î Î Î Î Î Î Î Î


65

0.52Î Î Î

Î Î Î

watts

W/ _CÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î



Total Device Dissipation @ TA = 25_C

Derate above 25_C

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

PD




2

0.016

Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

Watts

W/ _C



Operating and Storage Junction Temperature RangeÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

TJ, TstgÎ Î Î Î Î Î Î Î Î


–65 to +150Î Î Î

Î Î Î

_C

(1) Indicates JEDEC Registered Data.

ON Semiconductor)

© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002

April, 2002 – Rev. 41 Publication Order Number:

2N6667/D

2N66672N6668

PNP SILICON

DARLINGTON

POWER TRANSISTORS

10 AMPERES

60–80 VOLTS

65 WATTS

CASE 221A–09TO–220AB

STYLE 1:PIN 1 . BAS E

2. COLLECTOR3. EMITTER4. COLLECTOR

12

3

4

7/27/2019 2n6668


2N6667 2N6668

http://onsemi.com

2



THERMAL CHARACTERISTICSÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

CharacteristicÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

SymbolÎ Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î

MaxÎ Î Î

Î Î Î

Unit



Thermal Resistance, Junction to CaseÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

RθJCÎ Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î

1.92Î Î Î

Î Î Î

_C/WÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î


Thermal Resistance, Junction to AmbientÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

RθJAÎ Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î

62.5Î Î Î

Î Î Î

_C/W



*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)



CharacteristicÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

SymbolÎ Î Î

Î Î Î

MinÎ Î Î Î

Î Î Î Î

MaxÎ Î Î

Î Î Î

Unit



OFF CHARACTERISTICS



Collector–Emitter Sustaining Voltage (2) 2N6667

(IC = 200 mAdc, IB = 0) 2N6668Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

VCEO(sus) Î Î Î

Î Î Î

60

80Î Î Î Î

Î Î Î Î

—

—Î Î Î

Î Î Î

Vdc




Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6667

(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N6668

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

ICEOÎ Î Î

Î Î Î

Î Î Î

—

—

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

1

1

Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

mAdc


Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î



Collector Cutoff Current

(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6667

(VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6668

(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) 2N6667

(VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C) 2N6668

Î Î Î Î Î

Î

Î Î Î Î

Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

ICEX

Î Î Î

Î

Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

—

—

—

—

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

300

300

3

3

Î Î Î

Î

Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

µAdc

mAdc



Emitter Cutoff Current (VBE = 5 Vdc, IC = 0)Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

IEBO

Î Î Î

Î Î Î

—Î Î Î Î

Î Î Î Î

5Î Î Î

Î Î Î

mAdcÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î


ON CHARACTERISTICS (1)Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î



DC Current Gain (IC = 5 Adc, VCE = 3 Vdc)

(IC = 10 Adc, VCE = 3 Vdc)

Î Î Î Î Î

Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

hFEÎ Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

1000

100

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

20000

—

Î Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

—



Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 0.01 Adc)

(IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc)

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

VCE(sat) Î Î Î

Î Î Î

—

—

Î Î Î Î

Î Î Î Î

2

3

Î Î Î

Î Î Î

Vdc




Base–Emitter Saturation Voltage(IC = 5 Adc, IB = 0.01 Adc)

(IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc)

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

VBE(sat)

Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

—

—

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

2.8

4.5

Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

Vdc



DYNAMIC CHARACTERISTICS



Current Gain — Bandwidth Product (IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc, ftest = 1 MHz) Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

|hfe| Î Î Î

Î Î Î

20 Î Î Î Î

Î Î Î Î

— Î Î Î

Î Î Î

—



Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Cob Î Î Î

Î Î Î

—Î Î Î Î

Î Î Î Î

200Î Î Î

Î Î Î

pF



Small–Signal Current Gain (IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc, f = 1 kHz)Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

hfeÎ Î Î

Î Î Î

1000Î Î Î Î

Î Î Î Î

—Î Î Î

Î Î Î

—

*Indicates JEDEC Registered Data

(2) Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cyclev 2%.

Figure 2. Switching Times Test Circuit

0

VCC- 30 V

SCOPETUT

+ 4.0 V

tr, tf v 10 ns

DUTY CYCLE = 1.0%

RCD1, MUST BE FAST RECOVERY TYPES e.g.,

ą1N5825 USED ABOVE IB [ 100 mA

ąMSD6100 USED BELOW IB [ 100 mA

25 µs

D151

RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS

V2

APPROX+ 8 V

V1

APPROX- 12 V

[ 8 k [ 120FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED AND V2 = 0

RB

7/27/2019 2n6668


2N6667 2N6668

http://onsemi.com

3

t ,

T I M E (ă s )

µ

80

40

20

020 40 80 100 120 160

Figure 3. Power Derating

T, TEMPERATURE (°C)

P D ,

P O W E R D

I S S I P A T I O N ( W A T T S )

60

T A TC4

2

1

3

0 60 140

T A

TC

0.1

Figure 4. Typical Switching Times

IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)

5

0.7

0.3

0.2

0.2 10

VCC = 30 V

IC /IB = 250

IB1 = IB2TJ = 25°C

tf

1 5

ts

tr

0.1

1

3

0.5 2

.td

0.5

2

7

0.3 0.7 3 7

10

Figure 5. Thermal Response

t, TIME (ms)

1

0.010.01

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.03

0.02

0.02

r ( t ) N O R M A L I Z E D E F F E C T I V E

T R A N S I E N T T H E R M A L R E S I S T A N C E

0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 1000500

ZθJC(t) = r(t) RθJCRθJC = 1.92°C/W MAX

D CURVES APPLY FOR POWER

PULSE TRAIN SHOWN

READ TIME AT t1TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)

P(pk)

t1t2

DUTY CYCLE, D = t1 /t2

D = 0.5

SINGLE PULSE

0.05

0.1

0.02

0.01

0.2

BONDING WIRE LIMIT

THERMAL LIMIT @ TC = 25°C

SECOND BREAKDOWN LIMIT

20

1

Figure 6. Maximum Safe Operating Area

2

0.0210 20 100

TJ = 150°C

0.2

5

0.5

I C ,

C O L L E C T

O R C U R R E N T ( A M P S )

VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

10

50

1

0.1

dc

2 703 7

2N66672N6668

CURVES APPLY BELOW RATED VCEO

1 ms

100 µs5 ms

3

0.03

0.05

0.3

5 30

There are two limitations on the power handling ability of

a transistor: average junction temperature and second

breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCElimits of the transistor that must be observed for reliable

operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater

dissipation than the curves indicate.

The data of Figure 6 is based on TJ(pk) = 150_

C; TC isvariable depending on conditions. Second breakdown pulse

limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)< 150_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 5.

At high case temperatures, thermal limitations will reduce

the power that can be handled to values less than the

limitations imposed by second breakdown.

7/27/2019 2n6668


2N6667 2N6668

http://onsemi.com

4

10,000

1

Figure 7. Typical Small–Signal Current Gain

f, FREQUENCY (kHz)

102 5 10 20 50 100 200 1000

500

100

5000

h F E ,

S M A L

L -

S I G N A L C U R E N T G A I N

20

200

500

2000

1000

50

TC = 25°C

VCE = 4 VOLTS

IC

= 3 AMPS

300

0.1

Figure 8. Typical Capacitance

VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

301 2 5 20 10010

C , C

A P A C I T A N C E ( p F )

200

100

70

50

CibCob

500.2 0.5

TJ = 25°C

3 7 7030 300

V C E ,

C O L L E C T O R -

E M I T T E R V O L T A G E ( V O L T S )

0.1

Figure 9. Typical DC Current Gain


0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 10

500

300

h F E ,

D C C U R R E N T G A I N

TJ = 150°C

VCE = 3 V

2007

20,000

5000

10,000

3000

2000

1000

3 5

Figure 10. Typical Collector Saturation Region

2.6

IB, BASE CURRENT (mA)

0.3 0.5 1 2 3 5 7 30

2.2

1.8

1.4

1

IC = 2 A

TJ = 25°C

4 A 6 A

0.60.7 2010

TJ = - 55°C

7000

700

TJ = 25°C


VBE(sat) @ IC /IB = 250

V ,

V O L T A G E ( V O L T S )

Figure 11. Typical “On” Voltages

VCE(sat) @ IC /IB = 250

TJ = 25°C

VBE @ VCE = 3 V

0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 1073 5

3

2

1.5

1

0.5

Figure 12. Typical Temperature Coefficients

+3

+2

0-1

-2

-3

+5

+4

+1

2.5

0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 1073 5

IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

V ,

T E M P E R A T U R E C

O E F F I C I E N T S ( m V / C ) °

θ

-55°C to 25°C

25°C to 150°C

-55°C to 25°C

25°C to 150°CθVB for VBE

-4

-5

∗θVC for VCE(sat)

hFEĂ@ĂVCEĂ+Ă 3.0ĂV

3*IC /IB ≤

7/27/2019 2n6668


2N6667 2N6668

http://onsemi.com

5

105

Figure 13. Typical Collector Cut–Off RegionVBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

102

101

100 ,

C O L L E C

T O R C U R R E N T (ă A )

µ

I C

10-ā1

VCE = 30 V

TJ = 150°C

100°C

25°C

REVERSE FORWARD

103

104

+0.2+0.4 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.2 -1.4-1

+0.6

7/27/2019 2n6668


2N6667 2N6668

http://onsemi.com

6

PACKAGE DIMENSIONS

CASE 221A–09ISSUE AA

TO–220

NOTES:1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

Y14.5M, 1982.2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL

BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE ALLOWED.

DIM MIN MAX MIN MAX

MILLIMETERSINCHES

A 0.570 0.620 14.48 15.75

B 0.380 0.405 9.66 10.28

C 0.160 0.190 4.07 4.82

D 0.025 0.035 0.64 0.88

F 0.142 0.147 3.61 3.73

G 0.095 0.105 2.42 2.66

H 0.110 0.155 2.80 3.93

J 0.018 0.025 0.46 0.64

K 0.500 0.562 12.70 14.27

L 0.045 0.060 1.15 1.52

N 0.190 0.210 4.83 5.33

Q 0.100 0.120 2.54 3.04

R 0.080 0.110 2.04 2.79

S 0.045 0.055 1.15 1.39

T 0.235 0.255 5.97 6.47U 0.000 0.050 0.00 1.27

V 0.045 --- 1.15 ---

Z --- 0.080 --- 2.04

B

Q

H

Z

L

V

G

N

A

K

F

1 2 3

4

D

SEATINGPLANE –T–

C

ST

U

R

J

STYLE 1:PIN 1 . B ASE

2. COLLECTOR3. EMITTER4. COLLECTOR

7/27/2019 2n6668


2N6667 2N6668

http://onsemi.com

7

Notes

7/27/2019 2n6668


2N6667 2N6668

http://onsemi.com

8

ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to makechanges without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for anyparticular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and s pecifically disclaims any and allliability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/orspecifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must bevalidated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applicationsintended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or deathmay occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC

and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney feesarising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges thatSCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.

PUBLICATION ORDERING INFORMATION

JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031Phone: 81–3–5740–2700Email: [email protected]

ON Semiconductor Website: http://onsemi.com

For additional information, please contact your localSales Representative.

2N6667/D

Literature Fulfillment:Literature Distribution Center for ON SemiconductorP.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USAPhone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/CanadaFax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/CanadaEmail: [email protected]

N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada

7/27/2019 2n6668


This datasheet has been download from:

www.datasheetcatalog.com

Datasheets for electronics components.

http://www.datasheetcatalog.com/




2n6668

Documents